本發(fā)明涉及模塊封裝和組裝領(lǐng)域，尤其是基于芯片嵌入、基于pcb或基于陶瓷基板的封裝，例如dbc、amb等。本發(fā)明還涉及快速開(kāi)關(guān)電源器件封裝，例如，根據(jù)需要利用sic或gan等寬帶隙(wide?bandgap，wbg)半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)的封裝。頻率范圍可以為50khz到幾mhz，其中，開(kāi)關(guān)頻率可能會(huì)導(dǎo)致emi問(wèn)題。本發(fā)明尤其涉及一種具有共模傳導(dǎo)發(fā)射屏蔽的功率轉(zhuǎn)換器封裝件和一種包括多個(gè)這樣的功率轉(zhuǎn)換器封裝件的多相系統(tǒng)。具體地，本發(fā)明涉及一種結(jié)構(gòu)和方法，所述結(jié)構(gòu)和方法用于在內(nèi)部隔離和屏蔽功率模塊，以防止共模傳導(dǎo)電磁發(fā)射。

背景技術(shù)：

1、功率轉(zhuǎn)換器通常包括功率模塊，功率模塊包括兩個(gè)或兩個(gè)以上的功率半導(dǎo)體、兩個(gè)或兩個(gè)以上的dc電壓供應(yīng)端子(+＝高壓側(cè)(high?side，hs)；–＝低壓側(cè)(low?side，ls))、一個(gè)或多個(gè)交流(alternating?current，ac)電壓端子、幾個(gè)控制和感測(cè)端子，以及金屬熱界面(散熱片)。工作電壓高于100v時(shí)，金屬熱界面區(qū)域通常連接到地(ground，gnd)電位，而直流(direct?current，dc)電壓端子與gnd電位隔離，或者在某些系統(tǒng)中，dc–(即，低壓側(cè))或較低的電壓電位可以等于gnd電位。在運(yùn)行過(guò)程中，ac電壓端子處產(chǎn)生ac電壓，ac電壓在正負(fù)dc電壓電平之間波動(dòng)。

2、在用于功率轉(zhuǎn)換的功率模塊中，共模(common?mode，cm)傳導(dǎo)電磁發(fā)射(electromagnetic?emission，emi)可能會(huì)超過(guò)國(guó)家或國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)或者規(guī)范要求給出的允許水平。在數(shù)百khz至mhz范圍內(nèi)的開(kāi)關(guān)頻率下，由于電壓dv/dt的變化率和電流di/dt的變化率分別達(dá)到引起相當(dāng)大的電流/電壓進(jìn)入附近導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的水平，電容或電感耦合效應(yīng)會(huì)變得嚴(yán)重。

3、對(duì)于這些耦合效應(yīng)，需要采取措施，通過(guò)大型濾波器來(lái)補(bǔ)償不必要的emi耦合效應(yīng)。濾波器可能會(huì)削減甚至抵消使用具有快速開(kāi)關(guān)能力的寬帶隙半導(dǎo)體帶來(lái)的所有好處。

4、因此，值得花費(fèi)大量精力通過(guò)功率模塊的特殊設(shè)計(jì)/結(jié)構(gòu)來(lái)避免電容/電感耦合效應(yīng)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供了一種克服上述emi問(wèn)題的方案。本發(fā)明尤其公開(kāi)了功率模塊組件內(nèi)的新型電容屏蔽技術(shù)，以減少cm傳導(dǎo)emi。

2、上述和其它目標(biāo)及其它目的通過(guò)獨(dú)立權(quán)利要求的特征來(lái)實(shí)現(xiàn)。另外的實(shí)現(xiàn)方式在從屬權(quán)利要求、說(shuō)明書(shū)和附圖中是顯而易見(jiàn)的。

3、本發(fā)明提供了在功率模塊組件或功率轉(zhuǎn)換器封裝件內(nèi)實(shí)現(xiàn)新型電容屏蔽技術(shù)的實(shí)施例。本發(fā)明提供的各種實(shí)施例可以分為以下兩種類(lèi)型：

4、(a)實(shí)施例1、實(shí)施例2和實(shí)施例6構(gòu)成全新的布置，與現(xiàn)有的功率轉(zhuǎn)換器布置相比具有技術(shù)優(yōu)勢(shì)。這可以通過(guò)降低復(fù)雜性、增加選擇具有成本效益的材料的自由度以及改進(jìn)熱管理來(lái)實(shí)現(xiàn)。

5、(b)實(shí)施例3、實(shí)施例4和實(shí)施例5通過(guò)新的方式將功率轉(zhuǎn)換器布置組合起來(lái)，這種新的方式可以將emi屏蔽技術(shù)應(yīng)用于更多種不同類(lèi)型的功率半導(dǎo)體。

6、本發(fā)明提供了一種方案，所述方案用于在功率模塊內(nèi)提供對(duì)ac電壓區(qū)域的共模傳導(dǎo)發(fā)射(cm?emi)的集成電容emi屏蔽。與當(dāng)前可用的功率模塊相比，以更好的方式以更少的精力和成本有效地提供了emi屏蔽，尤其是對(duì)于具有縱向電流流動(dòng)的半導(dǎo)體器件。

7、所述方案基于對(duì)功率模塊進(jìn)行隔離和屏蔽的可能性的研究。本發(fā)明提供的方案涵蓋了當(dāng)前可用的方案和擴(kuò)展到包括寬帶隙半導(dǎo)體的未來(lái)功率模塊的可行變體之間的差距。

8、一個(gè)關(guān)鍵的概念是在交流電壓輸出區(qū)域和供電電壓區(qū)域之間使用基板來(lái)進(jìn)行隔離和屏蔽。本發(fā)明提供的各種實(shí)施例描述了如何通過(guò)將功率半導(dǎo)體、基板和導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相對(duì)于彼此進(jìn)行布置并將它們連接到半橋拓?fù)?作為一個(gè)示例)來(lái)以各種方式實(shí)現(xiàn)屏蔽。

9、以下特征可以在下文更詳細(xì)描述的實(shí)施例1、實(shí)施例2和實(shí)施例6中實(shí)現(xiàn)，例如：

10、(1)在至少一面具有導(dǎo)電層的基板上安裝一個(gè)或多個(gè)管芯；

11、(2)hs和ls管芯的輸入端子連接到該層；

12、(3)在功率管芯旁邊的基板頂部安裝附加基板；

13、(4)兩個(gè)管芯的輸出端子連接到該附加基板；

14、(5)組件的交流電壓輸出端位于附加基板的頂部，并與基板隔離和屏蔽。

15、以下特征可以在下文更詳細(xì)描述的實(shí)施例3至實(shí)施例5中實(shí)現(xiàn)，例如：

16、(1)方案針對(duì)橫向電流流動(dòng)器件，而現(xiàn)有方案未涵蓋；

17、(2)在至少一面具有導(dǎo)電層的基板上安裝一個(gè)或多個(gè)管芯；

18、(3)hs和ls管芯的輸入端子連接到該層；

19、(4)在功率管芯旁邊的基板頂部安裝附加基板；

20、(5)ac輸出端子與hs半導(dǎo)體或ls半導(dǎo)體位于附加基板上；

21、(6)兩個(gè)管芯的輸出端子連接到附加基板；

22、(7)附加基板用于將交流電壓輸出區(qū)域與供電電壓區(qū)域隔離和屏蔽。

23、為詳細(xì)描述本發(fā)明，使用以下術(shù)語(yǔ)、縮略語(yǔ)和符號(hào)：

24、dc?直流

25、ac?交流

26、hs?高壓側(cè)

27、ls?低壓側(cè)

28、gnd?地

29、cm?共模

30、emi?電磁發(fā)射

31、dbc?直接鍵合銅

32、amb?活性金屬釬焊

33、wbg?寬帶隙

34、sic?碳化硅

35、gan?氮化鎵

36、本發(fā)明提供的方案可以應(yīng)用于具有縱向電流流動(dòng)的功率半導(dǎo)體(以下稱(chēng)為縱向器件)，也可以應(yīng)用于具有橫向電流流動(dòng)的功率半導(dǎo)體(以下稱(chēng)為橫向器件)。

37、在具有縱向電流流動(dòng)的功率半導(dǎo)體中，縱向電流流過(guò)半導(dǎo)體芯片的背面。通常，hs(高壓側(cè)，正供電電壓區(qū)域，dc+)和ls半導(dǎo)體都是面朝上的，其中，面朝上的一面是半導(dǎo)體的正面，即大部分半導(dǎo)體制造工藝都在其上進(jìn)行的面。該面通常構(gòu)成端子，用于進(jìn)行扣接或引線鍵合互連。

38、具有縱向電流流動(dòng)的功率半導(dǎo)體可以是絕緣柵極雙極型晶體管(insulated?gatebipolar?transistor，igbt)和續(xù)流二極管(freewheeling?diode，frd)，或者是基于sic的mosfet等。但是，基于gan的半導(dǎo)體和許多基于si的mosfet原則上是具有橫向電流流動(dòng)的半導(dǎo)體(橫向器件)。也就是說(shuō)，開(kāi)關(guān)電流進(jìn)入并留在半導(dǎo)體的正面。

39、根據(jù)第一方面，本發(fā)明涉及一種用于將第一dc電壓和第二dc電壓轉(zhuǎn)換成公共ac電壓的功率轉(zhuǎn)換器封裝件，所述功率轉(zhuǎn)換器封裝件包括：第一功率半導(dǎo)體和第二功率半導(dǎo)體，所述第一功率半導(dǎo)體和所述第二功率半導(dǎo)體用于根據(jù)所述第一dc電壓和所述第二dc電壓之間的切換來(lái)生成所述公共ac電壓；第一基板，所述第一基板具有第一基板上主面和與所述第一基板上主面相對(duì)的第一基板下主面，所述第一基板包括用于提供所述第一dc電壓的第一供電電壓區(qū)域和用于提供所述第二dc電壓的第二供電電壓區(qū)域，所述第一供電電壓區(qū)域和所述第二供電電壓區(qū)域布置在所述第一基板上主面上，其中，所述第一基板包括布置在所述第一基板下主面上的基底金屬區(qū)域，所述基底金屬區(qū)域用于從所述第一功率半導(dǎo)體和所述第二功率半導(dǎo)體提取耗散的熱量，所述第一功率半導(dǎo)體具有第一半導(dǎo)體上主面和與所述第一半導(dǎo)體上主面相對(duì)的第一半導(dǎo)體下主面，所述第一功率半導(dǎo)體包括輸入端子和輸出端子，其中，所述第一功率半導(dǎo)體的所述輸入端子連接到所述第一供電電壓區(qū)域，所述第二功率半導(dǎo)體具有第二半導(dǎo)體上主面和與所述第二半導(dǎo)體上主面相對(duì)的第二半導(dǎo)體下主面，所述第二功率半導(dǎo)體包括輸入端子和輸出端子，其中，所述第二功率半導(dǎo)體的所述輸入端子電耦合到所述第二供電電壓區(qū)域；第二基板，所述第二基板具有第二基板上主面和與所述第二基板上主面相對(duì)的第二基板下主面，所述第二基板包括用于提供所述ac電壓的ac電壓輸出區(qū)域，所述ac電壓輸出區(qū)域設(shè)置在所述第二基板上主面的頂部，其中，所述ac電壓輸出區(qū)域電耦合到所述第一功率半導(dǎo)體的所述輸出端子和所述第二功率半導(dǎo)體的所述輸出端子，其中，所述第二基板下主面設(shè)置在所述第二供電電壓區(qū)域的頂部，其中，通過(guò)將所述第二供電電壓區(qū)域設(shè)置在所述ac電壓輸出區(qū)域和所述基底金屬區(qū)域之間，所述第二供電電壓區(qū)域用于將所述ac電壓輸出區(qū)域與所述基底金屬區(qū)域隔離和屏蔽。

40、這種功率轉(zhuǎn)換器封裝件在封裝件內(nèi)提供對(duì)ac電壓區(qū)域的共模傳導(dǎo)發(fā)射的集成電容emi屏蔽。

41、由于屏蔽的作用，可以顯著降低ac輸出區(qū)域和基底金屬區(qū)域形成電容器的影響，電容器會(huì)將高頻噪聲耦合到基底金屬區(qū)域。因此，gan器件或sic器件等快速開(kāi)關(guān)電源半導(dǎo)體器件可以在轉(zhuǎn)換器中高效地實(shí)現(xiàn)。

42、在所述功率轉(zhuǎn)換器封裝件的示例性實(shí)現(xiàn)方式中，所述第二供電電壓區(qū)域至少部分地布置在所述第二半導(dǎo)體下主面下方，并且在所述ac電壓輸出區(qū)域下方延伸。

43、第二供電電壓區(qū)域與ac電壓輸出區(qū)域的這種重疊可產(chǎn)生屏蔽功能，從而減少共模emi。

44、下文描述了對(duì)應(yīng)于不同實(shí)施例的功率轉(zhuǎn)換器封裝件的示例性實(shí)現(xiàn)方式。除了第六實(shí)施例之外，所有示例性實(shí)現(xiàn)方式都描述了橫向器件的布置。

45、在對(duì)應(yīng)于第一實(shí)施例的功率轉(zhuǎn)換器封裝件的示例性實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一功率半導(dǎo)體和所述第二功率半導(dǎo)體是橫向器件，所述第一功率半導(dǎo)體的所述輸入端子布置在所述第一半導(dǎo)體上主面上，所述第二功率半導(dǎo)體的所述輸入端子布置在所述第二半導(dǎo)體上主面上。

46、對(duì)于這種橫向器件，可以有利地實(shí)現(xiàn)屏蔽。第二基板可以布置在第一功率半導(dǎo)體的旁邊和第二功率半導(dǎo)體的旁邊。這是第二基板區(qū)域的面積減小的原因，也是其頂部沒(méi)有發(fā)熱器件的原因。由于面積減小，第二基板對(duì)熱性能的要求可以降低。

47、在對(duì)應(yīng)于第一實(shí)施例的功率轉(zhuǎn)換器封裝件的示例性實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一功率半導(dǎo)體和所述第二功率半導(dǎo)體面朝上安裝在所述第一基板上，所述第一半導(dǎo)體下主面面向所述第一供電電壓區(qū)域，所述第二半導(dǎo)體下主面面向所述第二供電電壓區(qū)域。

48、在這種功率轉(zhuǎn)換器封裝件中，通過(guò)對(duì)第二基板使用具有成本效益的材料可以有利地實(shí)現(xiàn)屏蔽，因?yàn)樵诘诙迳喜粫?huì)產(chǎn)生大量熱量，也不需要將大量熱量從第二基板上傳導(dǎo)出去。

49、在對(duì)應(yīng)于第一實(shí)施例的功率轉(zhuǎn)換器封裝件的示例性實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一供電電壓區(qū)域至少部分地在所述第一半導(dǎo)體下主面下方延伸。

50、這種結(jié)構(gòu)提供的優(yōu)點(diǎn)是，第二功率半導(dǎo)體下方的熱路徑得到優(yōu)化，并且屏蔽基板(即第二基板)不需要高熱性能材料。

51、在對(duì)應(yīng)于第二實(shí)施例的功率轉(zhuǎn)換器封裝件的示例性實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一功率半導(dǎo)體和所述第二功率半導(dǎo)體均是橫向器件，并且面朝上安裝在所述第一基板上，所述第一半導(dǎo)體下主面和所述第二半導(dǎo)體下主面面向所述第二供電電壓區(qū)域。

52、對(duì)于這種功率轉(zhuǎn)換器封裝件，針對(duì)第一實(shí)施例描述的相同優(yōu)點(diǎn)適用。通過(guò)對(duì)第二基板使用具有成本效益的材料可以有利地實(shí)現(xiàn)屏蔽，因?yàn)樵诘诙迳喜粫?huì)產(chǎn)生大量熱量，也不需要將大量熱量從第二基板上傳導(dǎo)出去。

53、在對(duì)應(yīng)于第二實(shí)施例的功率轉(zhuǎn)換器封裝件的示例性實(shí)現(xiàn)方式中，所述第二供電電壓區(qū)域至少部分地在所述第一半導(dǎo)體下主面下方延伸，至少部分地在所述第二半導(dǎo)體下主面下方延伸，并且在所述ac電壓輸出區(qū)域下方延伸。

54、對(duì)于這種功率轉(zhuǎn)換器封裝件，針對(duì)第一實(shí)施例描述的相同優(yōu)點(diǎn)適用。第二功率半導(dǎo)體下方的熱路徑得到優(yōu)化，并且屏蔽基板(即第二基板)不需要高熱性能材料。

55、在對(duì)應(yīng)于第二實(shí)施例的功率轉(zhuǎn)換器封裝件的示例性實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一供電電壓區(qū)域設(shè)置在所述第一功率半導(dǎo)體的旁邊。

56、與本發(fā)明中描述的所有其它實(shí)施例一樣，這提供了功率轉(zhuǎn)換器封裝件設(shè)計(jì)緊湊的優(yōu)點(diǎn)。

57、在對(duì)應(yīng)于第三實(shí)施例的功率轉(zhuǎn)換器封裝件的示例性實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一功率半導(dǎo)體和所述第二功率半導(dǎo)體通過(guò)倒裝芯片方式安裝在所述第二基板上，所述第一半導(dǎo)體上主面和所述第二半導(dǎo)體上主面面向所述第一基板上主面。

58、假設(shè)第一基板和第二基板是良好的導(dǎo)熱體，則倒裝芯片布置提供的優(yōu)點(diǎn)是可以更好地從橫向器件中提取熱量，因?yàn)闊崃坎槐貜墓β拾雽?dǎo)體的上主面?zhèn)鲗?dǎo)到下主面。相反，熱量可以通過(guò)第二基板和第一基板直接提取到散熱片。

59、功率半導(dǎo)體背面(下主面)可以電連接，也可以不電連接。這可以為某些應(yīng)用提供優(yōu)化的可能性。

60、在對(duì)應(yīng)于第三實(shí)施例的功率轉(zhuǎn)換器封裝件的示例性實(shí)現(xiàn)方式中，所述第二供電電壓區(qū)域至少部分地在所述第一半導(dǎo)體上主面下方延伸，至少部分地在所述第二半導(dǎo)體上主面下方延伸，并且在所述ac電壓輸出區(qū)域下方延伸。

61、對(duì)于這種功率轉(zhuǎn)換器封裝件，針對(duì)第一實(shí)施例描述的相同優(yōu)點(diǎn)適用。第二功率半導(dǎo)體下方的熱路徑得到優(yōu)化。

62、在對(duì)應(yīng)于第三實(shí)施例的功率轉(zhuǎn)換器封裝件的示例性實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一供電電壓區(qū)域設(shè)置在所述第一功率半導(dǎo)體的旁邊。

63、與本發(fā)明中描述的所有其它實(shí)施例一樣，這提供了功率轉(zhuǎn)換器封裝件設(shè)計(jì)緊湊的優(yōu)點(diǎn)。

64、在對(duì)應(yīng)于第四實(shí)施例的功率轉(zhuǎn)換器封裝件的示例性實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一功率半導(dǎo)體面朝上安裝在所述第一基板上，所述第二功率半導(dǎo)體面朝上安裝在所述第二基板上，所述第一半導(dǎo)體下主面面向所述第一供電電壓區(qū)域，所述第二基板下主面面向所述第二供電電壓區(qū)域。

65、對(duì)于這種功率轉(zhuǎn)換器封裝件，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)共模emi的最優(yōu)屏蔽，因?yàn)閍c電壓區(qū)域與第二供電電壓區(qū)域(dc供電區(qū)域)具有最大重疊。

66、在對(duì)應(yīng)于第四實(shí)施例的功率轉(zhuǎn)換器封裝件的示例性實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一供電電壓區(qū)域至少部分地在所述第一半導(dǎo)體下主面下方延伸。

67、對(duì)于這種功率轉(zhuǎn)換器封裝件，第一功率半導(dǎo)體下方的熱路徑得到優(yōu)化，因?yàn)椴恍枰褂酶郊踊濉?/p>

68、在對(duì)應(yīng)于第五實(shí)施例的功率轉(zhuǎn)換器封裝件的示例性實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一功率半導(dǎo)體面朝上安裝在所述第一基板上，所述第二功率半導(dǎo)體通過(guò)倒裝芯片方式安裝在所述第二基板上，所述第一半導(dǎo)體下主面面向所述第一供電電壓區(qū)域，所述第二半導(dǎo)體上主面面向所述第二基板上主面。

69、對(duì)于這種功率轉(zhuǎn)換器封裝件，交流電壓輸出區(qū)域可以縮小到第二基板的一小部分。此外，第二功率半導(dǎo)體背面(下主面)可以電連接，也可以不電連接。這可以為某些應(yīng)用提供優(yōu)化的可能性。

70、在對(duì)應(yīng)于第五實(shí)施例的功率轉(zhuǎn)換器封裝件的示例性實(shí)現(xiàn)方式中，所述第二供電電壓區(qū)域至少部分地在所述第二半導(dǎo)體上主面和所述ac電壓輸出區(qū)域下方延伸。

71、假設(shè)第一基板和第二基板是良好的導(dǎo)熱體，則第二功率半導(dǎo)體的倒裝芯片布置提供的優(yōu)點(diǎn)是可以更好地從橫向器件中提取熱量，因?yàn)闊崃坎槐貜墓β拾雽?dǎo)體的上主面?zhèn)鲗?dǎo)到下主面。相反，熱量可以通過(guò)第二基板和第一基板直接提取到散熱片。

72、在對(duì)應(yīng)于第五實(shí)施例的功率轉(zhuǎn)換器封裝件的示例性實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一供電電壓區(qū)域至少部分地在所述第一半導(dǎo)體下主面下方延伸。

73、這是根據(jù)第五實(shí)施例的這種功率轉(zhuǎn)換器封裝件的特征。

74、在對(duì)應(yīng)于第六實(shí)施例的功率轉(zhuǎn)換器封裝件的示例性實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一功率半導(dǎo)體和所述第二功率半導(dǎo)體是縱向器件；所述第一功率半導(dǎo)體的所述輸入端子和所述輸出端子布置在相對(duì)的第一半導(dǎo)體主面上；所述第二功率半導(dǎo)體的所述輸入端子和所述輸出端子布置在相對(duì)的第二半導(dǎo)體主面上。

75、對(duì)于這種功率轉(zhuǎn)換器封裝件，針對(duì)第一實(shí)施例描述的相同優(yōu)點(diǎn)適用。

76、在對(duì)應(yīng)于第六實(shí)施例的功率轉(zhuǎn)換器封裝件的示例性實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一功率半導(dǎo)體和所述第二功率半導(dǎo)體面朝上安裝在所述第一基板上，所述第一半導(dǎo)體下主面面向所述第一供電電壓區(qū)域，所述第二半導(dǎo)體下主面面向所述第二供電電壓區(qū)域。

77、對(duì)于這種功率轉(zhuǎn)換器封裝件，針對(duì)第一實(shí)施例描述的相同優(yōu)點(diǎn)適用。

78、所述第二供電電壓區(qū)域可以至少部分地在所述第二半導(dǎo)體下主面下方延伸，并且可以至少部分地在所述第二基板下主面下方延伸。

79、在對(duì)應(yīng)于第六實(shí)施例的功率轉(zhuǎn)換器封裝件的示例性實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一供電電壓區(qū)域至少部分地在所述第一半導(dǎo)體下主面下方延伸。

80、這樣形成的布置可使ac電壓區(qū)域減至最小。

81、通過(guò)對(duì)第二基板使用具有成本效益的材料可以有利地實(shí)現(xiàn)屏蔽，因?yàn)樵诘诙迳喜粫?huì)產(chǎn)生大量熱量，也不需要將大量熱量從第二基板上傳導(dǎo)出去。

82、在所述功率轉(zhuǎn)換器封裝件的示例性實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一功率半導(dǎo)體和所述第二功率半導(dǎo)體電連接到半橋拓?fù)洹?/p>

83、這提供了一個(gè)優(yōu)點(diǎn)，即功率轉(zhuǎn)換器封裝件可以有利地應(yīng)用于需要半橋的汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用。在這種應(yīng)用中，可以通過(guò)使用功率轉(zhuǎn)換器封裝件來(lái)提高熱性能，同時(shí)可以減少emi。

84、在實(shí)施例1、實(shí)施例2或?qū)嵤├?的替代實(shí)施例中，第二基板可以由導(dǎo)熱性較低的材料制成，因?yàn)椴恍枰ㄟ^(guò)該基板提取熱量。這為emi屏蔽模塊提供了成本優(yōu)勢(shì)。

85、在另一個(gè)實(shí)施例中，第一基板和第二基板可以是多層陶瓷基板層。

86、在另一個(gè)實(shí)施例中，第一基板和第二基板可以是金屬化石英、陶瓷或者氧化鋁填充的有機(jī)復(fù)合材料(＝pcb層壓材料或狹義的環(huán)氧模具復(fù)合材料)。

87、在所述功率轉(zhuǎn)換器封裝件的示例性實(shí)現(xiàn)方式中，所述ac電壓包括多個(gè)相位；形成在所述第二基板上的所述ac電壓輸出區(qū)域包括多個(gè)隔離的相位區(qū)段，每個(gè)相位區(qū)段與所述ac電壓的相應(yīng)相位相關(guān)聯(lián)；所述第一基板包括多個(gè)第一供電電壓區(qū)域，每個(gè)第一供電電壓區(qū)域與所述ac電壓的相應(yīng)相位相關(guān)聯(lián)，其中，所述第一供電電壓區(qū)域彼此電連接；所述第二基板包括多個(gè)第二供電電壓區(qū)域，每個(gè)第二供電電壓區(qū)域與所述ac電壓的相應(yīng)相位相關(guān)聯(lián)，其中，所述第二供電電壓區(qū)域彼此電連接；所述第一基板包括多個(gè)基底金屬區(qū)域，每個(gè)基底金屬區(qū)域與所述ac電壓的相應(yīng)相位相關(guān)聯(lián)，其中，所述基底金屬區(qū)域形成公共基底金屬區(qū)域。

88、在一個(gè)封裝件中的這種多相模塊中，第一基板和第二基板可以在多個(gè)相位之間共用。這表示，所有相位的第一供電電壓區(qū)域融合在一起，所有相位的第二供電電壓區(qū)域融合在一起，所有相位的基底金屬區(qū)域融合在一個(gè)公共基底金屬區(qū)域。每個(gè)模塊的第二基板可以機(jī)械連接。第二基板可以具有在多個(gè)相位之間連接或不連接的下主面電導(dǎo)體區(qū)域。廣義上的術(shù)語(yǔ)“融合”只能具有“彼此電連接(而非機(jī)械連接)”的含義。因此，可以有多個(gè)獨(dú)立模塊，其功能類(lèi)似于三相系統(tǒng)。

89、根據(jù)第二方面，本發(fā)明涉及一種多相系統(tǒng)，包括：根據(jù)第一方面所述的多個(gè)功率轉(zhuǎn)換器封裝件，其中，所述多個(gè)功率轉(zhuǎn)換器封裝件的所述第一基板的所述第一供電電壓區(qū)域彼此電連接，以形成所述多相系統(tǒng)的所有相位的公共第一供電電壓區(qū)域；其中，所述多個(gè)功率轉(zhuǎn)換器封裝件的所述第一基板的所述第二供電電壓區(qū)域彼此電連接，以形成所述多相系統(tǒng)的所有相位的公共第二供電電壓區(qū)域。