一種雙面發(fā)光的led芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及LED封裝【技術(shù)領(lǐng)域】，具體地說(shuō)是一種雙面發(fā)光的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片，芯片包括P電極、P極電流擴(kuò)散層、P氮化鎵P-Gan、N電極、N極電流擴(kuò)散層、N氮化鎵N-Gan和藍(lán)寶石襯底。本實(shí)用新型同現(xiàn)有技術(shù)相比，設(shè)計(jì)了雙面發(fā)光的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，將本實(shí)用新型的芯片倒置，并與基板表面的印刷電路通過(guò)錫球連接，一方面，由于取消了原有的DBR反射層，在P氮化鎵P-Gan和N氮化鎵N-Gan雙面發(fā)光時(shí)，提高了芯片的發(fā)光效率；另一方面，由于采用的依然是正裝芯片，相比倒裝芯片，LED燈絲的制造成本得以降低。
【專利說(shuō)明】一種雙面發(fā)光的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及LED封裝【技術(shù)領(lǐng)域】，具體地說(shuō)是一種雙面發(fā)光的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]目前，常見(jiàn)的LED燈絲內(nèi)部的芯片有兩種，一種是正裝芯片，另一種是倒裝芯片。正裝芯片電極在上方，從上至下材料為:P電極，發(fā)光層，N電極，襯底。正裝芯片大多是單面發(fā)光的，發(fā)光效率較低。正裝芯片一般采用膠水固定，正裝芯片之間采用連接線相互連接，正裝芯片是最早出現(xiàn)的芯片結(jié)構(gòu)，正裝芯片的電極擠占發(fā)光面積，從而進(jìn)一步影響了發(fā)光效率。
[0003]為了提高芯片的發(fā)光效率，技術(shù)人員研發(fā)了倒裝芯片。倒裝芯片的襯底被剝?nèi)?，芯片材料是透明的，使發(fā)光層激發(fā)出的光直接從電極的另一面發(fā)出。倒裝芯片雖然在發(fā)光效率上存在優(yōu)勢(shì)，但倒裝芯片的價(jià)格較高，制備LED燈絲的工藝也更復(fù)雜，造成生產(chǎn)成本的大幅上升。
[0004]因此，需要設(shè)計(jì)一種能夠提高發(fā)光效率且成本較低的種雙面發(fā)光的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種能夠提高發(fā)光效率且成本較低的種雙面發(fā)光的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)。
[0006]為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型設(shè)計(jì)了一種雙面發(fā)光的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片，其特征在于:芯片包括P電極、P極電流擴(kuò)散層、P氮化鎵P-Gan、N電極、N極電流擴(kuò)散層、N氮化鎵N-Gan和藍(lán)寶石襯底，藍(lán)寶石襯底的上表面貼附有N氮化鎵N_Gan，N氮化鎵N-Gan的上表面一端和中部貼附有P氮化鎵P_Gan，P氮化鎵P-Gan的上表面貼附有P極電流擴(kuò)散層，P極電流擴(kuò)散層的上表面貼附有P電極，N氮化鎵N-Gan的上表面另一端貼附有N極電流擴(kuò)散層，N極電流擴(kuò)散層的上表面貼附有N電極。
[0007]所述的芯片的P電極和N電極表面設(shè)有錫球，芯片倒置并與基板表面的印刷電路固定，芯片與印刷電路之間采用助焊劑焊接錫球固定，基板和芯片的表面、基板的底面分別涂覆有熒光膠。
[0008]所述的基板為非透明基板。
[0009]所述的P電極為金錫合金或錫凸點(diǎn)。
[0010]所述的N電極為金錫合金或錫凸點(diǎn)。
[0011]本實(shí)用新型同現(xiàn)有技術(shù)相比，設(shè)計(jì)了雙面發(fā)光的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，將本實(shí)用新型的芯片倒置，并與基板表面的印刷電路通過(guò)錫球連接，一方面，由于取消了原有的DBR反射層，在P氮化鎵P-Gan和N氮化鎵N-Gan雙面發(fā)光時(shí)，提高了芯片的發(fā)光效率；另一方面，由于采用的依然是正裝芯片，相比倒裝芯片，LED燈絲的制造成本得以降低。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖2為本實(shí)用新型的俯視圖。
[0014]圖3為本實(shí)用新型的使用示意圖。
[0015]參見(jiàn)圖1-圖3，I為P電極；2為P極電流擴(kuò)散層；3為P氮化鎵P-Gan ;4為N電極；5為N極電流擴(kuò)散層；6為N氮化鎵N-Gan ；7為藍(lán)寶石襯底；9為芯片；10為錫球；11為印刷電路；12為基板；13為熒光膠。

【具體實(shí)施方式】
[0016]現(xiàn)結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步描述。
[0017]參見(jiàn)圖1-圖2，本實(shí)用新型是一種雙面發(fā)光的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片。芯片9包括P電極1、P極電流擴(kuò)散層2、P氮化鎵P-Gan3、N電極4、N極電流擴(kuò)散層5、N氮化鎵N-Gan6和藍(lán)寶石襯底7，藍(lán)寶石襯底7的上表面貼附有N氮化鎵N_Gan6，N氮化鎵N_Gan6的上表面一端和中部貼附有P氮化鎵P_Gan3，P氮化鎵P_Gan3的上表面貼附有P極電流擴(kuò)散層2，P極電流擴(kuò)散層2的上表面貼附有P電極1，N氮化鎵N-Gan6的上表面另一端貼附有N極電流擴(kuò)散層5，N極電流擴(kuò)散層5的上表面貼附有N電極4。
[0018]本實(shí)用新型中，P電極I為金錫合金或錫凸點(diǎn)，N電極4為金錫合金或錫凸點(diǎn)。
[0019]參見(jiàn)圖3，芯片9的P電極I和N電極4表面設(shè)有錫球10，基板12的表面設(shè)有印刷電路11，芯片9倒置并與基板12表面的印刷電路11固定，芯片9與印刷電路11之間采用助焊劑焊接錫球10固定，兩個(gè)錫球10分別固定在相鄰的兩段印刷電路11上，基板12和芯片9的表面、基板12的底面分別涂覆有熒光膠13。
[0020]基板12為非透明基板，厚度小于0.5毫米，非透明基板具備透光性。
[0021]由于采用的是非透明基板，非透明基板表面和非透明基板底面的光的亮度是不一樣的，為了使兩邊的亮度相同，非透明基板表面熒光膠13的厚度大于底部的厚度。由于非透明基板底部的熒光膠13比常規(guī)的LED芯片封裝體的熒光膠薄，可以在非透明基板底部的熒光膠13表面進(jìn)行印刷。
[0022]本實(shí)用新型由P氮化鎵P-Gan和N氮化鎵N-Gan雙面發(fā)光，使芯片9的發(fā)光效率得到提聞。
[0023]本實(shí)用新型設(shè)計(jì)了雙面發(fā)光的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，將本實(shí)用新型的芯片倒置，并與基板表面的印刷電路通過(guò)錫球連接，一方面，由于取消了原有的DBR反射層，在P氮化鎵P-Gan和N氮化鎵N-Gan雙面發(fā)光時(shí)，提高了芯片的發(fā)光效率；另一方面，由于采用的依然是正裝芯片，相比倒裝芯片，LED燈絲的制造成本得以降低。
【權(quán)利要求】
1.一種雙面發(fā)光的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片，其特征在于:芯片(9)包括P電極(I)、P極電流擴(kuò)散層(2)、P氮化鎵P-Gan (3)、N電極(4)、N極電流擴(kuò)散層(5)、N氮化鎵N-Gan (6)和藍(lán)寶石襯底(7)，藍(lán)寶石襯底(7)的上表面貼附有N氮化鎵N-Gan (6)，N氮化鎵N-Gan (6)的上表面一端和中部貼附有P氮化鎵P-Gan (3)，P氮化鎵P-Gan (3)的上表面貼附有P極電流擴(kuò)散層(2)，P極電流擴(kuò)散層(2)的上表面貼附有P電極(1)，N氮化鎵N-Gan (6)的上表面另一端貼附有N極電流擴(kuò)散層(5)，N極電流擴(kuò)散層(5)的上表面貼附有N電極(4)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面發(fā)光的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述的芯片(9)的P電極(I)和N電極(4)表面設(shè)有錫球(10)，芯片(9)倒置并與基板(12)表面的印刷電路(11)固定，芯片(9)與印刷電路(11)之間采用助焊劑焊接錫球(10)固定，基板(12)和芯片(9)的表面、基板(12)的底面分別涂覆有熒光膠(13)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種雙面發(fā)光的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述的基板(12)為非透明基板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面發(fā)光的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述的P電極(I)為金錫合金或錫凸點(diǎn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面發(fā)光的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述的N電極(4 )為金錫合金或錫凸點(diǎn)。
【文檔編號(hào)】H01L33/62GK204011483SQ201420416186
【公開(kāi)日】2014年12月10日 申請(qǐng)日期:2014年7月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月25日
【發(fā)明者】胡溢文 申請(qǐng)人:胡溢文