本發(fā)明涉及根據(jù)專利權(quán)利要求1的用于產(chǎn)生用于光電子元件的載體的方法，并且涉及根據(jù)專利權(quán)利要求8的用于產(chǎn)生光電子元件的方法。

該專利申請要求德國專利申請de102014116370.2的優(yōu)先權(quán)，同此通過引用并入其公開內(nèi)容。

背景技術(shù)：

從現(xiàn)有技術(shù)已知具有基于引線框架的外殼的例如發(fā)光二極管元件之類的光電子元件。為了產(chǎn)生此類光電子元件，引線框架被嵌入在模制主體中。在這種情況下，通常發(fā)生引線框架的接觸焊盤被模制主體的模制材料的不期望覆蓋，這使得后續(xù)的清潔成為必要的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種用于產(chǎn)生用于光電子元件的載體的方法。該目的通過具有權(quán)利要求1的特征的方法來實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明的另一目的是提供一種用于產(chǎn)生光電子元件的方法。該目的通過具有權(quán)利要求8的特征的方法來實(shí)現(xiàn)。在從屬權(quán)利要求中詳述各種改進(jìn)。

一種用于產(chǎn)生用于光電子元件的載體的方法包括以下步驟：提供具有上側(cè)和下側(cè)的引線框架；將第一膜布置在引線框架的下側(cè)上；將第二膜布置在引線框架的上側(cè)上；由模塑材料形成模制主體，該引線框架被嵌入在該模制主體中；以及移除第一膜和第二膜。

在該方法中布置在引線框架的下側(cè)上和上側(cè)上的膜可以基本上防止在模制主體的形成期間引線框架的下側(cè)和上側(cè)被用模塑材料覆蓋。因此，在該方法中，有利地使用以從引線框架的下側(cè)和/或上側(cè)移除模塑材料的后續(xù)清潔步驟不是必要的。這具有以下優(yōu)點(diǎn)：在該方法中避免與載體的上側(cè)和/或下側(cè)的清潔相關(guān)聯(lián)的載體上的機(jī)械和/或化學(xué)載荷。因此降低該載體的破裂或其他損傷的風(fēng)險。以這種方式，可以增加可通過該方法獲得的載體的穩(wěn)定性。

省略清潔步驟還避免使引線框架的上側(cè)和/或下側(cè)變粗糙（這與反射率降低相關(guān)聯(lián)）的風(fēng)險，以便可通過該方法獲得的載體可以具有高的光學(xué)反射率。以這種方式，由該載體產(chǎn)生的光電子元件可以具有增加的亮度。

省略清潔步驟還降低對密封引線框架的模塑材料的損傷的風(fēng)險。這樣的損傷可以與加速的老化、降低的反射率和降低的機(jī)械穩(wěn)定性相關(guān)聯(lián)。

避免在模制主體的形成之后的清潔步驟另外降低在載體的焊料接觸焊盤上產(chǎn)生刮傷或其他機(jī)械損傷的風(fēng)險。以這種方式，可以增加由載體產(chǎn)生的光電子元件的可靠性。

由于省略移除覆蓋引線框架的下側(cè)和/或上側(cè)的模塑材料的清潔步驟，所以可以另外有利地降低用以實(shí)現(xiàn)該方法所花費(fèi)的時間以及該方法的成本。

在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，第一膜和/或第二膜是自粘膜。在這種情況下，該膜的自粘側(cè)可以面向引線框架的下側(cè)和/或上側(cè)。有利地，因此將該膜粘附到引線框架的下側(cè)和/或上側(cè)，以使得實(shí)現(xiàn)特別可靠地保護(hù)引線框架的上側(cè)和/或下側(cè)免被模制主體的模塑材料覆蓋。由于第一膜和/或第二膜到引線框架的粘附緊固，具有粘附到其的膜的引線框架另外特別易于處理，以使得可以特別簡單地實(shí)現(xiàn)該方法。

在該方法的一個實(shí)施例中，第一膜和/或第二膜包括聚酰亞胺、etfe或pet。有利地，根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，此類膜適合于在模塑工藝中使用。

在該方法的一個實(shí)施例中，借助于模塑方法，特別地借助于傳遞模塑來形成模制主體。有利地，這允許經(jīng)濟(jì)且可重復(fù)地實(shí)現(xiàn)該生產(chǎn)方法。

在該方法的一個實(shí)施例中，以使得引線框架的下側(cè)或上側(cè)的區(qū)塊保持未被膜覆蓋這樣的方式來布置第一膜或第二膜。在這種情況下，在未被覆蓋的區(qū)塊處將模塑材料遞送在第一膜和第二膜之間。有利地，可以由此來確保整個引線框架在由模塑材料形成的模制主體中的可靠嵌入。

在該方法的一個實(shí)施例中，模塑材料包括環(huán)氧樹脂和/或硅樹脂。有利地，該模塑材料因此具有良好的機(jī)械性質(zhì)并且可以被經(jīng)濟(jì)地獲得。

在該方法的一個實(shí)施例中，引線框架包括大量第一引線框架區(qū)塊和大量第二引線框架區(qū)塊。這使由引線框架產(chǎn)生用于光電子元件的大量載體成為可能。該方法因此允許經(jīng)濟(jì)的大規(guī)模生產(chǎn)。

一種用于產(chǎn)生光電子元件的方法包括以下步驟：通過以上提到的類型的方法產(chǎn)生載體；以及將光電子半導(dǎo)體芯片布置在載體的上側(cè)上。該方法使產(chǎn)生具有緊湊外部尺寸的光電子元件成為可能。該方法在這種情況下適合于大規(guī)模生產(chǎn)，以使得有利地降低用于生產(chǎn)單獨(dú)光電子元件的成本。通過以上提到的方法可獲得的光電子元件的通過該方法產(chǎn)生的載體有利地具有高機(jī)械質(zhì)量。

在該方法的一個實(shí)施例中，光電子半導(dǎo)體芯片被導(dǎo)電連接至第一引線框架區(qū)塊和第二引線框架區(qū)塊。因此可以在可通過該方法獲得的光電子元件中使用該第一引線框架區(qū)塊和第二引線框架區(qū)塊來將電壓和電流施加于光電子元件的光電子半導(dǎo)體芯片。同時，可以在可通過該方法獲得的光電子元件中使用該第一引線框架區(qū)塊和第二引線框架區(qū)塊作為用于電接觸光電子元件的電接觸焊盤。

在該方法的一個實(shí)施例中，光電子半導(dǎo)體芯片被布置在第一引線框架區(qū)塊上。在這種情況下，由于光電子半導(dǎo)體芯片在第一引線框架區(qū)塊上的布置，有利地可以在光電子半導(dǎo)體芯片和第一引線框架區(qū)塊之間同時產(chǎn)生導(dǎo)電連接。有利地，這引起可通過該方法獲得的光電子元件的特別緊湊的具體化。

在該方法的一個實(shí)施例中，它包括用以致形成在其中嵌入各第一引線框架區(qū)塊中的一個和各第二引線框架區(qū)塊中的一個的模制主體區(qū)塊這樣的方式來劃分模制主體的另外的步驟。在這種情況下，光電子半導(dǎo)體芯片被布置在模制主體區(qū)塊上。因此該方法允許在常見的處理步驟中同時生產(chǎn)大量光電子元件。以這種方式，用于產(chǎn)生光電子元件的成本以及產(chǎn)生光電子元件所花費(fèi)的時間有利地被降低。

附圖說明

結(jié)合下面對示例性實(shí)施例的描述，本發(fā)明的以上描述的性質(zhì)、特征和優(yōu)點(diǎn)以及實(shí)現(xiàn)它們所用的方式將變得清楚并更容易可理解，將結(jié)合繪圖來更詳細(xì)地解釋該示例性實(shí)施例，在該繪圖中，分別在示意性表示中

圖1示出引線框架的透視圖；

圖2示出具有布置在下側(cè)上的第一膜的引線框架的視圖；

圖3示出具有布置在上側(cè)上的第二膜的引線框架；

圖4示出形成在各膜之間并且在其中嵌入引線框架的模制主體；

圖5示出在移除膜之后模制主體的透視圖；以及

圖6示出由模制主體的模制主體區(qū)塊產(chǎn)生的光電子元件的透視圖。

具體實(shí)施方式

圖1示出引線框架100的示意性透視表示。

該引線框架100包括導(dǎo)電材料，例如金屬。該引線框架100優(yōu)選地包括銅。可以在引線框架100的表面上布置用以提高引線框架100的可焊性的涂層。

引線框架100具有基本平坦和平面的形狀，具有上側(cè)101以及與該上側(cè)101相對放置的下側(cè)102。可以例如由金屬片產(chǎn)生引線框架100。

引線框架100具有從上側(cè)101到下側(cè)102延伸通過引線框架100的開口，通過該開口將引線框架100細(xì)分成大量第一引線框架區(qū)塊110和第二引線框架區(qū)塊120?？梢岳缫呀柚谖g刻方法形成該開口。除了開口之外，引線框架100可以在其上側(cè)101和/或在其下側(cè)102上具有另外的凹進(jìn)處，其不完全通過引線框架100延伸。

以規(guī)則網(wǎng)格布置將第一引線框架區(qū)塊110和第二引線框架區(qū)塊120布置在引線框架110的平面中。每個第一引線框架區(qū)塊110和鄰近第二引線框架區(qū)塊120形成相關(guān)聯(lián)對。在每個這樣的對中，第一引線框架區(qū)塊110和相關(guān)聯(lián)的第二引線框架區(qū)塊120彼此不直接連接，而是僅經(jīng)由相應(yīng)另外的相鄰部連接。

圖2示出處于按時間順序在圖1的表示之后的處理狀態(tài)中的引線框架100的示意性透視表示。

第一膜200已被布置在引線框架100的下側(cè)102上。該膜200具有第一側(cè)201和與第一側(cè)210相對放置的第二側(cè)202。該第一膜200的第一側(cè)201面向引線框架100的下側(cè)102并且優(yōu)選地完全覆蓋引線框架100的下側(cè)102。如果引線框架100的下側(cè)102具有隆起和凹陷區(qū)塊，則第一膜200僅與下側(cè)102的隆起區(qū)塊接觸。

第一膜200可以例如包括聚酰亞胺。

該第一膜200可以被配置為自粘膜。在這種情況下，第一膜200的面向引線框架100的下側(cè)102的第一側(cè)201被配置成自粘的。第一膜200的第一側(cè)201然后粘附于引線框架100的下側(cè)102。

如果第一膜200沒有被配置為自粘膜，則第一膜200優(yōu)選地被配置成軟的且可彎的，以使得可以通過將引線框架100按壓到膜200的第一側(cè)201上來確保利用第一膜200對引線框架100的整個下側(cè)102的可靠覆蓋。

圖3示出處于按時間順序在圖2的表示之后的處理狀態(tài)中的引線框架100的示意性透視表示。

第二膜300已被布置在引線框架100的上側(cè)101上。第二膜300具有第一側(cè)301和與第一側(cè)301相對放置的第二側(cè)302。該第二膜300的第一側(cè)301面向引線框架100的上側(cè)101。該第二膜300覆蓋引線框架100的上側(cè)101的大部分。如果引線框架100的上側(cè)101具有隆起和凹陷區(qū)塊，則第二膜300僅覆蓋引線框架100的上側(cè)101的隆起區(qū)塊。

第二膜300優(yōu)選地覆蓋除了未被覆蓋區(qū)塊310之外的所有區(qū)塊中的引線框架100的上側(cè)101，該未被覆蓋區(qū)塊310保持未被第二膜300覆蓋。該未被覆蓋區(qū)塊310優(yōu)選地被布置在引線框架100的邊緣區(qū)中。例如，該未被覆蓋區(qū)塊310可以沿著引線框架100的邊緣延伸。該未被覆蓋區(qū)塊310還可以被布置在引線框架100的拐角區(qū)中。

可以以與第一膜200相同的方式來配置第二膜300。第二膜300可以例如包括聚酰亞胺。

該第二膜300可以被配置為自粘膜。在這種情況下，第二膜300的面向引線框架100的上側(cè)101的第一側(cè)301被配置成自粘的。第二膜300的自粘的第一側(cè)301在這種情況下粘附于引線框架100的上側(cè)101，以使得可以實(shí)現(xiàn)利用第二膜300對引線框架100的上側(cè)101的可靠覆蓋。

如果第二膜300沒有被配置為自粘膜，則第二膜300優(yōu)選地被配置成軟的且可彎的，以使得可以通過將引線框架100按壓到第二膜300的第一側(cè)301上來實(shí)現(xiàn)利用第二膜300對引線框架100的整個上側(cè)101的可靠覆蓋，除了在引線框架100的上側(cè)101的未被覆蓋區(qū)塊310中之外。

作為描述的程序的替換方案，可能提供不在引線框架100的上側(cè)310上而在引線框架100的下側(cè)102上的未被覆蓋區(qū)塊310。在這種情況下，以使得第一膜200覆蓋除了未被覆蓋區(qū)塊310之外的引線框架100的下側(cè)102的所有隆起區(qū)塊的這樣的方式來將第一膜200布置在引線框架100的下側(cè)102上。以使得第二膜300覆蓋引線框架100的上側(cè)101的所有隆起區(qū)塊這樣的方式來將第二膜300布置在引線框架100的上側(cè)101上。

同樣地可能省略未被覆蓋區(qū)塊310。在這種情況下，兩個膜200、300覆蓋引線框架100的上側(cè)101和下側(cè)102的所有隆起區(qū)塊。

當(dāng)然，可選地，第二膜300可以在第一膜200之前已經(jīng)被布置在引線框架100上。

圖4示出在按時間順序在圖3的表示之后的處理步驟中被布置在膜200、300之間的引線框架100的示意性表示。

模制主體400已經(jīng)被形成在第一膜200和第二膜300之間。該引線框架100在這種情況下已經(jīng)被嵌入在模制主體400中。該模制主體400已經(jīng)由電絕緣模塑材料形成。該模塑材料可以例如包括環(huán)氧樹脂和/或硅樹脂。模制主體400已經(jīng)通過模塑方法形成，例如通過傳遞模塑形成。在這種情況下，已經(jīng)經(jīng)由未被覆蓋區(qū)塊310將模塑材料引入到第一膜200和第二膜300之間的區(qū)中。作為替換方案，可以已經(jīng)從引線框架100的側(cè)翼將模塑材料引入到第一膜200和第二膜300之間的區(qū)中。

模制主體400已經(jīng)被形成有上側(cè)401和與該上側(cè)401相對放置的下側(cè)402。已經(jīng)鄰近于第二膜300的第一側(cè)301形成該模制主體400的上側(cè)401。已經(jīng)鄰近于第一膜200的第一側(cè)201形成該模制主體400的下側(cè)402。

在模制主體400的形成期間，被第二膜300保護(hù)的引線框架100的上側(cè)101以及被第一膜200保護(hù)的引線框架100的下側(cè)102基本沒有用模制主體400的材料覆蓋。因此，引線框架100的上側(cè)101被暴露在模制主體400的上側(cè)401上，并且與模制主體400的上側(cè)401基本上齊平終止。相應(yīng)地，引線框架100的下側(cè)102被暴露在模制主體400的下側(cè)402上，并且與模制主體400的下側(cè)402基本上齊平終止。

圖5示出處于按時間順序在圖4的表示之后的處理狀態(tài)中的模制主體400的示意性透視表示。

已經(jīng)從模制主體400的下側(cè)402移除第一膜200。此外，已經(jīng)從模制主體400的上側(cè)401移除第二膜300。例如可以已經(jīng)通過膜200、300的機(jī)械收縮來實(shí)現(xiàn)第一膜200和第二膜300從模制主體400的移除。

模制主體400，具有嵌入在模制主體400中的引線框架100，包括大量模制主體區(qū)塊410，其彼此連續(xù)連接成一整塊。引線框架100的第一引線框架區(qū)塊110以及相關(guān)聯(lián)的第二引線框架區(qū)塊120被嵌入在模制主體400的每個模制主體區(qū)塊410中?？梢酝ㄟ^劃分模制主體400和嵌入在模制主體400中的引線框架100來使各個模制主體區(qū)塊410個體化。模制主體400與嵌入在模制主體400中的引線框架100的劃分可以例如借助于鋸切工藝來實(shí)現(xiàn)。

圖6示出光電子元件10的示意性透視表示。

光電子元件10包括圖5的模制主體400的個體化模制主體區(qū)塊410，其形成光電子元件10的載體500。模制主體區(qū)塊410的上側(cè)401形成載體的上側(cè)501。模制主體區(qū)塊410的下側(cè)402形成載體500的下側(cè)502。

引線框架100的各第一引線框架區(qū)塊110中的一個和各第二引線框架區(qū)塊120中的一個被嵌入在形成載體500的模制主體區(qū)塊410中。嵌入在形成載體500的模制主體區(qū)塊410中的第一引線框架區(qū)塊110與嵌入在模制主體區(qū)塊410中的第二引線框架區(qū)塊120電絕緣。在載體的上側(cè)501以及下側(cè)502二者上可訪問第一引線框架區(qū)塊110和第二引線框架區(qū)塊120。

光電子半導(dǎo)體芯片600被布置在光電子元件10的載體500的上側(cè)501上。光電子半導(dǎo)體芯片600可以例如是發(fā)光二極管芯片（led芯片）。該光電子半導(dǎo)體芯片600具有上側(cè)601以及與該上側(cè)601相對放置的下側(cè)602。以使得光電子半導(dǎo)體芯片600的下側(cè)602面向載體500的上側(cè)501這樣的方式來將光電子半導(dǎo)體芯片600布置在載體500的上側(cè)501上?？梢岳缃柚诤噶线B接或粘合劑接合來將光電子半導(dǎo)體芯片600緊固在載體500的上側(cè)501上。

光電子半導(dǎo)體芯片600被導(dǎo)電連接至光電子元件10的載體500的第一引線框架區(qū)塊110和第二引線框架區(qū)塊120。在圖6中表示的示例中，光電子半導(dǎo)體芯片600被布置在第一引線框架區(qū)塊110上，以使得在布置于光電子半導(dǎo)體芯片600的下側(cè)602上的光電子半導(dǎo)體芯片600的電接觸件與載體500的第一引線框架區(qū)塊110之間存在導(dǎo)電連接。借助于接合線將布置于光電子半導(dǎo)體芯片600的上側(cè)601上的光電子半導(dǎo)體芯片600的第二電接觸件導(dǎo)電連接至第二引線框架區(qū)塊120。

然而，還可能例如借助于接合線在光電子半導(dǎo)體芯片600和第一引線框架區(qū)塊110之間產(chǎn)生導(dǎo)電連接。在這種情況下，光電子半導(dǎo)體芯片600的兩個電接觸件可以被布置在其上側(cè)601上。

同樣地，可能：以使得在光電子半導(dǎo)體芯片600的電接觸件與載體500的引線框架區(qū)塊110、120之間存在導(dǎo)電連接這樣的方式，在光電子半導(dǎo)體芯片600的下側(cè)602上提供光電子半導(dǎo)體芯片600的兩個電接觸件，并且以載體500的第一引線框架區(qū)塊110和第二引線框架區(qū)塊120上的跨接件的方式布置光電子半導(dǎo)體芯片600。

優(yōu)選地在將模制主體400分成單獨(dú)的模制主體區(qū)塊410之前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了光電子半導(dǎo)體芯片600在由模制主體400的模制主體區(qū)塊410形成的載體500的上側(cè)501上的布置。在這種情況下，一個光電子半導(dǎo)體芯片600被相應(yīng)地布置在模制主體400的每個模制主體區(qū)塊410上，并被導(dǎo)電連接至相應(yīng)模制主體區(qū)塊410的第一引線框架區(qū)塊110和第二引線框架區(qū)塊120。只有那時模制主體400才被分成單獨(dú)的模制主體區(qū)塊410。以這種方式，同時形成大量光電子元件10。然而，作為替換方案，還可能不將光電子半導(dǎo)體芯片600布置在由模制主體區(qū)塊410形成的載體500的上側(cè)510上，直到在模制主體400的劃分之后為止。

被暴露在光電子元件10的載體500的下側(cè)502上的第一引線框架區(qū)塊110和第二引線框架區(qū)塊120的區(qū)塊可以形成光電子元件10的電接觸焊盤并且被用于電接觸光電子元件10。光電子元件10可以例如被提供為用于表面安裝（例如，用于借助于回流焊接進(jìn)行表面安裝）的smt元件。

已經(jīng)在優(yōu)選示例性實(shí)施例的幫助下詳細(xì)圖示并描述了本發(fā)明。然而，本發(fā)明不限于所公開的示例。而是，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以在不脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍的情況下從其導(dǎo)出其他變體。

參考符號列表

10光電子元件

100引線框架

101上側(cè)

102下側(cè)

110第一引線框架區(qū)塊

120第二引線框架區(qū)塊

200第一膜

210第一側(cè)

202第二側(cè)

300第二膜

301第一側(cè)

302第二側(cè)

310未被覆蓋區(qū)塊

400模制主體

401上側(cè)

402下側(cè)

410模制主體區(qū)塊

500載體

501上側(cè)

502下側(cè)

600光電子半導(dǎo)體芯片

601上側(cè)

602下側(cè)

610接合線。