本發(fā)明屬于電子元器件領(lǐng)域，尤其涉及一種新型阻容復(fù)合芯片及其制造方法。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有電阻產(chǎn)品為獨(dú)立單一的元器件，其現(xiàn)有的制造工藝通常為：將電阻芯片與引線放入錫爐中進(jìn)行焊接加工然后包封測(cè)試。這樣制備的電阻產(chǎn)品缺乏過(guò)電壓保護(hù)的能力，在使用過(guò)程中若遇到電壓突變或者電壓倒灌的現(xiàn)象時(shí)容易損壞從而影響電路正常工作。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的缺點(diǎn)和不足，提供一種新型阻容復(fù)合芯片及其制造方法，本發(fā)明的新型阻容復(fù)合芯片在電阻芯片上并聯(lián)一個(gè)電容芯片，有效防止電壓突變，能夠吸收尖峰狀態(tài)的過(guò)電壓避免與其并聯(lián)的器件造成損壞。

本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：一種新型阻容復(fù)合芯片，包括電阻芯片、電容芯片、兩個(gè)引線、保護(hù)層；所述電阻芯片與電容芯片并聯(lián)連接，所述兩個(gè)引線平行設(shè)置并分別連接于所述電阻芯片的兩面電極，所述保護(hù)層包覆所述電阻芯片和電容芯片。

相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的新型阻容復(fù)合芯片，通過(guò)設(shè)置一與電阻芯片并聯(lián)的電容芯片，有效防止電壓突變，能夠吸收尖峰狀態(tài)的過(guò)電壓，避免與其并聯(lián)的器件造成損壞。

進(jìn)一步，所述電阻芯片為NTC熱敏電阻芯片。

進(jìn)一步，所述保護(hù)層為玻璃保護(hù)層。

本發(fā)明還提供了一種新型阻容復(fù)合芯片的制造方法，包括以下步驟：

(1)根據(jù)需要阻值計(jì)算得出的尺寸，將電阻芯片劃切成所需尺寸的長(zhǎng)條；

(2)將電容芯片按照一定寬度劃切成條；

(3)將劃切成條的電阻芯片和電容芯片依次間隔粘合；

(4)將粘合好的復(fù)合芯片再次按照所需阻值計(jì)算得出的尺寸劃切成所需尺寸的芯片；

(5)將步驟(4)中得到的芯片的電阻芯片和電容芯片兩面電極分別與兩個(gè)平行設(shè)置的引線焊接，并使芯片插入兩個(gè)引線之間；

(6)將焊接好的芯片外包覆一層保護(hù)層，所述保護(hù)層包覆于所述電阻芯片和電容芯片外部。

相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，通過(guò)本發(fā)明的新型阻容復(fù)合芯片的制造方法得到的新型阻容復(fù)合芯片，通過(guò)設(shè)置一與電阻芯片并聯(lián)的電容芯片，有效防止電壓突變，能夠吸收尖峰狀態(tài)的過(guò)電壓，有效防止芯片的損傷或者阻值的突變，避免與其并聯(lián)的器件造成損壞。

進(jìn)一步，所述電阻芯片為NTC熱敏電阻芯片。

進(jìn)一步，所述保護(hù)層為玻璃保護(hù)層。

為了更好地理解和實(shí)施，下面結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明的新型阻容復(fù)合芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明的新型阻容復(fù)合芯片的制造方法的步驟(1)的示意圖。

圖3是本發(fā)明的新型阻容復(fù)合芯片的制造方法的步驟(2)的示意圖。

圖4是本發(fā)明的新型阻容復(fù)合芯片的制造方法的步驟(3)的示意圖。

圖5是本發(fā)明的新型阻容復(fù)合芯片的制造方法的步驟(4)的示意圖。

圖6是本發(fā)明的新型阻容復(fù)合芯片的制造方法的步驟(5)的示意圖。

圖7是本發(fā)明的新型阻容復(fù)合芯片的制造方法的步驟(5)的操作示意圖。

具體實(shí)施方式

請(qǐng)參閱圖1，其是本發(fā)明的新型阻容復(fù)合芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。所述新型阻容復(fù)合芯片包括電阻芯片1、電容芯片2、與電阻芯片1兩面電極連接的兩個(gè)平行設(shè)置的引線3、以及包覆于所述電阻芯片1和電容芯片2外部的保護(hù)層4。

所述電阻芯片1為NTC熱敏電阻芯片。所述電阻芯片1夾持固定于兩個(gè)引線3的端部，并通過(guò)高溫錫爐和高溫焊錫將引線焊錫。所述電容芯片2并聯(lián)于所述電阻芯片1，并且設(shè)置于所述兩個(gè)引線3之間。所述保護(hù)層4為玻璃保護(hù)層。

相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的新型阻容復(fù)合芯片，通過(guò)設(shè)置一與電阻芯片并聯(lián)的電容芯片，有效防止電壓突變，能夠吸收尖峰狀態(tài)的過(guò)電壓，避免與其并聯(lián)的器件造成損壞。

本發(fā)明還提供了一種新型阻容復(fù)合芯片的制造方法，包括以下步驟，請(qǐng)同時(shí)參閱圖2-6，其分別是本發(fā)明的新型阻容復(fù)合芯片的制備方法步驟(1)-(5)對(duì)應(yīng)的示意圖：

(1)根據(jù)需要阻值計(jì)算得出的尺寸，將電阻芯片1劃切成所需尺寸的長(zhǎng)條；

(2)將電容芯片2按照一定寬度劃切成條；

(3)將劃切成條的電阻芯片1和電容芯片2依次間隔粘合；

(4)將粘合好的復(fù)合芯片再次按照所需阻值計(jì)算得出的尺寸劃切成所需尺寸的芯片；

(5)將步驟(4)中得到的芯片的電阻芯片和電容芯片兩面電極分別與兩個(gè)平行設(shè)置的引線3焊接，并使芯片插入兩個(gè)引線3之間；具體操作如圖6和圖7所示，將復(fù)合芯片中的電阻芯片和電容芯片一同置于錫爐中，使復(fù)合芯片與引線焊接連接。

(6)將焊接好的芯片外包覆一層保護(hù)層4，所述保護(hù)層4包覆于所述電阻芯片1和電容芯片2外部；在本實(shí)施例中，所述保護(hù)層4為玻璃保護(hù)層。

通過(guò)所述制造方法得到的新型阻容復(fù)合芯片經(jīng)過(guò)通電高溫負(fù)荷實(shí)驗(yàn)前后的阻值變化與現(xiàn)有技術(shù)中的產(chǎn)品的對(duì)比，具體見(jiàn)下表1。由表1可知，本發(fā)明所述的新型阻容復(fù)合芯片通過(guò)在電阻芯片上并聯(lián)電容產(chǎn)品，可以有效防止芯片的損傷或者阻值的突變。

表1本發(fā)明復(fù)合芯片與現(xiàn)有技術(shù)中的芯片經(jīng)通電高溫負(fù)荷實(shí)驗(yàn)前后的阻值變化

相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，通過(guò)本發(fā)明的新型阻容復(fù)合芯片的制造方法得到的新型阻容復(fù)合芯片，通過(guò)設(shè)置一與電阻芯片并聯(lián)的電容芯片，有效防止電壓突變，能夠吸收尖峰狀態(tài)的過(guò)電壓，有效防止芯片的損傷或者阻值的突變，避免與其并聯(lián)的器件造成損壞。

本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施方式，如果對(duì)本發(fā)明的各種改動(dòng)或變形不脫離本發(fā)明的精神和范圍，倘若這些改動(dòng)和變形屬于本發(fā)明的權(quán)利要求和等同技術(shù)范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變形。