本發(fā)明實施例公開的技術方案涉及激光器技術領域，尤其涉及光纖隔離器及光纖激光器。

背景技術：

目前，光纖激光器的功率越來越大，在軍事、醫(yī)療、工業(yè)制造等領域有著廣泛的應用。

由磁旋光晶體和磁體組成的隔離器芯對溫度比較敏感。當環(huán)境溫度改變時，所述磁旋光晶體的旋光角度也會發(fā)生變化，導致所述光纖隔離器對反向光的隔離度降低，并削弱了正向光的傳輸效率。

發(fā)明人在研究本發(fā)明的過程中發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術中主要通過維持磁旋光晶體的旋光角度來避免光纖隔離器的隔離度降低。例如，給隔離器芯恒溫加熱、改變磁旋光晶體所處的磁場強度等。給隔離器芯恒溫加熱，光纖隔離器需要額外配置加熱裝置和溫控裝置，這會導致光纖隔離器結構復雜使用不便，而且長時間給隔離器芯恒溫加熱會出現(xiàn)高溫退磁現(xiàn)象，使得光纖隔離器的性能降低。改變磁旋光晶體所處的磁場強度，光纖隔離器需要額外配置磁場強度控制裝置，這同樣會導致光纖隔離器結構復雜使用不便，而且磁場強度控制裝置主要用于大幅度調節(jié)磁旋光晶體的旋光角度，對因環(huán)境溫度改變引起的旋光角度的細微變化，調節(jié)的靈敏度偏低。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明公開的技術方案至少能夠解決以下技術問題：如何對光纖隔離器進行簡單的調節(jié)，使得所述光纖隔離器的隔離度不會因磁旋光晶體的旋光角度發(fā)生變化而降低。

本發(fā)明的一個或者多個實施例公開了一種光纖隔離器，包括：一個或者多個光束隔離結構、耦合準直器、傳能光纖以及輸出準直器；其中，所述傳能光纖連接所述耦合準直器和所述輸出準直器；所述光束隔離結構包括：光闌、第一分束器、磁旋光晶體、磁體、半波片、固定器以及第二分束器；其中，所述光闌的通光孔中心與所述第一分束器、磁旋光晶體、半波片以及第二分束器的中心軸處在同一條直線上；所述第一分束器的光軸方向與所述第二分束器的光軸方向互相垂直；所述磁旋光晶體位于所述磁體的磁場區(qū)域內；所述固定器帶動所述半波片轉動，以調節(jié)所述半波片的旋光角度。

在本發(fā)明的一個或者多個實施例中，所述光纖隔離器還包括擴束負透鏡和準直正透鏡；通過一個或者多個所述光束隔離結構的正向光由所述耦合準直器耦合至所述傳能光纖，然后由所述輸出準直器以正向準直光的形式輸出至所述擴束負透鏡；所述正向準直光由所述擴束負透鏡進行擴束，然后由所述準直正透鏡會聚后輸出。

在本發(fā)明的一個或者多個實施例中，正向光從所述光闌的通光孔入射至所述第一分束器；所述第一分束器將每一束正向光分束成偏振方向互相垂直的e偏振光(extraordinarylight)和o偏振光(ordinarylight)；所述e偏振光和所述o偏振光通過所述磁旋光晶體與所述半波片后，偏振方向旋轉90度；此時，相對于所述第二分束器，所述e偏振光和所述o偏振光的偏振態(tài)不改變，因而所述第二分束器將所述e偏振光和所述o偏振光合成為一束正向光。

反向光從所述耦合準直器入射至所述第二分束器；所述第二分束器將每一束反向光分束成偏振方向互相垂直的e偏振光和o偏振光；所述e偏振光和所述o偏振光通過所述半波片與所述磁旋光晶體后，偏振方向旋轉0度；此時，相對于所述第一分束器，所述e偏振光和所述o偏振光的偏振態(tài)互換，因而所述第一分束器將所述e偏振光和所述o偏振光發(fā)散出去。

在本發(fā)明的一個或者多個實施例中，所述第一分束器將每一束正向光分束成偏振方向互相垂直的e偏振光和o偏振光后，所述e偏振光和所述o偏振光入射至所述磁旋光晶體；在所述磁體的磁場作用下，所述磁旋光晶體將所述e偏振光和所述o偏振光的偏振方向正向旋轉45度；然后，所述e偏振光和所述o偏振光入射至所述半波片，所述半波片將所述e偏振光和所述o偏振光的偏振方向再次正向旋轉45度。

所述第二分束器將每一束反向光分束成偏振方向互相垂直的e偏振光和o偏振光后，所述半波片將所述e偏振光和所述o偏振光的偏振方向反向旋轉45度；然后，所述e偏振光和所述o偏振光入射至所述磁旋光晶體，所述磁旋光晶體將所述e偏振光和所述o偏振光的偏振方向正向旋轉45度。

在本發(fā)明的一個或者多個實施例中，所述半波片與所述固定器同軸轉動；轉動所述固定器將改變所述半波片的旋光角度。

在本發(fā)明的一個或者多個實施例中，所述固定器上標有多條刻度線；不同的刻度線對應不同溫度下所述半波片的旋光角度。

在本發(fā)明的一個或者多個實施例中，所述磁體環(huán)繞所述磁旋光晶體，或者所述磁體位于所述磁旋光晶體的一側，或者所述磁體位于所述磁旋光晶體的兩側。

在本發(fā)明的一個或者多個實施例中，所述光闌上設置有反射鏡，用于反射從所述第一分束器發(fā)散出來的所述e偏振光和所述o偏振光。

在本發(fā)明的一個或者多個實施例中，所述光闌的通光孔的直徑大于正向光的光斑直徑，小于從所述第一分束器發(fā)散出來的所述e偏振光和所述o偏振光內側邊緣的間距。

本發(fā)明的一個或者多個實施例還公開了一種光纖激光器，包括至少一個光纖隔離器。所述光纖隔離器為上述任意一種光纖隔離器。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明公開的技術方案主要有以下有益效果：

在本發(fā)明的實施例中，當磁旋光晶體的旋光角度發(fā)生變化時，可以通過所述固定器帶動所述半波片轉動，調節(jié)所述半波片的旋光角度，使得所述半波片的旋光角度與所述磁旋光晶體的旋光角度數(shù)值相等而方向相反。因而反向入射的e偏振光和o偏振光通過所述半波片和所述磁旋光晶體后，偏振方向仍然旋轉0度。此時，所述光纖隔離器的隔離度不會因磁旋光晶體的旋光角度發(fā)生變化而降低。對于正向光而言，在所述磁旋光晶體的旋光角度和所述半波片的旋光角度都改變后，從所述半波片出射的e偏振光和o偏振光的偏振態(tài)將發(fā)生改變。因而從所述第二分束器出射的正向光的光斑橢圓度會有小幅度的減小。通過所述傳能光纖對正向光的光斑進行整形有利于在所述磁旋光晶體的旋光角度和所述半波片的旋光角度都改變后保證正向準直光的質量。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的一實施例中光纖隔離器的示意圖；

圖2為本發(fā)明的另一實施例中光纖隔離器的示意圖；

圖3為本發(fā)明的又一實施例中光纖隔離器的示意圖；

圖4為本發(fā)明的又一實施例中光纖隔離器的示意圖；

圖5為本發(fā)明的一實施例中光闌的位置示意圖；

圖6為本發(fā)明的一實施例中半波片和固定器的示意圖。

具體實施方式

為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關附圖對本發(fā)明進行更全面的描述。附圖中給出了本發(fā)明的較佳實施例。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實現(xiàn)，并不限于本文所描述的實施例。相反地，提供這些實施例的目的是使對本發(fā)明的公開內容的理解更加透徹全面。

除非另有定義，本文所使用的所有的技術和科學術語與屬于本發(fā)明的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施例的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。本申請的權利要求書、說明書以及說明書附圖中的術語“第一”、“第二”、“第三”等是用于區(qū)別不同對象，而不是用于描述特定順序?！罢蛐D”中的“正向”和“反向旋轉”中的“反向”是相對的。當指定一個旋轉方向為正向時，與之相反的旋轉方向則為反向。例如，指定順時針方向旋轉為正向旋轉，則逆時針方向旋轉為反向旋轉。

本發(fā)明的一實施例公開一種光纖隔離器，對請求保護的技術方案進行說明。具體實施方式中涉及到的光纖隔離器只是較佳的實施例，并非本發(fā)明所有可能的實施例或者最佳的實施例。

參考圖1，為本發(fā)明的一實施例中光纖隔離器的示意圖。圖1中示意的光纖隔離器包括：一個或者多個光束隔離結構1、耦合準直器108、傳能光纖109以及輸出準直器110。其中，所述傳能光纖109連接所述耦合準直器108和所述輸出準直器110。

所述光束隔離結構1包括：光闌101、第一分束器102、磁旋光晶體103、磁體104、半波片105、固定器106以及第二分束器107。其中，所述光闌101的通光孔中心與所述第一分束器102、磁旋光晶體103、半波片105以及第二分束器107的中心軸處在同一條直線上。所述第一分束器102的光軸方向與所述第二分束器107的光軸方向互相垂直。所述磁旋光晶體103位于所述磁體104的磁場區(qū)域內。所述固定器106帶動所述半波片105轉動，以調節(jié)所述半波片105的旋光角度。

正向光從所述光闌101的通光孔入射至所述第一分束器102。所述第一分束器12將每一束正向光分束成偏振方向互相垂直的e偏振光和o偏振光。所述e偏振光和所述o偏振光通過所述磁旋光晶體103與所述半波片105后，偏振方向旋轉90度。此時，相對于所述第二分束器107，所述e偏振光和所述o偏振光的偏振態(tài)不改變，因而所述第二分束器107將所述e偏振光和所述o偏振光合成為一束正向光。

反向光從所述耦合準直器108入射至所述第二分束器107。所述第二分束器107將每一束反向光分束成偏振方向互相垂直的e偏振光和o偏振光。所述e偏振光和所述o偏振光通過所述半波片105與所述磁旋光晶體103后，偏振方向旋轉0度。此時，相對于所述第一分束器102，所述e偏振光和所述o偏振光的偏振態(tài)互換，因而所述第一分束器102將所述e偏振光和所述o偏振光發(fā)散出去。

在本發(fā)明的上述實施例中，當磁旋光晶體103的旋光角度發(fā)生變化時，可以通過所述固定器106帶動所述半波片105轉動，調節(jié)所述半波片105的旋光角度，使得所述半波片105的旋光角度與所述磁旋光晶體103的旋光角度數(shù)值相等而方向相反。因而反向入射的e偏振光和o偏振光通過所述半波片105和所述磁旋光晶體103后，偏振方向仍然旋轉0度。此時，所述光纖隔離器的隔離度不會因磁旋光晶體103的旋光角度發(fā)生變化而降低。

參考圖2，為本發(fā)明的另一實施例中光纖隔離器的示意圖。圖2中示意的光纖隔離器包括：第一光束隔離結構1、耦合準直器108、傳能光纖109、輸出準直器110、擴束負透鏡111以及準直正透鏡112。所述第一光束隔離結構1包括：光闌101、第一分束器102、磁旋光晶體103、磁體104、半波片105、固定器106以及第二分束器107。其中，所述傳能光纖109連接所述耦合準直器108和所述輸出準直器110。所述光闌101的通光孔中心與所述第一分束器102、磁旋光晶體103、半波片105以及第二分束器107的中心軸處在同一條直線上。所述第一分束器102的光軸方向與所述第二分束器107的光軸方向互相垂直。所述磁旋光晶體103位于所述磁體104的磁場區(qū)域內。具體的，所述磁體104環(huán)繞所述磁旋光晶體103，或者所述磁體104位于所述磁旋光晶體103的一側，或者所述磁體104位于所述磁旋光晶體103的兩側。所述固定器106帶動所述半波片105轉動，以調節(jié)所述半波片105的旋光角度。

上述實施例中的光纖隔離器還可以進一步改進成雙隔離結構的光纖隔離器。參考圖3，為本發(fā)明的又一實施例中光纖隔離器的示意圖。圖3中示意的光纖隔離器在所述第一光束隔離結構1與所述耦合準直器108之間還設置有第二光束隔離結構2。所述第二光束隔離結構2與所述第一光束隔離結構1的構造相同。

所述第一分束器102將每一束正向光分束成偏振方向互相垂直的e偏振光和o偏振光后，所述e偏振光和所述o偏振光入射至所述磁旋光晶體103。在所述磁體104的磁場作用下，所述磁旋光晶體103將所述e偏振光和所述o偏振光的偏振方向正向旋轉45度。然后，所述e偏振光和所述o偏振光入射至所述半波片105，所述半波片105將所述e偏振光和所述o偏振光的偏振方向再次正向旋轉45度。所述第二光束隔離結構2將通過所述半波片105的所述e偏振光和所述o偏振光合束成一束正向光。正向光通過所述第一光束隔離結構1后，進入到所述第二光束隔離結構2。正向光在所述第二光束隔離結構2中偏振態(tài)的變化與在所述第一光束隔離結構1中相同。通過所述第一光束隔離結構1和所述第二光束隔離結構2的正向光由所述耦合準直器108耦合至所述傳能光纖109，然后由所述輸出準直器110以正向準直光的形式輸出至所述擴束負透鏡111。所述正向準直光由所述擴束負透鏡111進行擴束，然后由所述準直正透鏡112會聚后輸出。

所述第二分束器107將每一束反向光分束成偏振方向互相垂直的e偏振光和o偏振光后，所述半波片105將所述e偏振光和所述o偏振光的偏振方向反向旋轉45度。然后，所述e偏振光和所述o偏振光入射至所述磁旋光晶體103，所述磁旋光晶體103將所述e偏振光和所述o偏振光的偏振方向正向旋轉45度。所述第一分束器102將通過所述磁旋光晶體103的所述e偏振光和所述o偏振光發(fā)散出去。當所述第二光束隔離結構2發(fā)散出來的反向光進入到所述第一光束隔離結構1時，所述第一光束隔離結構1將進一步發(fā)散反向光。所述第二光束隔離結構2與所述第一光束隔離結構1組成雙級隔離結構，增強了所述光纖隔離器的隔離度。

在一種或多種較佳的實施方式中，還可以進一步改進上述實施例中的光纖隔離器。參考圖4，為本發(fā)明的又一實施例中光纖隔離器的示意圖。圖4中示意的光纖隔離器在圖2中示意的光纖隔離器的基礎上還設置有第三光束隔離結構3和多纖準直器結構4。多束正向光從所述多纖準直器結構4入射，通過所述第三光束隔離結構3和所述第一光束隔離結構1后由所述耦合準直器108耦合至所述傳能光纖109。

所述第三光束隔離結構3包括：第三分束器301、第二磁旋光晶體302、第二磁體303、第二半波片304、第二固定器305以及第四分束器306。

其中，所述第三分束器301將每一束正向光分束為偏振方向互相垂直的e偏振光和o偏振光。所述e偏振光和所述o偏振光入射至所述第二磁旋光晶體302內，在所述第二磁體303的磁場作用下，所述第二磁旋光晶體302將所述e偏振光和所述o偏振光的偏振方向正向旋轉45度。所述e偏振光和所述o偏振光入射至所述第二半波片304，所述第二半波片304將所述e偏振光和所述o偏振光的偏振方向再次正向旋轉45度，此時所述e偏振光和所述o偏振光的偏振方向正向旋轉了90度。

所述e偏振光和所述o偏振光入射至所述第四分束器306，由于所述第四分束器306的光軸方向與所述第三分束器301的光軸方向互相垂直，因此對于所述第四分束器306而言所述e偏振光的偏振態(tài)和所述o偏振光的偏振態(tài)沒有變化，所述第四分束器將所述e偏振光和所述o偏振光合成為一束正向光。

所述第四分束器306將由反向光擴束后得到的每一束反向準直光轉化成偏振方向互相垂直的e偏振光和o偏振光。所述e偏振光和所述o偏振光入射至所述第二半波片304，所述第二半波片304將所述e偏振光和所述o偏振光的偏振方向反向旋轉45度。所述e偏振光和所述o偏振光入射至所述第二磁旋光晶體302內，在所述第二磁體303的磁場作用下，所述第二磁旋光晶體302將所述e偏振光和所述o偏振光的偏振方向正向旋轉45度。此時所述e偏振光和所述o偏振光的偏振方向旋轉了0度。所述e偏振光和所述o偏振光入射至所述第三分束器301，由于所述第四分束器306的光軸方向與所述第三分束器301的光軸方向互相垂直，因此對于所述第三分束器301而言所述e偏振光的偏振態(tài)和所述o偏振光的偏振態(tài)互換，所述第三分束器301將所述e偏振光和所述o偏振光發(fā)散出去。

在一種或多種較佳的實施方式中，所述多纖準直器結構4中鍍有一層或者多層用于提高所述多纖準直器結構4的損傷閾值的增透膜。通常，所述增透膜自身的損傷閾值應當大于15j/cm²。所述多纖準直器結構4包括光纖陣列和準直透鏡陣列。所述光纖陣列的出射端面和/或所述準直透鏡陣列的入射端面鍍有一層或者多層所述增透膜。所述光纖陣列與所述準直透鏡陣列以空間耦合的方式或者熔接的方式固定在一起。熔接所述光纖陣列與所述準直透鏡陣列的方式包括放電熔接、激光熔接等。

在一種或多種較佳的實施方式中，所述多纖準直器結構4包括光纖陣列和準直柱透鏡/非球面準直透鏡。所述光纖陣列的出射端面和/或所述準直柱透鏡/非球面準直透鏡的入射端面鍍有一層或者多層用于提高損傷閾值的增透膜。所述光纖陣列與所述準直柱透鏡/非球面準直透鏡以空間耦合的方式或者熔接的方式固定在一起。熔接所述光纖陣列與所述準直柱透鏡/非球面準直透鏡的方式包括放電熔接、激光熔接等。

在一種或多種較佳的實施方式中，所述多纖準直器結構4包括固定在一起的n個單纖準直器，n為大于等于2的整數(shù)。所述n個單纖準直器的光纖的出射端面和/或所述n個單纖準直器的準直透鏡的入射端面鍍有一層或者多層用于提高損傷閾值的增透膜。

上述實施例中的多纖準直器結構4中鍍有一層或者多層用于提高損傷閾值的增透膜，能夠大幅度提高所述光纖隔離器的損傷閾值，避免所述光纖隔離器在出光過程中燒毀。此外，所述多纖準直器結構4將激光分為多束正向光入射至所述光束隔離結構3和所述第一光束隔離結構1，因此入射至所述光束隔離結構3和所述第一光束隔離結構1的每一束正向光的能量密度降低。所述光束隔離結構3和所述第一光束隔離結構1將每一束正向光轉化成偏振方向互相垂直的e偏振光和o偏振光，最后又將所述e偏振光和所述o偏振光合成為一束正向光，因而所述光束隔離結構3和所述第一光束隔離結構1平分了每一束正向光在各個光學界面上的能量密度，降低了熱累積和熱透鏡效應。所述光束隔離結構3和所述第一光束隔離結構1將由反向光擴束后得到的每一束反向準直光轉化成偏振方向互相垂直的e偏振光和o偏振光，最后將所述e偏振光和所述o偏振光發(fā)散出去。綜上所述，上述實施例中的光纖隔離器通過提高損傷閾值以及對激光功率的承受閾值，有效避免了在出光過程中被激光燒毀，通過增強對反向光的隔離度有效提高了正向光的傳輸效率，使得所述光纖隔離器能夠應用在功率更高的激光器中。

在一種或多種較佳的實施方式中，還可以進一步改進上述實施例中的光纖隔離器。參考圖5，為本發(fā)明的一實施例中光闌101的位置示意圖。所述光闌101的通光孔的直徑x大于正向光的光斑直徑y(tǒng)，小于從所述第一分束器102發(fā)散出來的所述e偏振光和所述o偏振光內側邊緣的間距z。因此，正向光可以全部通過所述光闌101的通光孔，而從所述第一分束器102發(fā)散出來的所述e偏振光和所述o偏振光則無法入射到所述光闌101的通光孔。所述光闌101可以起到隔離反向光的作用。

在一種或多種較佳的實施方式中，還可以進一步改進所述光闌101。例如，在所述光闌101上設置反射鏡(未圖示)，用于反射從所述第一分束器102發(fā)散出來的所述e偏振光和所述o偏振光。

在一種或多種較佳的實施方式中，還可以進一步改進上述實施例中的光纖隔離器。參考圖6，為本發(fā)明的一實施例中半波片105和固定器106的示意圖。所述半波片105與所述固定器106同軸轉動。轉動所述固定器106將改變所述半波片105的旋光角度。所述固定器106上標有多條刻度線。不同的刻度線對應不同溫度下所述半波片105的旋光角度。如圖6中示意的，所述固定器106上標有5℃、10℃、15℃、20℃、25℃、30℃、35℃、40℃以及45℃的刻度線。轉動所述固定器106讓某一溫度的刻度線對準所述光纖隔離器上的基準線，所述半波片105的旋光角度將調整到對應的數(shù)值。為了精確調節(jié)所述半波片105的旋光角度，可以讓所述固定器106轉動一個較大的角度而所述半波片105轉動一個較小的角度。

當所述光纖隔離器所處的環(huán)境溫度改變時，所述磁旋光晶體103的旋光角度將會發(fā)生變化。通過轉動所述半波片105，使得所述半波片105的旋光角度與所述磁旋光晶體103的旋光角度數(shù)值相等而旋轉方向相反。因而反向入射的e偏振光和o偏振光通過所述半波片105和所述磁旋光晶體103后，偏振方向仍然旋轉0度。對于所述第一分束器102而言，反向入射的e偏振光和o偏振光通過所述半波片105和所述磁旋光晶體103后偏振態(tài)將不會改變。因此，所述第一分束器102仍然可以將反向入射的e偏振光和o偏振光以最大的偏折角發(fā)散出去。也即，所述光纖隔離器仍然以最大隔離度隔離反向光。所述第二光束隔離結構2可以采用與所述第一光束隔離結構1相同的結構來調節(jié)所述第二光束隔離結構2的隔離度，起到對反向光雙重隔離的作用。

對于正向光而言，在所述磁旋光晶體103的旋光角度和所述半波片105的旋光角度都改變后，從所述半波片105出射的e偏振光和o偏振光的偏振態(tài)將發(fā)生改變。因而從所述第二分束器107出射的正向光的光斑橢圓度會有小幅度的減小。例如，在25℃時，沿正向光的光路方向所述磁旋光晶體103的旋光角度為正向45度，所述半波片105的旋光角度也為正向45度。此時，所述光纖隔離器輸出的正向光的光斑質量最佳。假定在某一溫度時，沿正向光的光路方向所述磁旋光晶體103的旋光角度變?yōu)檎?3度，為了讓所述半波片105的旋光角度與所述磁旋光晶體103的旋光角度相等，可以讓所述半波片105反向轉動1度，使得所述半波片105的旋光角度變?yōu)檎?3度。此時，通過所述第一光束隔離結構1的正向光的光斑橢圓度會少量降低，但仍然可以由所述耦合準直器108耦合至所述傳能光纖109。而所述傳能光纖109能夠對正向光的光斑進行整形。一般而言，溫度變化20℃，所述磁旋光晶體103的旋光角度變化4度±0.5度。調整所述半波片105的旋光角度，使得所述半波片105的旋光角度與所述磁旋光晶體103的旋光角度相等，所述光纖隔離器輸出的激光的光斑橢圓度仍然在95％以上。因此通過轉動所述半波片105調整所述半波片105的旋光角度，不僅可以保證所述第一光束隔離結構1對反向光的隔離度最大，而且所述光纖隔離器仍然能夠輸出較高質量的激光。

上述實施例中，所述光纖隔離器的隔離度與正向準直光的質量不會因磁旋光晶體103的旋光角度發(fā)生變化而降低。所述光纖隔離通過所述傳能光纖109連接所述耦合準直器108和所述輸出準直器110，而所述傳能光纖109能夠對正向光的光斑進行整形。因此最終從所述準直正透鏡112出射的正向準直光仍然會是光斑橢圓度非常高的正向準直光。這有利于在所述磁旋光晶體103的旋光角度和所述半波片105的旋光角度都改變后保證正向準直光的質量。此外，所述光纖隔離器結構簡單，使用方便。

結合上述實施例中的光纖隔離器，本發(fā)明的一實施例公開一種光纖激光器。所述光纖激光器包括至少一個光纖隔離器。所述光纖隔離器為上述實施例中的任意一種光纖隔離器。

最后應說明的是：以上實施例僅用以說明本申請的技術方案，而非對其限制。盡管參照前述實施例對本申請進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解，其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替換。而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質脫離本申請各實施例技術方案的精神和范圍。