本說明書總體上涉及通信系統(tǒng)，并且更具體地涉及襯底集成波導。

背景技術：

1、對于高速傳輸以及毫米波和天線應用，傳輸線和波導通常被用于傳輸信號。可以實現(xiàn)各種不同類型的波導來傳播無線信號。一種類型的波導是矩形波導(例如，具有矩形橫截面)，其通常為了低信號損耗特性而實現(xiàn)。一種類型的矩形波導是襯底集成波導(siw)，其可以用傳統(tǒng)的基于層壓的襯底來制造。典型的siw包括通過柵欄通孔連接的兩個平行的頂平面和底平面。波可以沿典型的siw傳播，但可能遭受通過通孔之間的空間的泄漏，從而導致非最佳插入損耗和串擾。

技術實現(xiàn)思路

1、一個示例包括一種用于制造襯底集成波導(siw)的方法。該方法包括在載體表面上形成第一金屬層。第一金屬層可以沿軸線延伸。該方法還包括形成沿軸線從第一金屬層的第一邊緣延伸的第一金屬側(cè)壁以及形成沿軸線從第一金屬層的與第一邊緣相對的第二邊緣延伸的第二金屬側(cè)壁，以形成沿軸線延伸的溝槽。該方法還包括在第一金屬層上方以及第一金屬側(cè)壁和第二金屬側(cè)壁上方提供介電材料。該方法還包括在介電材料上方以及第一金屬側(cè)壁和第二金屬側(cè)壁上方形成第二金屬層。第二金屬層可以沿軸線延伸以沿軸線在所有徑向方向上包圍siw。

2、本文描述的另一示例包括一種用多層級封裝襯底(mlps)制造工藝形成的siw。該siw包括沿軸線延伸的第一金屬層和沿軸線從第一金屬層的第一邊緣連續(xù)延伸的第一金屬側(cè)壁。該siw還包括第二金屬側(cè)壁以及第二金屬層，該第二金屬側(cè)壁沿軸線從第一金屬層的與第一邊緣相對的第二邊緣連續(xù)延伸，該第二金屬層被布置在第一金屬側(cè)壁和第二金屬側(cè)壁上方并且沿軸線延伸以沿軸線在所有徑向方向上包圍siw。該siw還包括介電材料，該介電材料填充在第一和第二金屬層與第一金屬側(cè)壁和第二金屬側(cè)壁之間的內(nèi)部容積中，并且至少耦接到內(nèi)部容積之外的第一金屬側(cè)壁和第二金屬側(cè)壁。

3、本文描述的另一示例包括一種集成電路(ic)封裝件。該ic封裝件包括襯底和鍵合到襯底的ic管芯。該ic封裝件還包括用mlps制造工藝形成的siw。該siw包括沿軸線延伸的第一金屬層和沿軸線從第一金屬層的第一邊緣連續(xù)延伸的第一金屬側(cè)壁。該siw還包括第二金屬側(cè)壁和第二金屬層，該第二金屬側(cè)壁沿軸線從第一金屬層的與第一邊緣相對的第二邊緣連續(xù)延伸，該第二金屬層被布置在第一金屬側(cè)壁和第二金屬側(cè)壁上方并且沿軸線延伸以沿軸線在所有徑向方向上包圍siw。該siw還包括介電材料，該介電材料填充在第一金屬層和第二金屬層與第一金屬側(cè)壁和第二金屬側(cè)壁之間的內(nèi)部容積中，并且至少耦接到內(nèi)部容積之外的第一金屬側(cè)壁和第二金屬側(cè)壁。

技術特征：

1.一種用于制造襯底集成波導即siw的方法，所述方法包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中在所述第一金屬層的相應的所述第一邊緣和所述第二邊緣處在所述第一金屬層和所述第二金屬層之間分別連續(xù)地形成所述第一金屬側(cè)壁和所述第二金屬側(cè)壁，以在所述第一金屬層和所述第二金屬層與所述第一金屬側(cè)壁和所述第二金屬側(cè)壁之間沿所述軸線不提供間隙。

3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中形成所述第一金屬層、形成所述第一金屬側(cè)壁、形成所述第二金屬側(cè)壁、提供所述介電材料和形成所述第二金屬層包括在多層級封裝襯底(mlps)制造工藝中形成所述第一金屬層、形成所述第一金屬側(cè)壁、形成所述第二金屬側(cè)壁、提供所述介電材料和形成所述第二金屬層。

4.根據(jù)權利要求1所述的方法，還包括將所述介電材料以及所述第一金屬側(cè)壁和所述第二金屬側(cè)壁磨削到一定尺寸來將所述siw制造到一定高度，以便調(diào)整所述siw的工作頻帶。

5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中形成所述第一金屬層、形成所述第一金屬側(cè)壁、形成所述第二金屬側(cè)壁和形成所述第二金屬層包括以特定的相應厚度形成所述第一金屬層、形成所述第一金屬側(cè)壁、形成所述第二金屬側(cè)壁和形成所述第二金屬層來制造所述siw，以便調(diào)整所述siw的工作頻帶。

6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中形成所述第一金屬層和所述第二金屬層包括以一定寬度形成所述第一金屬層和所述第二金屬層來制造所述siw以便調(diào)整所述siw的工作頻帶，其中形成所述第一金屬側(cè)壁和形成所述第二金屬側(cè)壁包括以一定高度形成所述第一金屬側(cè)壁并形成所述第二金屬側(cè)壁來制造所述siw以便調(diào)整所述siw的所述工作頻帶。

7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中形成所述第一金屬層、形成所述第一金屬側(cè)壁、形成所述第二金屬側(cè)壁和形成所述第二金屬層包括以銅材料形成所述第一金屬層、形成所述第一金屬側(cè)壁、形成所述第二金屬側(cè)壁和形成所述第二金屬層，其中提供所述介電材料包括提供熱塑性材料作為所述介電材料。

8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述siw被形成在襯底中，所述方法還包括將集成電路管芯即ic管芯焊接到在所述襯底中形成的焊盤，以有利于無線信號在所述siw上傳播到所述ic管芯或從所述ic管芯傳播。

9.根據(jù)權利要求1所述的方法，還包括從所述載體表面移除所述siw。

10.一種由多層封裝襯底(mlps)制造工藝形成的襯底集成波導即siw，所述siw包括：

11.根據(jù)權利要求10所述的siw，其中所述第一金屬層和所述第二金屬層具有一定寬度以設定所述siw的工作頻帶，其中所述第一金屬側(cè)壁和所述第二金屬側(cè)壁具有一定高度以設定所述siw的所述工作頻帶。

12.根據(jù)權利要求10所述的siw，其中所述第一金屬層和所述第二金屬層具有一定厚度以設定所述siw的工作頻帶，其中所述第一金屬側(cè)壁和所述第二金屬側(cè)壁具有一定高度以設定所述siw的所述工作頻帶。

13.根據(jù)權利要求10所述的siw，其中所述第一金屬層、所述第一金屬側(cè)壁、所述第二金屬側(cè)壁和所述第二金屬層由銅材料形成，其中所述介電材料由熱塑性材料形成。

14.一種襯底，其包括根據(jù)權利要求10所述的siw并且由所述襯底材料形成，其中所述襯底包括焊盤，所述焊盤被配置為接收ic管芯以有利于無線信號在所述siw上傳播到所述ic管芯或從所述ic管芯傳播。

15.一種集成電路封裝件即ic封裝件，所述ic封裝件包括：

16.根據(jù)權利要求15所述的ic封裝件，其中所述第一金屬層和所述第二金屬層具有一定寬度以設定所述siw的工作頻帶，其中所述第一金屬側(cè)壁和所述第二金屬側(cè)壁具有一定高度以設定所述siw的所述工作頻帶。

17.根據(jù)權利要求15所述的ic封裝件，其中所述第一金屬層和所述第二金屬層具有一定厚度以設定所述siw的工作頻帶，其中所述第一金屬側(cè)壁和所述第二金屬側(cè)壁具有一定高度以設定所述siw的所述工作頻帶。

18.根據(jù)權利要求15所述的ic封裝件，其中所述第一金屬層、所述第一金屬側(cè)壁、所述第二金屬側(cè)壁和所述第二金屬層由銅材料形成，其中所述介電材料由熱塑性材料形成。

19.根據(jù)權利要求15所述的ic封裝件，其中所述襯底包括焊盤，其中所述ic管芯焊接到所述焊盤。

20.根據(jù)權利要求15所述的ic封裝件，其中所述ic封裝件被布置為四方扁平無引線(qfn)封裝件。

技術總結(jié)
一個示例包括用于制造襯底集成波導(SIW)(100)的方法。該方法包括在載體表面上形成第一金屬層(102)。第一金屬層(102)可以沿軸線(110)延伸。該方法還包括形成沿軸線(110)從第一金屬層(102)的第一邊緣延伸的第一金屬側(cè)壁(104)，以及形成沿軸線(110)從第一金屬層(102)的與第一邊緣相對的第二邊緣延伸的第二金屬側(cè)壁(106)，以形成沿軸線(110)延伸的溝槽。該方法還包括在第一金屬層(102)上方以及第一金屬側(cè)壁(104)和第二金屬側(cè)壁106)上方提供介電材料(114)。該方法還包括在介電材料(114)上方以及第一金屬側(cè)壁(104)和第二金屬側(cè)壁106)上方形成第二金屬層(108)。第二金屬層(108)可以沿軸線(110)延伸，以沿軸線(110)在所有徑向方向上包圍SIW(100)。

技術研發(fā)人員：唐逸麒,R·M·穆魯根,J·A·赫爾布斯摩
受保護的技術使用者：德克薩斯儀器股份有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/10