基板處理裝置及方法、基板把持機構以及基板把持方法【專利摘要】一種基板處理裝置、基板處理方法、基板把持機構以及基板把持方法。具備：對基板（W）進行研磨的研磨部（3）；搬運基板（W）的搬運機構（5、6）；以及對研磨后的基板（W）進行清洗、干燥的清洗部（4）。清洗部（4）具有用于清洗多個基板的多個清洗線。該清洗線具備多個清洗模塊（201A、201B、202A、202B），通過多個搬運機器人（209、210）來搬運基板?！緦＠f明】基板處理裝置及方法、基板把持機構以及基板把持方法[0001]本申請是申請日為2009年6月4日，申請?zhí)枮?00910141394.1，發(fā)明名稱為“基板處理裝置及方法、基板把持機構以及基板把持方法”的原申請的分案申請?！?br>技術領域：
】[0002]本發(fā)明涉及一種基板處理裝置以及基板處理方法，特別涉及為了使半導體晶片等的基板平坦而進行研磨時所使用的基板處理裝置以及基板處理方法。[0003]此外，本發(fā)明還涉及一種基板把持機構以及基板把持方法，特別是涉及適合組裝于半導體晶片等的基板的清洗裝置或干燥裝置中的基板把持機構。[0004]此外，本發(fā)明還涉及基板處理裝置中所使用的各單元、各種部件或裝置?！?br>背景技術：
】[0005]近年來，隨著半導體設備的高集成化的進步，電路的布線逐漸變得微細化，布線間距離也逐漸變得更小。在半導體設備的制造中，在硅晶片上使多種類的材料反復形成為膜狀，從而形成層積結構。為了形成該層積結構，使晶片表面平坦的技術很重要。作為這樣的使晶片的表面平坦化的一種方法，進行化學機械研磨(CMP)的研磨裝置(也稱為化學機械式研磨裝置)被廣泛使用。[0006]該化學機械研磨(CMP)裝置一般具有安裝有研磨墊(abrasivepad)的研磨臺(abrasivetable)、保持晶片的頂圈(topring)、向研磨墊上供給研磨液的噴嘴。一邊從噴嘴向研磨墊上供給研磨液，一邊通過頂圈來向研磨墊推壓晶片，再通過使頂圈和研磨臺相對移動來研磨晶片，從而使晶片表面平坦。[0007]基板處理裝置是在這樣的CMP裝置的基礎上，另外具有清洗研磨后的晶片并使其干燥的功能的裝置。對于這樣的基板處理裝置，希望能夠提高基板處理的處理效率?；逄幚硌b置具有進行研磨、清洗等的多種處理部，因此，各處理部中的處理的延遲會使基板處理裝置整體的處理效率降低。例如，在以往的基板處理裝置中設有多個研磨單元，與此相對，由于僅設有一個清洗線，因此不能夠同時清洗、干燥多個研磨后的晶片。此外，在清洗線上的多個處理工序(初次清洗、二次清洗、干燥等)之中，處理時間最慢的處理工序成為整個工藝方法中的限速(律速)工序，有時該工序決定了整個工藝方法的處理時間(處理效率)。[0008]整個基板處理裝置的處理效率不僅受到研磨部、清洗部等處理部的影響，有時還受到用于搬運晶片的搬運機構的影響。另外，頂圈和搬運機構之間的晶片的交接動作也對整體的處理效率有影響。這樣，整個基板處理裝置的處理效率取決于多個處理工序以及搬運工序。[0009]例如，基板處理裝置在多個研磨單元之間具有用于搬運晶片的直線傳送器(lineartransporter)。該直線傳送器使晶片在水平方向上直線移動，直到將晶片搬運至各研磨單元的晶片交接位置為止。然后，通過所設置的區(qū)別于直線傳送器的推進器(pusher)，朝向頂圈上推(押上(f)晶片。這樣，由于晶片的水平移動和上下移動分別通過直線傳送器以及推進器來獨立進行，因此晶片搬運所需的時間變長。[0010]此外，需要針對每個研磨單元在晶片的交接位置設置推進器，另外，需要設置XY臺(x-ystage)，該XY臺用于對頂圈和推進器之間的晶片的交接位置進行微調整。因此，晶片的整個搬運機構的結構變得復雜，還需要設置多個附帶的布線、配管。另外，在該搬運機構發(fā)生故障的情況下，可以預料到因需要訪問晶片交接位置而導致修復作業(yè)變得困難的情況。[0011]若因故障、檢修(maintenance)而引起的基板處理裝置的停機時間變長，則會導致晶片處理的成本增加。因此，最近，基板處理裝置被期望能夠容易地進行檢修作業(yè)，另外，還期望實現部件數量少、結構簡單化、低成本的基板處理裝置。[0012]例如，由于頂圈在研磨墊上的研磨位置與晶片的交接位置之間搖動，因此頂圈的搖動機構需要定期檢修。該搖動機構由支撐頂圈的旋轉軸的軸承、驅動旋轉軸的馬達以及減速器等構成。支撐頂圈的頂圈頭(topringhead)固定在較長的旋轉軸的上端,下端與減速器和馬達連結。軸承的外側配置有軸承箱，該軸承箱貫通研磨器盤(polisherpan)，該研磨器盤隔在研磨室與其下方的室之間。另外，軸承箱設置在研磨器盤的下方。這樣，包含頂圈以及頂圈頭的頂圈組合體是較長的物體且有一定重量，因此對其進行檢修時有時存在不方便的情況。[0013]此外，在以往的基板處理裝置中，由于調整頂圈的推壓力的壓力調整部設置在頂圈頭的外部，因此壓力調整部與頂圈之間的距離長，實時的推壓力變化相對于對基板的推壓力的變化指令有延遲的情況。[0014]在基板處理裝置的各研磨單元中，頂圈、整修器(dresser)的清洗使用純水。在以往的結構中，由于一個頭(header)經由多個管向各研磨單元供給純水，因此有時發(fā)生因受到其他的研磨單元的純水的使用的影響而使得某研磨單元的純水的流量不穩(wěn)定的情況。[0015]然而，在半導體設備制造工序中，在研磨處理、電鍍處理后進行基板的清洗處理、干燥處理。例如，在基板的清洗處理中，一邊通過基板把持機構把持基板，一邊使基板旋轉，在該狀態(tài)下向基板供給清洗液。作為以往的基板把持機構，已公知有通過驅動器(actuator)等驅動卡盤從而把持基板的機構?！?br/>發(fā)明內容】[0016]本發(fā)明是鑒于上述的情況而作出的，本發(fā)明的第I目的在于，提供一種能夠實現高處理效率的基板處理裝置、該基板處理裝置的構成單元以及基板處理方法。[0017]此外，本發(fā)明的第2目的在于，提供一種能夠向多個研磨單元穩(wěn)定地供給純水的純水供給機構以及純水供給方法。[0018]此外，本發(fā)明的第3目的在于，提供一種能夠迅速反應對基板的推壓力的變化指令的頂圈組件(assembly)。[0019]此外，本發(fā)明涉及對以往的基板把持機構的改良，本發(fā)明的第4目的在于，提供一種能夠通過更簡單的結構來把持基板的基板把持機構以及基板把持方法。[0020]為了達成上述的第I目的，本發(fā)明的一個方式是一種基板處理裝置，具有:研磨部，用于研磨基板；搬運機構，用于搬運基板；以及清洗部，對研磨后的基板進行清洗、干燥，該基板處理裝置的特征在于，所述清洗部具有用于清洗多個基板的多個清洗線。[0021]根據本發(fā)明，即使在多個基板連續(xù)被搬入清洗部的情況下，也能夠根據需要將基板分配給多個清洗線，能夠并行清洗上述多個基板。此外，由于能夠根據基板的清洗或者干燥所需的時間，將基板分配給多個清洗線中的某一個，因此能夠提高整個工藝方法的處理效率。另外，若使多個清洗線的處理時間均衡，則能夠進一步提高整個工藝方法的處理效率。[0022]另外，在本說明書中，“清洗線”是指，在基板被投入的清洗部的內部，一個基板通過多個清洗模塊來清洗時的移動路線。本發(fā)明中的清洗部的優(yōu)點在于，具有連續(xù)清洗I個基板的功能，同時還具有同時清洗多個基板的功能。[0023]本發(fā)明的優(yōu)選方式的特征在于，所述清洗部具有分配機構，該分配機構將基板分配至所述多個清洗線中的某一個。根據該結構，能夠根據多個清洗線之間的處理時間來分配基板(晶片)，因此能夠使清洗線的處理時間均衡。[0024]本發(fā)明的優(yōu)選方式的特征在于，所述多個清洗線具有:對基板進行初次清洗的多個初次清洗模塊；以及對基板進行二次清洗的多個二次清洗模塊。根據該結構，在某清洗模塊發(fā)生故障的情況下，不需要停止基板的清洗處理，就能夠對清洗模塊進行修理，或者更換為新的清洗模塊。[0025]本發(fā)明的優(yōu)選方式的特征在于，所述多個初次清洗模塊沿縱方向排列，所述多個二次清洗模塊沿縱方向排列。根據該結構，能夠減小占地面積(在清潔室等設置的裝置的設置面積)。另外，該情況，能夠在多個初次清洗模塊之間或者多個二次清洗模塊之間搬運基板。[0026]本發(fā)明的優(yōu)選方式的特征在于，所述清洗部具有:能夠訪問所述多個初次清洗模塊以及所述多個二次清洗模塊的第I搬運機器人；以及能夠訪問所述多個二次清洗模塊的第2搬運機器人。根據該結構，能夠通過2個搬運機器人迅速且可靠地搬運基板。[0027]本發(fā)明的優(yōu)選方式的特征在于，所述多個清洗線具有臨時放置基板的臨時放置臺。根據該結構，能夠調整基板的向清洗模塊的投入以及取出的時間，能夠靈活地變更清洗部內的基板的搬運路線。[0028]本發(fā)明的優(yōu)選方式的特征在于，所述清洗部具有多個干燥模塊，該多個干燥模塊使得通過所述多個清洗線清洗過的多個基板干燥。根據該結構，由于能夠在干燥基板后的狀態(tài)下從基板處理裝置搬出基板，能夠提供干進干出式(dry-1ndry-out)的基板處理裝置。[0029]本發(fā)明的優(yōu)選方式的特征在于，所述多個干燥模塊沿縱方向排列。根據該結構，能夠減小占地面積。[0030]本發(fā)明其他方式是一種基板處理方法，其特征在于，包括如下工序:研磨多個基板，將研磨后的多個基板搬運至多個清洗線，將所述多個基板分別分配至所述多個清洗線中的某一個，通過所述多個清洗線對所述多個基板進行清洗，對清洗后的所述多個基板進行干燥。根據本發(fā)明，通過將連續(xù)搬運的多個基板分配給多個清洗線，能夠并行清洗上述多個基板。此外，由于能夠根據基板的清洗或者干燥所需的時間，將基板分配給多個清洗線中的某一個，因此能夠提高整個工藝方法的處理效率。另外，若使多個清洗線的處理時間均衡，則能夠進一步提高整個工藝方法的處理效率。[0031]本發(fā)明的優(yōu)選方式的特征在于，并行清洗所述多個基板。這樣，由于并行清洗所述多個基板，因此能夠在短時間內清洗多個基板。[0032]本發(fā)明的優(yōu)選方式的特征在于，以規(guī)定的時間差來清洗所述多個基板。這樣，由于以規(guī)定的時間差來清洗所述多個基板，例如在需要一個一個地搬運清洗后的基板的情況下，搬運機器人能夠隔開一定的間隔連續(xù)地搬出基板。因此，基板的搬運不會造成限速，能夠提高整個工藝方法的處理效率。[0033]本發(fā)明其他方式是，一種基板處理裝置，具有:研磨部，使用頂圈來研磨基板，所述頂圈利用流體的壓力來對基板施加推壓力；搬運機構，用于搬運基板；以及清洗部，對研磨后的基板進行清洗、干燥，該基板處理裝置的特征在于，所述頂圈通過頂圈頭與支撐軸以能夠搖動的方式連結，調整所述流體的壓力的壓力調整部設置在所述頂圈頭。根據本發(fā)明，能夠解決下述的以往問題。在以往的基板處理裝置中，對于多個研磨單元，I個壓力調整部設置在頂圈頭的外部。因此，若多個研磨單元中的一部分出現問題，則需要停止調整全部的頂圈的壓力的壓力調整部。根據本發(fā)明，對于在研磨部設有多個研磨單元的情況，由于在各個研磨單元的頂圈頭上設有壓力調整部，因此能夠使為發(fā)生故障的研磨單元繼續(xù)運轉。因此，能夠防止基板處理整個工藝方法的處理效率低下。在此，從頂圈頭的輕量化的觀點來看，優(yōu)選實現頂圈的旋轉機構以及搖動機構的小型化，并優(yōu)選用輕量的材料(例如，聚乙烯樹脂，氟系樹脂等)來形成頂圈頭、頂圈的構成構件(例如，頂圈外殼)。[0034]此外，根據本發(fā)明，能夠改善作為以往的基板處理裝置的一個課題的頂圈的推壓力的響應性的延遲的問題。即，在以往的基板處理裝置中，有這樣的問題:由于在頂圈頭的外部設置有壓力調整部，因此壓力調整部和頂圈之間的距離長，實時的推壓力變化相對于對基板的推壓力的變化指令有延遲。根據本發(fā)明，由于壓力調整部設置在頂圈頭上，因此與以往的結構相比，頂圈與壓力調整部之間的距離變短。因此，能夠提高流體的壓力的響應性，能夠根據基板的表面的凹凸而迅速地改變推壓力。其結果，能夠更適當且可靠地控制頂圈對基板的推壓力。[0035]本發(fā)明的優(yōu)選方式的特征在于，使所述頂圈以所述支撐軸為中心進行搖動的搖動機構設置在所述頂圈頭。[0036]本發(fā)明的優(yōu)選方式的特征在于，所述頂圈頭以能夠裝卸的方式安裝在所述支撐軸上。根據該結構，能夠使檢修變得簡易，不停止基板處理的整個工藝方法，就能夠進行個別的頂圈頭的檢修。[0037]根據上述結構，由于在訪問容易的頂圈頭自身上設有壓力調整部、搖動機構，因此，在進行上述這些壓力調整部、搖動機構的檢修時，不需要卸下鄰接的其他的機器單元。另外，由于頂圈、頂圈頭、壓力調整部、搖動機構等能夠構成為I個模塊(單元)，因此能夠以模塊單位來更換構成搖動機構的軸承、馬達、減速器等。其結果，能夠縮短裝置停機時間(即，使成為檢修對象的機器停止的時間)。在高處理效率型基板處理裝置中，裝置的停機時間的縮短會帶來基板處理的成本的降低。這樣，在本發(fā)明中，由于能夠一邊盡可能地繼續(xù)進行運轉，一邊對作為組件的各機器進行檢修，例如，即使裝置的使用年數較長而檢修頻度變多，也能夠繼續(xù)進行基板處理，并且更換補修作業(yè)也變得容易，因此，能夠提供使用耐用年數大幅提聞的基板處理裝置。[0038]本發(fā)明的其他方式是一種基板處理裝置，具有:研磨部，具有研磨基板的多個研磨單元；搬運機構，在所述多個研磨單元之間搬運基板；以及清洗部，對研磨后的基板進行清洗、干燥，該基板處理裝置的特征在于，所述搬運機構具有:多個基板搬運臺，配置在高度不同的2個行走軸上；多個水平驅動機構，使所述多個基板搬運臺沿著所述2個行走軸在水平方向上移動；以及多個升降驅動機構，使所述多個基板搬運臺分別獨立地在上下方向上移動。[0039]根據上述結構，由于能夠同時進行基板的水平方向的搬運和上下方向的搬運，因此能夠縮短基板的搬運所需的時間。此外，由于能夠省略以往所必需的推進器，因此能夠使結構更簡單，并且能夠容易地進行搬運機構的檢修。其結果，能夠縮短基板處理裝置的停機時間。因此，能夠提供檢修性大幅提聞并且提聞了處理效率的基板處理裝置。[0040]本發(fā)明的優(yōu)選方式的特征在于，還具有:基板傳接臺，配置在與所述2個行走軸高度不同的行走軸上；水平驅動機構，使所述基板傳接臺沿著所述行走軸在水平方向上移動。根據這樣的結構，能夠同時以不同的高度在上水平方向上移動多個基板，由此能夠提高處理效率。[0041]本發(fā)明的其他方式是一種基板處理裝置，具有:研磨部，具有保持基板且能夠上下移動的頂圈；搬運機構，具有能夠進行所述頂圈和基板的交接且能夠上下移動的搬運臺；以及擋圈固定器，配置在所述頂圈和所述搬運臺之間，該基板處理裝置的特征在于，所述頂圈具有頂圈主體以及相對于該頂圈主體能夠上下移動的擋圈，所述擋圈固定器具有上推所述擋圈的多個上推機構。[0042]本發(fā)明的其他的方式是一種擋圈固定器，用于放置頂圈，該頂圈具有頂圈主體以及相對于該頂圈主體能夠上下移動的擋圈，該擋圈固定器的特征在于，具有上推所述擋圈的多個上推機構。[0043]根據上述結構，由于通過獨立于頂圈以及搬運臺的擋圈固定器來上推頂圈的擋圈，因此在晶片交接時，頂圈和搬運臺不必互相等待，能夠幾乎同時相互接近、幾乎同時離開。因此，縮短了頂圈和搬運臺之間的基板的交接時間。此外，從基板的頂圈放開的動作也不會受到擋圈的阻礙，能夠可靠地從頂圈放開基板。另外，在設有多個研磨單元的情況下，由于能夠使基板可靠地從頂圈脫離，能夠可靠地控制向搬運臺移動的交接時間，因此，能夠使搬運臺和頂圈之間的基板的交接時間均衡。其結果，能夠提高整個基板處理的處理效率。[0044]本發(fā)明的優(yōu)選方式的特征在于，所述上推機構包括:與所述擋圈接觸的上推銷；以及向上方推壓該上推銷的彈簧。[0045]本發(fā)明的優(yōu)選方式的特征在于，所述上推機構具有磨損測定器，該磨損測定器在上推所述擋圈的期間內測定所述擋圈的磨損量。[0046]本發(fā)明的優(yōu)選方式的特征在于，所述磨損測定器具備:接觸構件，與所述擋圈的下表面接觸；彈簧，向上方推壓所述接觸構件；直動式引導構件，以能夠在上下方向上移動的方式支撐所述接觸構件；以及位移測定器，測定所述接觸構件的位移。根據這樣的結構，能夠在不使整個基板處理裝置的處理效率降低的情況下，測定擋圈的磨損。[0047]本發(fā)明的其他的方式是一種基板處理方法，其特征在于，包括如下工序:使頂圈移動至基板的搬運位置，通過搬運臺將基板搬運至所述搬運位置，通過使所述頂圈下降并使該頂圈的擋圈與上推機構接觸，通過所述上推機構來上推所述擋圈，一邊使所述頂圈下降，一邊使所述搬運臺上升，將基板從所述搬運臺交給所述頂圈，使基板從所述搬運位置移動至研磨位置，對基板進行研磨。[0048]根據本發(fā)明，在進行晶片交接時，頂圈和搬運臺不必互相等待，能夠幾乎同時相互接近、幾乎同時離開。因此，縮短了頂圈和搬運臺之間的基板的交接時間。此外，從基板的頂圈放開的動作也不會受到擋圈的阻礙，能夠可靠地從頂圈放開基板。另外，在設有多個研磨單元的情況下，由于能夠使基板可靠地從頂圈脫離，能夠可靠地控制向搬運臺移動的交接時間，因此，能夠使搬運臺和頂圈之間的基板的交接時間均衡。其結果，能夠提高整個基板處理的處理效率。[0049]本發(fā)明的其他的方式是一種噴霧器，通過高壓的流體對研磨墊的研磨面進行清洗，具備:臂，具有所述流體的噴射孔；加強構件，設置在所述臂的兩側面；流體流路，與所述噴射孔連通；以及搖動軸，以自由旋轉的方式支撐所述臂，該噴霧器的特征在于，在清洗所述研磨面時的清洗位置與檢修時的退避位置之間構成了能夠旋轉的所述臂。[0050]根據本發(fā)明，僅使臂移動至退避位置，就能夠進行研磨墊的更換等的檢修。因此，不需要在檢修時進行卸下、安裝噴霧器的作業(yè)，其結果，能夠提高裝置的處理效率。[0051]為了達成上述的第2目的，本發(fā)明的一個方式是一種純水供給機構，用于向多個研磨單元供給純水，其特征在于，具備:多個分配控制部，分別設置在所述多個研磨單元內；以及純水供給管，使純水供給源和所述多個分配控制部連通。[0052]本發(fā)明的其他的方式是一種純水供給方法，其特征在于，包括如下工序:向分別設置在多個研磨單元內的多個分配控制部供給純水，從所述多個分配控制部向所述多個研磨單元內的使用位置供給純水。[0053]根據本發(fā)明，由于通過各個研磨單元來進行純水的流量的分配控制，因此能夠降低研磨單元之間的純水使用所產生的影響，能夠穩(wěn)定地供給純水。因此，能夠解決受到其他的研磨單元的純水使用的影響而導致某研磨單元的純水的流量不穩(wěn)定的問題。[0054]為了達成上述的第3目的，本發(fā)明的一個方式是頂圈組件，其特征在于，具有:頂圈，通過流體的壓力來對基板施加推壓力；頂圈頭，用于支撐所述頂圈；以及壓力調整部，設置在所述頂圈頭，對所述流體的壓力進行調整。[0055]根據本發(fā)明，由于在頂圈頭設置了壓力調整部，因此，與以往的結構相比，頂圈和壓力調整部之間的距離變短。因此，能夠提高流體的壓力的響應性，能夠根據基板的表面的凹凸而迅速地改變推壓力。其結果，能夠適當且可靠地控制頂圈對基板的推壓力。[0056]為了達成上述的第4目的，本發(fā)明的一個方式是一種基板把持機構，其特征在于，具備:基臺；基板支撐構件，支撐在所述基臺上，能夠相對于該基臺在上下方向上相對移動；基板把持部，分別設置在所述基板支撐構件的上端；驅動機構，使所述基板支撐構件上下移動；推壓機構，與所述基板支撐構件的下降連動，向基板推壓至少I個所述基板支撐構件上的所述基板把持部，與所述基板支撐構件的上升連動，使所述基板把持部離開基板。[0057]本發(fā)明的優(yōu)選方式的特征在于，所述推壓機構是與所述基板支撐構件的上下移動連動，使所述至少I個基板支撐構件繞其軸心旋轉的旋轉機構。[0058]本發(fā)明的優(yōu)選方式的特征在于，所述基板把持部是配置為偏離所述基板支撐構件的軸心的圓柱形的夾緊構件。[0059]本發(fā)明的優(yōu)選方式的特征在于，所述推壓機構具備:第I磁鐵，安裝在所述至少I個所述基板支撐構件以及所述基臺中的某一個上，第2磁鐵，安裝在所述至少I個所述基板支撐構件以及所述基臺中的另一個上，所述隨著所述基板支撐構件的上下移動，第I磁鐵變?yōu)榕c所述第2磁鐵接近的位置，在所述第I磁鐵和所述第2磁鐵接近時，通過在所述第I磁鐵和所述第2磁鐵之間產生的磁力，使所述基板支撐構件向使得所述基板把持部推壓基板的周邊部的方向移動。[0060]本發(fā)明的優(yōu)選方式的特征在于，在安裝有所述第2磁鐵的所述至少I個所述基板支撐構件或者所述基臺上，還安裝有第3磁鐵，隨著所述基板支撐構件的上下移動，所述第I磁鐵變?yōu)榕c所述第2磁鐵以及所述第3磁鐵中的某一個接近的位置。[0061]本發(fā)明的優(yōu)選方式的特征在于，在所述第I磁鐵和所述第2磁鐵接近時，通過在所述第I磁鐵和所述第2磁鐵之間產生的磁力，使所述基板支撐構件向使得所述基板把持部推壓基板的周邊部的方向繞其軸心旋轉，在所述第I磁鐵和所述第3磁鐵接近時，通過在所述第I磁鐵和所述第3磁鐵之間產生的磁力，使所述基板支撐構件向使得所述基板把持部離開基板的方向繞其軸心旋轉。[0062]本發(fā)明的優(yōu)選方式的特征在于，所述第2磁鐵以及所述第3磁鐵配置為在上下方向上相互離開。[0063]本發(fā)明的優(yōu)選方式的特征在于，在所述至少I個基板支撐構件上形成有沿其軸心延伸的槽，在所述基臺上設有與所述槽松弛卡合的突起部。[0064]本發(fā)明的優(yōu)選方式的特征在于，所述推壓機構具有:螺旋槽，形成在所述至少I個基板支撐構件上；以及銷，設置在所述基臺上，與所述螺旋槽卡合。[0065]本發(fā)明的優(yōu)選方式的特征在于，所述多個基板支撐構件是至少4個基板支撐構件，所述基板支撐構件中的相互對置的2個基板支撐構件不能夠旋轉，能夠上下移動。[0066]本發(fā)明的優(yōu)選方式的特征在于，還具有使所述基臺以及所述多個基板支撐構件旋轉的機構。[0067]本發(fā)明的其他的方式是一種基板把持機構，具備:基臺；多個基板支撐構件，支撐在所述基臺上；基板把持部以及定位部，分別設置在所述基板支撐構件的上端；以及旋轉機構，使至少一個所述基板支撐構件繞其軸心旋轉，所述基板把持部配置為偏離所述基板支撐構件的軸心，所述定位部具有沿著與所述基板支撐構件同心的圓而彎曲的側面。[0068]本發(fā)明的其他的方式是一種把持基板的基板把持方法，其特征在于，包括下述工序:在多個基板支撐構件上放置基板的工序；把持工序，使所述多個基板支撐構件下降，通過在該多個基板支撐構件的上端設置的基板把持部來推壓基板，從而把持該基板；以及離開工序，使所述多個基板支撐構件上升，使所述基板把持部離開基板。[0069]本發(fā)明的優(yōu)選方式的特征在于，所述把持工序通過使至少一個所述多個基板支撐構件旋轉，向基板推壓所述基板把持部。[0070]本發(fā)明的優(yōu)選方式的特征在于，所述多個基板支撐構件中的相互對置的2個基板支撐構件不能夠旋轉，能夠上下移動。[0071]本發(fā)明的其他的方式是一種一邊把持基板一邊清洗基板的方法，其特征在于，包括如下工序:把持工序，通過設置在多個基板支撐構件的上端的基板把持部來推壓基板，從而把持該基板，其中所述多個基板支撐構件是被旋轉罩覆蓋的構件，清洗工序，一邊使所述基板把持部所把持的基板旋轉，一邊向該基板上供給清洗液從而清洗該基板；以及離開工序，使所述多個基板支撐構件上升，使所述基板把持部離開基板，所述把持工序和所述離開工序是通過使所述多個基板支撐構件上下移動的動作來進行的。[0072]本發(fā)明的其他的方式是一種一邊把持基板一邊干燥基板的方法，其特征在于，包括如下工序:把持工序，通過設置在多個基板支撐構件的上端的基板把持部來推壓基板，從而把持該基板，其中所述多個基板支撐構件是被旋轉罩覆蓋的構件；干燥工序，一邊使所述基板把持部所把持的基板旋轉，一邊向該基板上供給包含異丙醇的蒸氣從而干燥該基板；以及離開工序，使所述多個基板支撐構件上升，使所述基板把持部離開基板，所述把持工序和所述離開工序是通過使所述多個基板支撐構件上下移動的動作來進行的。[0073]根據本發(fā)明，能夠提高基板處理的處理效率。此外，根據本發(fā)明，能夠實現檢修容易的基板處理裝置，或者能夠提供所述基板處理裝置所必需的構成單元。[0074]另外，根據本發(fā)明，由于伴隨著基板支撐構件的上下移動來產生基板的把持力，因此可以不需要電動驅動器等，從而實現了簡單結構的基板把持機構。本發(fā)明的基板把持機構能夠適用于一邊使基板旋轉一邊向基板供給清洗液的清洗裝置或者使基板旋轉而使基板干燥的干燥裝置等。由于本基板把持機構結構簡單且重量輕，因此降低了旋轉體的旋轉負荷，實現了基板把持機構的長壽命化。另外，還獲得了清洗液飛散少的優(yōu)點?！緦＠綀D】【附圖說明】[0075]圖1是表示本發(fā)明的一個實施方式的基板處理裝置的整體結構的俯視圖。[0076]圖2是示意性地表示第I研磨單元的立體圖。[0077]圖3是示意性地表示頂圈的結構的剖視圖。[0078]圖4是示意性地表示頂圈的其他的結構例的剖視圖。[0079]圖5是用于說明使頂圈旋轉及搖動的機構的剖視圖。[0080]圖6是示意性地表示研磨臺的內部結構的剖視圖。`[0081]圖7是表示具備光學式傳感器的研磨臺的示意圖。[0082]圖8是表示具備微波傳感器的研磨臺的示意圖。[0083]圖9是表示整修器的立體圖。[0084]圖10是表示整修器修整(dressing)研磨墊的研磨面時的移動軌跡的俯視圖。[0085]圖11中的圖1lA是表示噴霧器(atomizer)的立體圖，圖1lB是表示臂(arm)的下部的示意圖。[0086]圖12中的圖12A是表示噴霧器的內部結構的側視圖，圖12B是表示噴霧器的俯視圖。[0087]圖13中的圖13A是表示研磨液供給噴嘴的立體圖，圖13B是從下方觀察到的研磨液供給噴嘴的前端的放大示意圖。[0088]圖14是表示研磨部的純水供給配管的示意圖。[0089]圖15是示意性地表示第I直線傳送器的立體圖。[0090]圖16是表示第I搬運機械手的搬運臺、第2搬運機械手的搬運臺、第3搬運機械手的搬運臺以及第4搬運機械手的搬運臺的高度位置的示意圖。[0091]圖17是表示第2直線傳送器的搬運臺的高度位置的示意圖。[0092]圖18是說明在第2搬運位置、第3搬運位置、第6搬運位置、第7搬運位置設置的擋圈固定器(Ur—t')>^r—'y3>)、搬運臺、頂圈的配置的立體圖。[0093]圖19是表示擋圈固定器和搬運臺的立體圖。[0094]圖20的圖20A是表不擋圈固定器和頂圈的位直關系的側視圖，圖20B是表不擋圈固定器和搬運臺的位置關系的俯視圖。[0095]圖21是表示在擋圈固定器上放置頂圈的狀態(tài)的立體圖。[0096]圖22中的圖22A是表示上推機構的剖視圖，圖22B是表示與擋圈接觸時的上推機構的剖視圖。[0097]圖23是表示具有用于測定擋圈的磨損量的磨損測定器的擋圈固定器的立體圖。[0098]圖24是表示圖23所示的磨損測定器的放大剖視圖。[0099]圖25是表示擋圈固定器以及頂圈的側視圖。[0100]圖26是表示升降機的結構的立體圖。[0101]圖27是表示搖擺傳送器的結構的立體圖。[0102]圖28中的圖28A是表示清洗部的俯視圖，圖28B是表示清洗部的側視圖。[0103]圖29是表示清洗線的一例的示意圖。[0104]圖30是表示清洗線的一例的示意圖。[0105]圖31是表示清洗線的一例的示意圖。[0106]圖32是表示初次清洗模塊的立體圖。[0107]圖33是表示基板把持機構的縱剖視圖。[0108]圖34是表示基板把持機構的俯視圖。[0109]圖35是表示提升機構上升狀態(tài)的縱剖視圖。[0110]圖36中的圖36A是表示圖34所示的基板支撐構件以及臂的一部分的俯視圖，圖36B是沿圖34的A—A線的剖視圖，圖36C是沿圖36B的B—B線的剖視圖。[0111]圖37是用于說明第2磁鐵和第3磁鐵的配置的示意圖。[0112]圖38中的圖38A是表示通過提升機構使基板支撐構件上升時的基板支撐構件以及臂的一部分的俯視圖，圖38B是表示通過提升機構使基板支撐構件上升時的沿圖34的A-A線的剖視圖，圖38C是沿圖38B的C一C線的剖視圖。[0113]圖39A是表示從其他角度觀察到的位于夾緊位置的基板支撐構件的側視圖，圖39B是沿圖39A的D—D線的剖視圖。[0114]圖40A是表示從其他角度觀察到的位于松開位置的基板支撐構件的側視圖，圖40B是沿圖40A的E—E線的剖視圖。[0115]圖41A是基板支撐構件以及夾緊構件的變形例的放大俯視圖，圖41B是圖41A所示的基板支撐構件以及夾緊構件的側視圖。[0116]圖42A是表示把持基板的狀態(tài)的俯視圖，圖42B是表示基板的把持被松開的狀態(tài)的俯視圖。[0117]圖43A是表不基板把持機構的變形例的一部分的剖視圖，圖43B是表不圖43A所示的基板支撐構件的側視圖。[0118]圖44是表示基板把持機構安裝旋轉罩的例子的縱剖視圖。[0119]圖45是表示上側干燥模塊的縱剖視圖。[0120]圖46是表示上側干燥模塊的俯視圖。[0121]圖47是表示向干燥模塊的噴嘴供給IPA蒸氣的IPA供給單元的示意圖。【具體實施方式】[0122]以下，參照附圖對本發(fā)明的基板處理裝置的實施方式進行詳細說明。對于相同或相當的結構要素附加相同的附圖標記并省略其重復的說明。[0123]圖1是表示本發(fā)明的一個實施方式的基板處理裝置的整體結構的俯視圖。如圖1所示，該基板處理裝置具有大致矩形形狀的外殼1，外殼I的內部通過隔壁la、lb被區(qū)劃為裝載(load)/卸載(unload)部2、研磨部3、清洗部4。上述這些裝載/卸載部2、研磨部3以及清洗部4分別獨立地組合，獨立地排氣。此外，基板處理裝置具有控制基板處理動作的控制部5。[0124]裝載/卸載部2具有2個以上(本實施方式中為4個)的前裝載部20，該前裝載部20放置有儲存多個晶片(基板)的晶片盒(wafergusset)。上述這些前裝載部20與外殼I鄰接配置，沿基板處理裝置的寬度方向(長度方向和垂直方向)排列。前裝載部20中能夠搭載開放盒(opengusset)、SMIF(StandardManufacturingInterface:標準機械接口)盒或者FOUP(FrontOpeningUnifiedPod:前開式晶圓盒)。在此，SMIF、FOUP在內部收容晶片盒，通過覆蓋隔壁，成為能夠保持與外部空間獨立的環(huán)境的密閉容器。[0125]此外，在裝載/卸載部2中，沿著前裝載部20的排列方向鋪設有行走機構21，在該行走機構21上設置有能夠沿晶片盒的配列方向移動的2臺搬運機器人(裝載器)22。搬運機器人22通過在行走機構21上移動，訪問在前裝載部20上搭載的晶片盒。各搬運機器人22具有上下2個機械手，能夠分開使用上下的機械手，在將處理后的晶片放回晶片盒時使用上側的機械手，在從晶片盒取出處理前的晶片時使用下側的機械手。另外，搬運機器人22的下側的機械手構成為，能夠繞其軸心旋轉，從而使晶片翻轉。[0126]由于裝載/卸載部2是最需要保持清潔狀態(tài)的區(qū)域，裝載/卸載部2的內部總是保持著比基板處理裝置外部、研磨部3以及清洗部4中的任一個更高的壓力。研磨部3使用料漿(slurry)作為研磨液，因此是最臟的區(qū)域。因此，在研磨部3的內部形成了負壓，該壓力保持為比清洗部4的內部壓力低。裝載/卸載部2中設有具有HEPA過濾器、ULPA過濾器或者化學式過濾器等的清潔氣體過濾器的過濾器風扇單元(未圖示)，從該過濾器風扇單元總是吹出已除去微粒(particle)、有毒蒸氣、有毒氣體的清潔氣體。[0127]研磨部3進行晶片的研磨(平坦化)的區(qū)域，具備第I研磨單元3A、第2研磨單元3B、第3研磨單元3C、第4研磨單元3D。如圖1所示，上述的第I研磨單元3A、第2研磨單元3B、第3研磨單元3C以及第4研磨單元3D沿基板處理裝置的長度方向排列。[0128]如圖1所示，第I研磨單元3A具備:安裝有具有研磨面的研磨墊10的研磨臺30A；保持晶片且一邊向研磨臺30A上的研磨墊10推壓晶片一邊研磨晶片的頂圈31A;向研磨墊10供給研磨液、修整液(例如，純水)的研磨液供給噴嘴32A;對研磨墊10的研磨面進行修整的整修器33A;使液體(例如純水)和氣體(例如氮氣氣體)的混合流體或者液體(例如純水)變?yōu)殪F狀并向研磨面噴射的噴霧器34A。[0129]同樣地，第2研磨單元3B具備安裝有研磨墊10的研磨臺30B、頂圈31B、研磨液供給噴嘴32B、整修器33B、噴霧器34B，第3研磨單元3C具備安裝有研磨墊10的研磨臺30C、頂圈31C、研磨液供給噴嘴32C、整修器33C、噴霧器34C，第4研磨單元3D具備安裝有研磨墊10的研磨臺30D、頂圈31D、研磨液供給噴嘴32D、整修器33D、噴霧器34D。[0130]第I研磨單元3A、第2研磨單元3B、第3研磨單元3C以及第4研磨單元3D具有相同的結構，因此，下面僅對第I研磨單元31A進行說明。[0131]圖2是示意性地表示第I研磨單元3A的立體圖。頂圈31A被頂圈軸36支撐著。研磨臺30A的上表面上貼有研磨墊10，該研磨墊10的上表面構成了研磨晶片W的研磨面。另外，也可以取代研磨墊10而使用固定磨粒。頂圈31A以及研磨臺30A構成為如箭頭所示，繞其軸心旋轉。晶片W真空吸附在頂圈31A的下表面從而被保持。研磨時，從研磨液供給噴嘴32A向研磨墊10的研磨面供給研磨液，作為研磨對象的晶片W被頂圈31A推壓至研磨面而進行研磨。[0132]圖3是示意性地表示頂圈31A的結構的剖視圖。頂圈31A通過萬向聯軸器37與頂圈軸36的下端連結。萬向聯軸器37是球關節(jié),在允許頂圈31A和頂圈軸36相互之間的傾動的同時，將頂圈軸36的旋轉傳遞給頂圈31A。頂圈31A具備大致圓盤狀的頂圈主體38，以及在頂圈主體38的下部配置的擋圈40。頂圈主體38由金屬、陶瓷等的強度和剛性高的材料形成。此外，擋圈40由剛性高的樹脂材料或者陶瓷等形成。另外，也可以成為一體地形成擋圈40和頂圈主體38。[0133]在頂圈主體38以及擋圈40的內側形成的空間內，收容了與晶片W接觸的圓形的彈性墊42、由彈性膜構成的環(huán)狀的加壓薄板43和保持彈性墊42的大致圓盤狀的夾板(chuckingplate)44。彈性墊42的上周邊部被夾板44保持著,在彈性墊42和夾板44之間設有4個壓力室(airbag:氣囊)PUP2、P3、P4。壓力室PUP2、P3、P4由彈性墊42和夾板44形成。分別經由流路51、52、53、54向壓力室P1、P2、P3、P4供給加壓空氣等的加壓流體，或者進行抽真空處理。中央的壓力室Pl是圓形，其他的壓力室P2、P3、P4是環(huán)狀。上述這些壓力室P1、P2、P3、P4同心排列。[0134]通過后述的壓力調整部，能夠使壓力室PUP2、P3、P4的內部壓力相互獨立地變化，由此，對晶片W的4個區(qū)域，即，中央部、內側中間部、外側中間部以及周緣部的推壓力能夠獨立地調整。此外，通過使整個頂圈31A升降，能夠以規(guī)定的推壓力向研磨墊10推壓擋圈40。在夾板44和頂圈主體38之間形成有壓力室P5，經由流路55向該壓力室P5供給加壓流體，或者進行抽真空的處理。由此，能夠使得整個夾板44以及彈性墊42在上下方向上移動。[0135]晶片W的周邊部被擋圈40包圍，研磨中晶片W不會從頂圈31A中飛出。在構成壓力室P3的彈性墊42的部位形成有開口(未圖示)，通過使壓力室P3形成真空，晶片W被頂圈31A吸附保持。此外，通過向該壓力室P3供給氮氣氣體、干燥空氣、壓縮空氣等，頂圈31A放開(release)晶片W。[0136]圖4是示意性地表示頂圈31A的其他的結構例的剖視圖。在該例中，沒有設置夾板，彈性墊42安裝在頂圈主體38的下表面。此外，在夾板和頂圈主體38之間也沒有設置壓力室P5。取代上述這些設置，在擋圈40和頂圈主體38之間配置了彈性囊46，在該彈性囊46的內部形成有壓力室P6。擋圈40能夠相對于頂圈主體38上下移動。壓力室P6與流路56連通，加壓空氣等的加壓流體經由流路56被供給至壓力室P6。壓力室P6的內部壓力能夠通過后述的壓力調整部來調整。因此，能夠與對晶片W的推壓力相獨立地調整對擋圈40的研磨墊10的推壓力。其他的構成以及動作與圖3所示的頂圈的相同。在本實施方式中，能夠使用圖3或圖4中的任一種類的頂圈。[0137]圖5是用于說明使頂圈31A旋轉及搖動的機構的剖視圖。頂圈軸(例如，花鍵軸)36被頂圈頭60可自由旋轉地支撐著。此外，頂圈軸36經由滑輪(pulley)61、62以及帶63與馬達Ml的旋轉軸連結，通過馬達M1，頂圈軸36以及頂圈31A繞其軸心旋轉。該馬達Ml安裝在頂圈頭60的上部。此外，頂圈頭60和頂圈軸36通過作為上下驅動源的氣缸65而連結。通過供給至該氣缸65的氣體(壓縮氣體)，頂圈軸36以及頂圈31A成為一體地上下移動。另外，也可以取代氣缸65，而使用具有滾珠螺桿以及伺服馬達的機構來作為上下驅動源。[0138]頂圈頭60經由軸承72被支撐軸67可自由旋轉地支撐著。該支撐軸67是固定軸，是不旋轉的結構。在頂圈頭60上設有馬達M2，頂圈頭60和馬達M2的相對位置是固定的。該馬達M2的旋轉軸經由未圖示的旋轉傳遞機構(齒輪等)與支撐軸67連結，通過使馬達M2旋轉，頂圈頭60能夠以支撐軸67為中心進行搖動(搖擺)。因此，通過頂圈頭60的搖動運動，被該前端支撐的頂圈31A在研磨臺30A的上方的研磨位置和研磨臺30A的側方的搬運位置之間移動。另外，在本實施方式中，使頂圈31A搖動的搖動機構由馬達M2構成。[0139]在頂圈軸36的內部，形成有在該長度方向上延伸的貫通孔(未圖示)。上述的頂圈31A的流路51、52、53、54、55、56通過該貫通孔與設在頂圈軸36的上端的旋轉接頭(回転継手)69連接。經由該旋轉接頭69向頂圈31A供給加壓氣體(清潔氣體)、氮氣氣體等的流體，或者從頂圈31A進行氣體的真空排氣。連通上述流體通路51、52、53、54、55、56(參照圖3以及圖4)的多個流體管70與旋轉接頭69連接，上述這些流體管70與壓力調整部75連接。此外，向氣缸65供給加壓空氣的流體管71也與壓力調整部75連接。[0140]壓力調整部75具有:對向頂圈31A供給的流體的壓力進行調整的電/氣調壓閥；與流體管70、71連接的配管；在上述這些配管上設置的氣體控制閥；成為上述這些氣體控制閥的作動源的調整氣體壓力的電/氣調壓閥；在頂圈31A中形成真空的噴射泵(ejector)等,上述部件的集合構成了I個功能塊(blockorunit)。壓力調整部75固定在頂圈頭60的上部。向頂圈31A的壓力室P1、P2、P3、P4、P5(參照圖3)供給的加壓氣體、向氣缸65供給的加壓空氣的壓力通過該壓力調整部75的電/氣調壓閥來調整。同樣地，通過壓力調整部75的噴射泵，在頂圈3IA的氣囊PUP2、P3、P4內、夾板44和頂圈主體38之間的壓力室P5內形成真空。[0141]這樣，由于作為壓力調整機器的電/氣調壓閥、閥門設置在頂圈31A的附近，因此提高了頂圈31A內的壓力的控制性。更具體地將，由于電/氣調壓閥和壓力室P1、P2、P3、P4、P5的距離短，因此提高對于來自控制部5的壓力變更指令的響應性。同樣地，由于作為真空源的噴射泵也設置在頂圈31A的附近，因此提高了在頂圈31A內形成真空時的響應性。此外，可以將壓力調整部75的背面作為電裝機器的安裝用臺座來利用，以往必需的安裝用的框架也不再需要。[0142]頂圈頭60、頂圈31A、壓力調整部75、頂圈軸36、馬達Ml、馬達M2、氣缸65作為I個模塊(以下，稱為頂圈組件74)而構成。S卩，頂圈軸36、馬達Ml、馬達M2、壓力調整部75、氣缸65安裝在頂圈頭60上。頂圈頭60構成為能夠從支撐軸67上卸下。因此，通過分離頂圈頭60和支撐軸67，能夠從基板處理裝置卸下頂圈組件74。根據這樣的結構，能夠提高支撐軸67、頂圈頭60等的檢修性。例如，能夠在從軸承72發(fā)出異常噪聲時，容易地更換軸承72，此外，在更換馬達M2、旋轉傳遞機構(減速器)時，也不需要卸下相鄰的機器。[0143]圖6是示意性地表示研磨臺30A的內部結構的剖視圖。如圖6所示，在研磨臺30A的內部，埋設(埋設)有檢測晶片W的膜的狀態(tài)的傳感器76。在該例中，作為傳感器76而使用了渦流傳感器。傳感器76的信號被發(fā)送至控制部5，通過控制部5產生了表示膜厚的監(jiān)視信號。該監(jiān)視信號(以及傳感器信號)的值不表示膜厚自身，監(jiān)視信號的值按照膜厚而變化。因此，監(jiān)視信號可以稱得上是表示晶片W的膜厚的信號。[0144]控制部5根據監(jiān)視信號確定各壓力室P1、P2、P3、P4的內部壓力，向壓力調整部75發(fā)出指令，以使得各壓力室P1、P2、P3、P4中形成所確定的內部壓力?？刂撇?作為壓力控制部以及終點檢測部發(fā)揮作用，所述壓力控制部根據監(jiān)視信號對各壓力室Pl、P2、P3、P4的內部壓力進行操作，所述終點檢測部對研磨終點進行檢測。[0145]與第I研磨單元3A相同，第2研磨單元3B、第3研磨單元3C以及第4研磨單元3D的研磨臺上也設有傳感器76。控制部5根據從各研磨單元3A?3D的傳感器76傳送過來的信號而產生監(jiān)視信號，監(jiān)視在各研磨單元3A?3D中進行的晶片研磨的進展。在通過研磨單元3A?3D研磨多個晶片的情況下，控制部5在研磨中監(jiān)視表示晶片膜厚的監(jiān)視信號，根據上述這些監(jiān)視信號，控制頂圈31A?31D的推壓力，以使得在研磨單元3A?3D中進行的研磨時間大致相同。如上述這樣根據監(jiān)視信號對研磨中的頂圈31A?31D的推壓力進行調整，能夠使在研磨單元3A?3D中進行的研磨時間均衡(平準化)。[0146]晶片W可以在第I研磨單元3A、第2研磨單元3B、第3研磨單元3C、第4研磨單元3D中的某一個中進行研磨，或者通過從上述這些研磨單元3A?3D中預先選擇的多個研磨單元連續(xù)地進行研磨。例如，可以按照第I研磨單元3A—第2研磨單元3B的順序來研磨晶片W，或者也可以按照第3研磨單元3C—第4研磨單元3D的順序來研磨晶片W。另外，也可以按照第I研磨單元3A—第2研磨單元3B—第3研磨單元3C—第4研磨單元3D的順序來研磨晶片W。在任一種情況下，通過均衡全部的研磨單元3A?3D的研磨時間，能夠提聞處理效率。[0147]渦流傳感器適用于晶片的膜是金屬膜的情況。在晶片的膜是氧化膜等的具有光透過性的膜的情況下，可以使用光學式傳感器作為傳感器76?；蛘撸部梢允褂梦⒉▊鞲衅髯鳛閭鞲衅?6。微波傳感器可以適用于金屬膜以及非金屬膜的任一種情況。以下，對光學式傳感器以及微波傳感器的一例進行說明。[0148]圖7是表示具有光學式傳感器的研磨臺的示意圖。如圖7所示,在研磨臺30A的內部，埋設有檢測晶片W的膜的狀態(tài)的光學式傳感器76。該傳感器76根據向晶片W照射光后來自晶片W的反射光的強度(反射強度或者反射率)，檢測晶片W的膜的狀態(tài)(膜厚等)。[0149]此外，在研磨墊10上，安裝有透光部77，該透光部77用于透過來自傳感器76的光。該透光部77由透過率高的材質形成，例如，由無發(fā)泡聚氨基甲酸乙酯等形成?；蛘?，在研磨墊10上設置貫通孔，也可以在該貫通孔被晶片W堵住期間，從下方流出透明液，以此來構成透光部77。透光部77配置在穿過被保持在頂圈3IA的晶片W的中心的位置。[0150]如圖7所示，傳感器76具備:光源78a;使來自光源78a的光照射晶片W的被研磨面的作為發(fā)光部的發(fā)光光纖78b;接受來自被研磨面的反射光的作為受光部的受光光纖78c;分光器單元78d，在內部包括有對受光光纖78c所接收的光進行分光的分光器以及將被該分光器分光后的光作為電信息而蓄積的多個受光兀件；對光源78a的點燈以及熄燈、分光器單元78d內的受光元件的讀取開始的定時等進行控制的動作控制部78e;向動作控制部78e供給電力的電源78f。另外，經由動作控制部78e向光源78a以及分光器單元78d供給電力。[0151]發(fā)光光纖78b的發(fā)光端和受光光纖78c的受光端構成為相對晶片W的被研磨面大致垂直。作為分光器單元78d內的受光元件，例如能夠使用128個元件的光電二極管陣列。分光器單元78d與動作控制部78e連接。來自分光器單元78d內的受光元件的信息被送至動作控制部78e，根據該信息產生反射光的光譜數據。S卩，動作控制部78e讀取在受光元件中蓄積的電信息而產生反射光的光譜數據。該光譜數據表示按波長分解的反射光的強度，隨著膜厚而變化。[0152]動作控制部78e與上述的控制部5連接。這樣，由動作控制部78e產生的光譜數據發(fā)送至控制部5。在控制部5中，根據從動作控制部78e接收的光譜數據，計算出與晶片W的膜厚建立了關聯的特性值，并將其作為監(jiān)視信號來使用。[0153]圖8是表示具備微波傳感器的研磨臺的示意圖。傳感器76具備:向晶片W的被研磨面照射微波的天線80a；向天線80a供給微波的傳感器主體80b;連接天線80a和傳感器主體80b的導波管81。天線80a埋設在研磨臺30A中，配置為與被頂圈3IA保持的晶片W的中心位置相對。[0154]傳感器主體80b具備:產生微波并向天線80a供給微波的微波源80c;對微波源80c所產生的微波(入射波)和從晶片W的表面反射的微波(反射波)進行分離的分離器80d；接收被分離器80d分離后的反射波并檢測反射波的振幅以及相位的檢測部80e。另外，作為分離器80d,優(yōu)選使用方向性結合器。[0155]天線80a經由導波管81與分離器80d連接。微波源80c與分離器80d連接，由微波源80c產生的微波經由分離器80d以及導波管81被供給至天線80a。從天線80a向晶片W照射微波，微波透過(貫通)研磨墊10而到達晶片W。來自晶片W的反射波再次透過研磨墊10之后，被天線80a接收。[0156]反射波經由導波管81從天線80a被送至分離器80d，通過分離器80d而分離為入射波和反射波。將被分離器80d分離后的反射波送至檢測部80e。在檢測部80e中檢測反射波的振幅以及相位。反射波的振幅被檢測為電力(dbm或者W)或者電壓(V)，反射波的相位利用在檢測部80e中內置的相位計測器(未圖示)來檢測。由檢測部80e檢測出的反射波的振幅以及相位被送至控制部5，在此，根據反射波的振幅以及相位來解析晶片W的金屬膜、非金屬膜等的膜厚。通過控制部5來監(jiān)視解析的值，并作為監(jiān)視信號。[0157]圖9是表示能夠作為本發(fā)明的一個實施例來使用的表示整修器33A的立體圖。如圖9所示，整修器33A具備:整修器臂85;在整修器臂85的前端可自由旋轉地安裝的修整構件86;與整修器臂85的另一端連結的搖動軸88;使整修器臂85以搖動軸88為中心進行搖動(搖擺)的作為驅動機構的馬達89。修整構件86具有圓形的修整面，在修整面上固定有硬質的粒子。作為該硬質的粒子，能夠舉出金剛石粒子、陶瓷粒子等。在整修器臂85內，內置有未圖示的馬達，修整構件86通過該馬達進行旋轉。搖動軸88與未圖示的升降機構連結，通過該升降機構使整修器臂85下降，從而使修整構件86推壓研磨墊10的研磨面。[0158]圖10是表示整修器33A對研磨墊10的研磨面進行修整時的移動軌跡的俯視圖。如圖10所示，整修器臂85比研磨墊10的半徑長，搖動軸88位于研磨墊10的徑向外側。在對研磨墊10的研磨面進行修整時，使研磨墊10旋轉，并且通過馬達使修整構件86旋轉，接著，通過升降機構使整修器臂85下降，使修整構件86與旋轉的研磨墊10的研磨面滑接(摺接)。在該狀態(tài)下，通過馬達89使整修器臂85搖動(搖擺)。在研磨墊10的修整中，從研磨液供給噴嘴32A向研磨墊10的研磨面供給作為修整液的純水。由于整修器臂85的搖動，位于該前端的修整構件的移動86如圖10所示，從研磨墊10的研磨面的一端開始，經由研磨面的中心部而橫穿過研磨面，直到另一端為止。通過該搖動動作，修整構件86能夠對包含研磨墊10的研磨面的中心的整個面進行修整，能夠大幅度提高對研磨面的修整效果。因此，能夠平均地對整個研磨面進行修整，從而獲得平坦的研磨面。[0159]另外，修整結束后，如圖10所示，整修器臂85移動至研磨臺30A的一側的待機位置Al。在進行整修器33A的檢修時，整修器臂85移動至與待機位置Al大致相反側的檢修位置A4。另外，如圖10所示，在修整期間，也可以使整修器臂85在位于研磨面的端部的位置A2和位于研磨面的中心的位置A3之間搖動。根據這樣的動作，能夠迅速進行修整動作，并且能夠可靠地結束修整動作。[0160]在上述的例子中，通過與搖動軸88連結的升降機構，使整修器臂85以及修整構件86成為一體地上下移動，但也可以在整修器臂85中內置升降機構，通過該升降機構使修整構件86上下移動。另外，在其他的變形例中，也可以既設置使搖動軸88上下移動的第I升降機構，又在整修器臂85中內置使修整構件86上下移動第2升降機構。在該情況下，在通過第I升降機構使整修器臂85下降并且整修器臂85變?yōu)橐?guī)定的高度位置的時刻，可以通過第2升降機構使修整構件86下降。根據這樣的結構，能夠正確地調整修整時對研磨面的推壓力、修整構件86的高度。[0161]圖1lA是表示噴霧器34A的立體圖。噴霧器34A具備:在下部具有I個或者多個噴射孔的臂90;與該臂90連結的流體流路91;支撐臂90的搖動軸94。圖1lB是表示臂90的下部的示意圖。在圖1lB所示的例子中，在臂90的下部等間隔地形成有多個噴射孔90a。作為流體流路91,可以由軟管(tube)、或者管、或者它們的組合來構成。[0162]圖12A是表示噴霧器34A的內部結構的側視圖，圖12B是表示噴霧器34A的俯視圖。流體流路91的開口端部與未圖示的流體供給管連接，流體從該流體供給管被供給至流體流路91。作為所使用的流體的例子，可以舉出液體(例如純水)或者液體和氣體的混合流體(例如，純水和氮氣氣體的混合流體)等。流體流路91與臂90的噴射孔90a連通，流體變?yōu)殪F狀，并從噴射孔90a向研磨墊10的研磨面噴射。[0163]如圖1lA以及圖12B的虛線所示，臂90能夠以搖動軸94為中心在清洗位置和退避位置之間旋轉。臂90的可動角度約90°。通常，臂90位于清洗位置，如圖1所示，沿研磨墊10的研磨面的徑向配置。在進行研磨墊10的更換等的檢修時，通過機械手動使臂90移動至退避位置。因此，在檢修時不需要卸下臂90，能夠提高檢修性。另外，也可以將旋轉機構與搖動軸94連結，通過該旋轉機構使臂90旋轉。[0164]如圖12B所示，在臂90的兩側面，設有形成互相不同的2個加強構件96、96。通過設置這樣的加強構件96、96，在清洗位置和退避位置之間進行臂90的旋轉動作時，臂90的軸心不會大幅度地振動，能夠高效地進行噴霧動作。此外，噴霧器34A具有用于固定臂90的旋轉位置(臂90能夠旋轉的角度范圍)的控制桿95。S卩，通過操作控制桿95，能夠根據條件來調整臂90所能夠旋轉的角度。若轉動控制桿95，則臂90變?yōu)槟軌蜃杂傻匦D，通過機械手動使臂90在清洗位置和退避位置之間移動。而且，若擰緊控制桿95，則臂90的位置固定在了清洗位置和退避位置之間的某一處。[0165]噴霧器的臂90可以是能夠折疊的結構。具體地講，臂90也可以是由通過關節(jié)(joint)連結的至少2個臂構件的結構。在該情況下，折疊時的臂構件互相形成的角度為1°以上45°以下，優(yōu)選5°以上30°以下。若臂構件所成的角度比45°大，則臂90所占的空間變大，若不足1°，則臂90的寬度不得不變薄，機械的強度變低。在該例中，也可以構成為臂90不繞搖動軸94旋轉。在進行研磨墊10的更換等的檢修時，通過折疊臂90，能夠使噴霧器不會影響檢修作業(yè)。作為其他的變形例，也可以使噴霧器的臂90是自由伸縮的結構。在該例中，通過在檢修時縮短臂90，從而噴霧器不會影響檢修作業(yè)。[0166]設置該噴霧器34A的目的是利用高壓的流體沖洗在研磨墊10的研磨面上殘留的研磨屑、磨粒等。通過噴霧器34A的流體壓對研磨面的凈化，以及機械的接觸的整修器33A對研磨面的修整作業(yè)，能夠實現更好的修整，即能夠實現研磨面的再生。通常在通過接觸型的整修器(金剛石整修器等)進行修整后，通過噴霧器對研磨面進行再生的情況較多。[0167]圖13A是表示研磨液供給噴嘴32A的立體圖，圖13B是從下方觀察到的研磨液供給噴嘴32A的前端的放大示意圖。如圖13以及圖13B所示，研磨液供給噴嘴32A具備:用于向研磨墊10的研磨面供給純水、料漿等的研磨液的多個軟管100;覆蓋上述多個軟管100的管臂101;支撐管臂101的搖動軸102。多個軟管100通常由用于供給純水的純水供給軟管和供給不同種類的料漿的多個料漿供給軟管構成。多個軟管100，例如，可以由聯通料漿的2個以上4個以下(例如3個)的料漿供給軟管和聯通純水的I個或者2個純水供給軟管構成。[0168]多個軟管100穿過管臂101的內部延伸至管臂101的前端，管臂101幾乎覆蓋軟管100的全部。在管臂101的前端固定有加強構件103。軟管100的前端位于研磨墊10的上方，從軟管100向研磨墊10的研磨面上供給研磨液。圖13A所示的箭頭表示向研磨面供給的研磨液。搖動軸102與未圖示的旋轉機構(馬達等)連結，通過使搖動軸102旋轉，能夠向研磨面上的所期望的位置供給研磨液。在進行研磨墊10的更換等的檢修時，利用旋轉機構使管臂101以搖動軸102為中心搖動，移動至研磨臺30A的一側的退避位置。[0169]如上所述，由于管臂101覆蓋了大致全部的多個軟管100，與管臂101沒有覆蓋多個軟管100的情況相比，能夠減小噴嘴32A整體的表面積。因此，在研磨或噴霧器的處理過程中上揚的料漿的一部分所附著的面積變小。其結果，防止了因附著的料漿的下落而引起的對研磨工藝方法的不好的影響，另外研磨液供給噴嘴32A的清洗也變得容易。[0170]圖14是表示研磨部3的純水供給配管的示意圖。在該基板處理裝置中，第I研磨單元3A和第2研磨單元3B作為I個單元構成了第I研磨部3a，第3研磨單元3C和第4研磨單元3D作為I個單元構成了第2研磨部3b。第I研磨部3a和第2研磨部3b構成為能夠分開的結構。如上所述，研磨部3使用純水、空氣、氮氣氣體等的多種流體。例如，如圖14所示，從未圖示的純水供給源向基板處理裝置的純水供給管110供給純水(DIW)。該純水供給管110穿過研磨部3的研磨單元3A、3B、3C、3D而延伸，與分別設置在上述這些研磨單元3A、3B、3C、3D的分配控制部113連接。[0171]純水供給管110在第I研磨部3a和第2研磨部3b之間被分開，分開的純水供給管110的端部之間通過未圖示的連結機構來連結。作為各研磨單元所使用的純水的用途，可以舉出用于頂圈的清洗(例如，頂圈的外周側面的清洗、基板保持面的清洗、擋圈的清洗)、晶片的搬運機械手的清洗(例如，后述的第I以及第2直線傳送器的搬運機械手的清洗)、研磨后的晶片的清洗、研磨墊的修整、整修器的清洗(例如，修整構件的清洗)、整修器臂的清洗、研磨液供給噴嘴的清洗以及由噴霧器進行的研磨墊的清洗的情況。[0172]純水通過純水供給管110流入各分配控制部113，通過各分配控制部113而向各使用位置(pointofuse)分配。使用位置是上述的頂圈清洗用的噴嘴、整修器清洗用的噴嘴等的使用純水的位置。從分配控制部113向設置在研磨單元內的清洗噴嘴(例如，上述的頂圈清洗用的噴嘴、整修器清洗用的噴嘴)等的末端機器供給純水。例如，向上述的研磨液供給噴嘴的純水供給軟管100(參照圖13A)供給由每個研磨單元的分配控制部113調整后的流量的純水。這樣，由于每個研磨單元都配置有分配控制部113，與從I個頭經由多個管向各研磨單元供給的以往的結構相比，能夠減少管的數量。此外，由于這還意味著，連接第I研磨部3a和第2研磨部3b之間的管的連結機構變少，因此在結構變得簡單的同時，能夠降低純水泄漏的風險。另外，由于噴霧器需要大量的純水，如圖14所示，優(yōu)選設置噴霧器專用的純水供給管112。[0173]各分配控制部113具備:與頂圈清洗用的噴嘴(未圖示)、純水供給軟管100(參照圖13A)等的使用位置連通的閥門室113a;設在閥門室113a的上游側的壓力計113b;設在該壓力計113b的上游側的流量調節(jié)器113c。閥門室113a具有分別與使用位置連通的多個管和分別設置在上述這些管上的閥門。[0174]壓力計113b測定送向閥門室113a的純水的壓力，流量調節(jié)器113c調整純水的流量，以使壓力計113b的測定值維持為規(guī)定的值。這樣，由于在各個研磨單元中進行純水的流量的控制，因此能夠降低研磨單元之間的純水的使用所產生的影響，能夠穩(wěn)定地供給純水。因此，能夠解決以往的結構中的問題，即，由于受到其他的研磨單元中的純水的使用的影響而導致某研磨單元中的純水的流量不穩(wěn)定。另外，在圖14所示的例子中，各研磨單元設有流量調節(jié)器113c，但也可以每2個研磨單元配置I個流量調節(jié)器113c。例如，也可以在分別設置于研磨單元3A、3B的2個閥門室113a的上游側設置I組壓力計113b以及流量調節(jié)器113c，同樣地，在分別設置于研磨單元3C、3D的2個閥門室113a的上游側設置I組壓力計113b以及流量調節(jié)器113c。[0175]在圖14所示的例子中，除了頂圈清洗用的噴嘴(未圖示)、純水供給軟管100等的用于使用位置的純水供給管110之外，還設置有噴霧器34A、34B、34C、34D專用的純水供給管112。純水供給管112與噴霧器34A、34B、34C、34D連接，在噴霧器34A、34B、34C、34D的上游側，分別設有流量控制部114。該流量控制部114調整從純水供給管112供給的純水的流量，將該調整后的流量的純水送至噴霧器。[0176]各個流量控制部114與上述的分配控制部113相同，具有閥門、壓力計、流量調節(jié)器，它們的配置與分配控制部113的配置相同?？刂撇?根據流量控制部114的壓力計的測定值，控制流量控制部114的流量調節(jié)器的動作，以使得向各噴霧器供給規(guī)定的流量的純水。[0177]如圖14所示，純水供給管110和純水供給管112分別獨立地與純水供給源連結，確保了獨立的純水供給路線。根據這樣的配置，能夠防止在噴霧器的純水的使用對在其他的使用位置的純水的流量造成影響。[0178]另外，圖14對供給純水的純水供給管110進行了說明，但圖14所示的配管以及分配控制部的配置也能夠適用于空氣、氮氣氣體、料漿等的其他的流體的供給管。例如，設置輸送多個種的料漿的多個料漿供給管，可以在每個研磨單元中設置與上述這些料漿供給管連接分配控制部。各分配控制部將按照研磨處理而選擇的料漿供給至上述的研磨液供給噴嘴(參照圖13A)。由于分配控制部設置在每個研磨單元中，因此能夠按照各研磨單元改變向研磨液供給噴嘴供給的料漿的種類。另外，能夠通過分配控制部來調整向研磨液供給噴嘴供給的料漿的流量。[0179]接著，對搬運晶片的搬運機構進行說明。如圖1所示，與第I研磨單元3A以及第2研磨單元3B相鄰地配置有第I直線傳送器6。該第I直線傳送器6是在沿著研磨單元3A、3B的配列方向的4個搬運位置(從裝載/卸載部一側開始依次為第I搬運位置TP1、第2搬運位置TP2、第3搬運位置TP3、第4搬運位置TP4)之間搬運晶片的機構。[0180]此外，與第3研磨單元3C以及第4研磨單元3D相鄰地配置第2直線傳送器7。該第2直線傳送器7是在沿著研磨單元3C、3D的配列方向的3個搬運位置(從裝載/卸載部一側開始依次為第5搬運位置TP5、第6搬運位置TP6、第7搬運位置TP7)之間搬運晶片的機構。[0181]晶片通過第I直線傳送器6被搬運至研磨單元3A、3B。如上所述，第I研磨單元3A的頂圈31A由于頂圈頭60的搖擺動作而在研磨位置和第2搬運位置TP2之間移動。因此，在第2搬運位置TP2進行向頂圈31A的晶片的交接。同樣地，第2研磨單元3B的頂圈31B在研磨位置和第3搬運位置TP3之間移動，在第3搬運位置TP3進行向頂圈31B的晶片的交接。第3研磨單元3C的頂圈3IC在研磨位置和第6搬運位置TP6之間移動，在第6搬運位置TP6進行向頂圈31C的晶片的交接。第4研磨單元3D的頂圈31D在研磨位置和第7搬運位置TP7之間移動，在第7搬運位置TP7進行向頂圈31D的晶片的交接。[0182]在第I搬運位置TPl配置有用于從搬運機器人22接受晶片的升降機(lifter)ll。晶片通過該升降機11從搬運機器人22被交給第I直線傳送器6。在升降機11和搬運機器人22之間的位置，閘門(shutter)(未圖示)設置在隔壁Ia上，在搬運晶片時打開閘門，搬運機器人22將晶片交給升降機11。此外，在第I直線傳送器6、第2直線傳送器7、清洗部4之間配置有搖擺傳送器(swingtransporter)12。該搖擺傳送器12具有能夠在第4搬運位置TP4和第5搬運位置TP5之間移動的機械手，從第I直線傳送器6向第2直線傳送器7的晶片交接通過搖擺傳送器12來進行。通過第2直線傳送器7將晶片搬運至第3研磨單元3C以及/或者第4研磨單元3D。此外，被研磨部3研磨后的晶片經由搖擺傳送器12被搬運至清洗部4。[0183]以下，對第I直線傳送器6、第2直線傳送器7、升降機11以及搖擺傳送器12的結構進行說明。[0184]圖15是示意性地表示第I直線傳送器6的立體圖。第I直線傳送器6具備:分別具有載置晶片的搬運臺(基板搬運臺)121a、122a、123a、124a的第1、第2、第3、第4搬運機械手121、122、123、124;分別使第2、第3、第4搬運機械手122、123、124上下移動的3個升降驅動機構(例如使用了滾珠螺桿的馬達驅動機構或者氣缸)130A、130B、130C;在水平方向上自由移動地支撐第1、第2、第3、第4搬運機械手121、122、123、124的3個直線引導構件132A、132B、132C;在水平方向上驅動第1、第2、第3、第4搬運機械手121、122、123、124的3個水平驅動機構134A、134B、134C。在本實施方式中，水平驅動機構134A、134B、134C分別具有一對滑輪136、繞在所述滑輪136上的帶137、使一對滑輪中的任一個旋轉的伺服馬達138。[0185]在搬運臺121a、122a、123a、124a的上表面分別設有多個銷，晶片載置在上述這些銷之上。在各搬運臺121a、122a、123a、124a上構成有通過透過型傳感器等來檢測有無晶片的傳感器(未圖示)，能夠檢測各搬運臺121a、122a、123a、124a上有無晶片。[0186]第I搬運機械手121支撐在第I直線引導構件132A上，被第I水平驅動機構134A驅動而在第I搬運位置TPl和第4搬運位置TP4之間移動。該第I搬運機械手121是從升降機11接受晶片，并將該晶片交給直線傳送器7的傳接(pass)機械手。因此，在不通過第I研磨單元3A以及第2研磨單元3B研磨晶片，而通過第3研磨單元3C以及第4研磨單元3D來研磨晶片的情況下，使用第I搬運機械手121。在該第I搬運機械手121上沒有設有升降驅動機構，第I搬運機械手121的搬運臺(基板傳接臺)121a僅能夠在水平方向上移動。[0187]第2搬運機械手122被第2直線引導構件132B支撐著，受到第2水平驅動機構134B的驅動而在第I搬運位置TPl和第2搬運位置TP2之間移動。該第2搬運機械手122作為從升降機11向第I研磨單元3A搬運晶片的訪問機械手而發(fā)揮作用。即，第2搬運機械手122移動至第I搬運位置TP1，并在此從升降機11接受晶片。然后，第2搬運機械手122再次移動至第2搬運位置TP2，在此將搬運臺122a上的晶片交給頂圈31A。第2搬運機械手122與第I升降驅動機構130A連結，它們在水平方向上成為一體地移動。在將搬運臺122a上的晶片交給頂圈31A時，第2搬運機械手122被第I升降驅動機構130A驅動而上升，在將晶片交給頂圈31A之后，被第I升降驅動機構130A的驅動而下降。[0188]在搬運臺122a的上表面設有與頂圈31A的外周緣的下端(擋圈40的下端)卡合的多個(圖中為3個)的訪問引導構件140。上述這些訪問引導構件140的內側為錐形面，若搬運臺122a上升并訪問頂圈31A，則頂圈31A在上述這些訪問引導構件140的引導下，頂圈31A與搬運臺122a互相卡合。由于該卡合，進行頂圈31A與搬運臺122a(即晶片)之間的對心(centering)。該訪問引導構件140在第3、第4搬運機械手123、124的搬運臺123a、124a中也是相同的結構。[0189]第3搬運機械手123和第4搬運機械手124支撐在第3直線引導構件132C上。第3搬運機械手123和第4搬運機械手124通過氣缸142而互相連結，它們在第3水平驅動機構134C的驅動下，在水平方向上一起移動。氣缸142作為對第3搬運機械手123的搬運臺123a與第4搬運機械手124的搬運臺124a的間隔進行調整的間隔調整機構而發(fā)揮作用。設置該氣缸(間隔調整機構)142的理由是由于有時第I搬運位置TPl和第2搬運位置TP2的間隔與第2搬運位置TP2和第3搬運位置TP3的間隔是不同的。氣缸142能夠在第3搬運機械手123以及第4搬運機械手124移動時進行間隔調整動作。[0190]第3搬運機械手123與第2升降驅動機構130B連結，第4搬運機械手124與第3升降驅動機構130C連結，第3搬運機械手123和第4搬運機械手124能夠獨立地升降。第3搬運機械手123在第I搬運位置TP1、第2搬運位置TP2、第3搬運位置TP3之間移動，同時，第4搬運機械手124在第2搬運位置TP2、第3搬運位置TP3、第4搬運位置TP4之間移動。[0191]第3搬運機械手123作為用于從升降機11向第2研磨單元3B搬運晶片的訪問機械手而發(fā)揮作用。即，第3搬運機械手123移動至第I搬運位置TPl，在此從升降機11接受晶片，再移動至第3搬運位置TP3，將搬運臺123a上的晶片交給頂圈31B。此外，第3搬運機械手123也作為用于將第I研磨單元3A研磨過的晶片搬運至第2研磨單元3B的訪問機械手而發(fā)揮作用。即，第3搬運機械手123移動至第2搬運位置TP2，在此從頂圈31A接受晶片，再移動至第3搬運位置TP3，然后，將搬運臺123a上的晶片交給頂圈31B。在搬運臺123a和頂圈31A或者頂圈31B之間進行晶片交接時，第3搬運機械手123受到第2升降驅動機構130B的驅動而上升，在晶片交接結束后，在第2升降驅動機構130B的驅動下，第3搬運機械手123下降。[0192]第4搬運機械手124作為將第I研磨單元3A或者第2研磨單元3B研磨后的晶片搬運至搖擺傳送器12的訪問機械手而發(fā)揮作用。即，第4搬運機械手124移動至第2搬運位置TP2或者第3搬運位置TP3，在此接受來自頂圈31A或者頂圈31B的研磨過的晶片，然后移動至弟4搬運位直TP4。在從頂圈31A或者頂圈31B接受晶片時，弟4搬運機械手124受到第3升降驅動機構130C的驅動而上升，在接受晶片之后，受到第3升降驅動機構130C的驅動而下降。[0193]圖16是表示第I搬運機械手121的搬運臺121a、第2搬運機械手122的搬運臺122a、第3搬運機械手123的搬運臺123a以及第4搬運機械手124的搬運臺124a的高度位置的示意圖。如圖16所示，4個搬運臺121a?124c沿著高度不同的3個行走軸移動。即，搬運臺121a沿著最低的第I行走軸移動，搬運臺123a以及搬運臺124a沿著最高的第3行走軸移動，搬運臺122a沿著位于第I行走軸和第3行走軸之間的第2行走軸移動。因此，各搬運臺121a、122a、123a、124c能夠在不互相接觸的情況下，在水平方向上移動。[0194]根據這樣的配置，第I直線傳送器6能夠將從升降機11接受的晶片搬運至第I研磨單元3A或者第2研磨單元3B中的任一個單元中。例如，將片搬運至第I研磨單元3A，在通過研磨單元3A來研磨該晶片的期間內，能夠直接將下一個晶片送至第2研磨單元3B進行研磨。因此，提高了處理效率。另外，也可以將通過第I研磨單元3A研磨后的晶片搬運至第2研磨單元3B，通過第2研磨單元3B進一步研磨晶片。此外，第2、第3、第4搬運機械手122、123、124能夠在水平方向上移動，同時能夠在上下方向上移動。例如，第2搬運機械手122在第I搬運位置TPl接受晶片之后，在移動至第2搬運位置TP2期間上升，在到達位直TP2后，能夠迅速將晶片交給頂圈31A。在弟3以及弟4搬運機械手123、124中也能夠冋樣地進行這樣的動作。因此，縮短了晶片的搬運時間，能夠提高基板處理裝置的處理效率。另外，由于第I搬運機械手121的搬運臺121a位于比其他的搬運機械手低的位置，因此，即使在其他的搬運機械手訪問頂圈時，也能夠向第4搬運位置TP4搬運晶片。這樣，通過設置3個行走軸，增加了晶片搬運的自由度。[0195]第2直線傳送器7具有與第I直線傳送器6基本相同的結構，但在具備相當于第I搬運機械手121的要素這一點上與第I直線傳送器6不同。圖17是表示第2直線傳送器7的搬運臺的高度位置的示意圖。沒有特殊說明的第2直線傳送器7的結構與第I直線傳送器6相同，因此省略該重復的說明。第2直線傳送器7具備第5搬運機械手125、第6搬運機械手126以及第7搬運機械手127。上述這些第5搬運機械手125、第6搬運機械手126以及第7搬運機械手127分別具有載置晶片的搬運臺125a、126a、127a。[0196]第5搬運機械手125和第6搬運機械手126通過作為間隔調整機構的氣缸142而相互連結，由此，第5搬運機械手125和第6搬運機械手126在水平方向上成為一體地移動。搬運臺125a和搬運臺126a沿第5行走軸移動，搬運臺127a沿位于比第5行走軸低的位置的第4行走軸移動。因此，各搬運臺125a、126a、127a能夠在不互相接觸的情況下，在水平方向上移動。另外，第4行走軸以及第5行走軸位于與第I直線傳送器6的第2行走軸以及第3行走軸相同的高度。[0197]第5搬運機械手125在第5搬運位置TP5和第6搬運位置TP6之間移動。該第5搬運機械手125作為與頂圈31C之間進行晶片交接的訪問機械手而發(fā)揮作用。第6搬運機械手126在第6搬運位置TP6和第7搬運位置TP7之間移動。該第6搬運機械手126作為從頂圈31C接受晶片，并將其交給頂圈31D的訪問機械手而發(fā)揮作用。第7搬運機械手127在第7搬運位置TP7和第5搬運位置TP5之間移動。該第7搬運機械手127作為從頂圈31D接受晶片，并且將其搬運至第5搬運位置TP5的訪問機械手而發(fā)揮作用。另外，雖然在此省略了說明，但搬運機械手125、126、127與頂圈31C、31D進行晶片交接時的動作與第I直線傳送器6的上述動作相同。[0198]在頂圈31A?31D使用如圖4所示的頂圈的情況下，為了使得與第I以及第2直線傳送器6、7的晶片交接更容易，優(yōu)選在第2搬運位置TP2、第3搬運位置TP3、第6搬運位置TP6、第7搬運位置TP7分別設置以下說明的擋圈固定器。[0199]圖18是說明在第2搬運位置TP2、第3搬運位置TP3、第6搬運位置TP6、第7搬運位置TP7設置的擋圈固定器、搬運臺、頂圈的配置的立體圖。圖19是表示在第2搬運位置TP2配置的擋圈固定器和搬運臺的立體圖。圖20A是表示擋圈固定器和頂圈的位置關系的側視圖，圖20B是表示擋圈固定器和搬運臺的位置關系的俯視圖。以下，對在第2搬運位置TP2配置的擋圈固定器進行說明。[0200]擋圈固定器143具有上推頂圈31A的擋圈40的多個上推機構144，以及支撐上述上推機構144的支撐座(supportbase)145。上推機構144的高度方向的位置位于頂圈3IA和第I直線傳送器6的搬運臺(122a或者123a或者124a)之間。此外，如圖20B所示，上推機構144和搬運臺配置為不相互接觸。[0201]圖21是在擋圈固定器上放置了頂圈的狀態(tài)的立體圖。圖22A是表示上推機構144的剖視圖，圖22B是表示與擋圈接觸時的上推機構144的剖視圖。上推機構144具備:與擋圈40接觸的上推銷146;向上方推壓上推銷146的作為推壓機構的彈簧147;收容上推銷146以及彈簧147的殼體148。上推機構144的上推銷146配置在與擋圈40的下表面相對的位置。若頂圈31A下降，則擋圈40的下表面與上推銷146接觸。彈簧147具有足以用來上推擋圈40的推壓力。因此，如圖22B所示，擋圈40被上推銷146上推，移動至比晶片W更上方的位置為止。[0202]接著，對從第I直線傳送器6向頂圈31A交接晶片時的動作進行說明。首先，頂圈31A從研磨位置移動至第2搬運位置TP2。接著，頂圈31A下降，如上述那樣，擋圈40被擋圈固定器143的上推機構144向上推。在頂圈31A下降時，第I直線傳送器6的搬運臺上升，在不與擋圈40接觸的情況下移動至頂圈31A的正下方。在該狀態(tài)下，晶片W從搬運臺交給頂圈31A。然后，大致與頂圈31A上升的同時，搬運臺下降。頂圈31A又移動至研磨位置，對晶片W進行研磨，搬運臺開始進行下一個搬運動作。從頂圈31A向第I直線傳送器6交接晶片時的動作也一樣。[0203]這樣，在晶片交接時，頂圈31A和搬運臺大致同時相互接近，大致同時離開，能夠提高處理效率。另外，在第3搬運位置TP3、第6搬運位置TP6、第7搬運位置TP7設置的擋圈固定器143的結構也與上述的擋圈固定器143相同，晶片的交接動作也相同。[0204]擋圈40由于在晶片的研磨過程中與研磨墊的研磨面滑接，因此擋圈40的下表面會逐漸地磨損。若擋圈40的磨損變嚴重，則研磨時擋圈40變得不能夠保持晶片，這會導致晶片從旋轉的頂圈31A中飛出。因此，需要定期更換擋圈40。以往，由于擋圈40的更換時間是根據晶片的處理個數來判斷的，因此會出現即使擋圈40還能夠使用卻更換了新的擋圈40，或者磨損過于嚴重而導致晶片從頂圈31A中飛出的情況。為了解決這樣的問題，在如下所述的例子中，在擋圈固定器143上設置了測定擋圈40的磨損量的磨損測定器。[0205]圖23是表示具備了測定擋圈40的磨損量的磨損測定器的擋圈固定器143的立體圖，圖24是表示圖23所示的磨損測定器的放大剖視圖，圖25是擋圈固定器143以及頂圈31A的側視圖。磨損測定器149設置在支撐上推機構144的支撐座145上，磨損測定器149與上推機構144的相對位置是固定的。如圖24所示，磨損測定器149具備:與擋圈40的下表面接觸的接觸構件149a;向上方推壓該接觸構件149a的彈簧149b;以能夠在上下方向上移動的方式支撐接觸構件149a的直動式引導構件149c;對接觸構件149a的位移進行測定的接觸式位移傳感器(位移測定器)149d。作為直動式引導構件149c可以使用滾珠花鍵。另外，也可以取代接觸式位移傳感器，而使用光學式位移傳感器等的非接觸式位移傳感器。[0206]接觸構件149a從橫向看具有呈L字型的形狀，該下端位于與上推銷146大致相同的高度。在頂圈31A放置在擋圈固定器143上時，接觸構件149a的下端與上推銷146幾乎同時地接觸擋圈40的下表面。位移傳感器149d配置在接觸構件149a的上方。因彈簧14%而受到向上方的作用力的接觸構件149a的上端總是與位移傳感器149d接觸。因此，通過位移傳感器149d來測定接觸構件149a在上下方向上的位移。位移傳感器149d與控制部5連接,位移傳感器149d的測定值被送至控制部5。[0207]若頂圈31A下降，并置于擋圈固定器143的上方，則上推銷146以及接觸構件149a與頂圈31A的擋圈40的下表面接觸。頂圈31A繼續(xù)下降，直到到達規(guī)定的高度位置并停止，同時，擋圈40被上推銷146向上推。此時,接觸構件149a由于擋圈40而被下壓。通過位移傳感器149d來測定接觸構件149a的位移，并向控制部5發(fā)送該測定值。在通過位移傳感器149d進行測定的期間，在頂圈31A和搬運臺之間進行晶片的交接。[0208]接觸構件149a的位移，即位移傳感器149d的測定值隨著擋圈40的磨損量而變化。更具體地講，若擋圈40的磨損量增加，則位移傳感器149d的測定值變小?？刂撇?中設定有表示擋圈40的更換時間的規(guī)定的閾值?？刂撇?通過檢測位移傳感器149d的測定值是否達到了閾值，來確定擋圈40的更換時間。另外，優(yōu)選在第3搬運位置TP3、第6搬運位置TP6、第7搬運位置TP7中設置的擋圈固定器也與上述的擋圈固定器143相同地設有磨損測定器149。[0209]根據該例子，由于根據擋圈40的磨損量來確定擋圈40的更換時間，因此能夠降低擋圈40的更換頻度，降低成本。此外，能夠將研磨時的晶片的飛出防患于未然。另外，由于擋圈40的磨損量的測定是在頂圈31A和搬運臺之間進行晶片的交接期間內進行的，因此，擋圈40的磨損量的測定動作不會導致裝置整體的處理效率低下。即，由于上推銷146所進行的對擋圈40的上推動作和磨損測定器149所進行的對擋圈40的磨損量測定動作必然同時進行，因此，不需要設定用于擋圈40的磨損量測定的時間。因此，提高了裝置整體的處理效率。[0210]圖26是表示升降機11的結構的立體圖。升降機11配置在搬運機器人22(參照圖1)的臂能夠訪問的位置。升降機11具備:放置晶片的載置臺150;支撐載置臺150的支撐軸151;使載置臺150上下移動的升降驅動機構152。作為升降驅動機構152，使用了具備滾珠螺桿的馬達驅動機構、氣缸等。載置臺150位于第I搬運位置TPl。載置臺150的上表面上設有4個銷153，晶片W被放置在上述這些銷153上。在搬運機器人22的下側的臂繞其軸心旋轉180度而使晶片翻轉之后，該晶片變?yōu)榉胖迷谏禉C11的載置臺150上。圖26示出了翻轉后的晶片W。在本實施方式中，由于搬運機器人22的臂作為翻轉機而發(fā)揮作用，因此可以不再需要以往所必需的翻轉機。因此，能夠省略升降機在接受晶片W后使晶片W翻轉的工序，能夠提高處理整體的處理效率。[0211]位于第I搬運位置TPl的第I直線傳送器6的搬運臺122a(或者121a或者123a)和升降機11的載置臺150沿著相同的垂直軸排列。如圖26所示，在從垂直方向觀察時，搬運臺122a和載置臺150具有不相互重疊的形狀。更具體地講，在第I直線傳送器6的搬運臺122a上形成有使升降機11的載置臺150通過的切口155。該切口155形成為比載置臺150略大。[0212]升降機11在使載置臺150上升后的位置接受被搬運機器人22的臂翻轉過的晶片W，然后載置臺150受到升降驅動機構152的驅動而下降。在載置臺150通過第I直線傳送器6的搬運臺122a時，僅有晶片W放置在搬運臺122a上，載置臺150繼續(xù)下降直到到達規(guī)定的停止位置為止。由此，將晶片W從升降機11交接至第I直線傳送器6。在本實施方式中，由于搬運機器人22的臂作為翻轉機而發(fā)揮作用，因此可以不再需要以往所必需的翻轉機。因此，能夠減少從搬運機器人22向第I直線傳送器6搬運晶片時所進行的晶片交接的次數，能夠減少晶片的交接錯誤、交接時間。[0213]升降機11的支撐軸151具有倒L字型的形狀，該垂直部分位于載置臺150的外側。即，從垂直方向觀察升降機11時，載置臺150和支撐軸151的垂直部分位于不相互重疊的位置。另外，支撐軸151位于離開第I直線傳送器6的搬運臺的行走路線的位置。因此，與升降機11的載置臺150在上下方向上的位置無關，第I直線傳送器6的搬運臺能夠進入第I搬運位置TPl，能夠提高處理效率。[0214]圖27是表示搖擺傳送器12的結構的立體圖。搖擺傳送器12具備:設置在基板處理裝置的框架160上且在垂直方向上延伸的直線引導構件161;安裝在直線引導構件161上的搖擺機構162;使搖擺機構162在垂直方向上移動的作為驅動源的升降驅動機構165。作為該升降驅動機構165，可以采用具有伺服馬達和滾珠螺桿的電動氣缸(RoboCylinder)等。搖擺機構162通過搖擺臂(swingarm)166與翻轉機構167連結。另外，翻轉機構167與把持晶片W的把持機構170連結。在搖擺傳送器12的一側，配置有設置在未圖示的框架上的晶片W的臨時放置臺180。如圖1所示，該臨時放置臺180配置為與第I直線傳送器6相鄰，位于第I直線傳送器6和清洗部4之間。[0215]搖擺臂166在搖擺機構162的未圖示的馬達的驅動下，以該馬達的旋轉軸為中心旋轉。由此，翻轉機構167以及把持機構170成為一體地旋轉運動，把持機構170在第4搬運位置TP4、第5搬運位置TP5以及臨時放置臺180之間移動。[0216]把持機構170具有把持晶片W的一對把持臂171。在各個把持臂171的兩端設有把持晶片W的外周緣的卡盤172。上述這些卡盤172設置為從把持臂171的兩端向下方突出。另外，把持機構170具備開閉機構173，該開閉機構173使一對把持臂171向接近及遠離晶片W的方向移動。[0217]在把持晶片W的情況下，在打開把持臂171的狀態(tài)下，通過升降驅動機構165使把持機構170下降，直到把持臂171的卡盤172位于與晶片W相同的平面內為止。然后，驅動開閉機構173，使把持臂171向相互接近的方向移動，通過把持臂171的卡盤172來把持晶片W的外周緣。在該狀態(tài)下，通過升降驅動機構165使把持臂171上升。[0218]翻轉機構167具有與把持機構170連結的旋轉軸168和使該旋轉軸168旋轉的馬達(未圖示)。通過馬達來驅動旋轉軸168,從而整個把持機構170旋轉180度，由此把持機構170所把持的晶片W被翻轉。這樣，由于整個把持機構170被翻轉機構167翻轉，因此可以省略以往所必需的在把持機構和翻轉機構之間的晶片交接。另外，在從第4搬運位置TP4向第5搬運位置TP5搬運晶片W時，翻轉機構167不翻轉晶片W，以被研磨面朝下的狀態(tài)來搬運晶片W。另一方面，在從第4搬運位置TP4或者第5搬運位置TP5向臨時放置臺180搬運晶片W時，翻轉機構167使晶片W翻轉，以使得研磨后的面朝上。[0219]臨時放置臺180具有:底座板(baseplate)181;在該底座板181的上表面上固定的多個(圖27中為2個)垂直桿182;在底座板181的上表面上固定的I個倒L字型的水平桿183。水平桿183具有與底座板181的上表面連接的垂直部183a，以及從該垂直部183a的上端開始，向把持機構170的方向水平延伸的水平部183b。在水平部183b的上表面設有用于支撐晶片W的多個(圖27中為2個)銷184。在垂直桿182的上端也分別設有用于支撐晶片W的銷184。上述這些銷184的前端位于同一水平面內。水平桿183配置在比垂直桿182更靠近晶片W的旋轉移動的中心(即，搖擺機構162的馬達的旋轉軸)的位置。[0220]被翻轉機構167翻轉后的把持機構170，以把持著晶片W的狀態(tài)，進入水平桿183的水平部183b與底座板181之間的間隙，在所有的銷184位于晶片W的下方時，基于搖擺機構162而進行的把持機構170的旋轉停止。在該狀態(tài)下打開把持臂171，從而晶片W被放置在臨時放置臺180上。在臨時放置臺180上放置的晶片W通過接下來說明的清洗部4的搬運機器人來搬運至清洗部4。[0221]圖28A是表示清洗部4的俯視圖，圖28B是表示清洗部4的側視圖。如圖28A以及圖28B所示，清洗部4被區(qū)劃為第I清洗室190、第I搬運室191、第2清洗室192、第2搬運室193、干燥室194。第I清洗室190內配置有沿縱方向排列的上側初次清洗模塊201A以及下側初次清洗模塊201B。上側初次清洗模塊201A配置在下側初次清洗模塊201B的上方。同樣地，第2清洗室192內中配置有沿縱方向排列的上側二次清洗模塊202A以及下側二次清洗模塊202B。上側二次清洗模塊202A配置在下側二次清洗模塊202B的上方。初次以及二次清洗模塊201A、201B、202A、202B是使用清洗液對晶片進行清洗的清洗機。由于上述這些初次以及二次清洗模塊201A、201B、202A、202B沿垂直方向排列，因此具有占地面積小的優(yōu)點。[0222]在上側二次清洗模塊202A和下側二次清洗模塊202B之間，設有晶片的臨時放置臺203。在干燥室194內配置有沿縱方向排列的上側干燥模塊205A以及下側干燥模塊205B。上述這些上側干燥模塊205A以及下側干燥模塊205B相互隔開。在上側干燥模塊205A以及下側干燥模塊205B的上部設置有分別向干燥模塊205A，205B內供給潔凈的空氣的過濾器風扇單元207、207。上側初次清洗模塊201A、下側初次清洗模塊201B、上側二次清洗模塊202A、下側二次清洗模塊202B、臨時放置臺203、上側干燥模塊205A以及下側干燥模塊205B通過螺栓等固定在未圖示的框架上。[0223]第I搬運室191中配置有能夠上下移動的第I搬運機器人209，第2搬運室193中配置有能夠上下移動的第2搬運機器人210。第I搬運機器人209以及第2搬運機器人210以各自能夠自由移動的方式支撐在沿縱方向延伸的支撐軸211、212上。第I搬運機器人209以及第2搬運機器人210在內部具有馬達等的驅動機構，能夠沿支撐軸211、212上下自由移動。第I搬運機器人209與搬運機器人22—樣，具有上下兩個機械手。如圖28A的虛線所示，第I搬運機器人209配置在該下側的機械手能夠訪問上述的臨時放置臺180的位置。在第I搬運機器人209的下側的機械手訪問臨時放置臺180時，隔壁Ib上設置的閘門(未圖示)為打開狀態(tài)。[0224]第I搬運機器人209在臨時放置臺180、上側初次清洗模塊201A、下側初次清洗模塊20IB、臨時放置臺203、上側二次清洗模塊202A、下側二次清洗模塊202B之間進行搬運晶片W的動作。在對清洗前的晶片(附著著料漿的晶片)進行搬運時，第I搬運機器人209使用下側的機械手，在對清洗后的晶片進行搬運時，使用上側的機械手。第2搬運機器人210在上側二次清洗模塊202A、下側二次清洗模塊202B、臨時放置臺203、上側干燥模塊205A、下側干燥模塊205B之間進行搬運晶片W的動作。第2搬運機器人210僅對清洗后的晶片進行搬運，因此僅具備I個機械手。圖1所示的搬運機器人22使用其上側的機械手從上側干燥模塊205A或者下側干燥模塊205B取出晶片，并將該晶片放回晶片盒。在搬運機器人22的上側機械手訪問干燥模塊205A、205B時，隔壁Ia上設置的閘門(未圖不)為打開狀態(tài)。[0225]由于清洗部4具備2臺初次清洗模塊以及2臺二次清洗模塊，因此能夠構成并行清洗多個晶片的多條清洗線?！扒逑淳€”是指在清洗部4的內部，通過多個清洗模塊來清洗一個晶片時的移動路線。例如，如圖29所示，能夠按照第I搬運機器人209、上側初次清洗模塊201A、第I搬運機器人209、上側二次清洗模塊202A、第2搬運機器人210、上側干燥模塊205A的順序搬運I個晶片(參照清洗線1)，與此相并列地，按照第I搬運機器人209、下側初次清洗模塊201B、第I搬運機器人209、下側二次清洗模塊202B、第2搬運機器人210、下側干燥模塊205B的順序搬運其他的晶片(參照清洗線2)。這樣利用2條并列的清洗線，能夠幾乎同時地對多個(典型情況為2個)晶片進行清洗以及干燥。[0226]此外，在2個并列的清洗線中，也可以設定規(guī)定的時間差而對多個晶片進行清洗以及干燥。以規(guī)定的時間差來進行清洗的優(yōu)點如下。第I搬運機器人209以及第2搬運機器人210兼用于多條清洗線。因此，在多個清洗或者干燥處理同時結束的情況下，上述這些搬運機器人不能夠立即搬運晶片，使得處理效率惡化。為了避免這樣的問題，通過以規(guī)定的時間差對多個晶片進行清洗以及干燥，能夠迅速地通過搬運機器人209、210對處理后的晶片進行搬運。[0227]研磨后的晶片上附著有料漿，在該狀態(tài)下不宜長時間放置晶片。這是由于作為布線金屬的銅會被料漿腐蝕。根據該清洗部4，由于設有2臺初次清洗模塊，即使在上側初次清洗模塊201A或者下側初次清洗模塊201B的某一個中對先處理的晶片進行清洗的情況下，也能夠將晶片搬入另一個初次清洗模塊中對其進行清洗。因此，不僅能夠實現高處理效率，還能夠立刻對研磨后的晶片進行清洗從而防止銅的腐蝕。[0228]此外，在僅需要初次清洗的情況下，如圖30所示，可以按照第I搬運機器人209、上側初次清洗模塊201A、第I搬運機器人209、臨時放置臺203、第2搬運機器人210、上側干燥模塊205A的順序搬運晶片，可以省略在第2清洗室192中進行的二次清洗。另外，如圖31所示，例如，在下側二次清洗模塊202B故障時，可以向上側二次清洗模塊202A搬運晶片。這樣，能夠通過第I搬運機器人209以及第2搬運機器人210，根據需要來將晶片分配給規(guī)定的清洗線。這樣的清洗線的選定是通過控制部5來決定的。[0229]各清洗模塊201A、201B、202A、202B具有檢測故障的檢測器(未圖示)。在清洗模塊201A、201B、202A、202B中的任一個發(fā)生故障時，檢測器檢測出該故障并向控制部5發(fā)送信號?？刂撇?選定沒有故障的清洗模塊的清洗線，將現在的清洗線切換至新選定的清洗線。另外，在本實施方式中，設有2臺初次清洗模塊和2臺二次清洗模塊，但本發(fā)明不僅限定于此，也可以設置三臺以上的初次清洗模塊以及/或者二次清洗模塊。[0230]此外，也可以在第I清洗室190中設置臨時放置臺。例如，與臨時放置臺203—樣，可以在上側初次清洗模塊201A和下側初次清洗模塊201B之間設置臨時放置臺。在某清洗模塊故障的情況下，將2個晶片搬運至臨時放置臺180(參照圖28A)和第I清洗室190內的臨時放置臺。[0231]初次清洗模塊201A、201B中使用的清洗液的濃度可以與二次清洗模塊202A、202B中使用的清洗液的濃度不同。例如，使初次清洗模塊201A、201B中使用的清洗液的濃度比二次清洗模塊202A、202B中使用的清洗液的濃度高。通常，清洗效果與清洗液的濃度和清洗時間大致成比例。因此，由于在初次清洗中使用濃度高的清洗液，即使晶片的污潰很嚴重，也能夠使初次清洗的時間和二次清洗的時間大致相等。[0232]在本實施方式中，初次清洗模塊201A、201B以及二次清洗模塊202A、202B是海綿輥(口一>^>夕)式的清洗機。初次清洗模塊201A、201B以及二次清洗模塊202A、202B是相同的結構，下面對初次清洗模塊20IA進行說明。[0233]圖32是表示初次清洗`模塊20IA的立體圖。如圖32所示，初次清洗模塊20IA具備:保持晶片W并使其旋轉的4個滾柱(roller)301、302、303、304;與晶片W的上下表面接觸的海綿輥(清洗具)307、308;使上述海綿輥307、308旋轉的旋轉機構310、311;向晶片W的上下表面供給清洗液(例如純水)的清洗液供給噴嘴315、316;對晶片W的上下表面供給蝕刻液(藥液)的蝕刻液供給噴嘴317、318。滾柱301、302、303、304通過未圖示的驅動機構(例如氣缸)，能夠向相互接近以及離開的方向移動。[0234]使上側的海綿輥307旋轉的旋轉機構310安裝在用于引導該上下方向上的移動的導軌320上。此外，該旋轉機構310支撐在升降驅動機構321上，旋轉機構310以及上側的海綿輥307通過升降驅動機構321而能夠在上下方向上移動。另外，雖然沒有圖示，但使下側的海綿輥308旋轉的旋轉機構311也支撐在導軌上，通過升降驅動機構，旋轉機構311以及下側的海綿輥308可以上下移動。另外，作為升降驅動機構，采用例如使用了滾珠螺桿的馬達驅動機構或者氣缸。[0235]在進行晶片W的搬入搬出時，海綿輥307、308處于相互離開的位置。在進行晶片W的清洗時，上述海綿輥307、308向相互接近的方向移動并與晶片W的上下表面接觸。海綿輥307、308推壓晶片W的上下表面的力，分別通過升降驅動機構321以及未圖示的升降驅動機構來調整。由于升降驅動機構321從下方支撐著上側的海綿輥307以及旋轉機構310，上側的海綿輥307對晶片W的上表面施加的推壓力可以從O〔N〕開始進行調整。[0236]滾柱301是具有保持部301a和肩部(支撐部)301b的2層結構。肩部301b的直徑比保持部301a的直徑大，在肩部301b的上方形成有保持部301a。滾柱302、303、304也與滾柱301具有相同的結構。通過第I搬運機器人209的下側臂搬運過來的晶片W首先被放置在肩部30lb、302b、303b、304b上，然后滾柱301、302、303、304向晶片W的方向移動，從而在保持部301a、302a、303a、304a中保持晶片W。4個滾柱301、302、303、304中的至少一個是通過未圖示的旋轉機構來旋轉驅動的結構，由此，晶片W在其外周部被滾柱301、302、303、304保持的狀態(tài)下旋轉。肩部301b、302b、303b、304b形成為向下方傾斜的錐形面，保持部30la、302a、303a、304a保持晶片W期間，晶片W與肩部30lb、302b、303b、304b保持非接觸狀態(tài)。[0237]清洗動作進行如下。首先，晶片W被滾柱301、302、303、304保持并旋轉。接著，從清洗液供給噴嘴315、316向晶片W的上表面以及下表面供給清洗水。然后，海綿輥307、308在繞其軸心旋轉的同時與晶片W的上下表面滑接，由此對晶片W的上下表面進行擦洗。擦洗后，使海綿輥307、308向上方以及下方待避，從藥液供給噴嘴317、318分別向晶片W的上表面、下表面供給蝕刻液，對晶片W的上下表面進行蝕刻(化學式清洗)。[0238]上側初次清洗模塊201A、下側初次清洗模塊201B、上側二次清洗模塊202A、下側二次清洗模塊202B可以是相同類型的清洗模塊，也可以是不同類型的清洗模塊。例如，可以使初次清洗模塊201A、201B是用一對海綿輥對晶片的上下表面進行擦洗的類型的清洗機，使二次清洗模塊202A、202B是筆形海綿7f>'?)式清洗機或者雙流體噴射式工〃卜夕47°)的清洗機。2流體噴射式的清洗機是將溶解了少量的C02氣(二氧化碳)的純水(DIW)和氮氣混合，再向晶片的表面噴射該混合流體的清洗機。這種清洗機能夠通過微小的液滴和沖擊能量來除去晶片上的微小的微粒。尤其是，通過適當地調整氮氣的流量以及純水的流量，能夠實現無損壞的晶片清洗。另外，通過使用溶解了二氧化碳的純水，能夠緩和因靜電而引起的對晶片的腐蝕。[0239]各干燥模塊205A、205B具有把持晶片并使其旋轉的基板把持機構，通過該基板把持機構，一邊使晶片旋轉一邊使晶片干燥。以下，對基板把持機構進行說明。圖33是表示基板把持機構的縱首1J視圖。圖34是表不基板把持機構的俯視圖。如圖33以及圖34所不，本基板把持機構具備:具有4個臂401a的基臺401;可自由地上下移動地支撐在各臂401a的前端的4本的圓柱形的基板支撐構件402?；_401固定在旋轉軸405的上端，該旋轉軸405支撐在軸承406上，并且可以自由旋轉。軸承406固定在與旋轉軸405平行延伸的圓筒體407的內周面上。圓筒體407的下端安裝在架臺409上，并且其位置是固定的。架臺409固定在框架410上。旋轉軸405經由滑輪411、412以及帶414與馬達415連結，通過驅動馬達415，基臺401以其軸心為中心進行旋轉。[0240]在圓筒體407的周圍配置有提升基板支撐構件402的提升機構470。該提升機構470能夠相對于圓筒體407在上下方向上滑動。提升機構470具有與基板支撐構件402的下端接觸的接觸板470a。在圓筒體407的外周面和提升機構470的內周面之間形成有第I氣體室471和第2氣體室472。上述第I氣體室471和第2氣體室472分別與第I氣體流路474以及第2氣體流路475連通，上述第I氣體流路474以及第2氣體流路475的端部與未圖示的加壓氣體供給源連結。若使第I氣體室471內的壓力比第2氣體室472內的壓力高，則如圖35所示，提升機構470上升。另一方面，如使第2氣體室472內的壓力比第I氣體室471內的壓力高，則如圖33所示，提升機構470下降。[0241]圖36A是表示圖34所示的基板支撐構件402以及臂401a的一部分的俯視圖，圖36B是圖34的A—A線剖視圖，圖36C是圖36B的B—B線剖視圖?；_401的臂401a具有可自由滑動地保持基板支撐構件402的保持部401b。另外，該保持部401b也可以與臂401a成為一體地構成。在保持部401b上形成有上下延伸的貫通孔，在該貫通孔中插入了基板支撐構件402。貫通孔的直徑比基板支撐構件402的直徑略大，從而基板支撐構件402能夠相對于基臺401在上下方向上相對移動，另外，基板支撐構件402能夠繞其軸心旋轉。[0242]在基板支撐構件402的下部安裝有彈簧座402a。在基板支撐構件402的周圍配置有彈簧478，通過彈簧座402a來支撐彈簧478。彈簧478的上端推壓著保持部401b(基臺401的一部分)。因此,彈簧478對基板支撐構件402作用著向下的力。在基板支撐構件402的外周面形成有擋塊(stopper)402b，該擋塊402b具有比貫通孔的直徑更大的直徑。因此，如圖36B所示，基板支撐構件402向下方的移動受到了擋塊402b的限制。[0243]在基板支撐構件402的上端，設有放置晶片W的支撐銷479，以及與晶片W的周邊部接觸的作為基板把持部的圓柱形的夾緊構件7>:/)480。支撐銷479配置在基板支撐構件402的軸心上，夾緊構件480配置在偏離基板支撐構件402的軸心的位置。因此，夾緊構件480隨著基板支撐構件402的旋轉能夠繞基板支撐構件402的軸心旋轉。在此，作為與晶片W接觸的部分的構件，為了防止帶電，優(yōu)選使用導電性構件(優(yōu)選鐵、鋁、不銹鋼(SUS)),PEEK(聚醚醚酮)，PVC(聚氯乙烯)等的碳樹脂。[0244]在基臺401的保持部401b中安裝有第I磁鐵481，該第I磁鐵481配置為與基板支撐構件402的側面相對。另一方面，在基板支撐構件402上配置有第2磁鐵482以及第3磁鐵483。上述這些第2磁鐵482以及第3磁鐵483在上下方向上離開排列。上述這些第I?第3磁鐵481、482、483優(yōu)選使用釹磁鐵。[0245]圖37是用于說明第2磁鐵482和第3磁鐵483的配置的示意圖，是從基板支撐構件402的軸方向觀察到的圖。如圖37所示，第2磁鐵482和第3磁鐵483在基板支撐構件402的周方向上錯開配置。即，從基板支撐構件402的軸方向觀察時，第2磁鐵482和基板支撐構件402的中心的連接線與第3磁鐵483和基板支撐構件402的中心的連接線相交成規(guī)定的角度α。[0246]在基板支撐構件402位于圖36Β所示的下降位置時，第I磁鐵481和第2磁鐵482相對。此時，在第I磁鐵481和第2磁鐵482之間作用著吸引力。該吸引力向基板支撐構件402提供繞其軸心旋轉的力，該旋轉方向是夾緊構件480推壓晶片W的周邊部的方向。因此，圖36Β所示的下降位置也可以稱為把持晶片W的夾緊位置。[0247]另外，把持晶片W時第I磁鐵481和第2磁鐵482不必一定相對，第I磁鐵481和第2磁鐵482只要相互接近到能夠產生最夠的把持力的程度就可以。例如，即使在第I磁鐵481和第2磁鐵482以相互傾斜的狀態(tài)接近的情況下，在它們之間也會產生磁力。因此，若該磁力足以使基板支撐構件402旋轉并把持晶片W，則第I磁鐵481和第2磁鐵482可以不必須相對。[0248]圖38Α是表示在通過提升機構470使基板支撐構件402上升時的基板支撐構件402以及臂401a的一部分的俯視圖，圖38B是在通過提升機構470使基板支撐構件402上升時的圖34的A—A線剖視圖，圖38C是圖38B的C一C線剖視圖。[0249]若通過提升機構470使基板保持構件402上升至圖38B所示的上升位置，則第I磁鐵481和第3磁鐵483相對，第2磁鐵482離開第I磁鐵481。此時，在第I磁鐵481和第3磁鐵483之間作用著吸引力。該吸引力向基板支撐構件402提供繞其軸心旋轉的力，該旋轉方向是夾緊構件480離開晶片W的方向。因此，圖38A所示的上升位置也可以稱為放開基板的松開(unclamp)位置。在該情況下，第I磁鐵481和第3磁鐵483在松開晶片W的把持時也不必相對，只要第I磁鐵481和第3磁鐵483相互接近到足以產生使基板支撐構件402向夾緊構件480離開晶片W的方向旋轉的程度的旋轉力(磁力)即可。[0250]由于第2磁鐵482和第3磁鐵483在基板支撐構件402的周方向上錯開配置，因此伴隨著基板支撐構件402的上下移動，會向基板支撐構件402作用旋轉力。通過該旋轉力，向夾緊構件480提供把持晶片W的力和松開晶片W的力。因此，僅通過使基板支撐構件402上下移動，就能夠把持晶片W，并松開晶片W。這樣，第I磁鐵481、第2磁鐵482以及第3磁鐵483作為通過使基板支撐構件402繞其軸心旋轉，并通過夾緊構件480來把持晶片W的把持機構(旋轉機構)而發(fā)揮作用。該把持機構(旋轉機構)通過基板支撐構件402的上下移動而動作。[0251]提升機構470的接觸板470a位于基板支撐構件402的下方。若接觸板470a上升，則接觸板470a的上表面與基板支撐構件402的下端接觸，基板支撐構件402克服彈簧478的推壓力被接觸板470a托起。接觸板470a的上表面是平坦的面，另一方面，基板支撐構件402的下端形成為半球狀。在本實施方式中，通過提升機構470和彈簧478，構成了使基板支撐構件402上下移動的驅動機構。另外，作為驅動機構，并不僅限于上述的實施方，例如，也可以是使用了伺服馬達的結構。[0252]圖39A是從其他的角度觀察到的處于夾緊位置的基板支撐構件402的側視圖，圖39B是圖39A的D—D線剖視圖。圖40A是從其他的角度觀察到的處于松開位置的基板支撐構件402的側視圖，圖40B是圖40A的E—E線剖視圖。[0253]在基板支撐構件402的側面形成有沿其軸心延伸的槽484。該槽484具有圓弧狀的水平斷面。在基臺401的臂401a(本實施方式中的保持部401b)上，形成有向槽484的方向突起的突起部485。該突起部485的前端位于槽484的內部，突起部485與槽484松弛地卡合。[0254]該槽484以及突起部485用于限制基板支撐構件402的旋轉角度。更具體地講，如圖39B以及圖40B所示，當基板支撐構件402在夾緊位置和松開位置之間旋轉時，突起部485與槽484不接觸。因此，基板支撐構件402能夠通過上述的磁鐵間作用的磁力而自由旋轉。另一方面，若基板支撐構件402超過夾緊位置以及松開位置進行旋轉，則突起部485與槽484接觸，由此能夠防止基板支撐構件402過度旋轉。這樣，由于突起部485以及槽484作為擋塊而發(fā)揮作用，因此在基板支撐構件402上下移動時，第2磁鐵482以及第3磁鐵483中的任一個一定位于第I磁鐵481的附近。[0255]在此，對上述結構的基板把持機構的動作進行說明。[0256]在基板把持機構在圖38B所示的松開位置待機的期間內，通過搬運機器人等的搬運機構(未圖示)將晶片W放置在支撐銷479上。然后，提升機構470下降，由于彈簧478的推壓力而基板支撐構件402下降至圖36B所示的夾緊位置。在基板支撐構件402下降期間，第2磁鐵482與第I磁鐵481相對，由此基板支撐構件402旋轉。通過該基板支撐構件402的旋轉，夾緊構件480的側面與晶片W的周邊部接觸，晶片W被夾緊構件480保持。由于支撐銷479的前端和晶片W的接觸面積極小，并且同樣地夾緊構件480的側面和晶片W的接觸面積也極小，因此能夠防止晶片W與晶片W以外的構件接觸而導致晶片W的污染。在此，作為與晶片W接觸的部分的構件，為了防止帶電，優(yōu)選采用導電性構件(優(yōu)選鐵、鋁、不銹鋼)、PEEK、PVC等的碳樹脂(炭素樹脂)。[0257]若驅動馬達415，則晶片W與基板支撐構件402成為一體地旋轉。在旋轉停止時，進行4個基板支撐構件402和提升機構470的4個接觸板470a之間的位置對準。S卩，為了使得各個基板支撐構件402位于接觸板470a的上方，基臺401的旋轉停止。而且，若通過提升機構470使基板支撐構件402上升，則基板支撐構件402繞其軸心旋轉，夾緊構件480離開晶片W。由此，晶片W變?yōu)閮H放置在支撐銷479上的狀態(tài)，通過搬運機構從基板把持機構取出晶片W。[0258]圖41A是表示基板支撐構件402以及夾緊構件(基板把持部)480的變形例的放大俯視圖，圖41B是表不圖41A所不的基板支撐構件402以及夾緊構件480的側視圖。另外，圖41A以及圖41B僅示出了基板支撐構件402的一部分。[0259]在基板支撐構件402的上端設有與晶片W的周邊部接觸的作為基板把持部的圓柱形的夾緊構件480，以及從該夾緊構件480向基板支撐構件402的軸心延伸的定位部488。定位部488的一端與夾緊構件480的側面成為一體地連接，另一端位于基板支撐構件402的軸心上。該定位部488的中心側的端部具有沿著與基板支撐構件402同心的圓而彎曲的側面488a。S卩，定位部488的中心側端部的水平斷面有與基板支撐構件402同心的圓的一部分構成?；逯螛嫾?02的上端為向下方傾斜的錐形面。[0260]圖42A是表示把持基板的狀態(tài)的俯視圖，圖42B是表示松開基板的把持的狀態(tài)的俯視圖。晶片W放置在基板支撐構件402的上端(錐形面)上，然后，通過使基板支撐構件402旋轉，使夾緊構件480與晶片W的周邊部接觸。由此，如圖42A所示，晶片W被夾緊構件480把持著。若使基板支撐構件402向相反方向旋轉，則如圖42B所示，夾緊構件480離開晶片W，由此松開晶片W。此時，伴隨著基板支撐構件402的旋轉，晶片W的周邊部與定位部488的中心側端部的側面488a滑接。因此,通過定位部488的側面488a,防止隨著基板支撐構件402的旋轉而晶片W的位置產生位移，能夠提高之后的基板搬運的穩(wěn)定性。[0261]圖43A是表不基板把持機構的變形例的一部分的剖視圖，圖43B是表不圖43A所示的基板支撐構件的側視圖。另外，沒有特別說明的本變形例的結構以及動作與上述的基板把持機構相同，因此省略該重復的說明。[0262]在基板支撐構件402的側面形成有螺旋槽490。該螺旋槽490具有相對于基板支撐構件402的軸心而略微傾斜的部分。此外，該螺旋槽490的上部以及下部沿著與基板支撐構件402的軸心平行的方向延伸。在保持部401b上設置有與螺旋槽490松弛卡合的銷491。根據這樣的結構，若基板支撐構件402上下移動，則通過螺旋槽490和銷491的卡合，基板支撐構件402僅繞其軸心旋轉規(guī)定的角度。若基板支撐構件402旋轉，則夾緊構件480向與晶片W的周邊部接觸以及離開的方向移動。因此，在本實施方式中，螺旋槽490以及銷491作為使基板支撐構件402繞其軸心旋轉并通過夾緊構件480來把持晶片W的把持機構(旋轉機構)而發(fā)揮作用。該把持機構(旋轉機構)通過基板支撐構件402的上下移動來動作。[0263]圖44是表示在基板把持機構上安裝旋轉罩450的例子的縱剖視圖。圖44的左半部表示把持基板的狀態(tài)，右半部表示松開基板的把持的狀態(tài)。另外，在圖44中，示意性地記載了旋轉軸405、圓筒體407、提升機構470等，它們的詳細結構如圖33所示。此外，圖44示出了旋轉罩450的縱斷面。[0264]如圖44所示，旋轉罩450配置為固定在基臺401的上表面且包圍晶片W。旋轉罩450的縱斷面形狀向徑向內側傾斜。旋轉罩450的上端與晶片W接近，旋轉罩450的上端的內徑設定為比晶片W的直徑略大。此外，在旋轉罩450的上端形成有順著基板支撐構件402的外周面形狀的與各基板支撐構件402相對應的切口450a。在旋轉罩450的底面形成有傾斜延伸的液體排出孔451。[0265]這樣的安裝了旋轉罩450的基板把持機構能夠適用于使用液體的基板清洗裝置以及基板干燥裝置。例如，能夠將上述基板把持機構適用于一邊使晶片旋轉、一邊向晶片的上表面供給清洗液的基板清洗裝置中。向晶片的上表面供給的清洗液(例如純水)由于離心力而從晶片的周邊部飛出，并被與晶片同一轉速旋轉的旋轉罩450的內周面捕捉到。由于旋轉罩450的內周面是傾斜的，因此清洗液受到離心力的作用而被強制性的流向下方，然后，利用旋轉罩450的液體排出孔451從下方排出。這樣，由于旋轉罩450與晶片成為一體地旋轉，因此液體的回派少，從而能夠防止在晶片上形成水麻點(watermark)。為了清洗晶片，通過使用圖44所示的基板把持機構，通過設在多個基板支撐構件402的上端的基板把持部480來推壓晶片W、把持晶片W，一邊使被基板把持部480把持的晶片W旋轉，一邊向晶片W上供給清洗液來清洗晶片W，還能夠通過使多個基板支撐構件402上下移動的動作，進行使多個基板支撐構件402上升、使基板把持部480離開晶片W的一系列操作，能夠在不施加外力的情況下清洗基板，由于不施加外力，因此不會帶來機械式的不好的影響。[0266]上述的基板把持機構除了基板清洗裝置以外還能夠適用于多種類型的處理裝置。例如，可以將圖44所示的基板把持機構適用于旋轉移動(口夕5二)式的干燥裝置。該旋轉移動式的干燥是從并列的2個噴嘴分別向旋轉的晶片的表面供給IPA蒸氣(異丙醇和氮氣的混合氣體)和純水，并使2個噴嘴沿晶片的徑向移動來干燥晶片的表面的方法。該旋轉移動式干燥作為抑制水麻點的形成的干燥方法而備受注目。為了干燥晶片W，通過使用圖44所示的基板把持機構，通過設在多個基板支撐構件402的上端的基板把持部480來推壓晶片W、把持晶片W，一邊使基板把持部480所把持的晶片W旋轉，一邊向晶片W上供給包含異丙醇的IPA蒸氣以使晶片W干燥，還能夠通過使多個基板支撐構件402上下移動的動作，進行使多個基板支撐構件402上升、使基板把持部480離開基板的一系列操作，能夠在不施加機械外力的情況下處理晶片，由于不施加機械外力，因此不會帶來不好的影響。另外，能夠降低干燥時因離心力而飛散的水滴等所帶來的影響。[0267]上述的基板把持機構構成為所有的4個基板支撐構件都旋轉來產生基板把持力，例如，也可以構成為4個基板支撐構件中的相互對置的2個僅能夠在上下方向上移動，而不能夠繞其軸心旋轉。在該情況下，可以使不旋轉的2個基板支撐構件用于基板的位置對準。此外，基板支撐構件也可以是3個，或者也可以具有5個以上的基板支撐構件。在設有3個基板支撐構件的情況下，可以僅在其中的I個上設置上述的旋轉機構(磁鐵或者螺旋槽)。[0268]另外，在上述的實施方式中，第I磁鐵481安裝在基臺401上，第2磁鐵482以及第3磁鐵483安裝在基板支撐構件402上，但本發(fā)明不僅限于這樣的配置。例如，也可以將第I磁鐵481安裝在基板支撐構件402上，也可以將第2磁鐵482以及第3磁鐵483安裝在基臺401上。[0269]接著，對具有上述的基板把持機構的上側干燥模塊205A以及下側干燥模塊205B的結構進行說明。上側干燥模塊205A以及下側干燥模塊205B都是進行旋轉移動式干燥的干燥機。由于上側干燥模塊205A以及下側干燥模塊205B具有相同的結構，因此，下面僅對上側干燥模塊205A進行說明。圖45是表示上側干燥模塊205A的縱剖視圖，圖46是表示上側干燥模塊205A的俯視圖。[0270]在晶片W的上方配置有向晶片W的表面(前面)供給作為清洗液的純水的前噴嘴454。前噴嘴454配置為朝向晶片W的中心。該前噴嘴454與未圖示的純水供給源(清洗液供給源)連接，通過前噴嘴454向晶片W的表面的中心供給純水。作為清洗液，除了純水以外還可以是藥液。此外，在晶片W的上方并列配置了用于進行旋轉移動式干燥的2個噴嘴460、461。噴嘴460用于向晶片W的表面供給IPA蒸氣(異丙醇和氮氣的混合氣體),噴嘴461用于向晶片W的表面供給純水，以防止晶片W的表面干燥。上述這些噴嘴460、461構成為能夠沿晶片W的徑向移動。[0271]在旋轉軸406的內部配置有與清洗液供給源465連接的后噴嘴463，以及與干燥氣體供給源466連接的氣體噴嘴464。在清洗液供給源465中積存有作為清洗液的純水，通過后噴嘴463向晶片W的背面供給純水。此外，在干燥氣體供給源466中積存有作為干燥氣體的氮氣或者干燥空氣等，通過氣體噴嘴464向晶片W的背面供給干燥氣體。[0272]圖47是表示向噴嘴460供給IPA蒸氣(異丙醇和氮氣的混合氣體)的IPA供給單元的示意圖。該IPA供給單元設置在基板處理裝置內。如圖47所示，IPA供給單元具備由不銹鋼等的金屬構成的起泡槽(bubblingtank)501。在該起泡槽501的內部的底部配置有產生氮氣的氣泡的起泡器502。起泡器502與氮氣起泡管道503連接，另外該氮氣起泡管道503與氮氣導入管道504連接。氮氣導入管道504與氮氣供給源505連接。氮氣導入管道504以及氮氣起泡管道503上分別設有調整閥514、515。[0273]在氮氣起泡管道503上設有質量流量(massflow)控制器520以及過濾器521。氮氣從氮氣供給源505開始，經由氮氣導入管道504、氮氣起泡管道503以及過濾器521供給至起泡器502。通過質量流量控制器520將氮氣維持在一定的流量。優(yōu)選的氮氣向起泡器502的供給流量是O?10SLM左右。另外，單位SLM是StandardLitterperMinute的縮寫，表示在0°C、1個大氣壓的條件下的氣體流量的單位。[0274]起泡槽501還與IPA液供給管道506以及IPA蒸氣輸送管道507連接。IPA蒸氣輸送管道507經由過濾器522，與上側干燥模塊205A以及下側干燥模塊205B的噴嘴460(參照圖45)連接。IPA液供給管道506與IPA供給源508連接，液狀的IPA(異丙醇)經由IPA液供給管道506供給至起泡槽501。在起泡槽501內設置有檢測起泡槽501內的IPA液的液面的液面?zhèn)鞲衅?未圖示)。在IPA液供給管道506上設有調整閥516，通過調整閥516來調整IPA液的供給流量，以使的液面?zhèn)鞲衅鞯妮敵鲂盘?即，IPA液的液面位置)在規(guī)定的范圍內。例如，在起泡槽501內蓄積200mL?700mL的IPA液。[0275]通常，若連續(xù)進行起泡，則由于IPA的蒸發(fā)熱(氣化熱)而起泡槽501內的IPA液的溫度降低。若IPA液的溫度降低，則會導致IPA蒸氣的濃度下降，從而變得很難穩(wěn)定地進行晶片的干燥。因此，為了將IPA液的溫度保持一定，在起泡槽501的周圍設有水套510。在該水套510中流通保溫水，由此將起泡槽501內存積的IPA液的溫度保持一定。保溫水從設在水套510的下部的入口流入水套510內，從設在水套510的上部的出口流出。水套510中流動的保溫水的優(yōu)選流量是50mL/min?200mL/min，保溫水的優(yōu)選溫度是22?25°C。在本實施方式中，作為保溫水使用了DIW(超純水),但也可以使用其他的介質。[0276]通過在IPA液中的氮氣的起泡來產生IPA蒸氣，在起泡槽501內的上部空間積存IPA蒸氣。該IPA蒸氣經由IPA蒸氣輸送管道507以及過濾器522被送至上側干燥模塊205A以及下側干燥模塊205B的噴嘴460(參照圖45)。由于經過過濾器522，因此能夠保持向晶片供給的IPA蒸氣的潔凈度。IPA蒸氣的優(yōu)選溫度是18?25°C。這樣不會給晶片帶來熱應力。[0277]在起泡槽501內產生的IPA蒸氣的優(yōu)選濃度為O?4vol%左右。若提高保溫水自身的溫度，則起泡槽501內的IPA液的溫度上升，氣化的IPA的濃度升高。因此，能夠根據保溫水的溫度來調整IPA蒸氣的濃度。對使用保溫水的IPA液進行加熱優(yōu)點在于，不需要設置加熱器等的電熱源，能夠確?；逄幚硌b置的安全。[0278]作為連結氮氣導入管道504和IPA蒸氣輸送管道507的旁路管道，設有氮氣稀釋管道525。在該氮氣稀釋管道525上設有質量流量控制器527、調整閥528以及防倒流閥529。氮氣經由氮氣稀釋管道525直接輸送至IPA蒸氣輸送管道507，由此能夠用氮氣來稀釋IPA蒸氣。向IPA蒸氣輸送管道507輸送的氮氣的流量是通過質量流量控制器527來控制的。[0279]在起泡槽501的上部連接有IPA溢流管道530。該IPA溢流管道530上設有調整閥532、防倒流閥533以及放開閥534。調整閥532和放開閥534并列(并聯)排列。若起泡槽501內的壓力超過了某個值，則放開閥534打開，起泡槽501內的IPA蒸氣向外部放出。此外，在向起泡槽501補充IPA時，調整閥532打開，起泡槽501內壓力變?yōu)榇髿鈮?。另外，調整閥515、528也可以是閉止閥。在該情況下，通過質量流量控制器520、527來調整氮氣的流量，另一方面，通過閉止閥515、528來切斷氮氣流。[0280]接著，對如上述構成的干燥模塊205A的動作進行說明。[0281]首先，通過馬達415，使晶片W以及旋轉罩450成為一體地旋轉。在該狀態(tài)下，從前噴嘴454以及后噴嘴463向晶片W的表面(上表面)以及背面(下表面)供給純水,用純水沖洗晶片W的整個面。向晶片W供給的純水由于離心力而向晶片W的表面以及整個背面擴散，由此沖洗了整個晶片W。從旋轉的晶片W甩落的純水被旋轉罩450捕捉到，并流入液體排出孔451。在晶片W的沖洗處理期間，2個噴嘴460、461位于離開晶片W的規(guī)定的待機位置。[0282]接著，停止從前噴嘴454供給純水，使前噴嘴454移動至離開晶片W的規(guī)定的待機位置，并且使2個噴嘴460、461移動至晶片W的上方的作業(yè)位置。然后，一邊使晶片W以30?150min—1的速度低速旋轉，一邊從噴嘴460向晶片W的表面供給IPA蒸氣、從噴嘴461向晶片W的表面供給純水。此時，從后噴嘴463向晶片W的背面也供給純水。然后，使2個噴嘴460、461同時沿晶片W的徑向移動。由此來干燥晶片W的表面(上表面)。[0283]然后，使2個噴嘴460、461移動至規(guī)定的待機位置，停止從后噴嘴463供給純水。然后，使晶片W以1000?1500min—1的速度高速旋轉，從而甩落附著在晶片W的背面的純水。此時，從氣體噴嘴464向晶片W的背面噴射干燥氣體。這樣來干燥晶片W的背面。通過圖1所示的搬運機器人22，從干燥模塊205A中取出干燥后的晶片W，并將其放回晶片盒。這樣，對晶片進行了包含研磨、清洗以及干燥的一系列的處理。根據如上述構成的干燥模塊205A，能夠迅速且高效地對晶片W的兩面進行干燥，此外，能夠正確地控制干燥處理的結束時刻。因此，用于干燥處理的處理時間不會成為整個清洗工藝方法的限速工序。此外，由于可以使清洗部4中所形成的上述的多個清洗線中的處理時間均衡，因此能夠提高整個工藝方法的處理效率。[0284]記載上述的實施方式的目的在于，使得具有本發(fā)明所屬【
技術領域：
】的基礎知識的技術人員能夠實施本發(fā)明。本領域的技術人員能夠想到上述實施方式的多種變形例，本發(fā)明的技術思想也能夠適用于其他的實施方式。因此，本發(fā)明不僅限于所記載的實施方式，本發(fā)明的范圍應該是按照權利要求所定義的技術的思想的最大范圍。【權利要求】1.一種基板處理裝置，其特征在于，具有:研磨部，具有保持基板且能夠上下移動的頂圈；搬運機構，具有能夠進行所述頂圈和基板的交接且能夠上下移動的搬運臺；以及擋圈固定器，配置在所述頂圈和所述搬運臺之間，所述頂圈具有頂圈主體以及相對于該頂圈主體能夠相對地上下移動的擋圈，所述擋圈固定器具有上推所述擋圈的多個上推機構。2.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述上推機構包括:與所述擋圈接觸的上推銷；以及向上方推壓該上推銷的彈簧。3.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述擋圈固定器具有磨損測定器，該磨損測定器在所述上推機構上推所述擋圈的期間內測定所述擋圈的磨損量。4.根據權利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于，所述磨損測定器具備:接觸構件，與所述擋圈的下表面接觸；彈簧，向上方推壓所述接觸構件；直動式引導構件，將所述接觸構件支撐為能夠在上下方向上移動；以及位移測定器，測定所述接觸構件的位移。5.一種擋圈固定器，用于放置頂圈，該頂圈具有頂圈主體以及相對于該頂圈主體能夠相對地上下移動的擋圈，該擋圈固定器的特征在于，具有上推所述擋圈的多個上推機構。6.根據權利要求5所述的擋圈固定器，其特征在于，所述上推機構包括:與所述擋圈接觸的上推銷；以及向上方推壓該上推銷的彈簧。7.根據權利要求5所述的擋圈固定器，其特征在于，所述上推機構具有磨損測定器，該磨損測定器在上推所述擋圈的期間內測定所述擋圈的磨損量。8.根據權利要求7所述的擋圈固定器，其特征在于，所述磨損測定器具備:接觸構件，與所述擋圈的下表面接觸；彈簧，向上方推壓所述接觸構件；直動式引導構件，將所述接觸構件支撐為能夠在上下方向上移動；以及位移測定器，測定所述接觸構件的位移。9.一種基板處理方法，其特征在于，包括如下工序:使頂圈移動至基板的搬運位置，通過搬運臺將基板搬運至所述搬運位置，通過使所述頂圈下降并使該頂圈的擋圈與上推機構接觸，用所述上推機構來上推所述擋圈，一邊使所述頂圈下降，一邊使所述搬運臺上升，將基板從所述搬運臺交給所述頂圈，使基板從所述搬運位置移動至研磨位置，對基板進行研磨。10.一種基板把持機構，其特征在于，具備:基臺;基板支撐構件，支撐在所述基臺上，能夠相對于該基臺在上下方向上相對移動；基板把持部，分別設置在所述基板支撐構件的上端；驅動機構，使所述基板支撐構件上下移動；推壓機構，與所述基板支撐構件的下降連動，向基板推壓至少I個所述基板支撐構件上的所述基板把持部，與所述基板支撐構件的上升連動，使所述基板把持部離開基板。11.根據權利要求10所述的基板把持機構，其特征在于，所述推壓機構是與所述基板支撐構件的上下移動連動，使所述至少I個基板支撐構件繞其軸心旋轉的旋轉機構。12.根據權利要求11所述的基板把持機構，其特征在于，所述基板把持部是相對于所述基板支撐構件的軸心偏心地配置的圓筒狀的夾緊構件。13.根據權利要求10所述的基板把持機構，其特征在于，所述推壓機構具備:第I磁鐵，安裝在所述至少I個所述基板支撐構件以及所述基臺中的某一個上，第2磁鐵，安裝在所述至少I個所述基板支撐構件以及所述基臺中的另一個上，隨著所述基板支撐構件的上下移動，所述第I磁鐵的位置變?yōu)榕c所述第2磁鐵接近的位置，在所述第I磁鐵和所述第2磁鐵接近時，通過在所述第I磁鐵和所述第2磁鐵之間產生的磁力，使所述基板支撐構件向使得所述基板把持部推壓基板的周邊部的方向移動。14.根據權利要求13所述的基板把持機構，其特征在于，在安裝有所述第2磁鐵的所述至少I個所述基板支撐構件或者所述基臺上，還安裝有第3磁鐵，隨著所述基板支撐構件的上下移動，所述第I磁鐵的位置變?yōu)榕c所述第2磁鐵以及所述第3磁鐵中的某一個接近的位置。15.根據權利要求14所述的基板把持機構，其特征在于，在所述第I磁鐵和所述第2磁鐵接近時，通過在所述第I磁鐵和所述第2磁鐵之間產生的磁力，使所述基板支撐構件向使得所述基板把持部推壓基板的周邊部的方向繞其軸心旋轉，在所述第I磁鐵和所述第3磁鐵接近時，通過在所述第I磁鐵和所述第3磁鐵之間產生的磁力，使所述基板支撐構件向使得所述基板把持部離開基板的方向繞其軸心旋轉。16.根據權利要求14所述的基板把持機構，其特征在于，所述第2磁鐵以及所述第3磁鐵配置為在上下方向上相互離開。17.根據權利要求10所述的基板把持機構，其特征在于，在所述至少I個基板支撐構件上形成有沿其軸心延伸的槽，在所述基臺上設有與所述槽松弛卡合的突起部。18.根據權利要求10所述的基板把持機構，其特征在于，所述推壓機構具有:螺旋槽，形成在所述至少I個基板支撐構件上；以及銷，設置在所述基臺上，與所述螺旋槽卡合。19.根據權利要求11所述的基板把持機構，其特征在于，所述多個基板支撐構件是至少4個基板支撐構件，所述基板支撐構件中的相互對置的2個基板支撐構件不能夠旋轉，能夠上下移動。20.根據權利要求10所述的基板把持機構，其特征在于，還具有使所述基臺以及所述多個基板支撐構件旋轉的機構。21.一種基板把持機構，其特征在于，具備:基臺;多個基板支撐構件，支撐在所述基臺上；基板把持部以及定位部，分別設置在所述基板支撐構件的上端；以及旋轉機構，使至少一個所述基板支撐構件繞其軸心旋轉，所述基板把持部相對于所述基板支撐構件的軸心偏心地配置，所述定位部具有沿著與所述基板支撐構件同心的圓而彎曲的側面。22.一種把持基板的基板把持方法，其特征在于，包括下述工序:在多個基板支撐構件上放置基板的工序；把持工序，使所述多個基板支撐構件下降，通過在該多個基板支撐構件的上端設置的基板把持部來推壓基板，從而把持該基板；以及離開工序，使所述多個基板支撐構件上升，使所述基板把持部離開基板。23.根據權利要求22所述的基板把持方法，其特征在于，所述把持工序通過使所述多個基板支撐構件中的至少一個旋轉，向基板推壓所述基板把持部。24.根據權利要求23所述的基板把持方法，其特征在于，所述多個基板支撐構件中的相互對置的2個基板支撐構件不能夠旋轉，能夠上下移動。25.—種一邊把持基板一邊清洗基板的方法,其特征在于,包括如下工序:把持工序，通過設置在多個基板支撐構件的上端的基板把持部來推壓基板，從而把持該基板，其中所述多個基板支撐構件被旋轉罩覆蓋，清洗工序，一邊使所述基板把持部所把持的基板旋轉，一邊向該基板上供給清洗液，從而清洗該基板；以及離開工序，使所述多個基板支撐構件上升，以使所述基板把持部離開基板，通過使所述多個基板支撐構件上下移動的動作，來進行所述把持工序和所述離開工序。26.—種一邊把持基板一邊干燥基板的方法,其特征在于,包括如下工序:把持工序，通過設置在多個基板支撐構件的上端的基板把持部來推壓基板，從而把持該基板，其中所述多個基板支撐構件被旋轉罩覆蓋；干燥工序，一邊使所述基板把持部所把持的基板旋轉，一邊向該基板上供給包含異丙醇的蒸氣，從而干燥該基板；以及離開工序，使所述多個基板支撐構件上升，以使所述基板把持部離開基板，通過使所述多個基板支撐構件進行上下移動的動作，來進行所述把持工序和所述離開工序。【文檔編號】H01L21/67GK103839857SQ201410084660【公開日】2014年6月4日申請日期:2009年6月4日優(yōu)先權日:2008年6月4日【發(fā)明者】宮崎充,勝岡誠司,松田尚起,國澤淳次,小林賢一,外崎宏,筱崎弘行,鍋谷治,森澤伸哉,小川貴弘,牧野夏木申請人:株式會社荏原制作所