1.一種半導體芯片，其特征在于，所述半導體芯片包括基底、基于所述基底一側(cè)制作的半導體層、以及從所述基底另一側(cè)開設的至少一應力槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體芯片，其特征在于，所述基底包括襯底片以及設置于該襯底片上的外延層，所述半導體層制作于所述外延層上，所述應力槽位于所述襯底片中且所述應力槽的深度小于或等于該襯底片的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體芯片，其特征在于，所述基底包括襯底片以及設置于該襯底片上的外延層，所述半導體層制作于所述外延層上，所述應力槽貫穿該襯底片并延伸到外延層，所述應力槽的深度大于所述襯底片的厚度且小于或等于襯底片和外延層的厚度之和。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體芯片，其特征在于，所述應力槽貫穿所述基底并延伸到所述半導體層或貫穿所述半導體層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體芯片，其特征在于，所述應力槽在所述半導體芯片上排成一行或多行。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體芯片，其特征在于，所述應力槽為孔或溝道。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體芯片，其特征在于，所述應力槽靠近所述半導體芯片的邊緣。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體芯片，其特征在于，所述應力槽的側(cè)壁與所述襯底片平面的夾角小于、等于或大于90度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體芯片，其特征在于，所述半導體層上 開設有位于所述半導體芯片一側(cè)的通孔，所述應力槽位于所述半導體芯片上與所述通孔相對的另一側(cè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體芯片，其特征在于，所述應力槽的形狀為圓形、橢圓形、月牙形、圓弧形或其組合。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-10任意一項所述的半導體芯片，其特征在于，所述應力槽內(nèi)填充有導熱材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-10任意一項所述的半導體芯片，其特征在于，所述應力槽內(nèi)填充有彈性材料。
13.一種半導體晶圓，其特征在于，包括相互間隔設置的多個如權(quán)利要求1-12任意一項所述的半導體芯片。
14.一種半導體芯片的制造方法，其特征在于，該方法包括：
基于一基底制作半導體層；及
從所述基底遠離所述半導體層的一側(cè)開設至少一應力槽。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造方法，其特征在于，所述基底包括襯底片，該方法在開設所述應力槽之前或之后還包括：
對所述襯底片減薄的步驟。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造方法，其特征在于，該方法還包括：
在所述應力槽中填充導熱材料和彈性材料中的至少一種。