本發(fā)明涉及天線裝置，尤其涉及作為芯片型的線圈天線而被利用的天線裝置及其制造方法。再有，本發(fā)明涉及具備天線裝置的卡片型信息介質(zhì)及電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

具備線圈天線的表面安裝型的天線裝置，一般而言在絕緣體層構(gòu)成基于導(dǎo)體圖案的螺旋狀的線圈。導(dǎo)體圖案之中，在層疊方向上延伸的導(dǎo)體圖案由通路孔(通路導(dǎo)體)構(gòu)成。一般而言通過激光加工或沖孔加工而在層疊體形成多個(gè)貫通孔，在這些貫通孔內(nèi)填充導(dǎo)電膏，由此構(gòu)成該通路孔。

在先技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：國際公開第2013/161608號(hào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

-發(fā)明所要解決的技術(shù)問題-

一般而言，在通路導(dǎo)體露出于層疊體的端面的情況下，容易產(chǎn)生微小的灰塵或印刷的飛白、安裝時(shí)的焊料的飛散等引起的短路不良。尤其，在通過電極膏的填充來形成端面通路的情況下，所填充的電極膏有時(shí)會(huì)擴(kuò)散到相鄰的端面導(dǎo)體，由此，也存在相鄰的端面導(dǎo)體間的短路不良產(chǎn)生的風(fēng)險(xiǎn)。

本發(fā)明的目的在于，提供一種防止層疊體的端面處的短路的產(chǎn)生、且對(duì)成品率的提高有效的天線裝置及具備其的卡片型信息介質(zhì)以及電子設(shè)備。

-用于解決技術(shù)問題的手段-

(1)本發(fā)明的天線裝置，其特征在于，具備：層疊體，多個(gè)絕緣體層層疊而形成；和線圈，包含：多個(gè)線狀導(dǎo)體，形成于所述絕緣體層的面且由位于所述絕緣體層的外緣的2個(gè)端部及將所述2個(gè)端部間連接的主要部分構(gòu)成；以及端面導(dǎo)體，形成于所述層疊體的與所述絕緣體層的層疊方向平行的端面且在所述層疊方向?qū)⑺鼍€狀導(dǎo)體的所述2個(gè)端部彼此連接，在所述絕緣體層的面及所述層疊體的所述端面所對(duì)應(yīng)的平行方向上，所述端面導(dǎo)體的寬度比所述主要部分的寬度更窄、且相互相鄰的所述端面導(dǎo)體的間隔比相互相鄰的所述主要部分的間隔更寬。

根據(jù)上述構(gòu)成，相鄰的端面導(dǎo)體間的間隔變寬，端面導(dǎo)體彼此的短路變得難以產(chǎn)生。再有，由于可將線狀導(dǎo)體的主要部分的線寬確保為給定寬度，故導(dǎo)體損耗的增加得以抑制。

(2)上述(1)中，優(yōu)選在所述絕緣體層的面及所述層疊體的端面所對(duì)應(yīng)的平行方向上，所述2個(gè)端部的線寬比所述主要部分的線寬更細(xì)。

若粗的線狀導(dǎo)體與細(xì)的端面導(dǎo)體的邊界位于層疊體的角部(棱)，則在該角部形成電流的集中場(chǎng)所，因此電阻值變大。根據(jù)上述構(gòu)成，構(gòu)成線圈的導(dǎo)體之中粗的部分與細(xì)的部分的邊界形成于絕緣體層的面，可抑制電流的集中或電阻值的增大。

(3)上述(2)中，優(yōu)選所述2個(gè)端部是線寬隨著遠(yuǎn)離所述主要部分而逐漸地變細(xì)的形狀。

根據(jù)上述構(gòu)成，線狀導(dǎo)體的線寬急劇地變化的場(chǎng)所消失(線寬變化的未連續(xù)部消失)，可進(jìn)一步抑制電流集中或電阻值的增大。

(4)上述(2)中，優(yōu)選所述2個(gè)端部的接近所述主要部分的部分的線寬比遠(yuǎn)離所述主要部分的部分的線寬更粗。

根據(jù)上述構(gòu)成，從主要部分到端面導(dǎo)體的線寬的變化減小，能夠抑制電流集中或電阻值的增大。

(5)上述(1)～(4)的任一個(gè)中，優(yōu)選所述2個(gè)端部與所述端面導(dǎo)體的連接部的寬度和所述端面導(dǎo)體的線寬不同。

根據(jù)上述構(gòu)成，2個(gè)端部與端面導(dǎo)體的連接位置的偏離容許度變大，可防止2個(gè)端部與端面導(dǎo)體的連接不良。

(6)上述(5)中，優(yōu)選所述2個(gè)端部與所述端面導(dǎo)體的連接部被配置于所述絕緣體層的邊緣的內(nèi)側(cè)。

根據(jù)上述構(gòu)成，2個(gè)端部與端面導(dǎo)體的連接位置處于遠(yuǎn)離層疊體的角部的(內(nèi)側(cè)的)位置，因此能減低絕緣體層的角部中的電流集中。

(7)上述(1)～(6)的任一個(gè)中，優(yōu)選所述端面導(dǎo)體由相連的多個(gè)層間連接導(dǎo)體構(gòu)成。

根據(jù)上述構(gòu)成，由于端面導(dǎo)體的橫截面積變大，故能夠抑制端面導(dǎo)體的電阻值。再有，在母基板狀態(tài)下進(jìn)行制造時(shí)，由于層間連接導(dǎo)體排列在絕緣體層的面方向，故即便切斷線的位置相對(duì)地稍微偏離，也能在切斷面的兩側(cè)將端面導(dǎo)體可靠地留下后進(jìn)行切斷。即，母基板的切斷位置的精度及端面導(dǎo)體的形成位置的精度的容許度變大。

(8)上述(7)中，優(yōu)選所述層間連接導(dǎo)體的橫截面形狀分別為圓形或橢圓形。

根據(jù)上述構(gòu)成，即便產(chǎn)生層間連接導(dǎo)體的形成位置的偏離，也能較大地確保端面導(dǎo)體的橫截面積，能夠抑制端面導(dǎo)體的電阻值。

(9)本發(fā)明的卡片型信息介質(zhì)，其特征在于，包括天線元件與存儲(chǔ)器元件，所述天線元件具備：層疊體，多個(gè)絕緣體層層疊而形成；和線圈，包含：多個(gè)線狀導(dǎo)體，形成于所述絕緣體層的面且由位于所述絕緣體層的外緣的2個(gè)端部及將所述2個(gè)端部間連接的主要部分構(gòu)成；以及端面導(dǎo)體，形成于所述層疊體的與所述絕緣體層的層疊方向平行的端面且在所述層疊方向?qū)⑺鼍€狀導(dǎo)體的所述2個(gè)端部彼此連接，在所述絕緣體層的面及所述層疊體的所述端面所對(duì)應(yīng)的平行方向上，所述端面導(dǎo)體的寬度比所述主要部分的寬度更窄、且相互相鄰的所述端面導(dǎo)體的間隔比相互相鄰的所述主要部分的間隔更寬。

根據(jù)上述構(gòu)成，能構(gòu)成具備了導(dǎo)體損耗低且小型的天線元件的卡片型信息介質(zhì)。

(10)本發(fā)明的電子設(shè)備，其特征在于，具備天線元件與容納所述天線元件的殼體，所述天線元件具備：層疊體，多個(gè)絕緣體層層疊而形成；和線圈，包含：多個(gè)線狀導(dǎo)體，形成于所述絕緣體層的面且由位于所述絕緣體層的外緣的2個(gè)端部及將所述2個(gè)端部間連接的主要部分構(gòu)成；以及端面導(dǎo)體，形成于所述層疊體的與所述絕緣體層的層疊方向平行的端面且在所述層疊方向?qū)⑺鼍€狀導(dǎo)體的所述2個(gè)端部彼此連接，在所述絕緣體層的面及所述層疊體的所述端面所對(duì)應(yīng)的平行方向上，所述端面導(dǎo)體的寬度比所述主要部分的寬度更窄、且相互相鄰的所述端面導(dǎo)體的間隔比相互相鄰的所述主要部分的間隔更寬。

根據(jù)上述構(gòu)成，能構(gòu)成具備了導(dǎo)體損耗低且小型的天線元件的電子設(shè)備。

(11)本發(fā)明的天線裝置的制造方法，該天線裝置具備：層疊體，多個(gè)絕緣體層層疊而形成；和線圈，包含：多個(gè)線狀導(dǎo)體，形成于所述絕緣體層的面且由位于所述絕緣體層的外緣的2個(gè)端部及將所述2個(gè)端部間連接的主要部分構(gòu)成；以及端面導(dǎo)體，形成于所述層疊體的與所述絕緣體層的層疊方向平行的端面且在所述層疊方向?qū)⑺鼍€狀導(dǎo)體的所述2個(gè)端部彼此連接，所述天線裝置的制造方法的特征在于，包括：在所述絕緣體層形成多個(gè)所述線狀導(dǎo)體的膏圖案的工序；在多個(gè)所述絕緣體層形成貫通孔，并在該貫通孔填充所述端面導(dǎo)體用的導(dǎo)體膏的工序；將多個(gè)所述絕緣體層層疊并進(jìn)行燒成的工序；和利用經(jīng)過多個(gè)所述端面導(dǎo)體的線將所述層疊體切斷的工序，所述端面導(dǎo)體的寬度比所述主要部分的寬度更窄。

根據(jù)上述制造方法，相鄰的端面導(dǎo)體間的間隔變寬，端面導(dǎo)體彼此的短路變得難以產(chǎn)生。再有，可將線狀導(dǎo)體的主要部分的線寬確保為給定寬度，因此導(dǎo)體損耗的增加得以抑制。

-發(fā)明效果-

根據(jù)本發(fā)明，能得到防止端面導(dǎo)體彼此的短路、且導(dǎo)體損耗的增加得以抑制的天線裝置、小型的卡片型信息介質(zhì)及電子設(shè)備。

附圖說明

圖1(a)是第1實(shí)施方式涉及的天線裝置201的立體圖、圖1(b)是表示天線裝置201的內(nèi)部的構(gòu)造的圖。

圖2是天線裝置201的分解俯視圖，是對(duì)作為層疊體10的構(gòu)成要素的絕緣體層1a～1e加以表示的圖。

圖3(a)(b)是表示第1線狀導(dǎo)體、第1端面導(dǎo)體及第2端面導(dǎo)體的詳細(xì)的構(gòu)成的部分俯視圖。

圖4a是對(duì)第1線狀導(dǎo)體、第1端面導(dǎo)體及第2端面導(dǎo)體的尺寸進(jìn)行表示的部分俯視圖。

圖4b是對(duì)第2線狀導(dǎo)體、第1端面導(dǎo)體及第2端面導(dǎo)體的尺寸進(jìn)行表示的部分俯視圖。

圖5是形成了第1線狀導(dǎo)體的、母基板狀態(tài)下的層疊體的俯視圖。

圖6是表示從母基板將單片分離時(shí)的分割線附近的構(gòu)造的圖。

圖7是表示天線裝置的端面附近的構(gòu)造的部分立體圖。

圖8(a)(b)(c)(d)是表示第1線狀導(dǎo)體的第1端部及第2端部的幾種形狀的例子的圖。

圖9(a)是第3實(shí)施方式涉及的卡片型信息介質(zhì)的俯視圖，圖9(b)是安裝卡片型信息介質(zhì)的電子設(shè)備的外觀立體圖。

圖10是表示第4實(shí)施方式涉及的電子設(shè)備203的殼體內(nèi)部的構(gòu)造的俯視圖。

具體實(shí)施方式

在以后進(jìn)行表示的各實(shí)施方式中，“天線裝置”是輻射磁通的天線。天線裝置是為了實(shí)現(xiàn)與通信方側(cè)的利用了天線磁場(chǎng)耦合的近距離通信而被采用的天線，例如被利用于nfc(nearfieldcommunication)等通信。天線裝置例如在hf頻帶中使用，尤其被采用于13.56mhz或13.56mhz近旁的頻帶。天線裝置的大小與所使用的頻率中的波長λ相比非常小，在使用頻帶中，電磁波的輻射特性差。后述的天線裝置所具備的線圈天線的大小為λ/10以下。另外，此處所說的波長指的是考慮了基于形成天線的基材的介電性或?qū)Т判缘牟ㄩL縮短效應(yīng)的有效波長。線圈天線所具有的線圈導(dǎo)體的兩端被連接于利用使用頻帶(hf頻帶、尤其13.56mhz近旁)的供電電路。

以后，參照附圖，列舉幾種具體例來表示用于實(shí)施本發(fā)明的多個(gè)方式。各圖中對(duì)同一場(chǎng)所賦予同一符號(hào)。第2實(shí)施方式以后，省略針對(duì)與第1實(shí)施方式共同的事項(xiàng)的描述，僅對(duì)不同的方面進(jìn)行說明。尤其，關(guān)于同樣的構(gòu)成所帶來的同樣的作用效果，并不按照每個(gè)實(shí)施方式逐次言及。

《第1實(shí)施方式》

圖1(a)是第1實(shí)施方式涉及的天線裝置201的立體圖，圖1(b)是表示天線裝置201的內(nèi)部的構(gòu)造的圖。

天線裝置201具備長方體狀的層疊體10，其具有第1主面s1、與第1主面s1對(duì)置的第2主面s2及將第1主面s1與第2主面s2連接的端面s3、s4。如圖1(a)所示，在層疊體10的第1主面s1形成有外部連接端子31、32。該天線裝置201通過將外部連接端子31、32連接于電路基板上的連接盤而被表面安裝。

在層疊體10的第1主面s1側(cè)(隔著后述的絕緣體層1a而位于第1主面s1的內(nèi)側(cè)的面)，設(shè)置有第1線狀導(dǎo)體11a～11t。也就是說，在層疊體10的第1主面s1側(cè)配置有20個(gè)第1線狀導(dǎo)體11a～11t。在層疊體10的第2主面s2側(cè)(隔著后述的絕緣體層1e而位于第2主面s2的內(nèi)側(cè)的面)，設(shè)置有第2線狀導(dǎo)體12a～12t。也就是說，在層疊體10的第2主面s2側(cè)配置有20個(gè)第2線狀導(dǎo)體。

在層疊體10的端面s3，形成有將第1線狀導(dǎo)體11a～11t的第1端部和所述第2線狀導(dǎo)體12a～12t的第3端部之間分別連接的第1端面導(dǎo)體21a～21t。也就是說，在層疊體10的端面s3配置有20個(gè)第1端面導(dǎo)體。在層疊體10的端面s4，形成有將第1線狀導(dǎo)體11a～11t的第2端部和所述第2線狀導(dǎo)體12a～12t的第4端部之間分別連接的第2端面導(dǎo)體22a～22s。也就是說，在層疊體10的端面s4配置有19個(gè)第2端面導(dǎo)體。

通過上述第1線狀導(dǎo)體11a～11t、第2線狀導(dǎo)體12a～12t、第1端面導(dǎo)體21a～21t、第2端面導(dǎo)體22a～22s而構(gòu)成扁平矩形的螺旋狀的線圈天線。其中，第1線狀導(dǎo)體、第2線狀導(dǎo)體、第1端面導(dǎo)體、第2端面導(dǎo)體的個(gè)數(shù)未被限于上述。

圖2是天線裝置201的分解俯視圖，是對(duì)作為層疊體10的構(gòu)成要素的絕緣體層1a～1e加以表示的圖。

絕緣體層1a處于第1主面s1側(cè)、絕緣體層1e處于第2主面s2側(cè)。在絕緣體層1a的上表面形成有外部連接端子31、32。在絕緣體層1b的上表面，形成有由位于絕緣體層1b的外緣的2個(gè)端部和將這2個(gè)端部間連接的主要部分構(gòu)成的多個(gè)第1線狀導(dǎo)體11a～11t。在絕緣體層1e的上表面，形成有由位于絕緣體層1e的外緣的2個(gè)端部和將這2個(gè)端部間連接的主要部分構(gòu)成的多個(gè)第2線狀導(dǎo)體12a～12t。在絕緣體層1b、1c、1d形成有第1端面導(dǎo)體21a～21t及第2端面導(dǎo)體22a～22s。

絕緣體層1b、1c、1d由磁性體鐵氧體構(gòu)成，絕緣體層1a、1e由非磁性鐵氧體構(gòu)成。

另外，在圖2示出的例子中，雖然在第1線狀導(dǎo)體11a～11t與第2線狀導(dǎo)體12a～12t之間僅設(shè)置了3層的絕緣體層1b、1c、1d，但第1線狀導(dǎo)體11a～11t與第2線狀導(dǎo)體12a～12t之間的絕緣體層既可以是1層或2層，也可以是4層以上。通過將層數(shù)增多，從而能使線圈開口較大。例如，也可以將作為非磁性體層的絕緣體層1a、1e的厚度分別設(shè)為25μm，將作為厚度為50μm的磁性體層的絕緣體層層疊5層，由此將磁性體層的總厚度例如設(shè)為250μm。

此外，也可以在第1、第2線狀導(dǎo)體的外側(cè)配置磁性體的層。即，構(gòu)成層疊體10的全部的層也可以是磁性體層。例如，圖2示出的絕緣體層1a、1e也可以是磁性體鐵氧體。其中，如果將第1線狀導(dǎo)體11a～11t與第2線狀導(dǎo)體12a～12t的外側(cè)設(shè)為非磁性體層，那么從天線裝置201的線圈天線產(chǎn)生的磁通的磁路僅成為開路磁路，從天線裝置201的線圈天線產(chǎn)生的磁通向?qū)盈B體10的第1主面s1、第2主面s2、端面s3及端面s4中層疊體10的外側(cè)擴(kuò)展。由此，天線裝置201的線圈天線與通信方側(cè)的天線的磁場(chǎng)耦合變得容易，天線裝置201的線圈天線與通信方側(cè)的天線的耦合系數(shù)上升，通信特性優(yōu)化。

再有，構(gòu)成層疊體10的全部的層也可以是非磁性體層。

圖3(a)(b)是表示第1線狀導(dǎo)體、第1端面導(dǎo)體及第2端面導(dǎo)體的詳細(xì)的構(gòu)成的部分俯視圖。第1線狀導(dǎo)體由第1主要部分110、第1端部111及第2端部112構(gòu)成。第1端部111由與第1主要部分110相連的部分111r及與第1端面導(dǎo)體21相連的部分111e構(gòu)成。第2端部112由與第1主要部分110相連的部分112r及與第2端面導(dǎo)體22相連的部分112e構(gòu)成。同樣地，第2線狀導(dǎo)體由第2主要部分120、第3端部121及第4端部122構(gòu)成。第3端部121由與第2主要部分120相連的部分121r及與第1端面導(dǎo)體21相連的部分121e構(gòu)成。第4端部122由與第2主要部分120相連的部分122r及與第1端面導(dǎo)體21相連的部分122e構(gòu)成。

另外，第1主要部分110、第2主要部分120中的“主要部分”意味著第1線狀導(dǎo)體及第2線狀導(dǎo)體的主要的部分，例如是占據(jù)各線狀導(dǎo)體的50％以上的部分。

第1端面導(dǎo)體21由直接地與第1端部111及第3端部121相連的部分211和露出于層疊體10的端面s3的部分212構(gòu)成。第2端面導(dǎo)體22由直接地與第2端部112及第4端部122相連的部分221和露出于層疊體10的端面s4的部分222構(gòu)成。

圖4a是對(duì)第1線狀導(dǎo)體、第1端面導(dǎo)體及第2端面導(dǎo)體的尺寸進(jìn)行表示的部分俯視圖，圖4b是對(duì)第2線狀導(dǎo)體、第1端面導(dǎo)體及第2端面導(dǎo)體的尺寸進(jìn)行表示的部分俯視圖。圖4a、圖4b中，第1主要部分110的寬度能夠用第1主要部分110的與延伸方向正交的方向的寬度w11r或多個(gè)第1主要部分110的排列方向的寬度w11t來表示。同樣，第2主要部分120的寬度能夠用第2主要部分120的與延伸方向正交的方向的寬度w12r或多個(gè)第2主要部分120的排列方向的寬度w12t來表示。第1端部111的最大寬度部分的線寬為w111r，最小寬度部分的線寬為w111e。再有，第2端部112的最大寬度部分的線寬為w112r，最小寬度部分的線寬為w112e。還有，第3端部121的最大寬度部分的線寬為w121r，最小寬度部分的線寬為w121e。再者，第4端部122的最大寬度部分的線寬為w122r，最小寬度部分的線寬為w122e。

第1端面導(dǎo)體21的寬度w21比第1主要部分110的寬度w11t或w11r窄，比第2主要部分120的寬度w12t、w12r更窄。再者，第2端面導(dǎo)體22的寬度w22比第1主要部分110的寬度w11t或w11r窄，比第2主要部分120的寬度w12t、w12r更窄。

以尺寸w111r～w111e進(jìn)行表示的、第1端部111的線寬比第1主要部分110的線寬w11t、w11r更細(xì)。再有，以尺寸w112r～w112e進(jìn)行表示的、第2端部112的線寬比第1主要部分110的線寬w11t、w11r更細(xì)。

以尺寸w121r～w121e進(jìn)行表示的、第3端部121的線寬比第2主要部分120的線寬w12t、w12r更細(xì)。再有，以尺寸w122r～w122e進(jìn)行表示的、第4端部122的線寬比第2主要部分120的線寬w12t、w12r更細(xì)。

第1端部的一部分111r為越遠(yuǎn)離第1主要部分110則越變細(xì)的前端細(xì)形狀。再有，第2端部的一部分112r為越遠(yuǎn)離第1主要部分110則越變細(xì)的前端細(xì)形狀。即，第1端部111及第2端部112是隨著遠(yuǎn)離第1主要部分110而線寬逐漸地變細(xì)的形狀。同樣，第3端部121及第4端部122是隨著遠(yuǎn)離第2主要部分120而線寬逐漸地變細(xì)的形狀。

第1端部111或第3端部121與第1端面導(dǎo)體21的連接部的寬度wc21和第1端面導(dǎo)體21的線寬w21不同?；蛘?，第2端部112或第4端部122與第2端面導(dǎo)體22的連接部的寬度wc22和第2端面導(dǎo)體22的線寬w22不同。本實(shí)施方式中，第1端部111及第3端部121與第1端面導(dǎo)體21的連接部的寬度wc21比第1端面導(dǎo)體21的線寬w21細(xì)，第2端部112及第4端部122與第2端面導(dǎo)體22的連接部的寬度wc22比第2端面導(dǎo)體22的線寬w22細(xì)。

另外，相反，第1端部111及第3端部121與第1端面導(dǎo)體21的連接部的寬度wc21也可以比第1端面導(dǎo)體21的線寬w21粗。再有，第2端部112及第4端部122與第2端面導(dǎo)體22的連接部的寬度wc22也可以比第2端面導(dǎo)體22的線寬w22粗。

圖5是形成了第1線狀導(dǎo)體的、母基板狀態(tài)下的層疊體的俯視圖。圖6是表示從母基板將單片分離時(shí)的分割線附近的構(gòu)造的圖。其中，圖6中將相當(dāng)于圖2示出的絕緣體層1a的絕緣體層刨除并進(jìn)行圖示。圖7是表示天線裝置的端面附近的構(gòu)造的部分立體圖。關(guān)于天線裝置201的制造方法，參照這些附圖及圖2、圖3而進(jìn)行說明。

(1)在絕緣體層1a形成外部連接端子31、32。

(2)在第1絕緣體層1b形成第1線狀導(dǎo)體11a～11t用的膏圖案。再有，在第2絕緣體層1e形成第2線狀導(dǎo)體12a～12t用的膏圖案。

(3)通過激光加工等在絕緣體層1a的外部連接端子31、32的給定位置形成層間連接導(dǎo)體形成用的貫通孔。層間連接導(dǎo)體形成用的貫通孔的橫截面優(yōu)選設(shè)為圓形或橢圓形。

(4)通過激光加工等在絕緣體層1b、1c、1d的給定位置形成貫通孔。

(5)在絕緣體層1a～1d的各孔填充導(dǎo)電性膏，以形成層間連接導(dǎo)體。

(6)層疊絕緣體層1a～1e，進(jìn)行壓接以構(gòu)成層疊體。

(7)對(duì)層疊體進(jìn)行燒成。

(8)到此為止的工序中，各絕緣體層及層疊體是相當(dāng)于母基板的尺寸，具備多個(gè)天線裝置形成區(qū)域。然后，以圖5所表示的切斷線cl、clh進(jìn)行切斷，由此將用a1、a2、a3、a4···進(jìn)行表示的區(qū)域分離為天線裝置。

通過以上的方法來制造天線裝置。另外，作為抑制翹曲用的導(dǎo)體圖案，也可以在絕緣體層1e的背面形成與外部連接端子31、32同樣的導(dǎo)體圖案。

如圖6示出，第1端面導(dǎo)體21與第2端面導(dǎo)體22是由被連接的多個(gè)層間連接導(dǎo)體來構(gòu)成的。而且，用切斷線clh進(jìn)行切斷，以使得橫切這些層間連接導(dǎo)體。第1端面導(dǎo)體及第2端面導(dǎo)體露出于該切斷面。

本實(shí)施方式中，對(duì)于絕緣體層1b、1e的任一個(gè)線狀導(dǎo)體來說，雖然將主要部分與端部的形狀、與端面導(dǎo)體的關(guān)系等設(shè)為上述的關(guān)系，但既可以對(duì)于任一絕緣體層而言滿足上述關(guān)系，還可以對(duì)于所排列的多個(gè)線狀導(dǎo)體之中任一線狀導(dǎo)體而言滿足上述關(guān)系，也可以對(duì)于線狀導(dǎo)體的一方端部而言滿足上述關(guān)系。

根據(jù)本實(shí)施方式，達(dá)到如下效果。

(a)通過使第1端面導(dǎo)體21a～21t及第2端面導(dǎo)體22a～22s比第1線狀導(dǎo)體11a～11t的主要部分110、第2線狀導(dǎo)體12a～12t的主要部分120更細(xì)，從而能夠防止端面導(dǎo)體間的短路產(chǎn)生。再有，由于第1、第2線狀導(dǎo)體的主要部分110、120的寬度未被縮窄，故電阻值的上升得以抑制。進(jìn)而，由于線狀導(dǎo)體間的間隔未擴(kuò)大，故磁通的副環(huán)(環(huán)繞為從線狀導(dǎo)體間拔出的磁通環(huán)路)難以產(chǎn)生，也可防止副環(huán)引起的通信特性的下降(例如天線裝置201的線圈天線與通信方側(cè)的天線的耦合系數(shù)的下降)。

(b)構(gòu)成第1端面導(dǎo)體21及第2端面導(dǎo)體22的層間連接導(dǎo)體的橫截面形狀分別為圓形或橢圓形。由此，在第1端面導(dǎo)體21及第2端面導(dǎo)體22不會(huì)形成角部(例如，在多邊形中具有比180°還小的內(nèi)角的部分)，因此電流集中在角部而導(dǎo)致的電阻值的增大不會(huì)產(chǎn)生。

再有，第1端部111或第3端部121與第1端面導(dǎo)體21的連接部被配置得比層疊體10的角更靠?jī)?nèi)側(cè)區(qū)域，或者，第2端部112或第4端部122與第2端面導(dǎo)體22的連接部被配置得比層疊體10的角更靠?jī)?nèi)側(cè)區(qū)域。由此，電流不會(huì)集中于第1線狀導(dǎo)體的第1端部111的角部及第2線狀導(dǎo)體的第3端部121的角部，因而能夠抑制電阻值(損耗)的增大。

(c)第1端面導(dǎo)體21與第2端面導(dǎo)體22由所連接的多個(gè)層間連接導(dǎo)體構(gòu)成，并以切斷線clh進(jìn)行切斷，以使得橫切這些層間連接導(dǎo)體，由此第1端面導(dǎo)體21、第2端面導(dǎo)體22的橫截面積變大，因此能夠抑制這些端面導(dǎo)體21、22的電阻值。再有，在母基板狀態(tài)下進(jìn)行制造時(shí)，由于層間連接導(dǎo)體排列在第1主面及第2主面的面方向，故即便切斷線的位置相對(duì)地稍微偏離，也能在切斷面的兩側(cè)可靠地留下端面導(dǎo)體而進(jìn)行切斷。即，母基板的切斷位置的精度及第1、第2端面導(dǎo)體的形成位置的精度的容許度變大。

(d)第1線狀導(dǎo)體(11a～11t)的第1端部111及第2端部112是線寬隨著遠(yuǎn)離第1主要部分110而逐漸地變細(xì)的形狀，第2線狀導(dǎo)體(12a～12t)的第3端部121及第4端部122是線寬隨著遠(yuǎn)離第2主要部分120而逐漸地變細(xì)的形狀，因此在第1線狀導(dǎo)體及第2線狀導(dǎo)體中線寬急劇地變化的場(chǎng)所消失(線寬變化的未連續(xù)部消失、阻抗變化變得圓滑)，能夠抑制電流集中或阻抗的不匹配。通過抑制電流集中，從而能夠抑制電阻值(損耗)的增大。再有，通過抑制阻抗的不匹配，從而電磁能量可擴(kuò)散至天線裝置201的線圈天線，通信特性優(yōu)化。

(e)第1線狀導(dǎo)體(11a～11t)的第1端部111及第2線狀導(dǎo)體(12a～12t)的第3端部121之中與第1端面導(dǎo)體21的連接部的線寬和第1端面導(dǎo)體21的線寬不同，第2端部112及第4端部122之中與第2端面導(dǎo)體22的連接部的線寬和第2端面導(dǎo)體22的線寬不同。根據(jù)該構(gòu)造，第1端部111、第3端部121與第1端面導(dǎo)體21的連接位置的偏離容許度變大，第2端部112、第4端部122與第2端面導(dǎo)體22的連接位置的偏離容許度變大，可防止第1端部111、第3端部121與第1端面導(dǎo)體21的連接不良、或第2端部112、第4端部122與第2端面導(dǎo)體22的連接不良。

(f)因?yàn)榈?線狀導(dǎo)體11a～11t及第2線狀導(dǎo)體12a～12t的表面被絕緣體層覆蓋，所以微小的灰塵或安裝時(shí)的焊料的飛散引起的、第1、第2線狀導(dǎo)體中的短路不良也變得難以產(chǎn)生。再有，因?yàn)槟軌蛟诰S持線圈軸方向的線圈部的長度不變的狀態(tài)下在層疊體的外側(cè)形成安裝用的外部連接端子，所以可使天線裝置小型化。

還有，本實(shí)施方式中，雖然示出了利用長方體狀的層疊體10的例子，但層疊體10的形狀未被限于此。

另外，本實(shí)施方式中，雖然示出了多個(gè)第1線狀導(dǎo)體11a～11t及多個(gè)第2線狀導(dǎo)體12a～12t沿著長方體狀的層疊體10的長邊方向按順序排列的例子，但也可以沿著長方體狀的層疊體10的短邊方向按順序排列。

此外，本實(shí)施方式中，雖然示出了第1端面導(dǎo)體21與第2端面導(dǎo)體22的第1主要部分110、第2主要部分為直線型的線的例子，但也可以是粗細(xì)度在主要部分110、120內(nèi)變化的形狀(例如梯形或紡錘形)。

此外，本實(shí)施方式中，雖然示出了全部的第1端面導(dǎo)體21與全部的第2端面導(dǎo)體22分別比第1線狀導(dǎo)體的第1主要部分110、第2主要部分120還細(xì)的例子，但也可以是僅第1端面導(dǎo)體21及第2端面導(dǎo)體22的任一方形成得比任一主要部分更細(xì)。再有，也可以是第1端面導(dǎo)體21及第2端面導(dǎo)體22之中僅一部分的端面導(dǎo)體形成得比與其連接的線狀導(dǎo)體的主要部分還細(xì)。任一個(gè)情況下都能達(dá)到發(fā)明的效果。

再者，本實(shí)施方式中，雖然示出了全部的第1端部111與第2端部112分別比第1端面導(dǎo)體21與第2端面導(dǎo)體22還細(xì)的例子，但也可以僅將第1端部111與第2端部112的任一方形成得比任一端面導(dǎo)體還細(xì)。再有，也可以將第1端部111與第2端部112之中僅一部分的端部形成得比與之連接的端面導(dǎo)體還細(xì)。任一個(gè)情況下都能達(dá)到發(fā)明的效果。

《第2實(shí)施方式》

第2實(shí)施方式中，表示第1線狀導(dǎo)體的第1端部及第2端部的幾種形狀的例子。在圖8(a)所示的例子中，第1線狀導(dǎo)體的第1端部111、第2端部112的線寬比第1主要部分110的線寬更細(xì)。在圖8(b)所示的例子中，第1端部111、第2端部112是與第1主要部分110的線寬相比前端細(xì)形狀的梯形。在圖8(c)所示的例子中，第1端部111的接近第1主要部分110的部分111r的線寬比遠(yuǎn)離第1主要部分110的部分111e的線寬更粗，比第1主要部分110的線寬更細(xì)。同樣，第2端部112的接近第1主要部分110的部分112r的線寬比遠(yuǎn)離第1主要部分110的部分112e的線寬更粗，比第1主要部分110的線寬更細(xì)。在圖8(d)所示的例子中，第1端部111之中接近第1主要部分110的部分111r成為與第1主要部分110的線寬相比前端細(xì)的形狀。再有，第2端部112之中接近第1主要部分110的部分112r成為與第1主要部分110的線寬相比前端細(xì)的形狀。

圖8(a)(b)(c)(d)中，雖然對(duì)第1線狀導(dǎo)體加以示出，但對(duì)于第2線狀導(dǎo)體而言，同樣地能夠采取各種形狀。

《第3實(shí)施方式》

第3實(shí)施方式中表示本發(fā)明的卡片型信息介質(zhì)的例子。圖9(a)是第3實(shí)施方式涉及的卡片型信息介質(zhì)的俯視圖，圖9(b)是安裝卡片型信息介質(zhì)的電子設(shè)備的外觀立體圖。

電子設(shè)備的殼體62是具有長邊方向與短邊方向的長方體狀的殼體，具備插拔卡片型信息介質(zhì)202的卡槽63。

在卡片型信息介質(zhì)202的內(nèi)部設(shè)置有天線裝置201?？ㄆ托畔⒔橘|(zhì)202例如是如sd(securedigital)卡(注冊(cè)商標(biāo))等的存儲(chǔ)器卡或sim(subscriberidentitymodule)卡等能夠?qū)崿F(xiàn)向終端主體的安裝或拆卸的小型的卡片型器件，具有被連接到rfic元件的天線裝置201。

在被設(shè)置在殼體62內(nèi)的布線基板安裝有插槽盒。插槽盒與布線基板之間構(gòu)成可裝卸卡片型信息介質(zhì)202的空間(插槽)。

這樣，即便是不具有無線通信系統(tǒng)的電子設(shè)備，通過將本發(fā)明的卡片型信息介質(zhì)202插入電子設(shè)備的卡槽63，從而也能夠構(gòu)成與hf頻帶或uhf頻帶的通信系統(tǒng)對(duì)應(yīng)的電子設(shè)備。因此，被插入了本發(fā)明的卡片型信息介質(zhì)202的電子設(shè)備，通過基于磁場(chǎng)耦合的近距離無線通信(nearfieldcomunication)，與外部的電子設(shè)備或其他外部裝置的數(shù)據(jù)的發(fā)送接收成為可能。

本實(shí)施方式中，“電子設(shè)備”是指智能電話或功能電話等的移動(dòng)電話終端、智能監(jiān)測(cè)器或智能眼鏡等的可佩戴終端、筆記本型pc或書寫板型pc等的便攜式pc、照相機(jī)、游戲機(jī)、玩具等的信息設(shè)備、ic標(biāo)簽、sd卡、sim卡、ic卡等的信息介質(zhì)等各種各樣的電子設(shè)備。

《第4實(shí)施方式》

第4實(shí)施方式中，對(duì)內(nèi)置天線裝置的電子設(shè)備進(jìn)行表示。圖10是表示第4實(shí)施方式涉及的電子設(shè)備203的殼體內(nèi)部的構(gòu)造的俯視圖。本實(shí)施方式的電子設(shè)備，例如是移動(dòng)電話、智能電話、書寫板型終端、筆記本型pc、照相機(jī)、游戲機(jī)、玩具、智能監(jiān)測(cè)器等的可佩戴終端等。

電子設(shè)備203具備天線裝置201。殼體91的內(nèi)部收納有電路基板81、82、蓄電池組83等。uhf頻帶天線92等安裝于電路基板81。電路基板81及電路基板82經(jīng)由同軸線纜86而被連接。再有，在電路基板82安裝著uhf頻帶天線93、具備通信電路的供電電路85、表面安裝部件84、供電電路85所連接的天線裝置201。供電電路85對(duì)天線裝置201供電。表面安裝部件84例如是諧振電路用的芯片電容器。

另外，上述實(shí)施方式中，主要對(duì)nfc等利用了磁場(chǎng)耦合的通信系統(tǒng)中的天線裝置及電子設(shè)備進(jìn)行了說明，但上述實(shí)施方式中的天線裝置及電子設(shè)備即便在利用了磁場(chǎng)耦合的非接觸電力傳輸系統(tǒng)(電磁感應(yīng)方式、磁場(chǎng)共振方式)中也同樣能夠采用。例如，上述實(shí)施方式中的天線裝置可適用于hf頻帶、尤其6.78mhz或6.78mhz近旁的頻率下使用的磁場(chǎng)共振方式的非接觸電力傳輸系統(tǒng)的受電裝置的受電天線裝置?；蛘撸蛇m用于送電裝置的送電天線裝置。該情況下，天線裝置作為受電天線裝置或送電天線裝置起作用。該情況下，天線裝置的線圈天線所具有的線圈導(dǎo)體的兩端也被連接于利用使用頻帶(hf頻帶、尤其6.78mhz近旁)的受電電路或送電電路。

最后，上述實(shí)施方式的說明在所有方面均為例示，并非限制性的內(nèi)容。對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言能夠適當(dāng)?shù)丶右宰冃位蜃兏?。例如，能夠?qū)崿F(xiàn)不同的實(shí)施方式示出的構(gòu)成的局部性置換或組合。本發(fā)明的范圍并不是由上述實(shí)施方式來表示，而是通過權(quán)利要求來表示。再者，本發(fā)明的范圍還意圖包含與權(quán)利要求均等的含義及范圍內(nèi)的全部變更。

-符號(hào)說明-

clh、clv…切斷線

s1…第1主面

s2…第2主面

s3、s4…端面

1a～1e…絕緣體層

10…層疊體

11a…第1線狀導(dǎo)體

12a…第2線狀導(dǎo)體

21、21a…第1端面導(dǎo)體

22、22a…第2端面導(dǎo)體

31、32…外部連接端子

62…殼體

63…卡槽

81、82…電路基板

83…蓄電池組

84…表面安裝部件

85…供電電路

86…同軸線纜

91…殼體

92、93…uhf頻帶天線

110…第1主要部分

111…第1端部

111e、111r…第1端部的一部分

112…第2端部

112e、112r…第2端部的一部分

120…第2主要部分

121…第3端部

121e、121r…第3端部的一部分

122…第4端部

122e、122r…第4端部的一部分

201…天線裝置

202…卡片型信息介質(zhì)

203…電子設(shè)備