本申請是由喬治洛德方法研究和開發(fā)液化空氣有限公司于2013年10月30日提交的國際申請?zhí)枮閜ct/us2013/067415的發(fā)明名稱為“用于高縱橫比氧化物蝕刻的氟碳分子”的國際申請的分案申請。該國際申請pct/us2013/067415進(jìn)入中國國家階段的日期為2015年6月29日，國家申請?zhí)枮?01380068688.0。相關(guān)申請交叉引用本申請要求2012年10月30日提交的美國申請no.61/720,139的優(yōu)先權(quán)，通過引用將其全部內(nèi)容并入本文中。公開了用于在基質(zhì)上的含si層中等離子體蝕刻高縱橫比通道孔、柵槽、階梯觸點(diǎn)、電容器孔、接觸孔等的蝕刻氣體。還公開了使用它的等離子體蝕刻方法。
背景技術(shù)：
：在半導(dǎo)體工業(yè)中的存儲應(yīng)用如dram和2dnand中，等離子體蝕刻從半導(dǎo)體基質(zhì)上除去含硅層，例如sio或sin層。對于新型存儲應(yīng)用如3dnand(us2011/0180941，hwang等人)，多個sio/sin或sio/poly-si層堆棧的高縱橫比蝕刻是關(guān)鍵的。優(yōu)選，蝕刻劑具有在掩模與待蝕刻層之間的高選擇性。此外，蝕刻劑優(yōu)選蝕刻結(jié)構(gòu)，使得垂直剖面為直的而不具有卷曲。3dnand堆棧可包含其它含硅層。傳統(tǒng)上，等離子體蝕刻使用由氣體來源(例如含氫、含氧或含氟氣體)產(chǎn)生活性物種的等離子體源進(jìn)行?；钚晕锓N然后與含si層反應(yīng)以形成氟碳阻擋頂層(blockingoverlayer)和揮發(fā)性物種。揮發(fā)性物種通過反應(yīng)器中由真空泵保持的低壓除去。優(yōu)選，掩模材料不被活性物種蝕刻。掩模材料可包含以下中的一種：光致抗蝕劑、無定形碳、多晶硅、金屬或不蝕刻的其它硬掩模。傳統(tǒng)的蝕刻氣體包括cc4f8(八氟環(huán)丁烷)、c4f6(六氟-1,3-丁二烯)、cf4、ch2f2、ch3f和/或chf3。這些蝕刻氣體在蝕刻期間也可形成聚合物。聚合物充當(dāng)圖案蝕刻結(jié)構(gòu)側(cè)壁上的保護(hù)層。該聚合物保護(hù)層防止可能導(dǎo)致非垂直結(jié)構(gòu)、卷曲和尺寸變化的離子和自由基蝕刻側(cè)壁。建立了f:c比、sio:sin選擇性與聚合物沉積速率之間的關(guān)聯(lián)(參見例如liebermanandlichtenberg，principlesofplasmadischargesandmaterialsprocessing，第2版，wiley-interscience，ajohnwiley&sonspublication，2005，第595-596頁；和us6387287，hung等人的圖5，其顯示出對較低的f/c比值而言，提高的對氮化物的覆蓋層選擇性)。傳統(tǒng)的干蝕刻方法如化學(xué)蝕刻不能提供必須的高縱橫比(>20:1)，因為化學(xué)蝕刻期間需要的高壓條件對形成的孔會具有有害影響。傳統(tǒng)的化學(xué)品如c4f8和c4f6也可能不足以提供所需的高縱橫比，因為蝕刻廠商快速地耗盡用于進(jìn)行傳統(tǒng)化學(xué)工作的有效參數(shù)如rf功、rf頻率、脈沖方案和調(diào)整方案。傳統(tǒng)化學(xué)在等離子體蝕刻方法期間不再提供在高縱橫比側(cè)壁上的足夠聚合物沉積。另外，側(cè)壁上的其中x和y各自獨(dú)立地為1-4的cxfy聚合物對蝕刻敏感。因此，蝕刻的圖案可能不是垂直的且結(jié)構(gòu)可能顯示出卷曲、尺寸變化和/或圖案瓦解。圖案蝕刻的一個關(guān)鍵問題是卷曲。卷曲通常是由于通常為無定形碳材料的掩模層的側(cè)壁蝕刻。無定形碳材料可通過等離子體中的氧自由基蝕刻，這可導(dǎo)致增加的掩模開口并產(chǎn)生弓狀蝕刻結(jié)構(gòu)。us6569774，trapp公開了用于形成通過氧化硅層的高縱橫比接觸開口的等離子體蝕刻方法。trapp公開了含氮?dú)怏w如nh3包含在氟碳(cxfy)和氟烴(cxfyhz)蝕刻化學(xué)中以改進(jìn)抗蝕選擇性并減少條痕。公開了一列35種氟碳和氟烴化學(xué)品，但沒有提供結(jié)構(gòu)式、cas號或異構(gòu)體信息。wo2010/100254，solvayfluorgmbh公開了某些氫氟烯烴在多種方法中，包括作為用于半導(dǎo)體蝕刻或室清洗的蝕刻氣體的用途。氫氟烯烴可包括至少一種選自以下各組a)和b)化合物的混合物：a)(z)-1,1,1,3-四氟丁-2-烯、(e)-1,1,1,3-四氟丁-2-烯或2,4,4,4-四氟丁-1-烯，和b)1,1,1,4,4,4-六氟丁-2-烯、1,1,2,3,4,4-六氟丁-2-烯、1,1,1,3,4,4-六氟丁-2-烯和1,1,1,2,4,4-六氟丁-2-烯。技術(shù)發(fā)展水平的垂直3dnand結(jié)構(gòu)要求在材料的交替堆棧中非常高的縱橫比。仍需要用于等離子體應(yīng)用中以形成高縱橫比孔的新蝕刻氣體組合物。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：符號和命名某些縮寫、符號和術(shù)語用于整個以下描述和權(quán)利要求書中，包括：如本文所用，術(shù)語“蝕刻”指等離子體蝕刻方法(即干蝕刻方法)，其中離子轟擊促進(jìn)垂直方向上的化學(xué)反應(yīng)，使得沿著被掩蔽特征的邊緣以相對于基質(zhì)的直角形成垂直側(cè)壁(manosandflamm，plasmaetchinganintroduction，academicpress，inc.1989，第12-13頁)。蝕刻方法在基質(zhì)中產(chǎn)生孔，例如通路、槽、通道孔、柵槽、階梯觸點(diǎn)、電容器孔、接觸孔等。術(shù)語“圖案蝕刻”或“圖案化蝕刻”指蝕刻非平面結(jié)構(gòu)，例如含硅層堆棧上的圖案化掩模層。術(shù)語“掩模”指抗蝕刻的層。掩模層可位于待蝕刻的層之上或之下。術(shù)語“選擇性”意指一種材料的蝕刻速率與另一材料的蝕刻速率的比。術(shù)語“選擇性蝕刻”意指蝕刻一種材料多于另一種材料，或者換言之，兩種材料之間具有大于或小于1:1的蝕刻選擇性。如本文所用，不定冠詞“(a/an)”意指一個(一種)或多個(多種)。來自周期表的元素的標(biāo)準(zhǔn)縮寫用于本文中。應(yīng)當(dāng)理解元素可通過這些縮寫指代(例如s指硫，si指硅，h指氫等)。如本文所用，縮寫“nand”指“非and”或“不是and”柵；縮寫“2d”指平面基質(zhì)上的二維柵結(jié)構(gòu)；縮寫“3d”指三維或垂直柵結(jié)構(gòu)，其中柵結(jié)構(gòu)在垂直方向上堆疊；縮寫“dram”指動態(tài)隨機(jī)存取存儲器。請注意含si膜，例如sin和sio在整個說明書和權(quán)利要求書中列出而不提及它們的恰當(dāng)化學(xué)計量。含硅層可包括純硅(si)層，例如結(jié)晶si、多晶硅(polysi或多晶si)，或者無定形硅；氮化硅(siknl)層；或氧化硅(sinom)層；或其混合物，其中k、l、m和n包括性地范圍為1-6。優(yōu)選氮化硅為siknl，其中k和l各自范圍為0.5-1.5。更優(yōu)選氮化硅為si1n1。優(yōu)選氧化硅為sinom，其中n范圍為0.5-1.5且m范圍為1.5-3.5。更優(yōu)選氧化硅為sio2或sio3。含硅層還可以為氧化硅基介電材料如有機(jī)基或氧化硅基低k介電材料如appliedmaterials，inc的blackdiamondii或iii材料。含硅層還可包括摻雜劑，例如b、c、p、as和/或ge。發(fā)明概述本發(fā)明可以涉及以下實(shí)施方案。實(shí)施方案1.本發(fā)明涉及蝕刻含硅膜的方法，所述方法包括：將蝕刻氣體引入包含在基質(zhì)上的含硅膜的等離子體反應(yīng)室中，其中蝕刻氣體選自反-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯；順-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯；六氟異丁烯；六氟環(huán)丁烷(反-1,1,2,2,3,4)；五氟環(huán)丁烷(1,1,2,2,3-)；四氟環(huán)丁烷(1,1,2,2-)；和六氟環(huán)丁烷(順-1,1,2,2,3,4)；將惰性氣體引入等離子體反應(yīng)室中；和將等離子體活化以產(chǎn)生能夠由基質(zhì)選擇性蝕刻含硅膜的經(jīng)活化的蝕刻氣體。實(shí)施方案2.根據(jù)實(shí)施方案1的方法，其進(jìn)一步包括從室中除去揮發(fā)性副產(chǎn)物，其中經(jīng)活化的蝕刻氣體與含硅膜選擇性反應(yīng)以形成揮發(fā)性副產(chǎn)物。實(shí)施方案3.根據(jù)實(shí)施方案1或2的方法，其中惰性氣體選自he、ar、xe、kr和ne。實(shí)施方案4.根據(jù)實(shí)施方案1或2的方法，其中惰性氣體占引入等離子體反應(yīng)室中的蝕刻氣體和惰性氣體總體積的約50％v/v至約95％v/v。實(shí)施方案5.根據(jù)實(shí)施方案1或2的方法，其進(jìn)一步包括將氧化劑引入等離子體反應(yīng)室中。實(shí)施方案6.根據(jù)實(shí)施方案5的方法，其中氧化劑選自o2、co、co2、no、n2o和no2。實(shí)施方案7.根據(jù)實(shí)施方案5的方法，其中氧化劑占引入等離子體反應(yīng)室中的蝕刻氣體和氧化劑總體積的約5％v/v至約100％v/v。實(shí)施方案8.根據(jù)實(shí)施方案1或2的方法，其中含硅膜包含氧化硅、氮化硅、多晶硅或其組合的層。實(shí)施方案9.根據(jù)實(shí)施方案8的方法，其中含硅膜進(jìn)一步包含氧原子、氮原子、碳原子或其組合。實(shí)施方案10.根據(jù)實(shí)施方案8的方法，其中含硅膜由無定形碳層選擇性蝕刻。實(shí)施方案11.根據(jù)實(shí)施方案8的方法，其中含硅膜由光致抗蝕劑層選擇性蝕刻。實(shí)施方案12.根據(jù)實(shí)施方案8的方法，其中含硅膜由多晶硅層選擇性蝕刻。實(shí)施方案13.根據(jù)實(shí)施方案8的方法，其中含硅膜由金屬接觸層選擇性蝕刻。實(shí)施方案14.根據(jù)實(shí)施方案1或2的方法，其中方法在含硅膜中產(chǎn)生具有約10:1至約100:1的縱橫比的孔。實(shí)施方案15.根據(jù)實(shí)施方案1或2的方法，其進(jìn)一步包括通過將第二種氣體引入等離子體反應(yīng)室中而改進(jìn)選擇性，其中第二種氣體選自cc4f8、c4f6、cf4、chf3、cfh3、ch2f2、cos、cs2、cf3i、c2f3i、c2f5i和so2。實(shí)施方案16.等離子體蝕刻化合物，其選自反-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯；順-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯；六氟異丁烯；六氟環(huán)丁烷(反-1,1,2,2,3,4)；五氟環(huán)丁烷(1,1,2,2,3-)；四氟環(huán)丁烷(1,1,2,2-)；和六氟環(huán)丁烷(順-1,1,2,2,3,4)，所述等離子體蝕刻化合物具有至少99.9體積％的純度和小于0.1體積％痕量氣體雜質(zhì)，其中包含在所述痕量氣體雜質(zhì)中的含氮和含氧氣體的總含量為小于150體積ppm。實(shí)施方案17.根據(jù)實(shí)施方案16的等離子體蝕刻化合物，其中含氧氣體為水，且等離子體蝕刻化合物具有小于20重量ppm的水含量。公開了蝕刻含硅膜的方法。將蝕刻氣體引入包含在基質(zhì)上的含硅膜的等離子體反應(yīng)室中。蝕刻氣體為反-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯；順-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯；六氟異丁烯；六氟環(huán)丁烷(反-1,1,2,2,3,4)；五氟環(huán)丁烷(1,1,2,2,3-)；四氟環(huán)丁烷(1,1,2,2-)；或六氟環(huán)丁烷(順-1,1,2,2,3,4)。將惰性氣體引入等離子體反應(yīng)室中。將等離子體活化以產(chǎn)生能夠選擇性地由基質(zhì)蝕刻含硅膜的經(jīng)活化的蝕刻氣體。所公開的方法可包括一個或多個以下方面：●蝕刻氣體為反-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯；●蝕刻氣體為順-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯；●蝕刻氣體為六氟異丁烯；●蝕刻氣體為六氟環(huán)丁烷(反-1,1,2,2,3,4)；●蝕刻氣體為五氟環(huán)丁烷(1,1,2,2,3-)；●蝕刻氣體為四氟環(huán)丁烷(1,1,2,2-)；●蝕刻氣體為六氟環(huán)丁烷(順-1,1,2,2,3,4)；●經(jīng)活化的蝕刻氣體選擇性地與含硅膜反應(yīng)以形成揮發(fā)性副產(chǎn)物；●將揮發(fā)性副產(chǎn)物從等離子體反應(yīng)室中除去；●惰性氣體選自he、ar、xe、kr和ne；●惰性氣體為ar；●在引入等離子體反應(yīng)室中以前將蝕刻氣體和惰性氣體混合以產(chǎn)生混合物；●將蝕刻氣體與惰性氣體分開地引入等離子體反應(yīng)室中；●將惰性氣體連續(xù)地引入等離子體反應(yīng)室中并將蝕刻氣體以脈沖引入等離子體反應(yīng)室中；●惰性氣體包含引入等離子體反應(yīng)室中的蝕刻氣體和惰性氣體總體積的約50％v/v至約95％v/v；●將氧化劑引入等離子體反應(yīng)室中；●不將氧化劑引入等離子體反應(yīng)室中；●氧化劑選自o2、co、co2、no、n2o和no2；●氧化劑為o2；●在引入等離子體反應(yīng)室中以前將蝕刻氣體和氧化劑混合；●將蝕刻氣體與氧化劑分開地引入等離子體反應(yīng)室中；●將氧化劑連續(xù)地引入等離子體反應(yīng)室中并將蝕刻氣體以脈沖引入等離子體反應(yīng)室中；●氧化劑包含引入等離子體反應(yīng)室中的蝕刻氣體和氧化劑總體積的約5％v/v至約100％v/v；●含硅膜包含氧化硅、氮化硅、多晶硅或其組合的層；●含硅膜包含氧原子、氮原子、碳原子或其組合；●含硅膜不包含碳化硅；●含硅膜選擇性地由無定形碳層蝕刻；●含硅膜選擇性地由光致抗蝕劑層蝕刻；●含硅膜選擇性地由多晶硅層蝕刻；●含硅膜選擇性地由金屬接觸層蝕刻；●含硅膜為氧化硅層；●氧化硅層為多孔sicoh膜；●由無定形碳層選擇性蝕刻氧化硅層；●由光致抗蝕劑層選擇性蝕刻氧化硅層；●由多晶硅層選擇性蝕刻氧化硅層；●由金屬接觸層選擇性蝕刻氧化硅層；●由sin層選擇性蝕刻氧化硅層；●含硅膜為氮化硅層；●由無定形碳層選擇性蝕刻氮化硅層；●由圖案化光致抗蝕劑層選擇性蝕刻氮化硅層；●由多晶硅層選擇性蝕刻氮化硅層；●由金屬接觸層選擇性蝕刻氮化硅層；●由sio層選擇性蝕刻氮化硅層；●由硅層選擇性蝕刻氧化硅和氮化硅；●在含硅膜中產(chǎn)生具有約10:1至約100:1的縱橫比的孔；●生產(chǎn)柵槽；●生產(chǎn)階梯觸點(diǎn)；●生產(chǎn)通道孔；●生產(chǎn)具有約60:1至約100:1的縱橫比的通道孔；●生產(chǎn)具有約40nm至約50nm的直徑的通道孔；●通過將第二種氣體引入等離子體反應(yīng)室中而改進(jìn)選擇性；●第二種氣體選自cc4f8、c4f6、cf4、chf3、cfh3、ch2f2、cos、cs2、cf3i、c2f3i、c2f5i和so2；●第二種氣體為cc5f8；●第二種氣體為cc4f8；●第二種氣體為c4f6；●在引入等離子體反應(yīng)室中以前將蝕刻氣體和第二種氣體混合；●將蝕刻氣體與第二種氣體分開地引入等離子體反應(yīng)室中；●將約1％v/v至約99.9％v/v第二種氣體引入室中；●通過約25w至約10,000w范圍的rf功將等離子體活化；●等離子體反應(yīng)室具有約1毫托至約10托的壓力；●將蝕刻氣體以約5sccm至約1slm的流速引入等離子體反應(yīng)室中；●將基質(zhì)保持在約-196℃至約500℃的溫度下；●將基質(zhì)保持在約-120℃至約300℃的溫度下；●將基質(zhì)保持在約-10℃至約40℃的溫度下；●通過四極質(zhì)譜儀(quadropolemassspectrometer)、光電直讀光譜儀(opticalemissionspectrometer)、ftir或其它輻射/離子測量工具測量經(jīng)活化的蝕刻氣體；●通過施加rf功產(chǎn)生等離子體。還公開了選自反-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯；順-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯；六氟異丁烯；六氟環(huán)丁烷(反-1,1,2,2,3,4)；五氟環(huán)丁烷(1,1,2,2,3-)；四氟環(huán)丁烷(1,1,2,2-)；或六氟環(huán)丁烷(順-1,1,2,2,3,4)的等離子體蝕刻化合物。等離子體蝕刻化合物具有至少99.9體積％的純度和小于0.1體積％痕量氣體雜質(zhì)。包含在所述痕量氣體雜質(zhì)中的含氮和含氧氣體的總含量為小于150體積ppm。所公開的等離子體蝕刻化合物可包括一個或多個以下方面：●蝕刻化合物為反-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯；●蝕刻化合物為順-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯；●蝕刻化合物為六氟異丁烯；●蝕刻化合物為六氟環(huán)丁烷(反-1,1,2,2,3,4)；●蝕刻化合物為五氟環(huán)丁烷(1,1,2,2,3-)；●蝕刻化合物為四氟環(huán)丁烷(1,1,2,2-)；●蝕刻化合物為六氟環(huán)丁烷(順-1,1,2,2,3,4)；●含氧氣體為水；●含氧氣體為co2；●含氮?dú)怏w為n2；和●等離子體蝕刻化合物具有小于20重量ppm的水含量。附圖簡述為進(jìn)一步理解本發(fā)明的性質(zhì)和目的，應(yīng)連同附圖一起參考以下詳述，其中類似的元件以相同或類似的參考數(shù)字給出，且其中：圖1為反-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯的結(jié)構(gòu)式；圖2為順-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯的結(jié)構(gòu)式；圖3為反-1,1,2,2,3,4-六氟環(huán)丁烷的結(jié)構(gòu)式；圖4為順-1,1,2,2,3,4-六氟環(huán)丁烷的結(jié)構(gòu)式；圖5為六氟異丁烯的結(jié)構(gòu)式；圖6為1,1,1,2,4,4,4-七氟-2-丁烯的結(jié)構(gòu)式；圖7為1,1,2,2,3-五氟環(huán)丁烷的結(jié)構(gòu)式；圖8為1,1,2,2-四氟環(huán)丁烷的結(jié)構(gòu)式；圖9為顯示3dnand堆棧中的示例層的圖；圖10為顯示dram堆棧中的示例層的圖；圖11為繪出由c4f6h2產(chǎn)生的物種部分的體積相對于能量(以ev表示)的質(zhì)譜(ms)圖；圖12為繪出由c4f8產(chǎn)生的物種部分的體積相對于能量的ms圖；圖13為繪出由反-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯產(chǎn)生的物種部分的體積相對于能量的ms圖；圖14為繪出由六氟異丁烯產(chǎn)生的物種部分的體積相對于能量的ms圖；圖15為關(guān)于反-1,1,2,2,3,4-六氟環(huán)丁烷，sio2蝕刻速率相對于氧氣流(以sccm表示)的圖；圖16為關(guān)于cc4f5h3，sio2蝕刻速率相對于氧氣流的圖；圖17為關(guān)于反-1,1,2,2,3,4-六氟環(huán)丁烷，選擇性相對于氧氣流的圖；圖18為關(guān)于cc4f5h3，選擇性相對于氧氣流的圖；圖19為使用15sccmcc4f8且不使用氧氣的10分鐘蝕刻結(jié)果的掃描電子顯微鏡照片(sem)；圖20為使用15sccmcc4f6h2和12sccm氧氣的10分鐘蝕刻結(jié)果的sem；圖21為使用15sccmcc4f5h3和22sccm氧氣的10分鐘蝕刻結(jié)果的sem；和圖22為顯示h取代、雙鍵和o在c4f8分子上的加成的效果的流程圖。具體實(shí)施方式優(yōu)選實(shí)施方案描述公開了用于在含硅層中等離子體蝕刻通道孔、柵槽、階梯觸點(diǎn)、電容器孔、接觸孔等的蝕刻氣體。所公開的蝕刻氣體可提供相對于掩模層的較高選擇性且在高縱橫比結(jié)構(gòu)中無剖面變形。等離子體蝕刻氣體可提供含si層與掩模材料之間改進(jìn)的選擇性，較少的對通道區(qū)域的損害和圖案高縱橫比結(jié)構(gòu)中減少的卷曲。等離子體蝕刻氣體還可蝕刻通過polysi、sio和/或sin的交替層，產(chǎn)生垂直蝕刻剖面。以下化合物形成所公開的等離子體蝕刻氣體:反-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯；順-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯；六氟異丁烯；六氟環(huán)丁烷(反-1,1,2,2,3,4)；五氟環(huán)丁烷(1,1,2,2,3-)；四氟環(huán)丁烷(1,1,2,2-)；或六氟環(huán)丁烷(順-1,1,2,2,3,4)。這些化合物是市售的。所公開的等離子體蝕刻氣體以大于99.9％v/v純度，優(yōu)選以大于99.99％v/v純度，更優(yōu)選以大于99.999％v/v純度提供。所公開的蝕刻氣體包含小于0.1體積％痕量氣體雜質(zhì)，其中小于150體積ppm含氮和含氧氣體，例如n2和/或h2o和/或co2包含在所述痕量氣體雜質(zhì)中。優(yōu)選，等離子體蝕刻氣體中的水含量為小于20重量ppm。提純產(chǎn)物可通過蒸餾和/或使氣體或液體通過合適的吸附劑如4a分子篩而制備。在一個實(shí)施方案中，所公開的等離子體蝕刻氣體包含小于5％v/v，優(yōu)選小于1％v/v，更優(yōu)選小于0.1％v/v，甚至更優(yōu)選小于0.01％v/v的其任何異構(gòu)體。該實(shí)施方案可提供較好的方法重復(fù)性。該實(shí)施方案可通過將氣體或液體蒸餾而制備。在一個可選實(shí)施方案中，所公開的等離子體蝕刻氣體可包含5％v/v至50％v/v一種或多種其異構(gòu)體，當(dāng)異構(gòu)體混合物提供改進(jìn)的工藝參數(shù)或者目標(biāo)異構(gòu)體的分離太難或昂貴時特別如此。例如，異構(gòu)體混合物可降低對通向等離子體反應(yīng)器的兩個或更多個氣體管線的需要。圖1為反-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯的結(jié)構(gòu)式。反-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯的cas號為66711-86-2。反-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯具有8.5℃的沸點(diǎn)。圖2為順-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯的結(jié)構(gòu)式。順-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯的cas號為692-49-9。順-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯具有33℃的沸點(diǎn)。圖3為反-1,1,2,2,3,4-六氟環(huán)丁烷的結(jié)構(gòu)式。反-1,1,2,2,3,4-六氟環(huán)丁烷的cas號為23012-94-4。反-1,1,2,2,3,4-六氟環(huán)丁烷具有27℃的沸點(diǎn)。圖4為順-1,1,2,2,3,4-六氟環(huán)丁烷的結(jié)構(gòu)式。順-1,1,2,2,3,4-六氟環(huán)丁烷的cas號為22819-47-2。順-1,1,2,2,3,4-六氟環(huán)丁烷具有63℃的沸點(diǎn)。圖5為六氟異丁烯的結(jié)構(gòu)式。六氟異丁烯的cas號為382-10-5。六氟異丁烯具有14.5℃的沸點(diǎn)。圖6為1,1,1,2,4,4,4-七氟-2-丁烯的結(jié)構(gòu)式。1,1,1,2,4,4,4-七氟-2-丁烯的cas號為760-42-9。1,1,1,2,4,4,4-七氟-2-丁烯具有8℃的沸點(diǎn)。圖7為1,1,2,2,3-五氟環(huán)丁烷的結(jié)構(gòu)式。1,1,2,2,3-五氟環(huán)丁烷的cas號為2253-02-3。1,1,2,2,3-五氟環(huán)丁烷具有53℃的沸點(diǎn)。圖8為1,1,2,2-四氟環(huán)丁烷的結(jié)構(gòu)式。1,1,2,2-四氟環(huán)丁烷的cas號為374-12-9。1,1,2,2-四氟環(huán)丁烷具有50℃的沸點(diǎn)。這些化合物中的一些在室溫和大氣壓力下為氣體。對于非氣體(即液體)化合物，氣體形式可通過常規(guī)蒸發(fā)步驟，例如直接蒸發(fā)而將化合物蒸發(fā)或者通過鼓泡而產(chǎn)生。在將它引入反應(yīng)器中以前，可將化合物以液態(tài)供入氣化器中，在那里將它蒸發(fā)。作為選擇，化合物可通過使載氣通入包含化合物的容器或者通過將載氣鼓泡進(jìn)入化合物中而蒸發(fā)。載氣可包括但不限于ar、he、n2及其混合物。用載氣鼓泡也可除去存在于蝕刻氣體中的任何溶解氧。然后可將載氣和化合物作為蒸氣引入反應(yīng)器中。如果需要的話，可將包含化合物的容器加熱至容許化合物具有足以輸送至蝕刻工具中的蒸氣壓力的溫度?？蓪⑷萜鞅３衷诶缂s25℃至約100℃，優(yōu)選約25℃至約50℃范圍內(nèi)的溫度下。更優(yōu)選，將容器保持在室溫(～25℃)下以避免加熱通向蝕刻工具的管線。本領(lǐng)域技術(shù)人員認(rèn)識到容器的溫度可以以已知的方式調(diào)整以控制蒸發(fā)的化合物的量。所公開的蝕刻氣體適于在一個或多個含si層中等離子體蝕刻通道孔、柵槽、階梯觸點(diǎn)、電容器孔、接觸孔等且與目前和未來的掩模材料的產(chǎn)生相容，因為它們引起沿著高縱橫比結(jié)構(gòu)的良好剖面很少至不引起對掩模的損害。為實(shí)現(xiàn)那些性能，所公開的蝕刻氣體可在蝕刻期間沉積抗蝕聚合物層以幫助降低蝕刻方法期間氧和氟基團(tuán)的直接影響。所公開的化合物還可降低蝕刻期間對poly-si通道結(jié)構(gòu)的損害(參見us2011/0180941，hwang等人)。優(yōu)選，蝕刻氣體在蝕刻方法期間為適當(dāng)?shù)負(fù)]發(fā)性且穩(wěn)定的以輸送至反應(yīng)器/室中。所公開的蝕刻氣體可用于等離子體蝕刻基質(zhì)上的含硅層。所公開的等離子體蝕刻方法可用于生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，例如nand或3dnand柵或者閃存存儲器或dram存儲器。所公開的蝕刻氣體可用于其它應(yīng)用領(lǐng)域中，例如不同的線前端(feol)和線后端(beol)蝕刻應(yīng)用。另外，所公開的蝕刻氣體還可用于在3dtsv(throughsiliconvia)蝕刻應(yīng)用中蝕刻si以將存儲基質(zhì)互連在邏輯基質(zhì)上。等離子體蝕刻方法包括提供具有置于其中的基質(zhì)的等離子體反應(yīng)室。等離子體反應(yīng)室可以為器件內(nèi)進(jìn)行蝕刻方法的任何圍場或室，例如且不限于反應(yīng)性離子蝕刻(rie)、具有單頻或多頻rf源的雙電容耦合等離子體(ccp)、感應(yīng)耦合等離子體(icp)或微波等離子體反應(yīng)器，或者能夠選擇性地除去一部分含si層或產(chǎn)生活性物種的其它類型的蝕刻系統(tǒng)。本領(lǐng)域技術(shù)人員認(rèn)識到不同的等離子體反應(yīng)室設(shè)計提供不同的電子溫度控制。合適的市售等離子體反應(yīng)室包括但不限于以商標(biāo)emaxtm出售的appliedmaterials磁增強(qiáng)反應(yīng)性離子刻蝕機(jī)或者以商標(biāo)flextm出售的lamresearchdualccp反應(yīng)性離子蝕刻機(jī)介電蝕刻產(chǎn)品族。等離子體反應(yīng)室可包含一個或多于一個基質(zhì)。例如，等離子體反應(yīng)室可包含1-200個具有25.4-450mm直徑的硅片。該一個或多個基質(zhì)可以為用于半導(dǎo)體、光伏器件、平板或lcd-tft器件生產(chǎn)中的任何合適基質(zhì)?；|(zhì)可具有在其上的多個膜或?qū)?，包括一個或多個含硅膜或?qū)??；|(zhì)可以為圖案化或未圖案化的。合適層的實(shí)例包括但不限于硅(例如無定形硅、多晶硅、結(jié)晶硅，其任一種可用b、c、p、as和/或ge進(jìn)一步p-摻雜或n-摻雜)、二氧化硅、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、鎢、氮化鈦、氮化鉭，掩模材料如無定形碳、抗反射涂層、光致抗蝕劑材料或其組合。氧化硅層可形成介電材料，例如有機(jī)基或氧化硅基低k介電材料(例如多孔sicoh膜)。示例的低k介電材料以商品名blackdiamondii或iii由appliedmaterials出售。另外，可使用包含鎢或貴金屬(例如鉑、鈀、銠或金)的層。基質(zhì)可包含其上多個含硅層的堆棧，類似于圖9和10中所示那些。在圖9中，7個sio/sin層的堆棧位于硅片基質(zhì)頂上(即onon或tcat技術(shù))。本領(lǐng)域技術(shù)人員認(rèn)識到一些技術(shù)用polysi層替代sin層(即p-bics技術(shù)中的sio/polysi層)。本領(lǐng)域技術(shù)人員進(jìn)一步認(rèn)識到3dnand堆棧中的sio/sin或sio/poly-si層數(shù)目可變化(即可包含多于或少于所述7個sio/sin層)。無定形碳掩模層位于7個sio/sin層頂上?？狗瓷渫繉訉游挥跓o定形碳掩模頂上。圖案光致抗蝕劑層位于抗反射涂層頂上。圖9中層的堆棧反映類似于3dnand柵中所用那些的層。在圖10中，厚sio層位于硅片基質(zhì)頂上。無定形碳掩模層位于厚sio層頂上。抗反射涂層層位于無定形碳掩模頂上。圖案光致抗蝕劑層位于抗反射涂層頂上。圖10中層的堆棧反映類似于dram柵中所用那些的層。所公開的蝕刻氣體選擇性地蝕刻含硅層(即sio、sin、polysi)多于無定形碳掩模、抗反射涂層或光致抗蝕劑層。那些層可在相同或不同的反應(yīng)室中通過其它蝕刻氣體除去。本領(lǐng)域技術(shù)人員認(rèn)識到提供圖9和10中層的堆棧僅用于示例。將所公開的蝕刻氣體引入包含基質(zhì)和含硅層的等離子體反應(yīng)室中。氣體可以以約0.1sccm至約1slm范圍內(nèi)的流速引入室中。例如，對于200mm晶片尺寸，氣體可以以約5sccm至約50sccm范圍內(nèi)的流速引入室中。作為選擇，對于450mm晶片尺寸，氣體可以以約25sccm至約250sccm范圍內(nèi)的流速引入室中。本領(lǐng)域技術(shù)人員認(rèn)識到流速可根據(jù)工具而變化。還將惰性氣體引入等離子體反應(yīng)室中以維持等離子體。惰性氣體可以為he、ar、xe、kr、ne或其組合。可將蝕刻氣體和惰性氣體在引入室中以前混合，其中惰性氣體包含所得混合物的約50％v/v至約95％v/v。作為選擇，可將惰性氣體連續(xù)引入室中，同時將蝕刻氣體以脈沖引入室中。所公開的蝕刻氣體和惰性氣體可通過等離子體活化以產(chǎn)生經(jīng)活化的蝕刻氣體。等離子體將蝕刻氣體分解成自由基形式(即經(jīng)活化的蝕刻氣體)。等離子體可通過施加rf或dc功而產(chǎn)生。等離子體可用約25w至約10,000w范圍內(nèi)的rf功產(chǎn)生。等離子體可產(chǎn)生或本身存在于反應(yīng)器中。等離子體可以用在兩個電極上施加的rf以dualccp或icp模式產(chǎn)生。等離子體的rf頻率可以為200khz至1ghz。不同頻率的不同rf源可耦合并施加在相同電極上。等離子體rf脈沖可進(jìn)一步用于控制分子分裂和在基質(zhì)上反應(yīng)。本領(lǐng)域技術(shù)人員認(rèn)識到適于該等離子體處理的方法和設(shè)備。四極質(zhì)譜儀(qms)、光電直讀光譜儀、ftir或其它輻射/離子測量工具可測量經(jīng)活化的蝕刻氣體以測定所產(chǎn)生的物種的類型和數(shù)目。如果需要的話，可調(diào)整蝕刻氣體和/或惰性氣體的流速以提高或降低產(chǎn)生的基團(tuán)物種的數(shù)目?？蓪⑺_的蝕刻氣體在引入等離子體反應(yīng)室中以前或在等離子體反應(yīng)室內(nèi)部與其它氣體混合。優(yōu)選，可將氣體在引入室中以前混合以提供均勻濃度的進(jìn)入氣體。在另一選擇方案中，蝕刻氣體可不依賴于其它氣體而引入室中，例如當(dāng)兩種或更多種氣體反應(yīng)時。在另一可選方案中，蝕刻氣體和惰性氣體為蝕刻方法期間使用的僅有兩種氣體。示例的其它氣體包括但不限于氧化劑如o2、o3、co、co2、no、n2o、no2及其組合。可將所公開的蝕刻氣體和氧化劑在引入等離子體反應(yīng)室中以前混合在一起。作為選擇，可將氧化劑連續(xù)引入室中并將蝕刻氣體以脈沖引入室中。氧化劑可占引入室中的混合物的約5％v/v至約100％v/v(其中對于連續(xù)引入選擇方案，100％v/v表示純氧化劑的引入)。可與蝕刻氣體混合的其它示例氣體包括其它蝕刻氣體，例如cc4f8、c4f6、cf4、chf3、cfh3、ch2f2、cos、cs2、cf3i、c2f3i、c2f5i和so2。蝕刻氣體的蒸氣和其它氣體可在引入等離子體反應(yīng)室中以前混合。其它蝕刻氣體可占引入室中的混合物的約1％v/v至約99.9％v/v。含si層和經(jīng)活化的蝕刻氣體反應(yīng)形成揮發(fā)性副產(chǎn)物，將其從等離子體反應(yīng)室中除去。無定形碳掩模、抗反射涂層和光致抗蝕劑層對經(jīng)活化的蝕刻氣體呈較小的反應(yīng)性。等離子體反應(yīng)室內(nèi)的溫度和壓力保持在適于含硅層與經(jīng)活化的蝕刻氣體反應(yīng)的條件下。例如，室中的壓力可保持為如蝕刻參數(shù)所要求的約0.1毫托至約1000托，優(yōu)選約1毫托至約10托，更優(yōu)選約10毫托至約1托，更優(yōu)選約10毫托至約100毫托。同樣，室中的基質(zhì)溫度可以為約-196℃至約500℃，優(yōu)選-120℃至約300℃，更優(yōu)選-10℃至約40℃。室壁溫取決于方法要求可以為約-196℃至約300℃。含si層與經(jīng)活化的蝕刻氣體之間的反應(yīng)導(dǎo)致含si層從基質(zhì)上各向異性脫除。氮、氧和/或碳原子也可存在于含si層中。脫除是由于含si層從等離子體離子物理濺射(由等離子體促進(jìn))和/或通過等離子體物種化學(xué)反應(yīng)以將si轉(zhuǎn)化成揮發(fā)性物種如sifx，其中x為1-4。經(jīng)活化的蝕刻氣體優(yōu)選顯示出對掩模的高選擇性，并蝕刻通過sio和sin的交替層，產(chǎn)生不具有卷曲的垂直蝕刻剖面，這對3dnand應(yīng)用而言是重要的。對于其它應(yīng)用，例如dram和2dnand，例如等離子體活化的蝕刻氣體可選擇性地由sin蝕刻sio。等離子體活化的蝕刻氣體優(yōu)選選擇性地由掩模層如無定形碳、光致抗蝕劑、多晶硅或碳化硅；或者由金屬接觸層如cu；或者由由sige組成的通道區(qū)域或多晶硅區(qū)域選擇性蝕刻sio和/或sin。使用所公開蝕刻氣體的所公開蝕刻方法在含si層中產(chǎn)生通道孔、柵槽、階梯觸點(diǎn)、電容器孔、接觸孔等。所得孔可具有約10:1至約100:1的縱橫比和約40nm至約50nm的直徑。例如，本領(lǐng)域技術(shù)人員認(rèn)識到通道孔蝕刻在含si層中產(chǎn)生縱橫比大于60:1的孔。在一個非限定性示例等離子體蝕刻方法中，使用受控氣流裝置將反-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯引入200mmdualccp等離子體蝕刻工具中。受控氣流裝置可以為質(zhì)量流控制器。在高沸點(diǎn)分子的情況下，可使用來自brooksautomation(no.gf120xsd)，mksinstruments的專業(yè)低壓降質(zhì)量流控制器。將等離子體反應(yīng)室的壓力設(shè)置為約30毫托。不需要?dú)怏w來源加熱，因為該化合物的蒸氣壓力在25℃下為約1340托。兩個ccp電極之間的距離保持為1.35cm，且頂電極rf功固定為750w。底電極rf功變化以分析分子的性能。等離子體反應(yīng)室包含其上具有24對sio和sin層的基質(zhì)，類似于圖9中所示那些。在該方法以前，通過氟碳和含氧氣體將arc層除去并通過含氧氣體將apf層除去。將氬氣以250sccm流速獨(dú)立地引入室中。將反-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯以15sccm獨(dú)立地引入室中。將o2以0-20sccm獨(dú)立地引入室中以測定最佳蝕刻條件。產(chǎn)生縱橫比等于或大于30:1的孔，其可用作垂直nand中的通道孔。在另一非限定性示例等離子體蝕刻方法中，使用受控氣流裝置將六氟異丁烯引入200mmdualccp等離子體蝕刻工具中。受控氣流裝置可以為質(zhì)量流控制器。在高沸點(diǎn)分子的情況下，可使用來自brooksautomation(no.gf120xsd)，mksinstruments的專業(yè)低壓降質(zhì)量流控制器等。將等離子體反應(yīng)室的壓力設(shè)置為約30毫托。不需要?dú)怏w來源加熱，因為該化合物的蒸氣壓力在20℃下為約900托。兩個ccp電極之間的距離保持為1.35cm，且頂電極rf功固定為750w。底電極rf功變化以分析分子的性能。等離子體反應(yīng)室包含其上具有厚sio層的基質(zhì)，類似于圖10中所示層。在該方法以前，通過氟碳和含氧氣體將arc層除去并通過含氧氣體將apf層除去。將氬氣以250sccm流速獨(dú)立地引入室中。將六氟異丁烯以15sccm獨(dú)立地引入室中。將o2以0-20sccm獨(dú)立地引入室中以測定最佳蝕刻條件。產(chǎn)生縱橫比等于或大于10:1的孔，其可用作dram中的接觸孔。實(shí)施例提供以下非限定性實(shí)施例以進(jìn)一步闡述本發(fā)明的實(shí)施方案。然而，實(shí)施例不意欲為全包括性的且不意欲限制本文所述發(fā)明的范圍。以下試驗使用samco10-nr反應(yīng)性離子蝕刻機(jī)(rie)或lam4520xletm先進(jìn)介電蝕刻系統(tǒng)(200mm雙頻電容耦合等離子體(ccp)離子蝕刻)進(jìn)行。實(shí)施例1將c4f6和環(huán)c4f8直接注入四極質(zhì)譜儀(qms)中并由10-100ev收集數(shù)據(jù)。結(jié)果顯示于圖11和12中。來自c4f6的鏈段具有比來自c4f8的鏈段更低的f:c比，這導(dǎo)致較高的聚合物沉積速率并可改進(jìn)選擇性。聚合物通過隨著1sccm氬氣以30sccm引入rie等離子體反應(yīng)室中而沉積。室中的壓力設(shè)置為5pa。等離子體設(shè)置為300w。聚合物以100nm/min由cc4f8沉積并顯示出0.90f:c比。聚合物以280nm/min由c4f6沉積并顯示出0.76f:c比。c4f6顯示出高得多的沉積速率且所得膜顯示出聚合物中較低的f:c比，這可表明提高的交聯(lián)。實(shí)施例2聚合物在與實(shí)施例1相同的條件(即30sccm蝕刻氣體，1sccmar，5pa和300w)下由環(huán)c4f6h2和環(huán)c4f5h3沉積。環(huán)c4f6h2和環(huán)c4f5h3類似于環(huán)c4f8，但2或3個f原子用h替代。聚合物以150nm/min由環(huán)c4f6h2沉積并顯示出0.59f:c比。聚合物以200nm/min由環(huán)c4f5h3沉積并顯示出0.50f:c比。環(huán)丁烷分子上提高的氫含量產(chǎn)生提高的聚合物沉積速率和所得聚合物中降低的f:c比。實(shí)施例3將具有相同化學(xué)計量的兩種分子(即c4f6h2)直接注入四極質(zhì)譜儀(qms)中并由10-100ev收集數(shù)據(jù)。關(guān)于反-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯(casno66711-86-2)的結(jié)果顯示于圖13中。關(guān)于六氟異丁烯(casno382-10-5)的結(jié)果顯示于圖14中。在較高的能量下，由六氟異丁烯產(chǎn)生比由反-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯產(chǎn)生的更多的cf3鏈段和更少的c3f3h2鏈段。來自c4f6的鏈段具有比c4f8的鏈段更低的f:c比，這導(dǎo)致較高的聚合物沉積速率并可改進(jìn)選擇性。聚合物在與實(shí)施例1相同的條件(即30sccm蝕刻氣體，1sccmar，5pa和300w)下由兩種c4f6h2化合物沉積。聚合物以250nm/min由反-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯沉積并顯示出0.53f:c比。聚合物以220nm/min由環(huán)六氟異丁烯沉積并顯示出0.53f:c比。實(shí)施例4下表匯總了多種蝕刻氣體的試驗結(jié)果：表11cc4f8＝八氟環(huán)丁烷；c4f6＝六氟丁二烯；c4f8＝八氟-2-丁烯230sccm蝕刻氣體，1sccmar，5pa和300w基于這些結(jié)果，最低的聚合物沉積速率顯示出所得聚合物(cc4f8和c4f8)中最高的f:c比。具有雙鍵的四個分子(即第2-5行)之間的大的聚合物沉積速率(以nm/min表示)差說明雙鍵的包含不僅僅控制聚合。而是，沉積速率更接近地遵循分裂。換言之，產(chǎn)生具有較高f:c比的鏈段的分子具有降低的聚合物沉積速率。實(shí)施例5分析提高h(yuǎn)對sio2蝕刻速率的影響。關(guān)于反-1,1,2,2,3,4-六氟環(huán)丁烷的sio2蝕刻速率相對于氧氣流(以sccm表示)的圖顯示于圖15中。關(guān)于cc4f5h3的sio2蝕刻速率相對于氧氣流的圖顯示于圖16中。用h替代一個f產(chǎn)生較高的氧流速和較窄的工藝窗。還分析提高h(yuǎn)對相對于無定形碳(a-c)、光致抗蝕劑(pr)和氮化物的氧化物選擇性的影響。關(guān)于反-1,1,2,2,3,4-六氟環(huán)丁烷的選擇性相對于氧氣流的圖在圖17中提供。關(guān)于cc4f5h3的選擇性相對于氧氣流的圖顯示于圖18中。圖17和18中的分子流速與圖15和16中的那些相同(即左側(cè)的正方形數(shù)據(jù)來自5sccm蝕刻氣體流速，從左側(cè)起第二的菱形數(shù)據(jù)為10sccm，從右側(cè)起第二的三角形數(shù)據(jù)為15sccm，右側(cè)的圓形數(shù)據(jù)為20sccm)。在圖17和18中，實(shí)心符號表示氧化硅/光致抗蝕劑選擇性，中空符號表示氧化硅/氮化硅選擇性，蔭影符號表示氧化硅/無定形碳選擇性。實(shí)施例6下表匯總了關(guān)于多種蝕刻氣體的試驗結(jié)果：表23cc4f8＝八氟環(huán)丁烷；c4f6＝六氟丁二烯，c4f8＝八氟-2-丁烯該分子在類似的sio2蝕刻速率條件(er40-50nm/min)下對比。在蝕刻速率范圍內(nèi)選擇最佳選擇性的蝕刻氣體和氧氣流速。其它等離子體條件是固定的(即ar＝150sccm，300w，5pa)。pr、a-c和n列顯示sio2與光致抗蝕劑(pr)、無定形碳(a-c)和氮化硅(n)之間的選擇性。基于這些結(jié)果，特別是關(guān)于cc4f8、23102-94-4(反-1,1,2,2,3,4-六氟環(huán)丁烷)和2253-02-3(1,1,2,2,3-五氟環(huán)丁烷)的結(jié)果，提高h(yuǎn)提高的掩模選擇性。另外，即使66711-86-2(反-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯)和382-10-5(六氟異丁烯)具有相同的化學(xué)計量(即c4f6h2)，不同的結(jié)構(gòu)產(chǎn)生明顯不同的結(jié)果。實(shí)施例7分析提高的h含量在蝕刻一部分dram圖案堆棧時的影響。一部分dram圖案化堆棧由在抗反射涂層層上、在氮氧化硅層上、在無定形碳層上、在4微米sio2基質(zhì)(silox)上的p6100圖案組成。氬氣以150sccm引入。將室保持在5pa。samcorie設(shè)置為300w。使用15sccmcc4f8且不使用氧氣的10分鐘蝕刻結(jié)果的掃描電子顯微鏡照片在圖19中提供。使用的15sccmcc4f6h2和12sccm氧氣的10分鐘蝕刻結(jié)果的掃描電子顯微鏡照片提供于圖20中。使用15sccmcc4f5h3和22sccm氧氣的10分鐘蝕刻結(jié)果的掃描電子顯微鏡照片提供于圖21中。如圖中所見，提高h(yuǎn)促進(jìn)遞變的剖面并產(chǎn)生蝕刻速率的損失(590nm→380nm→270nm)。提高的h含量保持窄槽。圖21中的110nm槽存在于蝕刻之前，而槽通過cc4f6h2提高至270nm，通過cc4f8提高至260nm。實(shí)施例8圖22為顯示h取代、雙鍵和o在c4f8分子上的加成的影響。c4f8顯示于圖22的左上角。當(dāng)2或3個f被氫原子替代(沿著上排從左側(cè)移至右側(cè))時，看到sio與掩模之間提高的選擇性和提高的聚合物沉積速率。然而，提高的h分子還要求o2稀釋的提高。當(dāng)兩個f原子被雙鍵替代時(即分子從飽和變?yōu)椴伙柡?(從第一排的中部移至第二排的右側(cè))，看到提高的聚合物沉積速率，但類似的選擇性和o2稀釋要求。氧氣的加入產(chǎn)生差的選擇性且不產(chǎn)生聚合物沉積(向下移至該頁右側(cè)上的欄)。當(dāng)氟原子被含氧分子上的氫原子替代時(該頁的左下側(cè))，看到提高的選擇性和聚合物沉積速率，但是在窄工藝窗中。實(shí)施例9測量關(guān)于環(huán)c4f8(八氟環(huán)丁烷)、c4f6(六氟-1,3-丁二烯)和線性c4f6h2(cas66711-86-2)的沉積和蝕刻速率。lam蝕刻系統(tǒng)的電源或rf功設(shè)置為750w，且偏置功率設(shè)置為1500w。壓力設(shè)置為30毫托。板之間的距離設(shè)置為1.35cm。氧氣以15sccm的流速引入。氬氣以250sccm的流速引入。各蝕刻氣體以15sccm引入。結(jié)果顯示于下表中：表3分子4sio2蝕刻速率選擇性a-c選擇性sin聚合物沉積速率cc4f84404256c4f65018-46766711-86-23901222504cc4f8＝八氟環(huán)丁烷；c4f6＝六氟丁二烯66711-86-2(反-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯)具有在氧化硅與無定形碳之間比常規(guī)cc4f8更好的選擇性，具有類似的氧化硅蝕刻速率。66711-86-2還具有比cc4f8更高的沉積速率。實(shí)施例10使用1,1,1,2,4,4,4-七氟-2-丁烯測量sio2、sin、p-si(多晶硅)和a-c(無定形碳)的蝕刻速率。lam蝕刻系統(tǒng)的電源或rf功設(shè)置為750w且偏置功率設(shè)置為1500w。壓力設(shè)置為30毫托。板之間的距離設(shè)置為1.35cm。氧氣以15sccm的流速引入。氬氣以250sccm的流速引入。1,1,1,2,4,4,4-七氟-2-丁烯以15sccm的流速引入。1,1,1,2,4,4,4-七氟-2-丁烯以550nm/min的速率蝕刻sio2層。1,1,1,2,4,4,4-七氟-2-丁烯以150nm/min的速率蝕刻sin層。1,1,1,2,4,4,4-七氟-2-丁烯以50nm/min的速率蝕刻p-si層。1,1,1,2,4,4,4-七氟-2-丁烯以75nm/min的速率蝕刻a-c層。1,1,1,2,4,4,4-七氟-2-丁烯顯示出在sio2與p-si和a-c之間良好的選擇性。盡管顯示和描述了本發(fā)明的實(shí)施方案，本領(lǐng)域技術(shù)人員可不偏離本發(fā)明的精神或教導(dǎo)而做出其改進(jìn)。本文所述實(shí)施方案僅為示例的且不是限定性的。組合物和方法的許多變化和改進(jìn)是可能的且在本發(fā)明的范圍內(nèi)。因此，保護(hù)的范圍不限于本文所述實(shí)施方案，而是僅受下面的權(quán)利要求書限制，其范圍應(yīng)包括權(quán)利要求主題的所有等價物。當(dāng)前第1頁12