本實(shí)用新型涉及電感技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，是涉及一種屏蔽電感。

背景技術(shù)：

目前，市場(chǎng)上的立式屏蔽電感通常包括有磁芯本體和屏蔽磁帽，磁芯本體的側(cè)壁上卷繞有線圈，磁芯本體裝設(shè)在屏蔽磁帽的內(nèi)部。其中，為了使磁芯本體的頂部不與屏蔽磁帽相接觸，磁芯本體的頂部與屏蔽磁帽的內(nèi)部頂端之間還裝設(shè)有一墊片。但是此類屏蔽電感存在以下不足：1、墊片會(huì)在屏蔽磁帽的內(nèi)部晃動(dòng)，影響使用效果；2、加裝墊片后，增加了生產(chǎn)成本，并且磁芯本體的頂部與屏蔽磁帽的內(nèi)部頂端之間沒(méi)有氣隙，降低了磁飽和度；3、在組裝的過(guò)程中，當(dāng)磁芯本體放置在屏蔽磁帽的內(nèi)部后，難以使磁芯本體的兩邊與屏蔽磁帽的內(nèi)側(cè)壁之間的距離保持一致，不便于組裝。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷，提供一種屏蔽電感，其成本低，可提高磁飽和度，延長(zhǎng)使用壽命，組裝方便，在組裝時(shí)便于使磁芯本體的兩邊與屏蔽磁帽的內(nèi)側(cè)壁之間的距離保持一致。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了一種屏蔽電感，包括磁芯本體和底部具有開(kāi)口的屏蔽磁帽，所述磁芯本體裝設(shè)在屏蔽磁帽的內(nèi)部，所述磁芯本體的側(cè)壁上卷繞有線圈，所述磁芯本體的底部設(shè)有線圈的引出腳，所述引出腳伸出屏蔽磁帽，所述磁芯本體的外表面包裹有一絕緣套，所述線圈位于絕緣套的內(nèi)部，所述絕緣套在磁芯本體的頂部形成一圈翻邊，當(dāng)磁芯本體裝設(shè)在屏蔽磁帽的內(nèi)部時(shí)，所述絕緣套的翻邊抵靠在屏蔽磁帽的內(nèi)部頂端，并將磁芯本體的頂部與屏蔽磁帽的內(nèi)部頂端隔開(kāi)，從而使磁芯本體的頂部與屏蔽磁帽的內(nèi)部頂端之間形成用于提高磁飽和度的氣隙。

作為優(yōu)選的實(shí)施方式，所述氣隙設(shè)置為0.01mm以上。

作為優(yōu)選的實(shí)施方式，所述線圈的線徑為0.01mm～1.5mm。

作為優(yōu)選的實(shí)施方式，所述線圈采用單股線的漆包銅線繞制而成或者采用多股線絞合在一起的漆包銅線繞制而成。

作為優(yōu)選的實(shí)施方式，所述線圈的引出腳為浸錫部位。

作為優(yōu)選的實(shí)施方式，所述屏蔽磁帽設(shè)置成圓筒狀，所述磁芯本體設(shè)置為工字型磁芯本體。

作為優(yōu)選的實(shí)施方式，所述屏蔽磁帽的內(nèi)部填充有用于將磁芯本體密封固定在屏蔽磁帽內(nèi)部的環(huán)氧樹(shù)脂。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果在于：

本實(shí)用新型的磁芯本體的外表面包裹有絕緣套，該絕緣套能夠使磁芯本體不與屏蔽磁帽相接觸，在組裝時(shí)便于使磁芯本體的兩邊與屏蔽磁帽的內(nèi)側(cè)壁之間的距離保持一致，其無(wú)需設(shè)置墊片，成本低，組裝方便，同時(shí)絕緣套在磁芯本體的頂部形成一圈翻邊，當(dāng)磁芯本體裝設(shè)在屏蔽磁帽的內(nèi)部時(shí)，絕緣套的翻邊抵靠在屏蔽磁帽的內(nèi)部頂端，并將磁芯本體的頂部與屏蔽磁帽的內(nèi)部頂端隔開(kāi)，從而使磁芯本體的頂部與屏蔽磁帽的內(nèi)部頂端之間形成用于提高磁飽和度的氣隙，其對(duì)防止磁飽和起到很好的作用，延長(zhǎng)了電感的使用壽命。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本實(shí)用新型提供的屏蔽電感的剖面圖；

圖2是本實(shí)用新型提供的屏蔽電感的底部結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

請(qǐng)參考圖1，本實(shí)用新型的實(shí)施例提供了一種屏蔽電感，該屏蔽電感包括磁芯本體1、屏蔽磁帽2、線圈3和絕緣套5，下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)施例各個(gè)部件進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

如圖1和圖2所示，磁芯本體1可以優(yōu)選設(shè)置為工字型磁芯本體1，屏蔽磁帽2可以優(yōu)選設(shè)置成圓筒狀，屏蔽磁帽2的底部設(shè)有開(kāi)口。其中，磁芯本體1可以從屏蔽磁帽2的開(kāi)口處插入到在屏蔽磁帽2的內(nèi)部。

如圖1所示，線圈3卷繞在磁芯本體1的側(cè)壁上，線圈3可以采用單股線的漆包銅線繞制而成或者采用多股線絞合在一起的漆包銅線繞制而成。其中，線圈3的線徑可以設(shè)置為0.01mm～1.5mm，當(dāng)然也可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行改變，非本實(shí)施例為限。此外，線圈3的引出腳4設(shè)置在磁芯本體1的底部，該引出腳4可以從屏蔽磁帽2的開(kāi)口處伸出屏蔽磁帽2，該引出腳4為浸錫部位。

如圖1所示，磁芯本體1的外表面包裹有一絕緣套5，線圈3位于絕緣套5的內(nèi)部，絕緣套5在磁芯本體1的頂部形成一圈翻邊51，其余位置鏤空成一圓形缺口。當(dāng)磁芯本體1裝設(shè)在屏蔽磁帽2的內(nèi)部時(shí)，絕緣套5能夠使磁芯本體1不與屏蔽磁帽2相接觸，絕緣套5的翻邊51可以抵靠在屏蔽磁帽2的內(nèi)部頂端，并將磁芯本體1的頂部與屏蔽磁帽2的內(nèi)部頂端隔開(kāi)，從而使磁芯本體1的頂部與屏蔽磁帽2的內(nèi)部頂端之間形成用于提高磁飽和度的氣隙6，該氣隙6可加大工作的磁通密度和飽和磁通密度，對(duì)防止磁飽和起到很好的作用。

其中，該氣隙6可以設(shè)置為0.01mm以上。作為一較佳的實(shí)施方式，可以優(yōu)選設(shè)置為1mm～1.5mm，當(dāng)然也可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行改變，非本實(shí)施例為限。

此外，屏蔽磁帽2的內(nèi)部可以填充有用于將磁芯本體1密封固定在屏蔽磁帽2內(nèi)部的環(huán)氧樹(shù)脂。

綜上所述，本實(shí)用新型無(wú)需設(shè)置墊片，成本低，組裝方便，組裝時(shí)便于使磁芯本體的兩邊與屏蔽磁帽的內(nèi)側(cè)壁之間的距離保持一致，并且可通過(guò)氣隙提高磁飽和度，延長(zhǎng)了電感的使用壽命。

上述實(shí)施例為本實(shí)用新型較佳的實(shí)施方式，但本實(shí)用新型的實(shí)施方式并不受上述實(shí)施例的限制，其他的任何未背離本實(shí)用新型的精神實(shí)質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡(jiǎn)化，均應(yīng)為等效的置換方式，都包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。