本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，特別是指一種電機(jī)控制模塊集成電路的封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
目前，無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路大部分采用分立器件組合，采用分立器件設(shè)計(jì)的無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，存在著如下問題：集成度低，電路結(jié)構(gòu)相對(duì)復(fù)雜，可靠性低，測試比較復(fù)雜、費(fèi)時(shí)，這樣不僅降低了生產(chǎn)效率，同時(shí)也增加了生產(chǎn)成本，此外，采用分立器件設(shè)計(jì)的無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路體積較大，不利于產(chǎn)品的小型化。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供一種的體積小、能夠大大簡化應(yīng)用電路設(shè)計(jì)、提升電路的集成度和可靠性的電機(jī)控制模塊集成電路的封裝結(jié)構(gòu)。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采取如下技術(shù)方案：
一種電機(jī)控制模塊集成電路的封裝結(jié)構(gòu)，包括引線框架，所述的引線框架帶有基島，芯片通過導(dǎo)電膠粘接在所述的基島上，所述的芯片與所述的引線框架之間通過金絲鍵合，所述的芯片、金絲和基島之間通過環(huán)氧模塑料進(jìn)行封裝。
優(yōu)選地，所述的芯片的尺寸為0.80*1.25(mm)2，厚度為400um。
優(yōu)選地，所述的引線框的尺寸為60*60(mil)2。
優(yōu)選地，所述的金絲的直徑為25μm，數(shù)量為7條。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果為：
本發(fā)明通過將芯片與引線框架之間通過金絲進(jìn)行鍵合，有效的提高了產(chǎn)品的的可靠性，并通過環(huán)氧模塑料進(jìn)行封裝后得到一種電機(jī)控制模塊集成電路，大大簡化了應(yīng)用電路的設(shè)計(jì)，適宜于大面積推廣應(yīng)用；除此之外，還提高了應(yīng)用電路的穩(wěn)定性和可靠性，并減小了驅(qū)動(dòng)電路的體積，有利于產(chǎn)品的小型化。
附圖說明
圖1為本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
參見附圖1所示，一種電機(jī)控制模塊集成電路的封裝結(jié)構(gòu)，包括引線框架1，所述的引線框架1帶有基島1-1，芯片2通過導(dǎo)電膠粘接在所述的基島1-1上，所述的芯片2與所述的引線框架1之間通過金絲3鍵合，所述的芯片2、金絲3和基島1-1之間通過環(huán)氧模塑料進(jìn)行封裝。
優(yōu)選地，所述的芯片2的尺寸為0.80*1.25(mm)2，厚度為400um。
優(yōu)選地，所述的引線框1的尺寸為60*60(mil)2。
優(yōu)選地，所述的金絲3的直徑為25μm，數(shù)量為7條。
本發(fā)明通過將芯片2與引線框架1之間通過金絲3進(jìn)行鍵合，芯片2通過導(dǎo)電膠粘接在所述的基島1-1上，所述的導(dǎo)電膠采用銀粉和環(huán)氧樹脂混合，能有效提高導(dǎo)電性及散熱效果，然后通過環(huán)氧模塑料進(jìn)行封裝后得到一種電機(jī)控制模塊集成電路，大大簡化了應(yīng)用電路設(shè)計(jì)，適宜于大面積推廣應(yīng)用；提高了應(yīng)用電路的穩(wěn)定性和可靠性，再者減小了驅(qū)動(dòng)電路的體積，有利于產(chǎn)品的小型化。
以上所述，僅是對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非是對(duì)本發(fā)明做其他形式的限制，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員可能利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容加以變更或改型為等同變化的等效實(shí)施例。但是，凡是未脫離本發(fā)明方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡單修改、等同變化與改型，仍屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。