本發(fā)明涉及一種研磨液、研磨液套組、研磨方法、零件的制造方法及半導(dǎo)體零件的制造方法等。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中，隨著超大規(guī)模集成電路(very?large?scale?integration，vlsi)器件的高性能化，通過(guò)作為以往技術(shù)的延伸的微細(xì)化技術(shù)來(lái)兼顧高集成化和高速化存在局限。因此，正在開(kāi)發(fā)一種促進(jìn)半導(dǎo)體元件的微細(xì)化的同時(shí)，在垂直方向上也實(shí)現(xiàn)高集成化的技術(shù)(即，配線的多層化技術(shù))。

2、在制造配線多層化的器件的制程中，cmp(化學(xué)機(jī)械研磨)技術(shù)為最重要的技術(shù)之一。cmp技術(shù)為對(duì)通過(guò)化學(xué)氣相沉積(cvd)等而在基板上形成薄膜而獲得的被研磨部件的表面進(jìn)行平坦化的技術(shù)。例如，為了確保光刻的焦深，基于cmp的平坦化處理不可或缺。若被研磨部件的表面存在凹凸，則會(huì)發(fā)生曝光工序中無(wú)法聚焦，或者無(wú)法充分形成微細(xì)配線結(jié)構(gòu)等不良情況。并且，cmp技術(shù)在器件的制造過(guò)程中，也適用于通過(guò)等離子體氧化膜(bpsg、hdp-sio2、p-teos等)的研磨而形成元件分離(元件間分離。sti：shallow?trenchisolation(淺槽隔離))區(qū)域的工序；形成ild膜(層間絕緣膜。將同一層中的金屬部件(配線等)彼此電絕緣的絕緣膜)的工序；將含有氧化硅的膜埋入金屬配線之后將插塞(例如，al/cu插塞)進(jìn)行平坦化的工序等。

3、cmp通常使用能夠向研磨部件(研磨墊等)上供給研磨液的裝置來(lái)進(jìn)行。而且，將研磨液供給到被研磨部件的被研磨面(表面)與研磨部件之間，并且將被研磨部件緊壓在研磨部件上，由此對(duì)被研磨部件的被研磨面進(jìn)行研磨。如此，在cmp技術(shù)中，研磨液為要件技術(shù)之一，為了獲得高性能的研磨液，至今為止開(kāi)發(fā)了各種研磨液(例如，參考下述專利文獻(xiàn)1)。

4、以往技術(shù)文獻(xiàn)

5、專利文獻(xiàn)

6、專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2008-288537號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的技術(shù)課題

2、在使用研磨液對(duì)被研磨部件的被研磨面進(jìn)行研磨的情況下，從提高研磨后的被研磨面的平坦性的觀點(diǎn)考慮，要求獲得被研磨面上的研磨速度優(yōu)異的面內(nèi)均勻性。另一方面，在使用研磨液對(duì)被研磨部件的被研磨面進(jìn)行研磨的情況下，對(duì)于被研磨面上的距離外周3mm左右的外周部，由于研磨時(shí)的壓力的施加容易變得不穩(wěn)定等原因，有時(shí)研磨速度不穩(wěn)定。因此，從評(píng)價(jià)穩(wěn)定的研磨速度的觀點(diǎn)考慮，有時(shí)評(píng)價(jià)除被研磨面上的外周部以外剩余的內(nèi)側(cè)區(qū)域的研磨速度的面內(nèi)均勻性。

3、本發(fā)明的一方面的目的為提供一種研磨液，其能夠獲得被研磨面上的除外周部以外剩余的內(nèi)側(cè)區(qū)域的研磨速度優(yōu)異的面內(nèi)均勻性。本發(fā)明的另一方面的目的為提供一種研磨液套組，其用于獲得所述研磨液。本發(fā)明的另一方面的目的為提供一種研磨方法，其使用所述研磨液。本發(fā)明的另一方面的目的為提供一種零件的制造方法，其使用通過(guò)所述研磨方法研磨的被研磨部件。本發(fā)明的另一方面的目的為提供一種半導(dǎo)體零件的制造方法，其使用通過(guò)所述研磨方法研磨的被研磨部件。

4、用于解決技術(shù)課題的手段

5、本發(fā)明在幾個(gè)方面涉及下述[1]～[15]等。

6、[1]一種研磨液，其含有磨粒、添加劑及水，所述添加劑含有(a1)具有鍵合有羥烷基的2個(gè)以上的氮原子的化合物、及(b)下述通式(1)所表示的4-吡喃酮類化合物。

7、

8、[式中，x11、x12及x13分別獨(dú)立地表示氫原子或1價(jià)的取代基。]

9、[2]根據(jù)[1]所述的研磨液，其中，

10、所述(a1)成分含有乙二胺四乙醇。

11、[3]根據(jù)[1]或[2]所述的研磨液，其中，

12、所述(a1)成分含有乙二胺四丙醇。

13、[4]根據(jù)[1]至[3]中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，

14、所述(a1)成分的含量為0.001～5質(zhì)量％。

15、[5]一種研磨液，其含有磨粒、添加劑及水，所述添加劑含有(a2)聚甘油、及(b)下述通式(1)所表示的4-吡喃酮類化合物。

16、

17、[式中，x11、x12及x13分別獨(dú)立地表示氫原子或1價(jià)的取代基。]

18、[6]根據(jù)[5]所述的研磨液，其中，

19、所述(a2)成分的含量為0.001～10質(zhì)量％。

20、[7]根據(jù)[1]至[6]中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，

21、所述磨粒含有鈰類化合物。

22、[8]根據(jù)[1]至[7]中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，

23、所述(b)成分包含選自由3-羥基-2-甲基-4-吡喃酮、5-羥基-2-(羥甲基)-4-吡喃酮及2-乙基-3-羥基-4-吡喃酮組成的組中的至少一種。

24、[9]根據(jù)[1]至[8]中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，

25、所述(b)成分的含量為0.001～5質(zhì)量％。

26、[10]根據(jù)[1]至[9]中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，

27、所述添加劑進(jìn)一步含有飽和單羧酸。

28、[11]根據(jù)[1]至[10]中任一項(xiàng)所述的研磨液，其ph為8.00以下。

29、[12]一種研磨液套組，其中，

30、[1]至[11]中任一項(xiàng)所述的研磨液的構(gòu)成成分被分為第1液及第2液來(lái)保存，所述第1液含有所述磨粒及水，所述第2液含有所述添加劑中的至少一種及水。

31、[13]一種研磨方法，其包括使用[1]至[11]中任一項(xiàng)所述的研磨液對(duì)被研磨部件的被研磨面進(jìn)行研磨的工序。

32、[14]一種零件的制造方法，其使用通過(guò)[13]所述的研磨方法研磨的被研磨部件來(lái)獲得零件。

33、[15]一種半導(dǎo)體零件的制造方法，其使用通過(guò)[13]所述的研磨方法研磨的被研磨部件來(lái)獲得半導(dǎo)體零件。

34、發(fā)明效果

35、依本發(fā)明的一方面，能夠提供一種研磨液，其能夠獲得被研磨面上的除外周部以外剩余的內(nèi)側(cè)區(qū)域的研磨速度優(yōu)異的面內(nèi)均勻性。依本發(fā)明的另一方面，能過(guò)提供一種研磨液套組，其用于獲得所述研磨液。依本發(fā)明的另一方面，能夠提供一種研磨方法，其使用所述研磨液。依本發(fā)明的另一方面，能夠提供一種零件的制造方法，其使用通過(guò)所述研磨方法研磨的被研磨部件。依本發(fā)明的另一方面，能夠提供一種半導(dǎo)體零件的制造方法，其使用通過(guò)所述研磨方法研磨的被研磨部件。

技術(shù)特征：

1.一種研磨液，其含有磨粒、添加劑及水，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨液，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨液，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨液，其中，

5.一種研磨液，其含有磨粒、添加劑及水，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的研磨液，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的研磨液，其ph為8.00以下。

12.一種研磨液套組，其中，

13.一種研磨方法，其包括使用權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的研磨液對(duì)被研磨部件的被研磨面進(jìn)行研磨的工序。

14.一種零件的制造方法，其使用通過(guò)權(quán)利要求13所述的研磨方法研磨的被研磨部件來(lái)獲得零件。

15.一種半導(dǎo)體零件的制造方法，其使用通過(guò)權(quán)利要求13所述的研磨方法研磨的被研磨部件來(lái)獲得半導(dǎo)體零件。

技術(shù)總結(jié)
一種研磨液，其含有磨粒、添加劑及水，所述添加劑含有(A1)具有鍵合有羥烷基的2個(gè)以上的氮原子的化合物、及(B)下述通式(1)所表示的4?吡喃酮類化合物。一種研磨液，其含有磨粒、添加劑及水，所述添加劑含有(A2)聚甘油、及(B)下述通式(1)所表示的4?吡喃酮類化合物。式中，X11、X12及X13分別獨(dú)立地表示氫原子或1價(jià)的取代基。

技術(shù)研發(fā)人員：倉(cāng)田悠都
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社力森諾科
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10