1.一種逐層調(diào)節(jié)二維材料帶隙的方法，其特征在于：包括以下步驟：

1)選取性能穩(wěn)定的基底材料，將基底進(jìn)行預(yù)處理，使其成為富含羥基的清潔基底材料；

2)獲取目標(biāo)二維材料樣品，置于所述基底上；并且對(duì)基底上的二維材料樣品進(jìn)行光學(xué)襯度差、常規(guī)拉曼、光致發(fā)光光譜表征；

3)將所述二維材料樣品連同基底置于等離子清洗機(jī)機(jī)腔內(nèi)；

4)向等離子清洗機(jī)內(nèi)通入一定容量的氣體，使目標(biāo)二維材料處于氧氣氣體中；

5)選擇等離子清洗機(jī)的工作功率；

6)選擇等離子清洗機(jī)的工作時(shí)間；

7)關(guān)閉等離子清洗機(jī)，在性質(zhì)穩(wěn)定的保護(hù)氣的氛圍下取出目標(biāo)二維材料樣品；

8)再對(duì)目標(biāo)二維材料樣品進(jìn)行光學(xué)襯度差、常規(guī)拉曼、光致發(fā)光光譜表征；

9)進(jìn)行步驟8)之后，重復(fù)步驟4)至步驟8)的操作，即可逐層的進(jìn)行二維材料樣品的帶隙調(diào)節(jié)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的逐層調(diào)節(jié)二維材料帶隙的方法，其特征在于：步驟1)中所述樣品基底選用的性能穩(wěn)定材料，基底材料為硅、二氧化硅；基底平面尺寸為1mm×1mm～20mm×20mm，厚度為100μm～10mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的逐層調(diào)節(jié)二維材料帶隙的方法，其特征在于：采用氧等離子清洗機(jī)處理，或用強(qiáng)氧化劑清洗基底表面，得到富含羥基的清潔的基底材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的逐層調(diào)節(jié)二維材料帶隙的方法，其特征在于：步驟2)中獲取目標(biāo)二維材料樣品的方法包括機(jī)械剝離、化學(xué)氧化還原或者化學(xué)氣相沉積。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的逐層調(diào)節(jié)二維材料帶隙的方法，其特征在于：步驟3)中二維材料樣品連同基底在等離子清洗機(jī)機(jī)腔中的距等離子發(fā)射中心的距離為5～500mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的逐層調(diào)節(jié)二維材料帶隙的方法，其特征在于：步驟4)中通入的氣體為氧氣和氬氣，氣體通入速率為2～40sccm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的逐層調(diào)節(jié)二維材料帶隙的方法，其特征在于：步驟5)中等離子清洗機(jī)的工作功率為5～50W。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的逐層調(diào)節(jié)二維材料帶隙的方法，其特征在于：步驟6)中等離子清洗機(jī)的工作時(shí)間為5～400s。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的逐層調(diào)節(jié)二維材料帶隙的方法，其特征在于：步驟7)中保護(hù)氣的選擇為氮?dú)狻?/p>