1.一種全光纖高能量超短脈沖激光系統(tǒng)，其特征在于，包括啁啾光纖光柵(3)及依次順序連接的光纖激光器(1)、光纖環(huán)形器(2)、第一單模光纖放大器(4)、第一雙包層光纖放大器(5)、降頻器(6)、第二單模光纖放大器(7)、第二雙包層光纖放大器(8)、柔性光子晶體光纖放大器(9)和脈沖壓縮器(10)，所述啁啾光纖光柵(3)連接于所述光纖環(huán)形器(2)，所述光纖激光器(1)、所述光纖環(huán)形器(2)、所述啁啾光纖光柵(3)、所述第一單模光纖放大器(4)、所述第一雙包層光纖放大器(5)、所述降頻器(6)、所述第二單模光纖放大器(7)、所述第二雙包層光纖放大器(8)、所述柔性光子晶體光纖放大器(9)及所述脈沖壓縮器(10)均采用保偏全光纖結(jié)構(gòu)的熔融拼接實(shí)現(xiàn)連接。
2.如權(quán)利要求1所述的全光纖高能量超短脈沖激光系統(tǒng)，其特征在于，所述光纖環(huán)形器(2)包括光輸入端、光輸出端以及連接端，所述光纖激光器(1)通過所述光輸入端接入所述光纖環(huán)形器(2)，所述光纖環(huán)形器(2)通過所述光輸出端接入所述第一單模光纖放大器(4)，所述啁啾光纖光柵(3)通過所述連接端接入所述光纖環(huán)形器(2)。
3.如權(quán)利要求1所述的全光纖高能量超短脈沖激光系統(tǒng)，其特征在于，所述光纖激光器(1)為全保偏結(jié)構(gòu)的鎖模激光器，其輸出激光脈沖的重復(fù)頻率是40MHz，脈寬為15ps，中心波長1030nm，平均功率18mw。
4.如權(quán)利要求1所述的全光纖高能量超短脈沖激光系統(tǒng)，其特征在于，所述啁啾光纖光柵(3)具有固定色散系數(shù)的正色散特性。
5.如權(quán)利要求1所述的全光纖高能量超短脈沖激光系統(tǒng)，其特征在于，所述第一單模光纖放大器(4)由由單模抽運(yùn)半導(dǎo)體激光器、光纖波分復(fù)用器和保偏的摻鐿單模光纖組成。
6.如權(quán)利要求1所述的全光纖高能量超短脈沖激光系統(tǒng)，其特征在于，所述第一雙包層光纖放大器(5)由泵浦合束器、LD泵浦源以及雙包層摻鐿光纖組成。
7.如權(quán)利要求6所述的全光纖高能量超短脈沖激光系統(tǒng)，其特征在于，所述雙包層摻鐿光纖為芯徑10μm、內(nèi)包層直徑125μm的保偏雙包層光纖。
8.如權(quán)利要求1所述的全光纖高能量超短脈沖激光系統(tǒng)，其特征在于，所述降頻器(6)是基于保偏光纖耦合輸入輸出的聲光調(diào)制器，其主要由聲光調(diào)制器驅(qū)動和聲光晶體組成。
9.如權(quán)利要求1所述的全光纖高能量超短脈沖激光系統(tǒng)，其特征在于，所述第二單模光纖放大器(7)由波分復(fù)用器以及摻鐿單模增益光纖組成。
10.如權(quán)利要求1所述的全光纖高能量超短脈沖激光系統(tǒng)，其特征在于，所述第二雙包層光纖放大器(8)由泵浦合束器、LD泵浦源以及雙包層摻鐿光纖組成。
11.如權(quán)利要求10所述的全光纖高能量超短脈沖激光系統(tǒng)，其特征在于，所述雙包層摻鐿光纖為芯徑10μm，內(nèi)包層直徑為125μm的保偏雙包層光纖。
12.如權(quán)利要求1所述的全光纖高能量超短脈沖激光系統(tǒng)，其特征在于，所述柔性光子晶體光纖放大器(9)由泵浦合束器、LD泵浦源以及柔性光子晶體光纖組成。
13.如權(quán)利要求12所述的全光纖高能量超短脈沖激光系統(tǒng)，其特征在于，所述柔性光子晶體光纖按照光子晶體光纖的保偏軸進(jìn)行盤繞。
14.如權(quán)利要求1所述的全光纖高能量超短脈沖激光系統(tǒng)，其特征在于，所述脈沖壓縮器(10)采用透射式光柵對，光柵刻線密度1600line/mm。