本公開涉及一種基板處理裝置和基板處理方法。

背景技術(shù)：

1、專利文獻1所記載的基板處理裝置具備兩個吸附墊、液接受杯、旋轉(zhuǎn)保持盤、殼體、第一清洗部以及第二清洗部。兩個吸附墊將基板的下表面吸附保持為水平。液接受杯與兩個吸附墊連結(jié)。旋轉(zhuǎn)保持盤將從吸附墊接受到的基板的下表面吸附保持為水平。殼體具有上表面開口的開口部。在殼體的底部設(shè)置有用于排出清洗液的排放管、以及用于對氣流進行排氣的排氣管。第一清洗部清洗基板的上表面。第二清洗部清洗基板的下表面。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻

3、專利文獻

4、專利文獻1：日本特開2020-43156號公報

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的問題

2、本公開的一個方式提供一種去除保持部的污染的技術(shù)。

3、用于解決問題的方案

4、本公開的一個方式的基板處理裝置具備利用處理液處理基板的處理部。所述處理部具有將所述基板保持為水平的保持部。所述保持部包括與所述基板的下表面中央接觸的第一保持部。所述處理部具有使所述第一保持部以鉛垂的旋轉(zhuǎn)軸為中心旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部。所述基板處理裝置具備：帶電部，其使與所述基板分開準備的第二基板帶電；以及控制部，其進行使通過所述帶電部而帶電的所述第二基板與所述第一保持部接觸的控制。

5、發(fā)明的效果

6、根據(jù)本公開的一個方式，能夠去除保持部的污染。

技術(shù)特征：

1.一種基板處理裝置，具備利用處理液處理基板的處理部，所述處理部具有將所述基板保持為水平的保持部，所述保持部包括與所述基板的下表面中央接觸的第一保持部，所述處理部具有使所述第一保持部以鉛垂的旋轉(zhuǎn)軸為中心旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部，所述基板處理裝置具備：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中的任一項所述的基板處理裝置，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求1～5中的任一項所述的基板處理裝置，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求1～5中的任一項所述的基板處理裝置，其中，

9.一種基板處理裝置，具備：

10.一種基板處理方法，包括使用基板處理裝置來處理基板，

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板處理方法，其中，

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板處理方法，其中，

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基板處理方法，其中，

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基板處理方法，其中，

15.根據(jù)權(quán)利要求10～14中的任一項所述的基板處理方法，其中，

16.根據(jù)權(quán)利要求10～14中的任一項所述的基板處理方法，其中，

17.根據(jù)權(quán)利要求10～14中的任一項所述的基板處理方法，其中，

18.一種基板處理方法，包括使用根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板處理裝置來處理基板。

技術(shù)總結(jié)
本公開提供一種基板處理裝置和基板處理方法，去除保持部的污染?；逄幚硌b置具備利用處理液處理基板的處理部。所述處理部具有將所述基板保持為水平的保持部。所述保持部包括與所述基板的下表面中央接觸的第一保持部。所述處理部具有使所述第一保持部以鉛垂的旋轉(zhuǎn)軸為中心旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部。所述基板處理裝置具備：帶電部，其使與所述基板分開準備的第二基板帶電；以及控制部，其進行使通過所述帶電部而帶電的所述第二基板與所述第一保持部接觸的控制。

技術(shù)研發(fā)人員：小原隆憲,久留巢健人
受保護的技術(shù)使用者：東京毅力科創(chuàng)株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9