1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括：
元件形成工序，在半導(dǎo)體晶片的正面?zhèn)刃纬稍Y(jié)構(gòu)；
保護(hù)膜形成工序，在所述元件形成工序之后，在所述半導(dǎo)體晶片的正面形成由熱固性樹脂構(gòu)成的表面保護(hù)膜；
除去工序，將選擇性地除去所述表面保護(hù)膜而使所述半導(dǎo)體晶片的正面露出的部分設(shè)為切割線，該切割線成為切割所述半導(dǎo)體晶片時(shí)的切縫；
致密化工序，在所述除去工序之后使所述表面保護(hù)膜致密化；
槽形成工序，在所述半導(dǎo)體晶片的正面的所述切割線的位置形成從所述半導(dǎo)體晶片的正面起算預(yù)定深度的槽；以及
薄板化工序，在所述槽形成工序之后，從背面?zhèn)葘?duì)所述半導(dǎo)體晶片的厚度進(jìn)行薄板化處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
在所述槽形成工序中，以所述致密化工序之后的所述表面保護(hù)膜的厚度的1/2以上的所述預(yù)定深度形成所述槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
在所述槽形成工序中，以比所述切割線的寬度窄的寬度形成所述槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
在所述薄板化工序之后，還包括在所述半導(dǎo)體晶片的背面形成電極的背面電極形成工序。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
在所述背面電極形成工序之后，還包括使所述半導(dǎo)體晶片單片化的切割工序。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
在所述槽形成工序中，以比切割所述半導(dǎo)體晶片的切割刀的刀刃厚度更寬的寬度形成所述槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
在所述槽形成工序中，通過(guò)各向異性干式蝕刻形成所述槽。
8.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，沿切割線切割半導(dǎo)體晶片而成的半導(dǎo)體基板的端面具備：
槽，其從所述半導(dǎo)體晶片的正面起算以預(yù)定深度設(shè)置于切割線；以及
表面保護(hù)膜，其覆蓋所述半導(dǎo)體基板的正面?zhèn)鹊谋人霾鄣膫?cè)面更靠近內(nèi)側(cè)的部分且由熱固性樹脂構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述半導(dǎo)體基板的端面的所述槽以外的面為由切割刀切割而得到的切割面。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還具備：
元件結(jié)構(gòu)，其被設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板的正面?zhèn)龋?/p>
所述表面保護(hù)膜覆蓋所述元件結(jié)構(gòu)。