發(fā)光二極管器件及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管器件及其制作方法，其通過(guò)加熱可直接安裝于電路板上進(jìn)行使用，無(wú)需采用回流焊接設(shè)備。該發(fā)光二極管器件，包括：LED芯片，其具有相對(duì)的上表面和下表面及連接所述上、下表面的側(cè)壁，其中下表面上設(shè)有第一電極和第一電極，所述第一電極和第二電極之間具有一間隙，實(shí)現(xiàn)兩電極間的電性隔離；封裝材料層，覆蓋所述LED芯片的上表面，用于保護(hù)和支撐所述LED芯片；絕緣層，填充所述間隙，并向所述第一電極、第二電極延伸覆蓋其靠近間隙的部分表面上，其厚度大于所述第一、第二電極的厚度；焊料電極層，覆蓋所述LED芯片的第一、第二電極，當(dāng)該發(fā)光二極管器件安裝于電路板時(shí)，直接使用該焊料電極層進(jìn)行連接。
【專利說(shuō)明】發(fā)光二極管器件及其制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體照明領(lǐng)域，具體為一種白光發(fā)光二極管器件及其制作方法。

【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(英文為L(zhǎng)ight Emitting D1de,簡(jiǎn)稱LED)系利用半導(dǎo)體的P_N結(jié)電致發(fā)光原理制成的一種半導(dǎo)體發(fā)光器件。LED具有環(huán)保、亮度高、功耗低、壽命長(zhǎng)、工作電壓低、易集成化等優(yōu)點(diǎn)，是繼白熾燈、熒光燈和高強(qiáng)度放電(英文縮寫為HID)燈之后的第四代新光源。
[0003]請(qǐng)參看附圖1，為現(xiàn)有的一種白光發(fā)光二極管器件100，其包括倒裝LED芯片110和封裝材料體120，封裝材料體120覆蓋倒裝LED芯片的110的上表面和側(cè)壁，底面露出LED芯片的第一電極112和第二電極114。該白光發(fā)光二極管器件一般安裝于電路板進(jìn)行使用，但在安裝時(shí)需加入焊錫采用龐大的回流焊接設(shè)備進(jìn)行焊接，工藝復(fù)雜，成本高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對(duì)上述問(wèn)題，本發(fā)明提了一種發(fā)光二極管器件及其制作方法，其通過(guò)加熱可直接安裝于電路板上進(jìn)行使用，無(wú)需再加入焊料進(jìn)行回流焊接。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)方面，發(fā)光二極管器件，包括:LED芯片,其具有相對(duì)的上表面和下表面及連接所述上、下表面的側(cè)壁，其中下表面上設(shè)有第一電極和第一電極，所述第一電極和第二電極之間具有一間隙，實(shí)現(xiàn)兩電極間的電性隔離；封裝材料層，覆蓋所述LED芯片的上表面，用于保護(hù)和支撐所述LED芯片；絕緣層，填充所述間隙，并向所述第一電極、第二電極延伸覆蓋其靠近間隙的部分表面上，其厚度大于所述第一、第二電極的厚度；焊料電極層，覆蓋所述LED芯片的第一、第二電極，并與所述絕緣層齊平，當(dāng)該發(fā)光二極管器件安裝于電路板時(shí)，通過(guò)該焊料電極層進(jìn)行連接。
[0006]優(yōu)選地，所述LED芯片的第一、第二電極的間隙為100 μ πΓ200 μ m。
[0007]優(yōu)選地，所述LED芯片的第一、第二電極分別具有兩個(gè)端部，其中第一端部所述LED芯片下表面接觸，第二端部與所述焊料電極層接觸，所述第一電極的第二端部與第二電極的第二端部齊平。
[0008]優(yōu)選地，所述第一、第二電極和絕緣層在LED芯片上的投影占滿整個(gè)芯片的下表面。
[0009]優(yōu)選地，所述絕緣層的寬度為300 μ πΓ400 μ m。
[0010]優(yōu)選地，所述絕緣層覆蓋所述LED芯片的第一、第二電極的面積占所述第一、第二電極的表面的10%飛0%。優(yōu)選地，所述絕緣層為防焊性的材料。
[0011]優(yōu)選地，所述封裝材料層的厚度為250 μ πΓ2000 μ m。
[0012]優(yōu)選地，所述焊料電極層與絕緣層構(gòu)成一個(gè)整平的表面，其完全覆蓋所述LED芯片的下表面。
[0013]在本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述封裝材料層還覆蓋所述LED芯片的側(cè)壁，并向所述芯片外四周延伸露出部分底表面，該底面與所述LED芯片的第一、第二電極離遠(yuǎn)下表面的一側(cè)表面齊平。更佳的，所述焊料電極層還覆蓋所述封裝材料層的露出的底表面。
[0014]在本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述發(fā)光二極管器件還包括一絕緣性反射層，其覆蓋所述封裝材料層的底表面及部分所述LED芯片的第一、第二電極。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)方面，發(fā)光二極管器件的制作方法，包括步驟:提供LED芯片，其具有相對(duì)的上表面和下表面及連接所述上、下表面的側(cè)壁，其中下表面上設(shè)有第一電極和第一電極，所述第一電極和第二電極之間具有一間隙，實(shí)現(xiàn)兩電極間的電性隔離；將所述LED芯片排列在一臨時(shí)載體上,所述LED芯片的第一表面朝上；在所述LED芯片的第一表面上形成一封裝材料層，用于保護(hù)和支撐所述LED芯片；去除所述臨時(shí)載體，并翻轉(zhuǎn)所述器件使得所述LED芯片的第一、第二電極朝上；采用網(wǎng)印方式，在所述LED芯片的第二表面上形成一絕緣層，其填充所述第一、第二電極之間的間隙，并向所述第一電極、第二電極延伸覆蓋其靠近間隙的部分表面上，其厚度大于所述第一、第二電極的厚度；采用網(wǎng)印方式在所述LED芯片的第一、第二電極上形成焊料電極層，其與所述絕緣層齊平，構(gòu)成發(fā)光二極管器件，當(dāng)該發(fā)光二極管器件安裝于電路板時(shí)，通過(guò)所述焊料電極層進(jìn)行連接。
[0016]優(yōu)選地，在形成所述焊料電極層前，先形成一絕緣性反射層，其覆蓋所述封裝材料層的底表面及部分所述LED芯片的第一、第二電極。
[0017]優(yōu)選地，所述臨時(shí)載體為一粘性薄膜。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的第三個(gè)方面，發(fā)光二極管器件的制作方法，包括步驟:提供一 LED外延晶片，其具有一生長(zhǎng)襯底和形成在所述生長(zhǎng)襯底之上的發(fā)光外延疊層，定義所述生長(zhǎng)襯底一側(cè)表面為第一表面，遠(yuǎn)離生長(zhǎng)襯底的一側(cè)表面為第二表面；將所述外延晶片的發(fā)光外延疊層單兀化，并在第二表面制作第一、第二電極，形成一系列LED芯片單兀,所述第一、第二電極之間具有一間隙；提供一臨時(shí)載體，將前述處理完的LED外延晶片粘接在所述臨時(shí)載體上，所述第一表面朝上；去除所述LED外延晶片的生長(zhǎng)襯底；在所述LED外延晶片的第一表面上涂布封裝材料層；去除所述臨時(shí)載體，并翻轉(zhuǎn)所述LED外延晶片使得所述第一、第二電極朝上；采用網(wǎng)印方式，在所述LED外延晶片的第二表面上形成一絕緣層，其填充所述第一、第二電極之間的間隙，并向所述第一電極、第二電極延伸覆蓋其靠近間隙的部分表面上，其厚度大于所述第一、第二電極的厚度；采用網(wǎng)印方式在所述LED芯片的第一、第二電極上形成焊料電極層，其與所述絕緣層齊平；將所述LED外延晶片單一化，形成發(fā)光二極管器件，當(dāng)該發(fā)光二極管器件安裝于電路板中時(shí)，通過(guò)所述焊料電極層進(jìn)行連接。
[0019]優(yōu)選地，所述形成的絕緣層覆蓋所述第一、第二電極的面積占所述第一、第二電極的總表面的10%?60%。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的第四個(gè)方面，發(fā)光二極管器件的制作方法，包括步驟:提供一 LED外延晶片，其具有一生長(zhǎng)襯底和形成在所述生長(zhǎng)襯底之上的發(fā)光外延疊層，定義所述生長(zhǎng)襯底一側(cè)表面為第一表面，遠(yuǎn)離生長(zhǎng)襯底的一側(cè)表面為第二表面；在所述LED外延晶片的第二表面上形成一封裝材料層；去除所述生長(zhǎng)襯底，將所述外延晶片的發(fā)光外延疊層單元化，并在第一表面制作第一、第二電極，形成一系列LED芯片單兀,所述第一、第二電極之間具有一間隙；采用網(wǎng)印方式，在所述LED外延晶片的第一表面上形成一絕緣層，其填充所述第一、第二電極之間的間隙，并向所述第一電極、第二電極延伸覆蓋其靠近間隙的部分表面上，其厚度大于所述第一、第二電極的厚度；采用網(wǎng)印方式在所述LED芯片的第一、第二電極上形成焊料電極層，其與所述絕緣層齊平；將所述LED外延晶片單一化，形成發(fā)光二極管器件，當(dāng)該發(fā)光二極管器件安裝于電路板中時(shí)，直接使用所述焊料電極層進(jìn)行連接。
[0021]根據(jù)本發(fā)明的第五個(gè)方面，一種發(fā)光二極管器件的安裝結(jié)構(gòu)，其具有前述任意一種發(fā)光二極管器件和一電路板，所述發(fā)光二極管器件通過(guò)所述焊料電極層進(jìn)行連接與電極板連接。
[0022]根據(jù)本發(fā)明的第六個(gè)方面，一種發(fā)光二極管器件的安裝方法，包括步驟:提供一電路板；將前述任意一種發(fā)光二極管器件排放于該電路板上，其中所述焊料電極層與電路板接觸，加熱所述電路板，使所述焊料電極層熔化并固化連接所述電路板。
[0023]優(yōu)選地，預(yù)設(shè)加熱溫度和加熱時(shí)間，在加熱所述電路板時(shí)一次升溫到于該預(yù)設(shè)溫度進(jìn)行加熱，達(dá)到該預(yù)設(shè)時(shí)間后斷開加熱。在本發(fā)明中，在LED芯片的第一電極和第二電極之間加入絕緣層后制作焊料電極層，可以使LED器件不需在使用錫膏直接在加熱的電路板上熱壓貼著，不用使用龐大的回流焊設(shè)備。進(jìn)一步地，在芯片電極周圍與封裝材料層底部使用高反射絕緣層包覆，強(qiáng)化芯片與封裝材料層之間黏附機(jī)械強(qiáng)度的同時(shí)增加亮度反射效果及焊料電極層的貼著良率。
[0024]本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說(shuō)明書中闡述，并且，部分地從說(shuō)明書中變得顯而易見(jiàn)，或者通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過(guò)在說(shuō)明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0025]附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說(shuō)明書的一部分，與本發(fā)明的實(shí)施例一起用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。此外，附圖數(shù)據(jù)是描述概要，不是按比例繪制。
[0026]圖1為一種現(xiàn)有白光發(fā)光二極管器件的側(cè)面剖視圖。
[0027]圖2為本發(fā)明實(shí)施例1的立體示意圖。
[0028]圖3為本發(fā)明實(shí)施例1的剖視圖。
[0029]圖4為沿圖3中面A-A的剖面圖。
[0030]圖5為圖2所示發(fā)光二極管器件的仰視圖。
[0031]圖6為圖2所示LED器件的安裝示意圖。
[0032]圖7為圖2所示LED器件的安裝結(jié)構(gòu)示意圖。
[0033]圖8為本發(fā)明實(shí)施例2的剖視圖。
[0034]圖擴(kuò)14顯示了圖8所示LED器件的一種制作方法。
[0035]圖15?18顯示了圖8所示LED器件的另一種制作方法。
[0036]圖19為本發(fā)明實(shí)施例3的剖視圖。
[0037]圖2(Γ24顯示了圖19所示LED器件的一種制作方法。
[0038]圖中各標(biāo)號(hào)表示如下:
100、200、300、500:LED 器件；
110、210、310、410、510:LED 芯片；
112、212、312、412、512 =LED 芯片的第一電極；
114、214、314、414、514 =LED 芯片的第二電極； 120、220、320、420、420:封裝材料層；
230,330,530:絕緣層；
210a,310a:LED芯片的上表面；
210b,310b:LED芯片的下表面；
210c,310c:LED芯片的側(cè)壁；
240、340、540:焊料電極層；
260:電路板；
261:基板；
262:電路層；
350:絕緣性反射層；
360、460:臨時(shí)載體；
400 =LED外延晶片；
400a、500a:LED外延晶片的第一表面；
400b,500b:LED外延晶片的第二表面。

【具體實(shí)施方式】
[0039]下面結(jié)合示意圖對(duì)本發(fā)明的LED器件及其制作方法進(jìn)行詳細(xì)的描述，借此對(duì)本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來(lái)解決技術(shù)問(wèn)題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過(guò)程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。需要說(shuō)明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個(gè)實(shí)施例以及各實(shí)施例中的各個(gè)特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0040]圖2和圖3顯示了本發(fā)明的第一個(gè)較佳實(shí)施例。
[0041]請(qǐng)參看附圖2，一種LED器件200，包括LED芯片210、封裝材料層220和焊料電極層240，其中封裝材料層220覆蓋LED芯片210的上表面和側(cè)壁，焊料電極層240覆蓋在芯片210的下表面及封裝材料層220的底表面。
[0042]請(qǐng)參看附圖3，LED芯片210的下表面210b具有第一電極212和第二電極214，兩者之間具有一個(gè)間隙，其間隙的寬度Dl可為ΙΟΟμπι?200 μ m，在本實(shí)施例中選150 μ m。絕緣層230填充該間隙并向第一電極212、第二電極214延伸，覆蓋其靠近間隙的部分表面上，厚度大于第一、第二電極的厚度。該絕緣層230可選用防焊漆層，寬度D2為25(Γ600μπι。請(qǐng)參看附圖4，第一、第二電極和絕緣層230在LED芯片上的投影占滿整個(gè)芯片的下表面。
[0043]封裝材料層220覆蓋在LED芯片210的上表面210a和側(cè)壁210c，并向芯片外四周延伸，露出部分底表面222,該底面222與LED芯片的第一、第二電極離遠(yuǎn)下表面的一端表面齊平。該封裝材料層220的材料可為硅膠，一般為了取得白光可直接加入熒光粉。為了提高取光效率，可增加封裝材料層220的厚度，在本實(shí)施例中，可取25(Γ2000μπι。
[0044]焊料電極層240直接覆蓋在LED芯片210的第一電極、第二電極的表面和封裝材料層露出的底表面222，材料可選用錫膏。焊料電極層240與絕緣層230構(gòu)成一個(gè)整平的表面。請(qǐng)看參看圖5，焊料電極層240與絕緣層完全覆蓋LED器件200的下表面。
[0045]在本實(shí)施例，在LED芯片的第一電極和第二電極之間加入絕緣層后形成焊料電極層，可以使后續(xù)LED器件不需再涂布錫膏，直接在加熱的電路板上熱壓貼著，可不用使用龐大的回流焊設(shè)備，下面結(jié)合附圖6?7對(duì)其安裝方法和安裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。
[0046]請(qǐng)參看附圖6，提供一電路板260，至少具有基板261和電路層262，將前述LED器件200排放于該電路板上，加熱電路板260，貼合、下壓LED器件200使焊料電極層240固化連接所述電路板。，在加熱所述電路板，先預(yù)設(shè)加熱溫度和加熱時(shí)間，一次性升溫到于該預(yù)設(shè)溫度進(jìn)行加熱，達(dá)到該預(yù)設(shè)時(shí)間后斷開加熱。其安裝結(jié)構(gòu)如圖7所示。
[0047]圖8顯示了本發(fā)明的第二個(gè)較佳實(shí)施例。
[0048]請(qǐng)參看附圖8，本實(shí)施例與實(shí)施例1的區(qū)別主要在于:在LED芯片第一、第二電極的部分下表面和封裝材料層的底表面322包覆一層絕緣性反射層，較佳的采用高反射的白漆即可，其同時(shí)可起到防焊作用。下面結(jié)合附圖擴(kuò)14對(duì)LED器件的制作方法做詳細(xì)說(shuō)明。
[0049]首先，請(qǐng)參看附圖9，提供LED芯片310，其具有相對(duì)的上表面和下表面及連接該上、下表面的側(cè)壁，其中下表面上設(shè)有通過(guò)一間隙間隔的第一電極和第一電極，將該LED芯片310排列在一臨時(shí)載體360上，LED芯片310的第一表面朝上，其中該臨時(shí)載體350可采用粘性薄膜。一般可在臨時(shí)載體350排列一系列的芯片310，在圖擴(kuò)14中為了簡(jiǎn)化附圖，僅示出了兩個(gè)LED芯片。
[0050]請(qǐng)參看附圖10，在該LED芯片的第一表面上涂布一層硅膠作為封裝材料層320，可在娃膠內(nèi)摻入突光粉。
[0051]請(qǐng)參看附圖11，去除該臨時(shí)載體360，此時(shí)露出LED芯片的第二表面及封裝材料層320的部分底表面，翻轉(zhuǎn)整個(gè)樣品使得LED芯片的電極312、314朝上。
[0052]請(qǐng)參看附圖12，采用網(wǎng)印方式，在LED芯片的第二表面上形成絕緣層330，該絕緣層330填充第一、第二電極之間的間隙，并向第一電極、第二電極延伸覆蓋其靠近間隙的部分表面312a和314a上,厚度大于第一、第二電極的厚度。
[0053]請(qǐng)參看附圖13，采用網(wǎng)印方式，在封裝材料層320的底表面322及LED芯片的第一、第二電極的部分表面312b、314b及絕緣層330的表面覆蓋一層高反射漆料作為絕緣性反射層350,預(yù)留第一電極和第二電極的部分表面312c、314c露出來(lái),用于作電性連接。
[0054]請(qǐng)參看附圖14，采用網(wǎng)印方式在LED芯片第一、第二電極預(yù)留的表面312c和314c上形成焊料電極層340，該焊料電極層330同時(shí)覆蓋封裝材料層320的底表面322。至此，整個(gè)樣品遠(yuǎn)離出光面的一側(cè)表面為一平整表面。
[0055]最后，對(duì)該樣品進(jìn)行切割形成一系列LED器件，當(dāng)將LED器件安裝于電路板中時(shí)，直接使用焊料電極層340進(jìn)行連接即可。
[0056]在本實(shí)施例中，在芯片電極周圍與封裝材料層底部使用高反射漆料包覆，強(qiáng)化芯片與封裝材料層之間黏著機(jī)械強(qiáng)度外，同時(shí)增加亮度反射效果與焊料電極層貼著良率。
[0057]圖15?圖18顯示了圖8所示LED器件的另一種制作方法，該方法采用晶片級(jí)進(jìn)行制作。下面結(jié)合附圖進(jìn)行說(shuō)明。
[0058]請(qǐng)參看圖15，提供一 LED外延晶片400，該LED外延晶片400具有生長(zhǎng)襯底401和形成在生長(zhǎng)襯底之上的發(fā)光外延疊層402,其中生長(zhǎng)襯底一側(cè)表面400a為第一表面,遠(yuǎn)離生長(zhǎng)襯底的一側(cè)表面400b為第二表面。
[0059]請(qǐng)參看附圖16，將LED外延晶片400的發(fā)光外延疊層402單元化，并在第二表面400b上制作第一、第二電極，形成一系列LED芯片單元410，其中第一、第二電極之間具有間隙。
[0060]請(qǐng)參看附圖17，提供一臨時(shí)載體460，將前面處理完的LED外延晶片粘接在臨時(shí)載體460上，第一表面400a朝上，去除LED外延晶片的生長(zhǎng)襯底401，露出發(fā)光外延疊層402的表面，在該表面上涂布膠硅作為封裝材料層420。
[0061]請(qǐng)參看附圖18，去除臨時(shí)載體460，并翻轉(zhuǎn)LED外延晶片使得第一、第二電極朝上，后續(xù)采用圖12?14所示的方式繼續(xù)制作絕緣層、絕緣性反射層及焊料電極層，并進(jìn)行切割形成一系列LED器件。
[0062]圖19顯示了本發(fā)明的第三個(gè)較佳實(shí)施例。
[0063]請(qǐng)參看附圖19，本實(shí)施例與實(shí)施例1的主要區(qū)別在于:封裝材料層520僅覆蓋LED芯片520的上表面。下面結(jié)合附圖2(Γ24和制作方法對(duì)本實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0064]請(qǐng)參看附圖20，提供一 LED外延晶片，該LED外延晶片具有生長(zhǎng)襯底501和形成在生長(zhǎng)襯底之上的發(fā)光外延疊層502,其中生長(zhǎng)襯底一側(cè)表面500a為第一表面,遠(yuǎn)離生長(zhǎng)襯底的一側(cè)表面500b為第二表面。
[0065]請(qǐng)參看附圖21，在LED外延晶片的第二表面500b上形成封裝材料層520。
[0066]請(qǐng)參看附圖22，去除生長(zhǎng)襯底501，將外延晶片的發(fā)光外延疊層502單元化，并在第一表面500a制作第一、第二電極,形成一系列LED芯片單兀,第一、第二電極之間具有一間隙。
[0067]請(qǐng)參看附圖23，采用網(wǎng)印方式，在LED外延晶片的第一表面500a上形成一絕緣層530，其填充第一、第二電極之間的間隙，并向所述第一電極、第二電極延伸覆蓋其靠近間隙的部分表面上，厚度大于所述第一、第二電極的厚度。
[0068]請(qǐng)參看附圖24，采用網(wǎng)印方式，在LED芯片單元的第一、第二電極上形成焊料電極層540，其與絕緣層530構(gòu)成一個(gè)平整表面。
[0069]最后，進(jìn)行切割，形成一系列LED器件500，當(dāng)將LED器件500安裝于電路板中時(shí)，直接使用焊料電極層540進(jìn)行連接即可。
[0070]在本實(shí)施例，采有晶片級(jí)進(jìn)行制作，簡(jiǎn)單化了工藝，同時(shí)有效縮小了器件的體積。
[0071]惟以上所述者，僅為本發(fā)明之較佳實(shí)施例而已，當(dāng)不能以此限定本發(fā)明實(shí)施之范圍，即大凡依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍及專利說(shuō)明書內(nèi)容所作之簡(jiǎn)單的等效變化與修飾，皆仍屬本發(fā)明專利涵蓋之范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.發(fā)光二極管器件，包括: LED芯片，其具有相對(duì)的上表面和下表面及連接所述上、下表面的側(cè)壁，其中下表面上設(shè)有第一電極和第一電極，所述第一電極和第二電極之間具有一間隙，實(shí)現(xiàn)兩電極間的電性隔離； 封裝材料層，覆蓋所述LED芯片的上表面，用于保護(hù)和支撐所述LED芯片； 絕緣層，填充所述間隙，并向所述第一電極、第二電極延伸覆蓋其靠近間隙的部分表面上，其厚度大于所述第一、第二電極的厚度； 焊料電極層，覆蓋所述LED芯片的第一、第二電極，并與所述絕緣層齊平，當(dāng)該發(fā)光二極管器件安裝于電路板時(shí)，通過(guò)該焊料電極層進(jìn)行連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于:所述LED芯片的第一、第二電極的間隙為100 μ m "200 μ m0
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于:所述LED芯片的第一、第二電極分別具有兩個(gè)端部，其中第一端部所述LED芯片下表面接觸，第二端部與所述焊料電極層接觸，所述第一電極的第二端部與第二電極的第二端部齊平。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于:所述第一、第二電極和絕緣層在LED芯片上的投影占滿整個(gè)芯片的下表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于:所述絕緣層的寬度為250 μ m?600 μ m。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于:所述絕緣層覆蓋所述LED芯片的第一、第二電極的面積占所述第一、第二電極的表面的109Γ60%。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于:所述絕緣層為防焊性材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于:所述絕緣層為高反射絕緣材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所術(shù)的發(fā)光二極管器件，其特征在于:所述封裝材料層還覆蓋所述LED芯片的側(cè)壁，并向所述芯片外四周延伸露出部分底表面，該底面與所述LED芯片的第一、第二電極離遠(yuǎn)LED芯片下表面的一端表面齊平。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于:所述焊料電極層還覆蓋所述封裝材料層露出的底表面。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于:還包括一絕緣性反射層，其覆蓋所述封裝材料層的底表面及部分所述LED芯片的第一、第二電極，所述焊料電極層覆蓋該絕緣性反射。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于:所述封裝材料層的厚度為250 μ m ?2000 μ m。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于:所述焊料電極層與絕緣層構(gòu)成一個(gè)整平的表面，其完全覆蓋所述LED芯片的下表面。
14.發(fā)光二極管器件的制作方法，包括步驟: 提供LED芯片，其具有相對(duì)的上表面和下表面及連接所述上、下表面的側(cè)壁，其中下表面上設(shè)有第一電極和第一電極，所述第一電極和第二電極之間具有一間隙，實(shí)現(xiàn)兩電極間的電性隔離； 將所述LED芯片排列在一臨時(shí)載體上,所述LED芯片的上表面朝上； 在所述LED芯片的上表面上形成一封裝材料層，用于保護(hù)和支撐所述LED芯片； 去除所述臨時(shí)載體，并翻轉(zhuǎn)所述器件使得所述LED芯片的第一、第二電極朝上； 采用網(wǎng)印方式，在所述LED芯片的下表面上形成一絕緣層，其填充所述第一、第二電極之間的間隙，并向所述第一電極、第二電極延伸覆蓋其靠近間隙的部分表面上，厚度大于所述第一、第二電極的厚度； 采用網(wǎng)印方式在所述LED芯片的第一、第二電極上形成焊料電極層，其與所述絕緣層齊平，構(gòu)成發(fā)光二極管器件，當(dāng)該發(fā)光二極管器件安裝于電路板時(shí)，通過(guò)所述焊料電極層進(jìn)行連接。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述發(fā)光二極管器件的制作方法，其特征在于:在形成所述焊料電極層前，先形成一絕緣性反射層，其覆蓋所述封裝材料層的底表面及部分所述LED芯片的第一、第二電極。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述發(fā)光二極管器件的制作方法，其特征在于:所述臨時(shí)載體為一粘性薄膜。
17.發(fā)光二極管器件的制作方法，包括步驟: 提供一 LED外延晶片，其具有一生長(zhǎng)襯底和形成在所述生長(zhǎng)襯底之上的發(fā)光外延疊層，定義所述生長(zhǎng)襯底一側(cè)表面為第一表面，遠(yuǎn)離生長(zhǎng)襯底的一側(cè)表面為第二表面； 將所述外延晶片的發(fā)光外延疊層單元化，并在第二表面制作第一、第二電極，形成一系列LED芯片單元，所述第一、第二電極之間具有一間隙； 提供一臨時(shí)載體，將前述處理完的LED外延晶片粘接在所述臨時(shí)載體上，所述第一表面朝上； 去除所述LED外延晶片的生長(zhǎng)襯底； 在所述LED外延晶片的第一表面上涂布封裝材料層； 去除所述臨時(shí)載體，并翻轉(zhuǎn)所述LED外延晶片使得所述第一、第二電極朝上； 采用網(wǎng)印方式，在所述LED外延晶片的第二表面上形成一絕緣層，其填充所述第一、第二電極之間的間隙，并向所述第一電極、第二電極延伸覆蓋其靠近間隙的部分表面上，其厚度大于所述第一、第二電極的厚度； 采用網(wǎng)印方式在所述LED芯片的第一、第二電極上形成焊料電極層，其與所述絕緣層齊平； 將所述LED外延晶片單一化，形成發(fā)光二極管器件，當(dāng)該發(fā)光二極管器件安裝于電路板中時(shí)，通過(guò)所述焊料電極層進(jìn)行連接。
18.發(fā)光二極管器件的制作方法，包括步驟: 提供一 LED外延晶片，其具有一生長(zhǎng)襯底和形成在所述生長(zhǎng)襯底之上的發(fā)光外延疊層，定義所述生長(zhǎng)襯底一側(cè)表面為第一表面，遠(yuǎn)離生長(zhǎng)襯底的一側(cè)表面為第二表面； 在所述LED外延晶片的第二表面上形成一封裝材料層； 去除所述生長(zhǎng)襯底，將所述外延晶片的發(fā)光外延疊層單元化，并在第一表面制作第一、第二電極，形成一系列LED芯片單兀,所述第一、第二電極之間具有一間隙； 采用網(wǎng)印方式，在所述LED外延晶片的第一表面上形成一絕緣層，其填充所述第一、第二電極之間的間隙，并向所述第一電極、第二電極延伸覆蓋其靠近間隙的部分表面上，其厚度大于所述第一、第二電極的厚度； 采用網(wǎng)印方式在所述LED芯片的第一、第二電極上形成焊料電極層，其與所述絕緣層齊平； 將所述LED外延晶片單一化，形成發(fā)光二極管器件，當(dāng)該發(fā)光二極管器件安裝于電路板中時(shí)，通過(guò)所述焊料電極層進(jìn)行連接。
19.一種發(fā)光二極管器件的安裝結(jié)構(gòu)，其包括權(quán)利要求f 14中的任何一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管器件和一電路板，所述發(fā)光二極管器件通過(guò)所述焊料電極層進(jìn)行連接與電極板連接。
20.一種發(fā)光二極管器件的安裝方法，包括步驟: 提供一電路板； 將權(quán)利要求廣14中的任何一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管器件排放于該電路板上，其中所述焊料電極層與電路板接觸， 加熱所述電路板，使所述焊料電極層熔化并固化連接所述電路板。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的發(fā)光二極管器件的安裝方法，其特征在于:預(yù)設(shè)加熱溫度和加熱時(shí)間，在加熱所述電路板時(shí)一次升溫到于該預(yù)設(shè)溫度進(jìn)行加熱，達(dá)到該預(yù)設(shè)時(shí)間后斷開加熱。
【文檔編號(hào)】H01L33/62GK104183686SQ201410454696
【公開日】2014年12月3日 申請(qǐng)日期:2014年9月9日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月9日
【發(fā)明者】黃苡叡, 卓佳利, 林科闖, 林素慧, 徐宸科 申請(qǐng)人:廈門市三安光電科技有限公司