技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
公開(kāi)了用于在基質(zhì)上的含Si層中等離子體蝕刻通道孔、柵槽、階梯觸點(diǎn)、電容器孔、接觸孔等的蝕刻氣體，和使用它的等離子體蝕刻方法。蝕刻氣體為反?1,1,1,4,4,4?六氟?2?丁烯；順?1,1,1,4,4,4?六氟?2?丁烯；六氟異丁烯；六氟環(huán)丁烷(反?1,1,2,2,3,4)；五氟環(huán)丁烷(1,1,2,2,3?)；四氟環(huán)丁烷(1,1,2,2?)；或六氟環(huán)丁烷(順?1,1,2,2,3,4)。蝕刻氣體可提供在含Si層與掩模材料之間改進(jìn)的選擇性，較少的對(duì)通道區(qū)域的損害、直垂直剖面和圖案高縱橫比結(jié)構(gòu)中減少的卷曲。

技術(shù)研發(fā)人員：C·安德森;R·古普塔;V·M·奧馬爾吉;N·斯塔福德;C·杜薩拉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：喬治洛德方法研究和開(kāi)發(fā)液化空氣有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2013.10.30
技術(shù)公布日：2017.10.20