技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種具有高K介質(zhì)槽的縱向增強(qiáng)型MIS?HEMT器件。本發(fā)明在源電極下方引入高K介質(zhì)材料，且高K介質(zhì)材料延伸至緩沖層；在溝道層之下引入與緩沖層導(dǎo)電類型相反的阻擋層，且阻擋層與柵極兩側(cè)接觸。阻擋層及高K介質(zhì)對緩沖層進(jìn)行二維耗盡作用而提高其摻雜濃度，顯著降低器件的導(dǎo)通電阻；反向阻斷狀態(tài)下，高K介質(zhì)調(diào)制縱向電場提升器件耐壓。同時，本發(fā)明采用與槽柵側(cè)壁接觸的P型摻雜阻擋層夾斷2DEG與緩沖層的縱向?qū)щ姕系?，由絕緣柵電極上施加的電壓對導(dǎo)電溝道進(jìn)行控制，從而實現(xiàn)增強(qiáng)型。本發(fā)明所公布的器件制備工藝與傳統(tǒng)工藝兼容。

技術(shù)研發(fā)人員：羅小蓉;彭富;楊超;吳俊峰;魏杰;鄧思宇;張波;李肇基
受保護(hù)的技術(shù)使用者：電子科技大學(xué)
文檔號碼：201610902631
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.18
技術(shù)公布日：2016.12.21