一種用于通訊頻段的高性能隔離器的制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種用于通訊頻段的高性能隔離器，包括腔體、射頻電阻、蓋板，所述射頻電阻設(shè)在腔體外，所述蓋板設(shè)在腔體開口處，從腔體開口處向內(nèi)依次設(shè)置有第一溫度補償片、第二溫度補償片、第一鍶鈣永磁體、第一勻磁片、第一旋磁鐵氧體、中心導(dǎo)體、第二旋磁鐵氧體、第二勻磁片、第二鍶鈣永磁體；所述第一旋磁鐵氧體、第二旋磁鐵氧體的徑向邊緣分別套有第一介質(zhì)環(huán)和第二介質(zhì)環(huán)；所述中心導(dǎo)體設(shè)有三個引出端點，其中一個引出端點被焊接到射頻電阻的焊接點上，另外兩個引出端點被引到腔體之外。本實用新型提供的用于通訊頻段的高性能隔離器具有如下優(yōu)點：磁路閉合好，漏磁小，無需粘合劑和螺釘，易于小型化，可靠性高，器件整體性能好。
【專利說明】-種用于通訊頻段的高性能隔離器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實用新型涉及電子元器件領(lǐng)域，具體涉及一種用于900M通訊頻段的高性能隔 離器，廣泛應(yīng)用于900M移動通訊的基站和移動臺系統(tǒng)中，在發(fā)射和接收系統(tǒng)作功率放大 器、開關(guān)放大器的輸入、輸出隔離W及在測量系統(tǒng)中起去禪作用。

【背景技術(shù)】
[0002] 理想的H端結(jié)環(huán)行器的設(shè)計概念基于散射矩陣?yán)碚?，散射矩陣建立了結(jié)的入射波 和反射波之間的關(guān)系。H端結(jié)環(huán)行器由一個鐵氧體加載的中也區(qū)域和H個與之相禪合的傳 輸線組成，通過改變鐵氧體的尺寸大小，飽和磁矩，介電常數(shù)，外加恒磁場和中也導(dǎo)體的形 狀尺寸，從而改變散射矩陣的本征值，形成環(huán)行器。對于理想H端環(huán)行器參見圖2,5端口輸 入的電磁波只能從4端口輸出，4端口輸入的電磁波只能從3端口輸出，而3端口輸入的電 磁波只能從5端口輸出。參見圖1隔離器是從H端口環(huán)行器引伸而來，只是在一端加上匹 配負(fù)載（小反射終端負(fù)載）而成。隔離器是一個兩端口器件，信號從輸入1到輸出2,傳輸 的能量衰減較小，而信號從輸出2到輸入1則是高衰減，被負(fù)載吸收。
[0003] 環(huán)行器和隔離器可做成同軸，微帶，帶線，波導(dǎo)等多種形式，用在各種電磁波傳輸 系統(tǒng)中，圖3為環(huán)行器用于雙工系統(tǒng)，環(huán)行器和上行帶通濾波器BP化、下行帶通濾波器BP訊 的組合，用于發(fā)射-天線-接收系統(tǒng)，該種雙工系統(tǒng)是異頻收發(fā)系統(tǒng)，W區(qū)別于雷達(dá)技術(shù)中 ATR同頻雙工器。
[0004] 圖4為兩個隔離器和900電橋組合成合路器，為二合一器件。也可W做成四合一合 路器，它由四個隔離器和H個900電橋組成。該種合路器端6和端7間隔離必須大于50地。
[0005] 圖5為功放級間的匹配和去禪。在固態(tài)放大系統(tǒng)中，串級式放大器級間的隔離是 必要的，增加整個放大器的穩(wěn)定性。
[0006] 圖6為消除發(fā)射源之間的相互干擾，它亦是和若干個濾波器組合在一起使用；和 上述級間去禪作用相似，不同點是該里是消除異頻干擾。
[0007] 圖7為二合一天線發(fā)射系統(tǒng)。兩個不同頻率的發(fā)射源通過兩個環(huán)行器和兩個濾波 器組合而成。也可成四合一，十六合一，該在蜂窩移動通訊基站中是非常有用的。
[0008] 現(xiàn)有的嵌入式隔離器結(jié)構(gòu)如圖8所示，在腔體10內(nèi)裝入餓巧永磁體11、鐵片12、 介質(zhì)環(huán)13、鐵氧體14、內(nèi)導(dǎo)體15、介質(zhì)環(huán)16、鐵氧體17、卡子18、餓巧永磁體19、媒片20、蓋 板21分別固定在腔體上。餓巧永磁體為旋磁鐵氧體提供偏置磁場，中也導(dǎo)體有H個引出端 點，其中一個端口連接匹配負(fù)載，其他兩個端口分別為輸入端和輸出端。該種結(jié)構(gòu)加工耗 材大，工作磁場低，磁路不完全閉合，漏磁較大，磁路效率低，很難做到高互調(diào)和結(jié)構(gòu)的小型 化。 實用新型內(nèi)容
[0009] 本實用新型克服了現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，在于提供一種結(jié)構(gòu)簡單、體積小、磁路 閉合好、漏磁小的用于通訊頻段的高性能隔離器。
[0010] 本實用新型的具體技術(shù)方案如下：
[0011] 一種用于通訊頻段的高性能隔離器，包括腔體、射頻電阻、蓋板，所述射頻電阻設(shè) 在腔體外，所述蓋板設(shè)在腔體開口處，從腔體開口處向內(nèi)依次設(shè)置有第一溫度補償片、第二 溫度補償片、第一餓巧永磁體、第一勻磁片、第一旋磁鐵氧體、中也導(dǎo)體、第二旋磁鐵氧體、 第二勻磁片、第二餓巧永磁體；所述第一旋磁鐵氧體、第二旋磁鐵氧體的徑向邊緣分別套有 第一介質(zhì)環(huán)和第二介質(zhì)環(huán)；所述中也導(dǎo)體設(shè)有H個引出端點，其中一個引出端點被焊接到 射頻電阻的焊接點上，另外兩個引出端點被引到腔體之外。
[0012] 所述中也導(dǎo)體、第一勻磁片、第二勻磁片表面鍛銀；有利于器件的插入W及損耗的 減小
[0013] 本實用新型所述采用一體化結(jié)構(gòu)，即在腔體的開口處和蓋板外周被加工成螺紋 狀，蓋板順著腔體開口處的螺紋旋在腔體上；具有磁路閉合好，漏磁小，易于小型化，可靠性 高，器件整體性能好等特點。
[0014] 本實用新型采用的旋磁鐵氧體是純石惱石1800材料，此種材料居里溫度高，密度 高，較易溫度補償。
[0015] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型提供的用于通訊頻段的高性能隔離器，采用兩片溫 度補償片后具有磁路閉合好，漏磁小的特點；并且無需粘合劑和螺釘，易于小型化，可靠性 高，器件整體性能好。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016] 圖1為隔離器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017] 圖2為環(huán)行器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018] 圖3為環(huán)行器用于雙工系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019] 圖4為兩個隔離器和900電橋組合成合路器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020] 圖5為功放級間的匹配和去禪的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021] 圖6為消除發(fā)射源之間的相互干擾的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022] 圖7為二合一天線發(fā)射系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023] 圖8為現(xiàn)有的嵌入式隔離器結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024] 圖9為本實用新型高性能隔離器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[00巧]圖10為本實用新型組裝后的示意圖。

【具體實施方式】
[0026]W下結(jié)合附圖進(jìn)一步說明本實用新型。
[0027] 參見圖9和圖10, 一種用于通訊頻段的高性能隔離器，包括腔體10、射頻電阻22、 蓋板21，所述射頻電阻22設(shè)在腔體10外，所述蓋板21設(shè)在腔體10開口處，從腔體10開 口處向內(nèi)依次設(shè)置有第一溫度補償片33、第二溫度補償片32、第一餓巧永磁體31、第一勻 磁片30、第一旋磁鐵氧體29、中也導(dǎo)體27、第二旋磁鐵氧體26、第二勻磁片24、第二餓巧永 磁體23 ;所述第一旋磁鐵氧體29、第二旋磁鐵氧體26的徑向邊緣分別套有第一介質(zhì)環(huán)28 和第二介質(zhì)環(huán)25;中也導(dǎo)體27設(shè)有H個引出端點，其中一個引出端點被焊接到射頻電阻22 的焊接點上，另外兩個引出端點被引到腔體10之外。
[0028] 所述中也導(dǎo)體27、第一勻磁片30、第二勻磁片24表面鍛銀；有利于器件的插入W 及損耗的減小。本實用新型所述采用一體化結(jié)構(gòu)，即在腔體的開口處和蓋板外周被加工成 螺紋狀，蓋板順著腔體開口處的螺紋旋在腔體上；具有磁路閉合好，漏磁小，易于小型化，可 靠性高，器件整體性能好等特點。
[0029] 上述高性能隔離器的主要技術(shù)指標(biāo)如下表：
[0030]

【權(quán)利要求】
1. 一種用于通訊頻段的高性能隔離器，其特征在于包括腔體、射頻電阻、蓋板，所述射 頻電阻設(shè)在腔體外，所述蓋板設(shè)在腔體開口處，從腔體開口處向內(nèi)依次設(shè)置有第一溫度補 償片、第二溫度補償片、第一鍶鈣永磁體、第一勻磁片、第一旋磁鐵氧體、中心導(dǎo)體、第二旋 磁鐵氧體、第二勻磁片、第二鍶鈣永磁體；所述第一旋磁鐵氧體、第二旋磁鐵氧體的徑向邊 緣分別套有第一介質(zhì)環(huán)和第二介質(zhì)環(huán)；所述中心導(dǎo)體設(shè)有三個引出端點，其中一個引出端 點被焊接到射頻電阻的焊接點上，另外兩個引出端點被引到腔體之外。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高性能隔離器，其特征在于所述中心導(dǎo)體、第一勻磁片、第二 勻磁片表面鍍銀。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高性能隔離器，其特征在于所述腔體的開口處和蓋板外 周被加工成螺紋狀，蓋板順著腔體開口處的螺紋旋在腔體上。
【文檔編號】H01P1/36GK204179191SQ201420628151
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2014年10月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月27日
【發(fā)明者】劉雋 申請人:南京廣順電子技術(shù)研究所, 南京廣順微波技術(shù)有限公司