本申請涉及顯示技術領域，尤其涉及一種顯示面板及其封裝方法。

背景技術：

近年來顯示面板的發(fā)展取得了突破性進展，顯示面板的封裝技術是提高顯示面板的穩(wěn)定性和壽命的關鍵制程。

參見圖1，目前大尺寸顯示面板最常用的封裝方法之一就是薄膜封裝(TFE)，因氮化硅(SiNx)薄膜密封性優(yōu)良，使SiNx成為使用最為廣泛的封裝薄膜之一，目前的低溫成膜工藝雖然溫度比較低，但是在鍍膜過程中還是會產生高溫，影響器件性能，同時粉塵(particle)的產生也影響器件的良率和穩(wěn)定性。

技術實現(xiàn)要素：

本申請實施例提供了一種顯示面板及其封裝方法，用以降低對顯示面板進行封裝過程中產生的溫度，避免高溫對器件的性能損傷，并且將粉塵吹走，避免粉塵對產品器件的影響，從而提高產品良率和穩(wěn)定性。

本申請實施例提供的一種顯示面板的封裝方法，包括在顯示面板上制備封裝薄膜，在制備所述封裝薄膜的過程中，至少通入一次用于降溫的氣體。

通過本申請實施例提供的該封裝方法，在制備所述封裝薄膜的過程中，至少通入一次用于降溫的氣體，從而可以降低對顯示面板進行封裝過程中的器件溫度，避免高溫對器件的性能損傷，并且所述氣體還可以將粉塵吹走，避免粉塵對產品器件的影響，從而提高產品良率和穩(wěn)定性。

可選地，所述顯示面板的封裝薄膜包括多層，在每層封裝薄膜制備完成時，均通入用于降溫的氣體。

可選地，所述顯示面板的封裝薄膜包括多層，每制備完成預設厚度的封裝薄膜，通入一次用于降溫的氣體。

可選地，所述預設厚度為100nm。

可選地，在制備所述封裝薄膜的過程中，按照預設周期，通入用于降溫的氣體。

可選地，所述氣體為惰性氣體。

可選地，所述惰性氣體為氮氣。

可選地，每次通入所述氣體的持續(xù)時長為預設時長。

可選地，在封裝薄膜表面的正上方，均勻通入所述氣體。

本申請實施例提供的一種顯示面板，采用本申請實施例提供的所述的封裝方法進行封裝得到。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡要介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例，對于本領域的普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術中的對OLED面板進行封裝的示意圖；

圖2為本申請實施例提供的顯示面板的封裝薄膜的位置示意圖；

圖3為本申請實施例提供的封裝薄膜的結構示意圖；

圖4為本申請實施例提供的OLED面板的封裝薄膜的結構示意圖；

圖5為本申請實施例提供的對封裝薄膜進行通入氣體的示意圖；

圖6為本申請實施例提供的對OLED面板的封裝薄膜進行通入氣體的示意圖。

具體實施方式

本申請實施例提供了一種顯示面板及其封裝方法，用以降低對顯示面板進行封裝過程中產生的溫度，避免高溫對器件的性能損傷，并且將粉塵吹走，避免粉塵對產品器件的影響，從而提高產品良率和穩(wěn)定性。

參見圖2，顯示面板包括玻璃基板201、設置在玻璃基板201之上的顯示器件202，以及封裝在顯示器件202之上的封裝薄膜203。

其中，所述的顯示器件202，例如可以是OLED器件，也可以是其他類型的顯示器件等。

本申請實施例所述的封裝薄膜203，目前使用比較廣泛的就是SiNx薄膜，本申請實施例采用分階段的制備封裝薄膜203，而現(xiàn)有技術中是一次完成封裝薄膜制備，沒有分階段進行。

參見圖3，本申請實施例所述的封裝薄膜203，在虛線以上的部分，可以分為多層，例如包括三層，分別是第一層21、第二層22、第三層23。

每一層都可以是氮化硅層，例如，如圖4所示，在OLED器件之上分別設置有第一SiNx層SiNx-1、第二SiNx層SiNx-2和第三SiNx層SiNx-3。

那么，本申請實施例提供的一種顯示面板的封裝方法，包括在顯示面板上制備封裝薄膜，在制備所述封裝薄膜的過程中，至少通入一次用于降溫的氣體。

例如，可選地，所述顯示面板的封裝薄膜包括多層，在每層封裝薄膜制備完成時，均通入用于降溫的氣體。

或者，可選地，所述顯示面板的封裝薄膜包括多層，每制備完成預設厚度的封裝薄膜，通入一次用于降溫的氣體。

可選地，所述預設厚度為100nm，當然也可以為其他厚度。

或者，可選地，在制備所述封裝薄膜的過程中，按照預設周期，通入用于降溫的氣體。

其中所述的預設周期，可以根據(jù)實際需要而定，本申請實施例對此不作限定。

通過本申請實施例提供的該封裝方法，在制備所述封裝薄膜的過程中，至少通入一次用于降溫的氣體，從而可以降低對顯示面板進行封裝過程中的器件溫度，避免高溫對器件的性能損傷，并且所述氣體還可以將粉塵吹走，避免粉塵對產品器件的影響，從而提高產品良率和穩(wěn)定性。

可選地，所述氣體為惰性氣體，即非反應氣體。

例如，可選地，所述惰性氣體為氮氣。

可選地，每次通入所述氣體的持續(xù)時長為預設時長，該預設時長可以根據(jù)實際需要而定，本申請實施例對此不作限定。

例如，若采用厚度達到預設值時進行通入降溫氣體的操作，則參見圖5，若當前已經制得的包括第一層21、第二層22、第三層23在內的膜層的總厚度d達到100nm，則采用通氣裝置204，對位于最上層的第三層23吹氣，從而可以降低對顯示面板進行封裝過程中的器件溫度，避免高溫對器件的性能損傷，并且所述氣體還可以將粉塵吹走，避免粉塵對產品器件的影響，從而提高產品良率和穩(wěn)定性。

其中，可選地，在封裝薄膜表面，例如圖5所示的第三層23的正上方，均勻通入用于降溫和吹散粉塵的氣體。

例如，以對OLED器件進行封裝為例，參見圖6，在OLED器件紙上封裝有三層氮化硅，當這三層氮化硅總厚度達到100nm時，則采用通氣裝置，對位于最上層的氮化硅吹氮氣(50slm)，從而可以降低對OLED器件溫度，避免高溫對OLED器件的性能損傷，并且氮氣還可以將粉塵吹走，避免粉塵對OLED器件的影響，從而提高產品良率和穩(wěn)定性。

另外，本申請實施例中，還可以設置一些監(jiān)控裝置，例如用于實時監(jiān)控當前封裝階段的顯示器件的溫度，當溫度達到預設值時，則進行通入用于降溫和吹散粉塵的氣體的操作。在通入氣體的過程，也可以實時監(jiān)控顯示器件溫度，當溫度降低到預設值時，則可以控制停止通入氣體，繼續(xù)進行后續(xù)封裝膜層的制備操作。

并且，本申請實施例中，還可以設置用于控制氣體吹出的方向以及速度等參數(shù)的裝置，從而可以根據(jù)實際情況，對不同位置進行降溫、清掃粉塵，以及可以采用不同的吹氣速度對不同位置進行降溫、清掃粉塵，使得降溫、清掃粉塵的操作更加靈活多變，更加適應器件的實際溫度、粉塵多少的情況，并且可以通過吹氣速度控制吹氣時長，因此可以控制整個封裝薄膜的制備效率。

綜上所述，大尺寸顯示面板的封裝方式主要是膠材封裝、薄膜封裝等。薄膜封裝按封裝材料不同可以分為無機薄膜封裝、有機薄膜封裝、無機/有機復合薄膜封裝等。常用的封裝薄膜有SiNx、SiONx等。封裝薄膜的制備主要是利用PECVD設備，本申請實施例中分步制備封裝薄膜，當制得一部分封裝薄膜后，通過通入N2，一方面可以降低基板溫度，另外可以在一定程度上吹掃Particle。

本申請實施例中，例如在每100nm封裝薄膜制備完成后，停止反應進行，通入氮氣(50slm)使表面降溫，同時可以對particle有一定的吹掃功能，減少表面particle殘留。PECVD在工藝過程會有溫度上升，溫度一般會上升25-30℃，有機材料對高溫比較敏感，高溫下易變性，本申請通過分段成膜。氮氣吹掃使溫度不會上升過快，降低高溫變性的風險。同時通入氮氣可以對表面particle進行吹掃，防止產生的particle生長到薄膜內部，造成不良。

本領域內的技術人員應明白，本申請的實施例可提供為方法、系統(tǒng)、或計算機程序產品。因此，本申請可采用完全硬件實施例、完全軟件實施例、或結合軟件和硬件方面的實施例的形式。而且，本申請可采用在一個或多個其中包含有計算機可用程序代碼的計算機可用存儲介質(包括但不限于磁盤存儲器和光學存儲器等)上實施的計算機程序產品的形式。

本申請是參照根據(jù)本申請實施例的方法、設備(系統(tǒng))、和計算機程序產品的流程圖和/或方框圖來描述的。應理解可由計算機程序指令實現(xiàn)流程圖和/或方框圖中的每一流程和/或方框、以及流程圖和/或方框圖中的流程和/或方框的結合?？商峁┻@些計算機程序指令到通用計算機、專用計算機、嵌入式處理機或其他可編程數(shù)據(jù)處理設備的處理器以產生一個機器，使得通過計算機或其他可編程數(shù)據(jù)處理設備的處理器執(zhí)行的指令產生用于實現(xiàn)在流程圖一個流程或多個流程和/或方框圖一個方框或多個方框中指定的功能的裝置。

這些計算機程序指令也可存儲在能引導計算機或其他可編程數(shù)據(jù)處理設備以特定方式工作的計算機可讀存儲器中，使得存儲在該計算機可讀存儲器中的指令產生包括指令裝置的制造品，該指令裝置實現(xiàn)在流程圖一個流程或多個流程和/或方框圖一個方框或多個方框中指定的功能。

這些計算機程序指令也可裝載到計算機或其他可編程數(shù)據(jù)處理設備上，使得在計算機或其他可編程設備上執(zhí)行一系列操作步驟以產生計算機實現(xiàn)的處理，從而在計算機或其他可編程設備上執(zhí)行的指令提供用于實現(xiàn)在流程圖一個流程或多個流程和/或方框圖一個方框或多個方框中指定的功能的步驟。

顯然，本領域的技術人員可以對本申請進行各種改動和變型而不脫離本申請的精神和范圍。這樣，倘若本申請的這些修改和變型屬于本申請權利要求及其等同技術的范圍之內，則本申請也意圖包含這些改動和變型在內。