本發(fā)明涉及LED顯示技術領域，尤其涉及一種LED芯片、LED發(fā)光基板、顯示裝置及彩色顯示控制方法。

背景技術：

LED(Light Emitting Diode，發(fā)光二極管)屬于半導體二極管的一種，是一種依靠半導體PN結的單向導電性發(fā)光的光電元件，LED是目前世界范圍市場上廣泛使用的照明元件，具有體積小，亮度高，耗電量低，發(fā)熱少，使用壽命長，環(huán)保等優(yōu)點，并且具有豐富多彩的顏色種類，深受消費者的喜愛。

LED芯片作為背光源在手機，電視機等需要背光顯示的電子產品中發(fā)揮著不可或缺的作用。隨著電子產品尺寸的不斷縮小，需要LED芯片的尺寸也能夠大幅減小，以在較小的尺寸范圍內實現(xiàn)更強更穩(wěn)定的顯示亮度。

Micro LED(微LED)即LED芯片微縮化和矩陣化技術。指的是在一個芯片上集成高密度微小尺寸的LED芯片陣列，其中每一個LED芯片可定址、單獨驅動點亮，能夠將相鄰兩個LED芯片的像素點距離從毫米級降低至微米級，提高顯示效果，同時，Micro LED還具有節(jié)能高效、解析度高、體積小、薄型化等優(yōu)點。Micro LED需要在一片顯示面板的尺寸范圍內嵌入數(shù)百萬顆LED芯片，LED芯片的外延結構通常需要在襯底材料(如藍寶石襯底)上生長完成，再切割剝離后轉移至驅動基板上，尤其是對于RGB三色彩色顯示的顯示面板而言，用于形成R、G、B三種顏色的LED所用的材料不同，其需要首先在不同的晶圓上生長以形成不同的外延結構，再分別轉移至驅動基板上，不同材料制作的LED芯片需要單獨制作，并分次對應轉移設置在與R、G、B亞像素單元對應的位置，使得LED制作和轉移工藝的難度增大，阻礙了量產效率的提高。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明實施例提供一種LED芯片組及其彩色顯示控制方法、顯示裝置，能夠解決現(xiàn)有的用于彩色顯示的Micro LED的制作和轉移工藝的難度較高的問題。

為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術方案：

本發(fā)明實施例的一方面，提供一種LED芯片，包括：N型半導體層、量子阱層和P型半導體層。量子阱層的材料包括氮化銦鎵，其中，銦原子在氮化銦鎵中的摩爾比大于等于0.3。

優(yōu)選的，銦原子在氮化銦鎵中的摩爾比為0.4。

進一步的，本發(fā)明實施例的LED芯片，還包括襯底層，襯底層上設置有緩沖層，N型半導體層、量子阱層和P型半導體層設置在緩沖層上。

本發(fā)明實施例的另一方面，提供一種LED發(fā)光基板，包括多個上述任一項的LED芯片，還包括線路板，線路板包括襯底基板以及設置在襯底基板上的驅動電路，LED芯片設置在線路板上。

優(yōu)選的，線路板包括CMOS基板或TFT基板。

本發(fā)明實施例的再一方面，提供一種顯示裝置，包括上述任一項的LED發(fā)光基板，LED發(fā)光基板上的每一個LED芯片對應設置在每一個亞像素單元內，LED發(fā)光基板的驅動電路用于向各LED芯片傳輸電流，以使得LED芯片發(fā)出相應波長的光。

優(yōu)選的，本發(fā)明實施例的顯示裝置，包括至少三種原色亞像素，其中包括藍色亞像素，在對應每一個藍色亞像素單元的LED芯片的出光側設置有藍色濾光層。

優(yōu)選的，至少三種原色亞像素中還包括紅色亞像素和綠色亞像素，在對應每一個紅色亞像素單元的LED芯片的出光側設置有紅色濾光層，在對應每一個綠色亞像素單元的LED芯片的出光側設置有綠色濾光層。

進一步的，在本發(fā)明實施例的顯示裝置中，還包括在LED發(fā)光基板出光方向依次設置的下偏光單元、液晶層和上偏光單元，其中，下偏光單元的透過軸方向與上偏光單元的透過軸方向相互垂直或平行。

優(yōu)選的，下偏光單元和/或上偏光單元為金屬線柵。

優(yōu)選的，下偏光單元為金屬線柵時，金屬線柵設置在每一個LED芯片的出光側。

本發(fā)明實施例的又一方面，提供一種使用上述權利要求7-11任意一項的顯示裝置實現(xiàn)彩色顯示的控制方法，包括：向對應設置在紅色亞像素單元的LED芯片輸入第一電流，第一電流的電流值范圍小于0.1mA；向對應設置在綠色亞像素單元的LED芯片輸入第二電流，第二電流的電流值范圍在25mA至100mA之間；向對應設置在藍色亞像素單元的LED芯片輸入第三電流，第三電流的電流值大于0.5mA。

優(yōu)選的，第一電流的電流值為0.1mA；第二電流的電流值為60mA；第三電流的電流值為8mA。

優(yōu)選的，白平衡條件下，第一電流的占空比與第二電流的占空比以及第三電流的占空比之間的比值為120:1:4。

本發(fā)明實施例提供一種LED芯片、LED發(fā)光基板、顯示裝置及彩色顯示控制方法，包括：N型半導體層、量子阱層和P型半導體層。量子阱層的材料包括氮化銦鎵，其中，銦原子在氮化銦鎵中的摩爾比大于等于0.3。通過選用氮化銦鎵作為LED芯片中量子阱層的主要材料，且其中銦原子在氮化銦鎵中的摩爾比大于等于0.3，這樣一來，在將LED芯片制作的發(fā)光基板應用于顯示裝置中時，能夠通過調整輸入LED芯片的電流控制LED芯片發(fā)光側發(fā)出光線所顯示出的顏色，從而實現(xiàn)應用于顯示裝置時的彩色顯示。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例提供的一種LED芯片的層級結構示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的一種LED芯片中，發(fā)射光的波長隨輸入的驅動電流的變化而變化的光譜圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的一種LED發(fā)光基板的結構示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置的結構示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置中，一個像素單元內，對應藍色亞像素單元的LED芯片出光側設置有藍色濾光層的結構示意圖；

圖6為本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置中，一個像素單元內，對應紅色亞像素單元和對應綠色亞像素單元的LED芯片出光側分別還設置有紅色濾光層和綠色濾光層的結構示意圖；

圖7為本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置中還包括有下偏光單元、液晶層和上偏光單元的結構示意圖之一；

圖8為本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置中還包括有下偏光單元、液晶層和上偏光單元的結構示意圖之二；

圖9為本發(fā)明實施例提供的一種實現(xiàn)彩色顯示的控制方法的流程圖；

圖10為本發(fā)明實施例提供的一種實現(xiàn)彩色顯示的控制方法中，第一電流的占空比、第二電流的占空比與第三電流占空比的一種設置示意圖。

附圖標記：

10-N型半導體層；11-下偏光單元；12-上偏光單元；13-液晶層；20-量子阱層；30-P型半導體層；40-襯底層；50-緩沖層；60-LED芯片；70-線路板；80-LED發(fā)光基板；91-藍色濾光層；92-紅色濾光層；93-綠色濾光層；A-亞像素單元；A1-藍色亞像素單元；A2-紅色亞像素單元；A3-綠色亞像素單元。

具體實施方式

下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

本發(fā)明實施例提供一種LED芯片，如圖1所示，包括：N型半導體層10、量子阱層20和P型半導體層30。量子阱層20的材料包括氮化銦鎵，其中，銦原子在氮化銦鎵中的摩爾比大于等于0.3。

LED(發(fā)光二極管)主要是由PN結組成，具有單向導電性，其發(fā)光原理為：向LED加正向電壓后，從P區(qū)注入到N區(qū)的空穴和由N區(qū)注入到P區(qū)的電子，在PN結附近數(shù)微米內分別與N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴復合，電子和空穴消失的同時產生光子，即產生了自發(fā)輻射的熒光。不同的半導體材料中電子和空穴所處的能量狀態(tài)(帶隙)不同。當電子和空穴復合時釋放出的能量多少不同，電子和空穴之間的能量越大，產生的光子的能量就越高。光子的能量反過來與光的顏色對應，由于不同的材料具有不同的帶隙，從而能夠發(fā)出不同顏色的光。LED芯片是一種固態(tài)的半導體器件，其能夠實現(xiàn)LED的發(fā)光顯示。

需要說明的是，第一，本發(fā)明實施例的LED芯片，對于N型半導體層10、量子阱層20和P型半導體層30的形成順序不做限定，可以為如圖1所示，由下向上依次為N型半導體層10、量子阱層20和P型半導體層30的結構，也可以為由下向上依次為P型半導體層30、量子阱層20和N型半導體層10的結構均可。本領域技術人員可以根據(jù)具體使用要求進行設置。

第二，對于使用氮化銦鎵材料且銦原子在氮化銦鎵中的摩爾比大于等于0.3的量子阱層20，其量子阱層20中銦原子在氮化銦鎵中的摩爾比較高，使用這種材料的量子阱層20制作而成的LED芯片在通入驅動電流時，當調整驅動電流的電流值由低逐漸增高，LED芯片發(fā)光側發(fā)射的光會產生藍移現(xiàn)象，發(fā)射光波長隨著驅動電流的增大而逐漸變小，即顯示光的顏色由紅色逐漸向綠色變化。

本發(fā)明實施例提供一種LED芯片，包括：N型半導體層、量子阱層和P型半導體層。量子阱層的材料包括氮化銦鎵，其中，銦原子在氮化銦鎵中的摩爾比大于等于0.3。通過選用氮化銦鎵作為LED芯片中量子阱層的主要材料，且其中銦原子在氮化銦鎵中的摩爾比大于等于0.3，這樣一來，在將LED芯片制作的發(fā)光基板應用于顯示裝置中時，能夠通過調整輸入LED芯片的電流值的大小，來控制LED芯片發(fā)光側發(fā)出光線所顯示出的顏色，從而實現(xiàn)應用于顯示裝置時的彩色顯示。

優(yōu)選的，在本發(fā)明實施例的LED芯片中，量子阱層20內銦原子在氮化銦鎵中的摩爾比為0.4。

對于使用氮化銦鎵材料且銦原子在氮化銦鎵中的摩爾比為0.4的量子阱層20，制作而成的LED芯片在通入驅動電流時，如圖2所示，為其發(fā)射光的波長隨驅動電流增加而變化的光譜圖。如圖2中虛線箭頭所示，當驅動電流由0.1mA逐漸增至60mA時，發(fā)射光產生藍移現(xiàn)象，發(fā)射光波長隨著驅動電流的增大而逐漸變小(如圖2中所示，光波長由600nm移動至550nm)，顯示光的顏色由紅色逐漸變?yōu)榫G色。

進一步的，如圖1所示，本發(fā)明實施例的LED芯片，還包括襯底層40，襯底層40上設置有緩沖層50，N型半導體層10、量子阱層20和P型半導體層30設置在緩沖層50上。

襯底層40通常在以下三種材料中選?。核{寶石(Al2O3)、硅(Si)或碳化硅(SiC)。以藍寶石(Al2O3)材料制作的襯底層40為例，在襯底層40上首先形成緩沖層50，然后再在緩沖層50上形成N型半導體層10、量子阱層20和P型半導體層30，形成上述的外延結構時，通常采用金屬有機物化學氣相沉積(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，簡稱MOCVD)的方式，或者也可以采用其他制作方式，本發(fā)明實施例中對此制作方式不作限定。

本發(fā)明實施例的另一方面，提供一種LED發(fā)光基板，包括多個上述任一項的LED芯片60，如圖3所示，包括3個上述任一項的LED芯片60，還包括線路板70，線路板70包括襯底基板以及設置在襯底基板上的驅動電路，LED芯片60設置在線路板70上。

線路板70包括襯底基板以及設置在襯底基板上的驅動電路，LED芯片60設置在線路板70上，通過線路板70上的驅動電路向LED芯片60輸入驅動電流，以控制LED芯片60的發(fā)光。

需要說明的是，本發(fā)明實施例的LED芯片60應用于Micro LED(微LED)中，LED芯片60以高密度微小尺寸集成為芯片陣列，當每一個LED芯片60在小于50微米的尺寸時，由于每一個LED芯片60的尺寸過小，在將LED芯片60剝離并轉移線路板70時，在緩沖層50位置處進行剝離，剝離后的LED芯片60轉移至線路板70上，與對應的驅動電路相連通，在緩沖層50處進行剝離，能夠保護緩沖層50以上的芯片結構不在剝離的過程中受到破壞。轉移至線路板70上的LED芯片60不包括襯底層40。當每一個LED芯片60在100微米以上的尺寸時，如圖3所示，通常會包括一部分厚度的襯底層40一起切割后，將帶有襯底層40的LED芯片60轉移至線路板70上與對應的驅動電路相連通，帶有襯底層40的LED芯片60在連接驅動電路發(fā)光時功能實現(xiàn)更加穩(wěn)定。

優(yōu)選的，線路板70包括CMOS基板或TFT基板。

例如，本發(fā)明實施例的LED發(fā)光基板應用于OLED顯示裝置中時，線路板70為TFT基板，在襯底基板上通過成膜、顯影、剝離、曝光、刻蝕等工藝制作各層級結構以形成TFT基板，將LED芯片60剝離后轉移至TFT基板上，通過TFT基板上制作的驅動電路向LED芯片60輸入驅動電流。

本發(fā)明實施例的再一方面，提供一種顯示裝置，如圖4所示，包括上述任一項的LED發(fā)光基板80，LED發(fā)光基板80上的每一個LED芯片60對應設置在每一個亞像素單元A內，LED發(fā)光基板80的驅動電路用于向各LED芯片60傳輸電流，以使得LED芯片60發(fā)出相應波長的光。

例如，如圖4所示，在顯示裝置中，LED發(fā)光基板80的線路板70為TFT基板，在TFT基板上通過橫縱交叉的柵線(如圖4中G1、G2、G3、G4…)和數(shù)據(jù)線(如圖4中D1、D2、D3、D4…)界定出多個亞像素單元A，LED發(fā)光基板80上的每一個LED芯片60對應設置在每一個亞像素單元A內，TFT基板上的驅動電路可以掃描的方式單獨定址控制每一個LED芯片60，向對應設置在不同的亞像素單元A內的LED芯片60中輸入驅動電流，該驅動電流的電流值可以相同也可以不同，每一個LED芯片60根據(jù)輸入的驅動電流，發(fā)出相應波長的光，從而能夠在每一個亞像素單元A內設置的LED芯片60的結構均相同的情況下，通過調整向每一個LED芯片60輸入的驅動電流的電流值，控制顯示裝置以實現(xiàn)彩色顯示。

優(yōu)選的，本發(fā)明實施例的顯示裝置，如圖5所示，包括至少三種原色亞像素，其中包括藍色亞像素，在對應每一個藍色亞像素單元A1的LED芯片60的出光側設置有藍色濾光層91。

由于本發(fā)明實施例的LED芯片60的光譜中始終包含有藍光，在對應每一個藍色亞像素單元A1的LED芯片60的出光側設置藍色濾光層91，向對應藍色亞像素單元A1的LED芯片60輸入如圖2所示的光譜范圍內的任意電流值后使得LED芯片60發(fā)光，發(fā)出的光線經(jīng)過藍色濾光層91的濾光作用后，使得對應藍色亞像素單元A1的LED芯片60最終向外發(fā)出藍色光線，而發(fā)出其他顏色的光線均被藍色濾光層91阻擋。

這樣一來，通過控制向LED芯片60輸入低電流值(如圖2所示，輸入電流0.1mA)使得LED芯片60能夠發(fā)射紅光，通過控制向LED芯片60輸入較高電流值(如圖2所示，輸入電流60mA)使得LED芯片60能夠發(fā)射綠光，并且，通過藍色濾光層91的濾光作用，使得LED芯片60的出光側能夠最終顯示為藍光，從而能夠通過對相同的LED芯片60輸入不同大小的電流值或增加濾光層等方式實現(xiàn)紅、綠、藍三種原色的分別顯示，進而能夠使得本發(fā)明實施例的顯示裝置實現(xiàn)全彩色的顯示效果。

優(yōu)選的，如圖6所示，至少三種原色亞像素中還包括紅色亞像素和綠色亞像素，在對應每一個紅色亞像素單元A2的LED芯片60的出光側設置有紅色濾光層92，在對應每一個綠色亞像素單元A3的LED芯片60的出光側設置有綠色濾光層93。

例如，如圖6所示，顯示裝置中的每一個像素單元中包括有紅色亞像素單元A2、綠色亞像素單元A3和藍色亞像素單元A1，對應設置在每一個紅色亞像素單元A2內的LED芯片60的出光側發(fā)出紅色光，對應設置在每一個綠色亞像素單元A3內的LED芯片60的出光側發(fā)出綠色光，對應設置在每一個藍色亞像素單元A1內的LED芯片60的出光側通過藍色濾光層91后顯示為藍色光。通過對每一個像素單元內的紅色亞像素單元A2、綠色亞像素單元A3和藍色亞像素單元A1的發(fā)光控制，能夠在顯示裝置上顯示出所需的彩色畫面。由于LED芯片60的光譜中始終包含有藍光，這就可能導致紅色亞像素單元A2內發(fā)出的紅光和綠色亞像素單元A3內發(fā)出的綠光純度較差，從而影響顯示裝置的彩色顯示效果，因此，如圖6所示，在對應每一個紅色亞像素單元A2的LED芯片60的出光側設置紅色濾光層92，對紅色亞像素單元A2內除紅光以外的光線進行阻擋，同樣的，在對應每一個綠色亞像素單元A3的LED芯片60的出光側設置綠色濾光層93，對綠色亞像素單元A3內除綠光以外的光線進行阻擋，這樣一來，就能夠提高每一個亞像素單元A中發(fā)出的光線的純度，進而提高顯示裝置的彩色顯示效果。

還需要說明的是，本發(fā)明實施例的顯示裝置中，所述的藍色濾光層91、紅色濾光層92以及綠色濾光層93可以為濾光片，也可以為其他能夠實現(xiàn)使特定波長的光線通過、其他波長的光線被阻擋的效果的材料和形式，本發(fā)明實施例中對此不作具體限定。

進一步的，在本發(fā)明實施例的顯示裝置中，當所述的顯示裝置為液晶顯示裝置時，如圖7所示，還包括在LED發(fā)光基板80出光方向依次設置的下偏光單元11、液晶層13和上偏光單元12，其中，下偏光單元11的透過軸方向與上偏光單元12的透過軸方向相互垂直或平行。

如圖7所示，當顯示裝置為液晶顯示裝置時，在LED發(fā)光基板80出光方向設置有下偏光單元11、液晶層13和上偏光單元12，由LED發(fā)光基板80出光方向發(fā)出的光線，經(jīng)過下偏光單元11后，只有偏振方向與下偏光單元11的透過軸方向相同的部分光線能夠通過下偏光單元11進入液晶層13中，經(jīng)過液晶層13中液晶分子的偏轉作用后，射向上偏光單元12，其中，偏振方向與上偏光單元12的透過軸方向相同的部分光線通過上偏光單元后出射，實現(xiàn)顯示。

需要說明的是，第一，本發(fā)明實施例中下偏光單元11與上偏光單元12的透過軸方向可以相互垂直，也可以相互平行。例如，當下偏光單元11與上偏光單元12的透過軸方向相互垂直時，液晶層13中的液晶分子以TN(Twisted Nematic，扭曲向列型)顯示模式排列，TN顯示模式在無外加電壓的通常情況下，通過下偏光單元11的光線理論上能夠全部由上偏光單元12出射，因此，顯示裝置背光投射為“常白模式”。反之，當下偏光單元11與上偏光單元12的透過軸方向相互平行時，顯示裝置在無外加電壓的通常情況下背光投射為“常黑模式”。

第二，本發(fā)明實施例的顯示裝置中，對于上偏光單元12和下偏光單元11的具體結構不做限定，例如，可以為偏光片，或者也可以為其他結構，只要能夠實現(xiàn)僅使偏振方向與透過軸方向相同的光線透過即可。

第三，液晶層13中的液晶分子通常是設置在兩基板之間，且側面通過膠體粘貼封閉，以避免液晶分子泄露，本發(fā)明實施例中對于上偏光單元12和下偏光單元11與設置液晶層13的兩基板之間的相對位置不做限定，例如，如圖7所示，上偏光單元11可以設置于液晶層13上側基板之外，或者，也可以設置在上側基板的內側，只要能夠保證由LED發(fā)光基板80出射的光線依次經(jīng)過下偏光單元11、液晶層13和上偏光單元12即可。

優(yōu)選的，下偏光單元11和/或上偏光單元13為金屬線柵。

這樣一來，當下偏光單元11和/或上偏光單元13為金屬線柵時，可以通過納米壓印等方式，直接將金屬線柵集成在其他基板上，例如，對于下偏光單元11，可以直接用納米壓印的方法集成在LED發(fā)光基板80上，從而不必再增設偏光片層，進而降低顯示裝置的厚度，使得顯示裝置輕薄化。

優(yōu)選的，如圖8所示，下偏光單元11為金屬線柵時，金屬線柵設置在每一個LED芯片60的出光側。

這樣一來，如圖8所示，只需要在每一個LED芯片60的出光側通過納米壓印等方式制作金屬線柵，即可使得LED芯片60偏振出光，每一個LED芯片60上出射的光線的偏振方向與金屬線柵的柵條延伸方向相同。同時，由于在LED芯片60的出光側設置的金屬線柵就能夠對LED芯片60出射的光線進行過濾，從而在除LED芯片60以外的部分不必再制作金屬線柵，從而節(jié)省了金屬線柵的制作材料，簡化了制作工藝。

本發(fā)明實施例的又一方面，提供一種使用上述權利要求7-11任意一項的顯示裝置實現(xiàn)彩色顯示的控制方法，如圖9所示，包括：S101、向對應設置在紅色亞像素單元A2的LED芯片60輸入第一電流，第一電流的電流值范圍小于0.1mA。S102、向對應設置在綠色亞像素單元A3的LED芯片60輸入第二電流，第二電流的電流值范圍在25mA至100mA之間。S103、向對應設置在藍色亞像素單元A1的LED芯片60輸入第三電流，第三電流的電流值大于0.5mA。

需要說明的是，本發(fā)明實施例的實現(xiàn)彩色顯示的控制方法中，對于步驟S101-S103之間的先后順序不做限定，可以為同時進行，也可以為任意的先后順序，上述步驟順序只是例舉其中一種方式，步驟的先后順序不會影響到本發(fā)明控制方法的實現(xiàn)。

向對應設置在紅色亞像素單元A2的LED芯片60輸入第一電流，如圖2所示，當?shù)谝浑娏鞯碾娏髦敌∮?.1mA時，LED芯片60的發(fā)光側可發(fā)出紅色光，向對應設置在綠色亞像素單元A3的LED芯片60輸入第二電流，如圖2所示，當?shù)诙娏鞯碾娏髦禐?5mA至100mA之間的任意電流值時，LED芯片60的發(fā)光側可發(fā)出綠色光，而且，由于上述權利要求7-11任意一項的顯示裝置至少在對應藍色亞像素單元A1的LED芯片60的出光側設置有藍色濾光層91，因此，向對應設置在藍色亞像素單元A1的LED芯片60輸入第三電流，由于本發(fā)明實施例的LED芯片60的光譜中始終包含有藍光，因此第三電流可以為如圖2所示的光譜范圍內的任意值，均可使對應設置在藍色亞像素單元A1的LED芯片60發(fā)出光線，發(fā)出的光線通過藍色濾光層91后，可顯示藍色光。考慮到若第三電流的電流值過低，會使得藍色亞像素單元A1內顯示的光強過低，因此，限定第三電流的電流值大于0.5mA。這樣一來，分別控制每一個亞像素單元是否輸入電流，即可實現(xiàn)每一個像素單元A呈現(xiàn)出相應的色彩，從而控制顯示裝置實現(xiàn)彩色顯示。

對于LED芯片60來說，輸入的電流值越大，其顯示的光強度必然越大，因此，上述的顯示裝置雖然能夠實現(xiàn)彩色顯示，但是其中紅色光的強度遠小于綠色光的強度，會使得彩色顯示的效果較差，影響顯示裝置整體顯示出的色調，導致顯示的顏色發(fā)生失真變色等問題?？梢酝ㄟ^調節(jié)第一電流的占空比與第二電流的占空比之間的比值，來平衡紅色光與綠色光之間的光強差，進而提高彩色顯示的準確性，使得顯示裝置呈現(xiàn)較佳的顯示效果。

此外，由于液晶層13在電壓控制下能夠發(fā)生相應角度的偏轉，因此，當顯示裝置為液晶顯示裝置時，在通過調節(jié)第一電流的占空比與第二電流的占空比以及第三電流的占空比之間的比值以對顯示裝置彩色顯示進行調節(jié)的基礎上，還可以通過控制液晶層13中對應每一個像素單元內的紅、綠、藍顯示位置的液晶分子的偏轉，對每一個像素單元最終顯示出的光亮度和色調進行進一步的調整，以進一步提高顯示裝置彩色顯示的效果。

優(yōu)選的，向對應設置在紅色亞像素單元A2內的LED芯片60輸入的第一電流的電流值設置為0.1mA；向對應設置在綠色亞像素單元A3內的LED芯片60輸入的第二電流的電流值設置為60mA；向對應設置在藍色亞像素單元A1內的LED芯片60輸入的第三電流的電流值設置為8mA。

當?shù)谝浑娏鞯碾娏髦禐?.1mA時，對應設置在紅色亞像素單元A2內的LED芯片60發(fā)出的光線中紅光比例較高、純度較好，同樣的，當?shù)诙娏鞯碾娏髦禐?0mA時，對應設置在綠色亞像素單元A3內的LED芯片60發(fā)出的光線中綠光比例較高、純度較好，第三電流的電流值設置為8mA，一方面，能夠在保證對應設置在藍色亞像素單元A1內的LED芯片60的發(fā)光強度的前提下，降低第三電流的功耗。

優(yōu)選的，如圖10所示，在白平衡條件下，第一電流的占空比與第二電流的占空比以及第三電流的占空比之間的比值為120:1:4。

如圖10所示，當對每一個像素單元A中，設置第一電流的電流值為0.1mA、第二電流的電流值為60mA、第三電流的電流值為8mA時，將第一電流的占空比與第二電流的占空比以及第三電流的占空比之間的比值設置為120:1:4，能夠得到最佳的白平衡條件，從而降低顯示裝置發(fā)生色彩偏差的可能性，進一步提高顯示裝置在彩色顯示時的顯示效果和顯示色彩的真實性。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內。因此，本發(fā)明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。