本發(fā)明屬于原子沉積薄膜制備領(lǐng)域，更具體地，涉及一種基片取放及轉(zhuǎn)移裝置，用于取放及轉(zhuǎn)移制備原子層沉積薄膜的基片。

背景技術(shù)：

隨著半導(dǎo)體行業(yè)、集成電路的發(fā)展以及對微型器件的迫切需求，人們對薄膜技術(shù)提出了新的要求，即膜厚越來越小，均勻性越來越好等。而傳統(tǒng)的沉積工藝，像物理氣相沉積(pvd)，化學(xué)氣相沉積(cvd)已經(jīng)很難滿足人們的使用需求。原子層沉積(ald)是一種新興的薄膜加工工藝，它是將氣態(tài)前驅(qū)體以脈沖交替的形式通入到反應(yīng)器中并與反應(yīng)器中的基底發(fā)生吸附反應(yīng)，最后形成一層單分子膜。因其薄膜生長具有自限制性，可以對薄膜的厚度進(jìn)行精確控制，得到薄膜厚度均勻性良好和致密性良好的薄膜，廣泛應(yīng)用微納制造、電子器件領(lǐng)域、催化劑領(lǐng)域、新能源領(lǐng)域、儲(chǔ)能拆料，半導(dǎo)體領(lǐng)域。

傳統(tǒng)的時(shí)間隔離原子層沉積在真空條件下進(jìn)行，沉積環(huán)境清潔從而避免了雜質(zhì)對薄膜的干擾，沉積所得薄膜純度高、質(zhì)量好。但隨著消費(fèi)電子等領(lǐng)域的快速發(fā)展，時(shí)間隔離原子層沉積制造工藝在沉積速率上難以適應(yīng)在大批量大面積的場合實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量沉積的需求。時(shí)間隔離原子層沉積工藝每次沉積完成需要打開真空腔體，完成取樣與重新放置樣品后才能進(jìn)行下一批基底的沉積。由于沉積過程不能連續(xù)進(jìn)行，就不能滿足大批量沉積的需求?？臻g隔離原子層沉積由于突破了時(shí)間隔離前驅(qū)體形式，可以加快運(yùn)動(dòng)速度來提高沉積效率，此項(xiàng)工藝便在需求大規(guī)模、連續(xù)沉積的場合顯露出其高效沉積的優(yōu)勢。

目前的空間隔離原子層沉積多用于沉積單一種類薄膜，當(dāng)需要沉積一定厚度的層疊狀的多種薄膜時(shí)，需要基片在不同的反應(yīng)區(qū)域之間進(jìn)行轉(zhuǎn)移。由于在沉積反應(yīng)時(shí)基片的溫度較高，使用手工操作完成基片取放及轉(zhuǎn)移會(huì)比較危險(xiǎn)，并且這種方式自動(dòng)化程度較低，難以滿足大規(guī)模、批量化、自動(dòng)化薄膜制備的需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)的以上缺陷或改進(jìn)需求，本發(fā)明旨在提供一種用于自動(dòng)取放及轉(zhuǎn)移制備原子層沉積薄膜的基片的機(jī)械裝置，用來解決目前空間隔離原子層設(shè)備不能實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化的基片轉(zhuǎn)移及取放的問題，提高了生產(chǎn)效率，同時(shí)可以避免手動(dòng)轉(zhuǎn)移和取放的危險(xiǎn)操作。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種基片取放及轉(zhuǎn)移裝置，包括：第一取放組件、第二取放組件以及轉(zhuǎn)移組件；

第一取放組件包括第一直線動(dòng)子、第一氣缸、第一真空吸盤；第一直線動(dòng)子水平放置，第一氣缸豎直安裝于第一直線動(dòng)子上；第一真空吸盤安裝在第一氣缸的伸縮桿頂部；其中，第一直線動(dòng)子通過第一氣缸帶動(dòng)第一真空吸盤，依次在初始位置、第一反應(yīng)位置、第一取放位置之間往復(fù)運(yùn)動(dòng)，第一反應(yīng)位置對應(yīng)第一反應(yīng)區(qū)設(shè)置；

第二取放組件包括第二直線動(dòng)子、第二安裝座、第二氣缸、第二真空吸盤；第二直線動(dòng)子水平放置，第二安裝座安裝于第二直線動(dòng)子上，第二氣缸豎直安裝于第二安裝座上；第二真空吸盤安裝在第二氣缸的伸縮桿頂部；其中，第二直線動(dòng)子通過第二氣缸帶動(dòng)第二真空吸盤，依次在第二取放位置、第二反應(yīng)位置之間往復(fù)運(yùn)動(dòng)，第二反應(yīng)位置對應(yīng)第二反應(yīng)區(qū)設(shè)置；

轉(zhuǎn)移組件包括第三直線動(dòng)子、基片支撐板；基片支撐板安裝于第三直線動(dòng)子上，基片支撐板上設(shè)有一個(gè)朝向第一反應(yīng)區(qū)方向的開口，該開口的寬度大于第一真空吸盤和第二真空吸盤的寬度，小于基片的寬度；其中，基片支撐板設(shè)于第一取放位置和第二取放位置之間，第三直線動(dòng)子帶動(dòng)基片支撐板在第一取放位置和第二取放位置之間往復(fù)運(yùn)動(dòng)，第一真空吸盤和第二真空吸盤的初始高度均低于基片支撐板。

進(jìn)一步地，包括加熱組件，加熱組件包括加熱器、加熱器支撐架；加熱器安裝于加熱器支撐架上，且位于第一反應(yīng)區(qū)和第二反應(yīng)區(qū)之間；加熱器的高度高于基片支撐板的高度。

進(jìn)一步地，加熱組件還包括：第一隔熱板、第二隔熱板、第三隔熱板；第一隔熱板及第二隔熱板相對設(shè)置，且高度低于基片支撐板，基片支撐板與第一隔熱板、第二隔熱板之間的垂直距離允許第一真空吸盤和第二真空吸盤自由通過；第一隔熱板、第二隔熱板之間的水平距離允許第一取放組件和第二取放組件自由通過；第三隔熱板位于轉(zhuǎn)移組件側(cè)面，且朝向加熱器下方的加熱區(qū)間設(shè)置。

進(jìn)一步地，第一取放組件包括第一氣缸隔熱板，第一氣缸隔熱板設(shè)置于第一氣缸的伸縮桿頂部，第一真空吸盤安裝在第一氣缸隔熱板上；第二取放組件包括第二氣缸隔熱板，第二氣缸隔熱板設(shè)置于第二氣缸的伸縮桿頂部，第二真空吸盤安裝在第二氣缸隔熱板上。

進(jìn)一步地，包括直線滑軌組件，直線滑軌組件包括第一滑塊、第二滑塊，以及第一滑塊和第二滑塊共用的直線導(dǎo)軌；第一取放組件包括第一基座，第一基座安裝于第一直線動(dòng)子和第一滑塊上，第一氣缸安裝于第一基座上；第二取放組件包括第二基座，第二基座安裝于第二直線動(dòng)子和第二滑塊上，第二氣缸安裝于第二基座上。

總體而言，本發(fā)明所構(gòu)思的以上技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠取得如下有益效果：

(1)基片轉(zhuǎn)移過程可以通過轉(zhuǎn)移組件自動(dòng)完成，避免了人工操作的低效率和危險(xiǎn)性，可以實(shí)現(xiàn)基片安全、高效轉(zhuǎn)移；

(2)基片取放過程可以通過第一氣缸和第二氣缸的伸縮，配合第一直線動(dòng)子和第二直線動(dòng)子的移動(dòng)自動(dòng)完成，避免了人工操作的低效率和危險(xiǎn)性，可以實(shí)現(xiàn)基片安全、高效取放；

(3)通過在第一反應(yīng)區(qū)和第二反應(yīng)區(qū)之間設(shè)置加熱器，實(shí)現(xiàn)了在轉(zhuǎn)移過程中的基片預(yù)熱，減少進(jìn)入反應(yīng)區(qū)后基片的加熱時(shí)間，進(jìn)一步提高了生產(chǎn)效率；

(4)由于真空吸盤具有一定的吸附力，可以防止基片取放和反應(yīng)過程中掉落，提高設(shè)備的可靠性；

(5)真空吸盤和基片支撐板都是安裝件，可以根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)需要自由更換尺寸規(guī)格，形成一系列的組合，從而提高裝置加工對象范圍的可擴(kuò)展性；

(6)第一、第二、第三隔熱板配合加熱器圍成一個(gè)加熱空間，相比于開放式加熱，能夠?qū)⒓訜崞鞯臒彷椛浼性谝粋€(gè)較小的空間內(nèi)，提高熱能利用率，同時(shí)能夠防止高溫?fù)p傷氣缸及轉(zhuǎn)移組件，提高裝置的使用壽命；

(7)由于第一隔熱板和第二隔熱板之間存在間距，設(shè)置氣缸隔熱板進(jìn)一步隔熱，確保氣缸不會(huì)因加熱器溫度過高而損傷。

附圖說明

圖1是本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的整體結(jié)構(gòu)組裝示意圖；

圖2是圖1中第一取放組件和第二取放組件的組裝示意圖；

圖3是圖1的局部透視示意圖；

圖4是圖1中轉(zhuǎn)移組件的部分結(jié)構(gòu)組裝示意圖；

圖5是圖1中基片支撐板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是圖1的側(cè)視圖；

圖7(a)～7(e)是本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的工作過程示意圖。

在所有附圖中，相同的附圖標(biāo)記用來表示相同的元件或結(jié)構(gòu)，其中：

1-直線滑軌組件

11-底座12-直線導(dǎo)軌13-第一滑塊

14-第二滑塊15-磁軌

2-第一取放組件

21-第一直線動(dòng)子22-第一基座221-第一安裝板

23-第一氣缸231-第一氣缸隔熱板24-第一吸盤支撐架

25-第一真空吸盤26-第一拖鏈

3-第二取放組件

31-第二直線動(dòng)子32-第二基座321-第二安裝板

33-第二氣缸331-第二氣缸隔熱板34-第二吸盤支撐架

35-第二真空吸盤36-第二拖鏈

4-轉(zhuǎn)移組件

41-第三基座42-絲杠43-第三直線動(dòng)子

44-電機(jī)45-聯(lián)軸器46-護(hù)板

47-基片支撐板471-開口472-限位區(qū)

48-轉(zhuǎn)移組件支撐架

5-加熱組件

51-加熱器52-加熱器支撐架53-第一隔熱板

54-第二隔熱板55-第三隔熱板

6-基片

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。此外，下面所描述的本發(fā)明各個(gè)實(shí)施方式中所涉及到的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互組合。

請參照附圖1-6，為本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，該實(shí)施例提供了一種基片取放及轉(zhuǎn)移裝置，包括：直線滑軌組件、第一取放組件、第二取放組件、轉(zhuǎn)移組件、加熱組件。

請參照圖1、2，直線滑軌組件包括：底座、四個(gè)第一滑塊、四個(gè)第二滑塊、四個(gè)第一滑塊和四個(gè)第二滑塊共用的兩條直線導(dǎo)軌，以及直線電機(jī)的磁軌。底座的截面為“ㄩ”型構(gòu)造，兩條直線導(dǎo)軌分別設(shè)于底座兩側(cè)的凸筋上；四個(gè)第一滑塊兩兩對稱分布在兩條直線導(dǎo)軌上，四個(gè)第二滑塊同樣兩兩對稱分布在兩條直線導(dǎo)軌上；磁軌沿底座的軸線布置在底座的底面上，且位于兩條直線導(dǎo)軌之間。

本實(shí)施例的第一取放組件包括：第一直線動(dòng)子、第一基座、第一氣缸、第一氣缸隔熱板、第一吸盤支撐架、第一真空吸盤、第一拖鏈。在本實(shí)施例中，第一直線動(dòng)子為直線電機(jī)的動(dòng)子，水平放置于磁軌上。第一基座安裝于第一直線動(dòng)子和第一滑塊上，第一氣缸以伸縮桿向上的方式豎直安裝于第一基座上。第一氣缸隔熱板設(shè)置于第一氣缸的伸縮桿頂部，從俯視角度觀察，第一氣缸隔熱板能夠?qū)⒌谝粴飧淄耆趽?。第一吸盤支撐架為鏤空結(jié)構(gòu)，安裝于第一氣缸隔熱板上，鏤空部位便于第一真空吸盤布線。第一真空吸盤安裝在第一吸盤支撐架上，其包括中部開槽的基部以及安裝于開槽區(qū)域內(nèi)的微孔陶瓷吸盤。第一拖鏈用于在第一取放組件運(yùn)動(dòng)過程中保護(hù)相關(guān)線纜。為了減輕重量，本實(shí)施例中的第一基座主體部分為“ㄩ”型構(gòu)造，上方設(shè)置有第一安裝板，第一氣缸安裝在第一安裝板上。

其中，第一直線動(dòng)子通過第一氣缸帶動(dòng)第一真空吸盤，依次在初始位置、第一反應(yīng)位置、第一取放位置之間往復(fù)運(yùn)動(dòng)，第一反應(yīng)位置對應(yīng)第一反應(yīng)區(qū)設(shè)置。

本實(shí)施例的第二取放組件包括：第二直線動(dòng)子、第二基座、第二氣缸、第二氣缸隔熱板、第二吸盤支撐架、第二真空吸盤、第二拖鏈。在本實(shí)施例中，第二直線動(dòng)子也為直線電機(jī)的動(dòng)子，水平放置于磁軌上，且與第一直線動(dòng)子共用同一個(gè)磁軌。第二基座安裝于第二直線動(dòng)子和第二滑塊上，第二氣缸以伸縮桿向上的方式豎直安裝于第二基座上。第二氣缸隔熱板設(shè)置于第二氣缸的伸縮桿頂部，從俯視角度觀察，第二氣缸隔熱板能夠?qū)⒌诙飧淄耆趽?。第二吸盤支撐架為鏤空結(jié)構(gòu)，安裝于第二氣缸隔熱板上，鏤空部位便于第二真空吸盤布線。第二真空吸盤安裝在第二吸盤支撐架上，其包括中部開槽的基部以及安裝于開槽區(qū)域內(nèi)的微孔陶瓷吸盤。第二拖鏈用于在第二取放組件運(yùn)動(dòng)過程中保護(hù)相關(guān)線纜。為了減輕重量，本實(shí)施例中的第二基座主體部分為“ㄩ”型構(gòu)造，上方設(shè)置有第二安裝板，第二氣缸安裝在第二安裝板上。

請參照圖1及圖3-5，本實(shí)施例的轉(zhuǎn)移組件包括第三基座、絲杠、第三直線動(dòng)子、電機(jī)、聯(lián)軸器、護(hù)板、基片支撐板、轉(zhuǎn)移組件支撐板。絲杠、第三直線動(dòng)子、電機(jī)、聯(lián)軸器共同組成滾珠絲杠，第三直線動(dòng)子即滾珠絲杠的動(dòng)子。滾珠絲杠安裝于第三基座上，第三基座安裝于轉(zhuǎn)移組件支撐板上，以使其處于合適的高度?；伟灏惭b于第三直線動(dòng)子上，基片支撐板上設(shè)有一個(gè)朝向第一反應(yīng)區(qū)方向的開口，該開口的寬度大于第一真空吸盤和第二真空吸盤的寬度，小于基片的寬度，開口周圍有一個(gè)凹陷的限位區(qū)，用于放置基片并對基片限位；其中，基片支撐板設(shè)于第一取放位置和第二取放位置之間，第三直線動(dòng)子帶動(dòng)基片支撐板在第一取放位置和第二取放位置之間往復(fù)運(yùn)動(dòng)。護(hù)板一方面用于輔助支撐基片支撐板，另一方面起到保護(hù)絲杠的作用。在本實(shí)施例中，第一真空吸盤和第二真空吸盤的初始高度均低于基片支撐板。第一反應(yīng)區(qū)和第二反應(yīng)區(qū)的距離為400mm，加熱器的尺寸也為400mm，可以在基片轉(zhuǎn)移全過程中對基片進(jìn)行預(yù)熱，減少基片在反應(yīng)區(qū)域的加熱時(shí)間，進(jìn)一步提高薄膜沉積的反應(yīng)效率。

請參照圖1、3、6，本實(shí)施例的加熱組件包括：加熱器、加熱器支撐架、第一隔熱板、第二隔熱板、第三隔熱板。加熱器安裝于加熱器支撐架上，且位于第一反應(yīng)區(qū)和第二反應(yīng)區(qū)之間；加熱器的高度高于基片支撐板的高度。第一隔熱板及第二隔熱板相對設(shè)置，且高度低于基片支撐板，基片支撐板與第一隔熱板、第二隔熱板之間的垂直距離允許第一真空吸盤和第二真空吸盤自由通過；第一隔熱板、第二隔熱板之間的水平距離允許第一取放組件和第二取放組件自由通過；第三隔熱板位于轉(zhuǎn)移組件側(cè)面，且朝向加熱器下方的加熱區(qū)間設(shè)置。

請參照圖6，在本實(shí)施例中，加熱器、第一隔熱板、第二隔熱板、第三隔熱板共同圍成一個(gè)加熱空間。一方面，相比于僅使用一個(gè)加熱器直接進(jìn)行開放式加熱，本實(shí)施的方案能夠?qū)⒓訜崞鞯臒彷椛浼性谝粋€(gè)較小的空間內(nèi)，提高熱能利用率；另一方面，能夠防止輻射熱產(chǎn)生的高溫?fù)p傷氣缸及轉(zhuǎn)移組件，提高裝置的使用壽命。由于第一隔熱板和第二隔熱板之間存在間距，設(shè)置第一氣缸隔熱板和第二氣缸隔熱板進(jìn)一步隔熱，確保氣缸不會(huì)因加熱器溫度過高而損傷。

下面，介紹本發(fā)明的工作原理及工作過程：

在整個(gè)薄膜沉積反應(yīng)過程中，第一反應(yīng)區(qū)域和第二反應(yīng)區(qū)域分別位于轉(zhuǎn)移組件兩端，由于第一反應(yīng)區(qū)域第二反應(yīng)區(qū)域之間有一定的距離，因此需要基片支撐板載著基片轉(zhuǎn)移一定距離。直線電機(jī)有兩個(gè)動(dòng)子分別是在第一反應(yīng)區(qū)域內(nèi)運(yùn)動(dòng)的第一直線動(dòng)子、在第二反應(yīng)區(qū)域內(nèi)運(yùn)動(dòng)的第二直線動(dòng)子，通過各自安裝的真空吸盤，帶動(dòng)基片在對應(yīng)的反應(yīng)區(qū)內(nèi)運(yùn)動(dòng)，進(jìn)行沉積反應(yīng)。在進(jìn)行原子層沉積反應(yīng)過程中，第一真空吸盤、第二真空吸盤保持吸附力，防止基片掉落。本實(shí)施例中，在進(jìn)行沉積反應(yīng)時(shí)，氣缸的伸縮桿呈收縮狀態(tài)。直線電機(jī)上的第一直線動(dòng)子通過第一真空吸盤載著基片在第一反應(yīng)區(qū)往復(fù)運(yùn)動(dòng)進(jìn)行薄膜制備，當(dāng)?shù)谝环磻?yīng)區(qū)內(nèi)的沉積過程結(jié)束后，需要將基片由第一反應(yīng)區(qū)域的第一真空吸盤上轉(zhuǎn)移到第二反應(yīng)區(qū)域的第二真空吸盤上。

上述工作過程大致可以分為五個(gè)步驟，下面結(jié)合附圖7(a)～7(e)對各步驟進(jìn)行介紹，為便于呈現(xiàn)工作過程，附圖7(a)～7(e)略去了大部分零部件并對各部件進(jìn)行了簡化。

初始時(shí)各個(gè)零部件的狀態(tài)如圖7(a)所示，首先，第一氣缸的伸縮桿處于收縮狀態(tài)，第一真空吸盤啟動(dòng)，吸附基片防止其掉落，并在第一直線動(dòng)子(未圖示)作用下帶動(dòng)基片在第一反應(yīng)區(qū)域往復(fù)運(yùn)動(dòng)。此時(shí)，基片支撐板由滾珠絲杠驅(qū)動(dòng)到靠近第一反應(yīng)區(qū)域的第一取放區(qū)域并停下待命，并且基片所處的平面低于基片支撐板所處的平面。待第一反應(yīng)區(qū)的沉積反應(yīng)結(jié)束后，第一直線動(dòng)子帶動(dòng)第一氣缸載著基片向右側(cè)移動(dòng)，當(dāng)基片運(yùn)動(dòng)到基片支撐板左側(cè)足夠距離時(shí)(此距離可以保證第一氣缸的伸縮桿伸長時(shí)基片不與基片支撐板發(fā)生干涉)，第一氣缸的伸縮桿伸長，繼而將基片頂起，使基片所處的平面高于基片支撐板所處的平面。

然后，第一直線動(dòng)子繼續(xù)帶動(dòng)第一氣缸載著基片向右側(cè)運(yùn)動(dòng)，并在基片支撐板的正上方停住，然后第一氣缸的伸縮桿收縮，第一真空吸盤釋放基片，將基片放入限位區(qū)(未圖示)。同時(shí)，第二氣缸在位于右側(cè)靠近第二反應(yīng)區(qū)域的第二取放區(qū)域待命，第二氣缸的伸縮桿處于收縮狀態(tài)，使第二真空吸盤低于基片支撐板。此時(shí)各零部件的狀態(tài)如圖7(b)所示。

接下來，如圖7(c)所示，絲杠驅(qū)動(dòng)第三直線動(dòng)子帶動(dòng)基片支撐板，載著基片向右運(yùn)動(dòng)至第二取放區(qū)域并停下，使基片位于第二真空吸盤正上方。

然后，第二氣缸的伸縮桿伸長，將基片頂起，第二真空吸盤啟動(dòng)，吸附基片以防止其掉落；接著，第二直線動(dòng)子帶動(dòng)第二氣缸載著基片向左移動(dòng)足夠距離(此距離可以保證第二氣缸的伸縮桿收縮時(shí)基片不與基片支撐板發(fā)生干涉)，第二氣缸的伸縮桿收縮，使基片高度低于基片支撐板，此時(shí)各零部件的狀態(tài)如圖7(d)所示。

最后，第二直線動(dòng)子帶動(dòng)第二氣缸載著基片向右移動(dòng)，將基片送入第二反應(yīng)區(qū)域，并在第二反應(yīng)區(qū)域往復(fù)運(yùn)動(dòng)，進(jìn)行第二次沉積反應(yīng)。此時(shí)各零部件的狀態(tài)如圖7(e)所示。

如果需要在第一反應(yīng)區(qū)域和第二反應(yīng)區(qū)域之間先后進(jìn)行多次沉積反應(yīng)，則可以按照圖7(a)→7(b)→7(c)→7(d)→7(e)→7(d)→7(c)→7(b)→7(a)→7(b)→7(c)……的順序反復(fù)操作，即可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化的多次反復(fù)沉積。

如果全部沉積反應(yīng)在第一反應(yīng)區(qū)域結(jié)束，可以將基片運(yùn)回圖7(a)的位置，使基片離開第一反應(yīng)區(qū)域以后再取下。如果全部沉積反應(yīng)在第二反應(yīng)區(qū)域結(jié)束，既可以將基片運(yùn)回圖7(a)的位置，使基片離開第一反應(yīng)區(qū)域以后再取下，也可以將第二直線動(dòng)子的運(yùn)動(dòng)范圍設(shè)置為向右可以超出第二反應(yīng)區(qū)域之外，以在第二反應(yīng)區(qū)域的沉積反應(yīng)結(jié)束后，第二直線動(dòng)子繼續(xù)向右運(yùn)動(dòng)，使基片離開第二反應(yīng)區(qū)域，方便取下。

在上述反應(yīng)過程中，在第一氣缸、第二氣缸經(jīng)過加熱器下方時(shí)，由于第一氣缸隔熱板能夠?qū)⒌谝粴飧淄耆趽?，即第一氣缸隔熱板的橫向尺寸大于第一氣缸的橫向尺寸，第一氣缸隔熱板可以阻擋加熱器的熱量，防止第一氣缸過熱損壞，提高裝置的使用壽命。在本實(shí)施例中，進(jìn)行沉積反應(yīng)時(shí)，基片的高度低于基片支撐板的高度，以減少取放過程中氣缸伸縮桿的運(yùn)動(dòng)次數(shù)，進(jìn)一步提高效率。

由于在第一反應(yīng)區(qū)域及第二反應(yīng)區(qū)域之間設(shè)置有加熱器，使用本裝置可以在第一反應(yīng)區(qū)域和第二反應(yīng)區(qū)域之間轉(zhuǎn)移基片的同時(shí)對基片預(yù)熱。

在其他實(shí)施例中(未圖示)，直線電機(jī)和滾珠絲杠均可更換為其他形式的直線運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)，進(jìn)一步增加零部件的可替代性。例如，第一取放組件中，第一直線動(dòng)子可以是滾珠絲杠結(jié)構(gòu)的動(dòng)子，磁軌可以對應(yīng)換成絲杠；在轉(zhuǎn)移組件中，第三直線動(dòng)子可以是直線電機(jī)的動(dòng)子，絲杠可以對應(yīng)換成磁軌；上述直線動(dòng)子還可以是安裝在傳送鏈上，能夠隨著傳送鏈做往復(fù)直線運(yùn)動(dòng)的部件。總而言之，只要能夠帶動(dòng)第一氣缸、第二氣缸做直線往復(fù)運(yùn)動(dòng)的部件，均可以稱為直線動(dòng)子，并不受本發(fā)明具體實(shí)施方式的限制。

在其他實(shí)施例中(未圖示)，第一直線動(dòng)子和第二直線動(dòng)子也可以不共用磁軌；如果第一直線動(dòng)子和第二直線動(dòng)子都是滾珠絲杠結(jié)構(gòu)的動(dòng)子，則不共用絲杠。

在其他實(shí)施例中(未圖示)，第一直線動(dòng)子、第二直線動(dòng)子的運(yùn)動(dòng)方向也可以垂直于第三直線動(dòng)子的運(yùn)動(dòng)方向，或者是其他任意角度，只要能在第一反應(yīng)區(qū)域和第一取放區(qū)域之間，以及第二反應(yīng)區(qū)域和第二取放區(qū)域之間運(yùn)送基片即可。

本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易理解，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。