倒裝高壓發(fā)光器件及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種倒裝高壓發(fā)光器件及其制作方法，其中所述器件包括：由多個(gè)相互串聯(lián)的倒裝發(fā)光單元構(gòu)成的發(fā)光模組，具有相對(duì)的第一表面和第二表面，各個(gè)倒裝發(fā)光單元之間具有間隙，每個(gè)發(fā)光單元包含n型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和p型半導(dǎo)體層；光轉(zhuǎn)換層，形成于所述發(fā)光模組的第一表面上，并覆蓋所述各個(gè)發(fā)光單元的側(cè)表面；絕緣層，形成于所述發(fā)光模組的第二表面上，其覆蓋所述整個(gè)發(fā)光模組的第二表面，僅露出所述發(fā)光模組的首個(gè)發(fā)光單元的n型半導(dǎo)體層和最后一個(gè)發(fā)光單元的p型半導(dǎo)體層；第一、第二支撐電極，形成于所述絕緣層上，兩者相互電性隔離，其中第一支撐電極與所述發(fā)光模組的首個(gè)發(fā)光單元的n型半導(dǎo)體層形成電性連接，第二支撐電極與所述發(fā)光模組的最后一個(gè)發(fā)光單元的p型半導(dǎo)體層形成電性連接。
【專利說(shuō)明】倒裝高壓發(fā)光器件及其制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光器件結(jié)構(gòu)及其制作方法，更具體地為一種倒裝高壓薄膜發(fā)光器件及其制作方法。

【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(英文為L(zhǎng)ight Emitting D1de,簡(jiǎn)稱LED)在日常生活中被廣泛的應(yīng)用，與傳統(tǒng)光源相比，LED具有壽命長(zhǎng)，光效高，能耗低，體積小等優(yōu)良特性，是現(xiàn)代照明發(fā)展的一個(gè)重要趨勢(shì)。
[0003]對(duì)于采用藍(lán)寶石等絕緣襯底的LED芯片來(lái)講，其襯底的導(dǎo)熱率比較低，因此橫向結(jié)構(gòu)的LED的PN結(jié)的溫度比較高。為了解決散熱的問(wèn)題，芯片的倒裝焊結(jié)構(gòu)被提出，發(fā)光效率和散熱效果都有了改進(jìn)。為了進(jìn)一步解決光取出問(wèn)題，倒裝焊結(jié)構(gòu)芯片的襯底進(jìn)一步被剝離掉形成倒裝薄膜芯片。隨著應(yīng)用的開(kāi)發(fā)，為了提高芯片的光電轉(zhuǎn)化效率，高壓芯片結(jié)構(gòu)與倒裝薄膜芯片的結(jié)合將成為另一個(gè)新的開(kāi)發(fā)應(yīng)用。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明旨在提出一種結(jié)合高壓芯片與倒裝薄膜芯片結(jié)合的發(fā)光器件以及其制作方法。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)方面，倒裝高壓發(fā)光器件，包括:由多個(gè)相互串聯(lián)的倒裝發(fā)光單元構(gòu)成的發(fā)光模組，具有相對(duì)的第一表面和第二表面，各個(gè)倒裝發(fā)光單元之間具有間隙，每個(gè)發(fā)光單元包含η型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和P型半導(dǎo)體層；光轉(zhuǎn)換層，形成于所述發(fā)光模組的第一表面上，并覆蓋所述各個(gè)發(fā)光單元的側(cè)表面；絕緣層，形成于所述發(fā)光模組的第二表面上，其覆蓋所述整個(gè)發(fā)光模組的第二表面，僅露出所述發(fā)光模組的首個(gè)發(fā)光單元的η型半導(dǎo)體層和最后一個(gè)發(fā)光單元的P型半導(dǎo)體層；第一、第二支撐電極，形成于所述絕緣層上，兩者相互電性隔離，其中第一支撐電極與所述發(fā)光模組的首個(gè)發(fā)光單元的η型半導(dǎo)體層形成電性連接，第二支撐電極與所述發(fā)光模組的最后一個(gè)發(fā)光單元的P型半導(dǎo)體層形成電性連接。
[0006]在一些實(shí)施例中，所述倒裝高壓發(fā)光器件還包括形成于所述絕緣層與所述第一、第二支撐電極之間的金屬反射層，其分為第一、第二部分，其中第一部分與所述第一支撐電極連接，第二部分與第二支撐電極連接，所述第一、第二部分分別在端部設(shè)置電極連接區(qū)，所述絕緣層未覆蓋所述電極連接區(qū)表面。
[0007]在一些實(shí)施例中，還包括形成于所述發(fā)光模組的第二表面與所述絕緣層之間的橋接金屬層，用于串聯(lián)各個(gè)倒裝發(fā)光單元。在一些較佳實(shí)施實(shí)施例中，所述橋接金屬層為反射性材料。在一些更佳實(shí)施例中，所述光轉(zhuǎn)換層填充所述各個(gè)倒裝發(fā)光單元之間的間隙并直接覆蓋在所述橋接金屬層上。
[0008]在一些實(shí)施例中，所述第一、第二支撐電極采用散熱性優(yōu)良的金屬材料。
[0009]在一些實(shí)施例中，所述第一、第二支撐電極為多層結(jié)構(gòu)，包含一反射層。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)方面，倒裝高壓發(fā)光器件的制作方法，包括步驟:1)提供一發(fā)光外延結(jié)構(gòu)，具有相對(duì)的第一表面和第二表面，依次包含η型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和P型半導(dǎo)體層，其中η型半導(dǎo)體層一側(cè)表面為第一表面，P型半導(dǎo)體層一側(cè)表面為第二表面；2)蝕刻所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的部分P型半導(dǎo)體層和發(fā)光層，露出η型半導(dǎo)體層的部分表面，從而將所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的P型半導(dǎo)體層和發(fā)光層劃分為一系列單元；3)將前述各個(gè)單元的P型半導(dǎo)體層分別與鄰近的η型半導(dǎo)體層連接，從而所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)形成并聯(lián)電性結(jié)構(gòu)；4)制作絕緣層，其覆蓋所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的第二表面，僅露出所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)首端的η型半導(dǎo)體層和末端的P型半導(dǎo)體層；5)在所述絕緣層上制作相互電性隔離的第一、第二支撐電極，其中第一支撐電極與所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)首端的η型半導(dǎo)體層形成電性連接，第二去支撐電極與所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)末端的P型半導(dǎo)體層形成電性連接；6)蝕刻所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的η型半導(dǎo)體層,從而將所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)劃分為一系列串聯(lián)的發(fā)光單兀,構(gòu)成發(fā)光模組；
7)所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的第一表面上制作光轉(zhuǎn)換層，其覆蓋所述各個(gè)發(fā)光單元的側(cè)表面。
[0011]在本制作方法中，先采用整面η型半導(dǎo)體層作并聯(lián)結(jié)構(gòu)，并可輔助作為支撐、外延生長(zhǎng)襯底剝離、η型半導(dǎo)體層的粗化等，后蝕刻η型半導(dǎo)體層形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)。
[0012]在一些實(shí)施例中，所述步驟3)中制作一橋接金屬層，將各個(gè)單元的P型半導(dǎo)體層分別與鄰近的η型半導(dǎo)體層連接。更佳的，在步驟7)形成的光轉(zhuǎn)換層直接覆蓋在所述橋接金屬層上。
[0013]在一些實(shí)施例中，步驟4 )完成后，先在所述絕緣層的表面上制作一金屬反射層，再在該金屬反射層表面上制作所述第一、第二支撐電極，其中所述金屬反射層分為相互電性隔離的第一、第二部分，其中第一部分與所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)首端的η型半導(dǎo)體層形成電性連接，第二部分與所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)末端的P型半導(dǎo)體層形成電性連接。
[0014]本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說(shuō)明書(shū)中闡述，并且，部分地從說(shuō)明書(shū)中變得顯而易見(jiàn)，或者通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而了解。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1為本發(fā)明第一個(gè)較佳實(shí)施例之一種倒裝高壓發(fā)光器件的側(cè)面剖視圖。
[0016]圖2為本發(fā)明第一個(gè)較佳實(shí)施例之一種倒裝高壓發(fā)光器件的側(cè)面剖視圖。
[0017]圖3?13顯示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施的一種倒裝高壓發(fā)光器件的制作方法。
[0018]圖1Γ15顯示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施的一種倒裝高壓發(fā)光器件的制作方法。
[0019]圖中各標(biāo)號(hào)表不:
100:藍(lán)寶石襯底；101:η型半導(dǎo)體層；102:ρ型半導(dǎo)體層和發(fā)光層；103:透明絕緣材料；104:Ρ電極層；105:Ν電極；106:橋接金屬層；107:透明絕緣材料；108:反射金屬層；108a:反射金屬層的第一部分；108b:反射金屬層的第二部分；109a:第一支撐電極；109b:第二支撐電極；110:填充材料；111:間隙；112:突光膠；113:n電極區(qū)；114:分隔區(qū)；115蝕刻區(qū)。

【具體實(shí)施方式】
[0020]下面將結(jié)合實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施作詳細(xì)說(shuō)明。
[0021]附圖1公開(kāi)了本發(fā)明的第一個(gè)較佳實(shí)施例。請(qǐng)參看附圖1，一種倒裝高壓發(fā)光器件，包括:由多個(gè)相互串聯(lián)的倒裝發(fā)光單元(LED1、LED2、LED3，圖1為了簡(jiǎn)化圖示僅示意了三個(gè)發(fā)光單元，在具體實(shí)施中，可根據(jù)實(shí)際應(yīng)用選擇發(fā)光單元的個(gè)數(shù))構(gòu)成的發(fā)光模組、形成于該發(fā)光模組上表面上的光轉(zhuǎn)換層112,形成于所述發(fā)光模組下表面上的透明絕緣層107以及形成于透明絕緣層107上的第一支撐電極109a和第二支撐電極10%。
[0022]具體地，發(fā)光模組的各個(gè)倒裝發(fā)光單元之間具有間隙111，每個(gè)發(fā)光單元包含η型半導(dǎo)體層101、發(fā)光層和P型半導(dǎo)體層102。在各個(gè)發(fā)光單元的P型半導(dǎo)體層102的表面上設(shè)有P電極層104,在發(fā)光模組的第一個(gè)發(fā)光單兀LEDl的η型半導(dǎo)體層101表面設(shè)有η電極105，該發(fā)光模組的各個(gè)發(fā)光單元之間通過(guò)橋接金屬層106連接，橋接金屬層106位于間隙111的底部；該P(yáng)電極層104、η電極105和橋接金屬層106具有良好的反射特性，其材料首選Ni/Ag/Ti/Pt，也可以為包括Cr、Al、Co、Cu、Sn、Au在內(nèi)的任何一種合金制成。光轉(zhuǎn)換層112填充各個(gè)發(fā)光單元的間隙111直接覆蓋在橋接金屬層106上，并覆蓋所述各個(gè)發(fā)光單元的側(cè)表面，從而在發(fā)光模組的外延結(jié)構(gòu)形成包裹狀。透明絕緣層107覆蓋所述整個(gè)發(fā)光模組的下表面，僅露出發(fā)光模組的首個(gè)發(fā)光單兀LEDl的η電極105和最后一個(gè)發(fā)光單元LED3的P電極層104，第一支撐電極109a與首個(gè)發(fā)光單元LEDl的η電極105連接，第二支撐電極109b與最后一個(gè)發(fā)光單元LED3的P電極層104連接。第一支撐電極109a與第二支撐電極10%之間通過(guò)填充材料110保證電性隔離，該填充材料110可選用有機(jī)光刻膠、二氧化硅、氮化硅、S0G、有機(jī)樹(shù)酯類材料、絕緣密封膠等絕緣材料，其高度以不低于支撐電極高度的95%為佳。
[0023]在本實(shí)施例中，發(fā)光模組的發(fā)光單元產(chǎn)生藍(lán)光，并通過(guò)光轉(zhuǎn)換層實(shí)現(xiàn)白光，由于各個(gè)發(fā)光單元的側(cè)壁均由光轉(zhuǎn)長(zhǎng)層112包裹，可避免藍(lán)光側(cè)漏。進(jìn)一步地，P電極層104、n電極105和橋接金屬層106具有良好的反射特性，因此可全面反射各個(gè)發(fā)光單元射下表面的光線。
[0024]附圖2公開(kāi)了本發(fā)明的第二個(gè)較佳實(shí)施例。請(qǐng)參看附圖2，該倒裝高壓發(fā)光器件還包括設(shè)置在透明絕緣層107與支撐電極之間的金屬反射層108，金屬反射層108覆蓋到發(fā)光單元之間的分隔區(qū)114的位置，該金屬反射層108分為第一部分108a和第二部分108b，其中第一部分108a與第一支撐電極109a連接，第二部分108b與第二支撐電極109b連接，且第一、第二部分分別在端部設(shè)置電極連接區(qū)108AU08B，絕緣層未覆蓋該電極連接區(qū)表面108A、108B，第一部分108a的電極連接區(qū)108A與首個(gè)發(fā)光單元LEDl的η電極105連接，第二部分108b的電極連接區(qū)108B與最后一個(gè)發(fā)光單元LED3的p電極層104連接，在本實(shí)施例中，P電極層104主要作為電流擴(kuò)展層，可不采用反射性材料構(gòu)成，透明絕緣層107為低折射率材料，與金屬反射層108構(gòu)成全方位反射鏡。
[0025]圖3?14顯示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施的一種倒裝高壓發(fā)光器件的制作方法，下面結(jié)合附圖進(jìn)行說(shuō)明。
[0026]請(qǐng)參看圖3，提供發(fā)光外延結(jié)構(gòu)，具體包括藍(lán)寶石襯底100、n型半導(dǎo)體層101、發(fā)光層和P型半導(dǎo)體層102。
[0027]請(qǐng)參看圖4，在發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的表面上定義蝕刻區(qū)115，該蝕刻區(qū)包括η電極區(qū)113和分隔區(qū)114，其中分隔區(qū)114將整個(gè)發(fā)光外延結(jié)構(gòu)劃分為一系列發(fā)光單元LED，η電極區(qū)113緊鄰分隔區(qū)114。蝕刻該發(fā)光外延結(jié)構(gòu)蝕刻區(qū)115的P型半導(dǎo)體層和發(fā)光層102，露出η型半導(dǎo)體層101的表面。請(qǐng)參看圖5，該發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的P型半導(dǎo)體層和發(fā)光層102劃分為一系列單元A。
[0028]請(qǐng)參看圖6，在各個(gè)單元A的P型半導(dǎo)體層表面上制作P電極層104，在露出的η型半導(dǎo)體層101表面上覆蓋透明絕緣材料103，并開(kāi)孔制作η電極105和橋接金屬層106，至此整個(gè)發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的各個(gè)單元A形成一個(gè)并聯(lián)結(jié)構(gòu)。
[0029]請(qǐng)參看圖7，在整個(gè)發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的表面上覆蓋透明絕緣層107，僅露出發(fā)光外延結(jié)構(gòu)首端的η電極105的部分表面和末端P電極層104a的部分表面。
[0030]請(qǐng)參看圖8，在絕緣層上制作金屬反射層108，金屬反射層108覆蓋到發(fā)光單元之間的分隔區(qū)114的位置，該金屬反射層108分為相互電性隔離的第一部分108a和第二部分108b，其中第一部分108a與發(fā)光外延結(jié)構(gòu)首端的η電極105連接，第二部分108b與發(fā)光外延結(jié)構(gòu)末端P電極層104a連接。
[0031]請(qǐng)參看圖9，采用電鍍的方式在金屬反射層108上制作第一支撐電極109a和第二支撐電極109b,電極材料首選Cu,厚度為50unT500um,并在第一、第二支撐電極中間填充絕緣材料110，其中第一支撐電極109a與金屬反射層的第一部分108a連接，第二支撐電極109b與金屬反射層的第二部分108b連接。
[0032]請(qǐng)參看圖10，利用激光剝離去除藍(lán)寶石襯底100，并用鹽酸清洗表面。
[0033]請(qǐng)參看圖11和12，從背面蝕刻發(fā)光外延結(jié)構(gòu)分隔區(qū)114的η型半導(dǎo)體層101，露出底部的透明絕緣材料103，至此整個(gè)發(fā)光外延結(jié)構(gòu)被劃分為一系列串聯(lián)的發(fā)光單元，構(gòu)成發(fā)光模組，各個(gè)單元之間具有間隙111。
[0034]請(qǐng)參看圖13，在整個(gè)發(fā)光模組的η型半導(dǎo)體表面是覆蓋一層光轉(zhuǎn)換層112，該光轉(zhuǎn)換層填充各個(gè)單元之間的間隙111，并覆蓋各個(gè)發(fā)光單元的外延結(jié)構(gòu)的側(cè)表面。
[0035]對(duì)比已知的倒裝高壓發(fā)光器件一般采用先制作高壓串聯(lián)芯片的方法，本發(fā)明制作橋接金屬層時(shí)只蝕刻至η型半導(dǎo)體層，通過(guò)η型半導(dǎo)體層形成并聯(lián)結(jié)構(gòu)，同時(shí)在整個(gè)η型半導(dǎo)體層支撐下完成材料填充，從而避免采用激光剝離生長(zhǎng)襯底后因應(yīng)力釋放導(dǎo)致橋接金屬層的斷裂，待襯底移除后再去除分隔區(qū)的η型半導(dǎo)體層形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)，避免深井填充絕緣材料的問(wèn)題以及橋接金屬層容易斷裂等風(fēng)險(xiǎn)。
[0036]圖14?圖15為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施的另一種倒裝高壓發(fā)光器件的制作方法，首先依照前述方式方法形成圖12所示結(jié)構(gòu)，接著進(jìn)一步蝕刻分隔區(qū)114的透明絕緣材料103，并露出橋接金屬層106，形成更深結(jié)構(gòu)的凹槽，其結(jié)構(gòu)圖如圖14所示。
[0037]請(qǐng)參看圖15，在整個(gè)發(fā)光模組的η型半導(dǎo)體表面是覆蓋一層光轉(zhuǎn)換層112，該光轉(zhuǎn)換層填充各個(gè)單元之間的間隙111，并覆蓋各個(gè)發(fā)光單元的外延結(jié)構(gòu)的側(cè)表面。
[0038]在本實(shí)施例中，將分隔區(qū)114的絕緣材料去除，露出橋接金屬層，提高反射率，增加光取出效率。對(duì)比已知倒裝高壓薄膜芯片，激光剝離后形成的底部是平面結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例激光剝離后利用干蝕刻制作串聯(lián)芯片后會(huì)形成凹槽結(jié)構(gòu)，將熒光層覆蓋填充后，對(duì)芯片外延形成包裹狀，在芯片級(jí)即形成白光芯片，避免側(cè)漏藍(lán)光的風(fēng)險(xiǎn)。
【權(quán)利要求】
1.倒裝高壓發(fā)光器件，包括: 由多個(gè)相互串聯(lián)的倒裝發(fā)光單兀構(gòu)成的發(fā)光模組，具有相對(duì)的第一表面和第二表面，各個(gè)倒裝發(fā)光單元之間具有間隙，每個(gè)發(fā)光單元包含η型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和P型半導(dǎo)體層； 光轉(zhuǎn)換層，形成于所述發(fā)光模組的第一表面上，并覆蓋所述各個(gè)發(fā)光單元的側(cè)表面；絕緣層，形成于所述發(fā)光模組的第二表面上，其覆蓋所述整個(gè)發(fā)光模組的第二表面，僅露出所述發(fā)光模組的首個(gè)發(fā)光單元的η型半導(dǎo)體層和最后一個(gè)發(fā)光單元的P型半導(dǎo)體層； 第一、第二支撐電極，形成于所述絕緣層上，兩者相互電性隔離，其中第一支撐電極與所述發(fā)光模組的首個(gè)發(fā)光單元的η型半導(dǎo)體層形成電性連接，第二支撐電極與所述發(fā)光模組的最后一個(gè)發(fā)光單元的P型半導(dǎo)體層形成電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝高壓發(fā)光器件，其特征在于:還包括形成于所述絕緣層與所述第一、第二支撐電極之間的金屬反射層，金屬反射層覆蓋住發(fā)光單元之間的間隙位置，其分為第一、第二部分，其中第一部分與所述第一支撐電極連接，第二部分與第二支撐電極連接，所述第一、第二部分分別在端部設(shè)置電極連接區(qū)，所述絕緣層未覆蓋所述電極連接區(qū)表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝高壓發(fā)光器件，其特征在于:還包括形成于所述發(fā)光模組的第二表面與所述絕緣層之間的橋接金屬層，用于串聯(lián)各個(gè)倒裝發(fā)光單元。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒裝高壓發(fā)光器件，其特征在于:所述橋接金屬層為反射性材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的倒裝高壓發(fā)光器件，其特征在于:所述光轉(zhuǎn)換層填充所述各個(gè)倒裝發(fā)光單元之間的間隙并直接覆蓋在所述橋接金屬層上。
6.倒裝高壓發(fā)光器件的制作方法，包括步驟: 1)提供一發(fā)光外延結(jié)構(gòu)，具有相對(duì)的第一表面和第二表面，依次包含η型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和P型半導(dǎo)體層，其中η型半導(dǎo)體層一側(cè)表面為第一表面，P型半導(dǎo)體層一側(cè)表面為第二表面； 2)蝕刻所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的部分P型半導(dǎo)體層和發(fā)光層，露出η型半導(dǎo)體層的部分表面，從而將所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的P型半導(dǎo)體層和發(fā)光層劃分為一系列單元； 3)將前述各個(gè)單元的P型半導(dǎo)體層分別與鄰近的η型半導(dǎo)體層連接，從而所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)形成并聯(lián)電性結(jié)構(gòu)； 4)制作絕緣層，其覆蓋所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的第二表面，僅露出所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)首端的η型半導(dǎo)體層和末端的P型半導(dǎo)體層； 5)在所述絕緣層上制作相互電性隔離的第一、第二支撐電極，其中第一支撐電極與所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)首端的η型半導(dǎo)體層形成電性連接，第二去支撐電極與所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)末端的P型半導(dǎo)體層形成電性連接； 6)蝕刻所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的部分η型半導(dǎo)體層,從而將所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)劃分為一系列串聯(lián)的發(fā)光單元，構(gòu)成發(fā)光模組； 7)所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)的第一表面上制作光轉(zhuǎn)換層，其覆蓋所述各個(gè)發(fā)光單元的側(cè)表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的倒裝高壓發(fā)光器件的制作方法，其特征在于:先采用整面η型半導(dǎo)體層作并聯(lián)結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的倒裝高壓發(fā)光器件的制作方法，其特征在于:步驟3)中制作一橋接金屬層，將各個(gè)單元的P型半導(dǎo)體層分別與鄰近的η型半導(dǎo)體層連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的倒裝高壓發(fā)光器件的制作方法，其特征在于:步驟7)形成的光轉(zhuǎn)換層直接覆蓋在所述橋接金屬層上。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的倒裝高壓發(fā)光器件的制作方法，其特征在于:在步驟4)完成后，先在所述絕緣層的表面上制作一金屬反射層，再在該金屬反射層上制作第一支撐電極和第二支撐電極，其中所述金屬反射層分為相互電性隔離的第一、第二部分，其中第一部分與所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)首端的η型半導(dǎo)體層形成電性連接，第二部分與所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)末端的P型半導(dǎo)體層形成電性連接。
【文檔編號(hào)】H01L33/62GK104409466SQ201410735775
【公開(kāi)日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2014年12月8日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月8日
【發(fā)明者】鐘志白, 江彥志, 方秋艷, 李佳恩, 徐宸科 申請(qǐng)人:廈門(mén)市三安光電科技有限公司