本發(fā)明涉及襯底處理裝置、半導(dǎo)體器件的制造方法及程序。

背景技術(shù)：

作為半導(dǎo)體器件(元器件：device)的制造工序之一，進(jìn)行對(duì)襯底供給處理氣體和反應(yīng)氣體來在襯底上形成膜的處理工序。例如，在專利文獻(xiàn)1、2等中有所記載。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2011-181771

專利文獻(xiàn)2：日本特開2010-206222

但是，在襯底的搬送中，具有在襯底上附著顆粒而導(dǎo)致對(duì)襯底的處理品質(zhì)降低的情況。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于，提供一種提高對(duì)襯底的處理品質(zhì)的技術(shù)。

根據(jù)一個(gè)方案而提供一種技術(shù)，其具有：

處理襯底的多個(gè)處理室；搬送襯底的搬送室；多個(gè)移載室，其設(shè)在搬送室與處理室之間，并與各處理室分別對(duì)應(yīng)；多個(gè)閘閥，其設(shè)在搬送室與移載室之間；多個(gè)第一氣體供給部，其設(shè)在搬送室內(nèi)，并分別對(duì)從多個(gè)閘閥通過的位置上的襯底供給非活性氣體；搬送機(jī)械手，其設(shè)在搬送室內(nèi)，并將襯底向移載室內(nèi)搬送；和控制部，其控制多個(gè)第一氣體供給部和搬送機(jī)械手，使得當(dāng)?shù)谝粴怏w供給部的供給孔與從閘閥通過的襯底之間的距離為第一距離時(shí)，以第一流量供給非活性氣體，當(dāng)距離為比第一距離長的第二距離時(shí)，以比第一流量多的第二流量供給非活性氣體。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)，能夠提高對(duì)襯底的處理品質(zhì)。

附圖說明

圖1是一個(gè)實(shí)施方式的襯底處理系統(tǒng)的橫截面的概要圖。

圖2是一個(gè)實(shí)施方式的襯底處理系統(tǒng)的縱截面的概要圖。

圖3是一個(gè)實(shí)施方式的襯底處理系統(tǒng)的真空搬送室內(nèi)的工藝模塊附近的概要圖。

圖4是一個(gè)實(shí)施方式的襯底處理系統(tǒng)的真空搬送室內(nèi)的工藝模塊附近的概要圖，且是表示沒有晶片的情況的圖。

圖5是一個(gè)實(shí)施方式的襯底處理系統(tǒng)的真空搬送室內(nèi)的工藝模塊附近的概要圖，且是表示晶片搬入前和搬出后的圖。

圖6是表示一個(gè)實(shí)施方式的第一氣體供給部與晶片之間的位置關(guān)系的圖。

圖7是用于說明一個(gè)實(shí)施方式的通向第一氣體供給部的氣體供給系統(tǒng)的圖。

圖8是一個(gè)實(shí)施方式的襯底處理系統(tǒng)的真空搬送機(jī)械手的概要圖。

圖9是表示一個(gè)實(shí)施方式的真空搬送機(jī)械手的末端執(zhí)行器的高度的關(guān)系的圖。

圖10是一個(gè)實(shí)施方式的襯底處理裝置的概要構(gòu)成圖。

圖11是一個(gè)實(shí)施方式的腔室(chamber)的縱截面的概要圖。

圖12是用于說明一個(gè)實(shí)施方式的氣體供給系統(tǒng)的圖。

圖13是一個(gè)實(shí)施方式的襯底處理系統(tǒng)的控制器的概要構(gòu)成圖。

圖14是一個(gè)實(shí)施方式的襯底處理工序的流程圖。

圖15是一個(gè)實(shí)施方式的襯底處理工序的時(shí)序圖。

圖16是另一個(gè)實(shí)施方式的襯底處理系統(tǒng)的縱截面的概要圖。

圖17是另一個(gè)實(shí)施方式的襯底處理系統(tǒng)的真空搬送室內(nèi)的工藝模塊附近的概要圖。

附圖標(biāo)記說明

100-腔室，110-工藝模塊，200-晶片(襯底)，201-處理室(處理空間)，202-處理容器，203-移載室，212-襯底載置臺(tái)，232-緩沖空間，234-噴頭，1000-襯底處理系統(tǒng)，1400-真空搬送室。

具體實(shí)施方式

<第一實(shí)施方式>

以下根據(jù)附圖對(duì)本發(fā)明的第一實(shí)施方式進(jìn)行說明。

以下，對(duì)本實(shí)施方式的襯底處理系統(tǒng)進(jìn)行說明。

(1)襯底處理系統(tǒng)的構(gòu)成

利用圖1～圖11對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的襯底處理系統(tǒng)的概要構(gòu)成進(jìn)行說明。圖1是表示本實(shí)施方式的襯底處理系統(tǒng)的構(gòu)成例的橫截面圖。圖2是表示本實(shí)施方式的襯底處理系統(tǒng)的構(gòu)成例的圖1的α-α’處的縱截面圖。圖3是沿z1方向觀察圖2的γ-γ′而看到的真空搬送室和工藝模塊附近的概要圖。此外，在圖3中省略了真空搬送機(jī)械手1700等的構(gòu)成。圖6是表示第一氣體供給部與晶片200之間的位置關(guān)系的圖。圖7是說明向搬送室供給非活性氣體的非活性氣體供給系統(tǒng)的說明圖。圖8是說明圖1的臂的具體情況的說明圖。圖10是圖1的β-β’的縱截面圖，且是說明向工藝模塊進(jìn)行供給的氣體供給系統(tǒng)的說明圖。圖11是說明設(shè)在工藝模塊內(nèi)的腔室的說明圖。

在圖1及圖2中，本發(fā)明所適用的襯底處理系統(tǒng)1000對(duì)晶片200進(jìn)行處理，其主要由io載臺(tái)1100、大氣搬送室1200、加載互鎖(load-lock)室1300、真空搬送室1400、和工藝模塊110構(gòu)成。以下具體說明各構(gòu)成。在圖1的說明中，關(guān)于前后左右，將x1方向設(shè)為右，將x2方向設(shè)為左，將y1方向設(shè)為前，并將y2方向設(shè)為后。

(大氣搬送室·io載臺(tái))

在襯底處理系統(tǒng)1000的近前設(shè)有io載臺(tái)(裝載口)1100。在io載臺(tái)1100上搭載有多個(gè)舟皿1001。舟皿1001作為搬送硅(si)襯底等襯底200的載體來使用，構(gòu)成為在舟皿1001內(nèi)分別以水平姿勢(shì)收納有多張未處理的襯底(晶片)200和已處理的襯底200。

在舟皿1001上設(shè)有蓋1120，并通過后述的舟皿開啟器1210進(jìn)行開閉。舟皿開啟器1210對(duì)載置于io載臺(tái)1100上的舟皿1001的蓋1120進(jìn)行開閉，通過將襯底出入口打開、關(guān)閉，能夠進(jìn)行襯底200相對(duì)于舟皿1001的出入。舟皿1001通過未圖示的工序內(nèi)搬送裝置(rgv)而相對(duì)于io載臺(tái)1100被供給及排出。

io載臺(tái)1100與大氣搬送室1200相鄰。大氣搬送室1200在其不同于io載臺(tái)1100的面上連結(jié)后述的加載互鎖室1300。

在大氣搬送室1200內(nèi)設(shè)有作為移載襯底200的第一搬送機(jī)械手的大氣搬送機(jī)械手1220。如圖2所示，大氣搬送機(jī)械手1220以通過設(shè)在大氣搬送室1200內(nèi)的升降機(jī)1230來升降的方式構(gòu)成，并以通過線性驅(qū)動(dòng)器1240而沿左右方向往復(fù)移動(dòng)的方式構(gòu)成。

如圖2所示，在大氣搬送室1200的上部設(shè)有供給清潔空氣的清潔單元1250。另外，如圖1所示，在大氣搬送室1200的左側(cè)，設(shè)有與形成在襯底200上的缺口或定向平面對(duì)準(zhǔn)的裝置(以下稱為預(yù)對(duì)準(zhǔn)器)1260。

如圖1及圖2所示，在大氣搬送室1200的殼體1270的前側(cè)，設(shè)有用于將襯底200相對(duì)于大氣搬送室1200搬入搬出的襯底搬入搬出口1280、和舟皿開啟器1210。在隔著襯底搬入搬出口1280而與舟皿開啟器1210相反的一側(cè)、即殼體1270的外側(cè)設(shè)有io載臺(tái)(裝載口)1100。

在大氣搬送室1200的殼體1270的后側(cè)，設(shè)有用于將晶片200相對(duì)于加載互鎖室1300搬入搬出的襯底搬入搬出口1290。襯底搬入搬出口1290通過后述的閘閥1330而打開、關(guān)閉，從而能夠進(jìn)行晶片200的出入。

(加載互鎖(l/l)室)

加載互鎖室1300與大氣搬送室1200相鄰。在構(gòu)成加載互鎖室1300的殼體1310所具有的面中的、與大氣搬送室1200不同的面上，如后所述地配置有真空搬送室1400。加載互鎖室1300由于殼體1310內(nèi)的壓力配合著大氣搬送室1200的壓力和真空搬送室1400的壓力而變動(dòng)，所以構(gòu)成為能夠承受負(fù)壓的構(gòu)造。

在殼體1310中的與真空搬送室1400相鄰的一側(cè)設(shè)有襯底搬入搬出口1340。襯底搬入搬出口1340通過閘閥1350而打開、關(guān)閉，從而能夠進(jìn)行晶片200的出入。

進(jìn)一步地，在加載互鎖室1300內(nèi)，設(shè)有至少具有兩個(gè)載置晶片200的載置面1311(1311a、1311b)的襯底載置臺(tái)1320。襯底載置面1311之間的距離根據(jù)后述的真空搬送機(jī)械手1700所具有的手指之間的距離而設(shè)定。

(真空搬送室)

襯底處理系統(tǒng)1000具有作為成為在負(fù)壓下搬送襯底200的搬送空間的搬送室的真空搬送室(傳輸模塊)1400。構(gòu)成真空搬送室1400的殼體1410在俯視下形成為五邊形，在五邊形的各邊上連結(jié)有加載互鎖室1300及對(duì)晶片200進(jìn)行處理的工藝模塊110a～110d。在真空搬送室1400的大致中央部，以凸緣1430為基部設(shè)有作為在負(fù)壓下移載(搬送)襯底200的第二搬送機(jī)械手的真空搬送機(jī)械手1700。此外，在此將真空搬送室1400以五邊形的例子示出，但也可以是四邊形或六邊形等多邊形。

在殼體1410的側(cè)壁中的與加載互鎖室1300相鄰的一側(cè)設(shè)有襯底搬入搬出口1420。襯底搬入搬出口1420通過閘閥1350而打開、關(guān)閉，從而能夠進(jìn)行晶片200的出入。

如圖2所示，作為設(shè)在真空搬送室1400內(nèi)的搬送機(jī)械手的真空搬送機(jī)械手1700以通過升降機(jī)1450及凸緣1430能夠在維持真空搬送室1400的氣密性的同時(shí)升降的方式構(gòu)成。真空搬送機(jī)械手1700的具體構(gòu)成詳見后述。升降機(jī)1450以能夠使真空搬送機(jī)械手1700所具有的兩條臂1800和1900分別獨(dú)立地升降的方式構(gòu)成。

如圖1所示，在殼體1410的五面?zhèn)缺谥械奈丛O(shè)置加載互鎖室1300的一側(cè)，連結(jié)有對(duì)晶片200進(jìn)行所希望的處理的工藝模塊110a、110b、110c、110d。

在各工藝模塊110a、110b、110c、110d內(nèi)分別設(shè)有作為襯底處理裝置的一個(gè)構(gòu)成的腔室100。具體而言，在工藝模塊110a內(nèi)設(shè)有腔室100a、100b；在工藝模塊110b內(nèi)設(shè)有腔室100c、100d；在工藝模塊110c內(nèi)設(shè)有腔室100e、100f；在工藝模塊110d內(nèi)設(shè)有腔室100g、100h。

在殼體1410的側(cè)壁中的與各腔室100相對(duì)的壁上設(shè)有襯底搬入搬出口1480。例如，如圖2所示，在與腔室100e相對(duì)的壁上設(shè)有襯底搬入搬出口1480e。

圖2中，在將腔室100e替換成腔室100a的情況下，在與腔室100a相對(duì)的壁上設(shè)有襯底搬入搬出口1480a。

同樣地，在將腔室100f替換成腔室100b的情況下，在與腔室100b相對(duì)的壁上設(shè)有襯底搬入搬出口1480b。

如圖1所示，閘閥(gv)1490設(shè)在每個(gè)處理室內(nèi)。具體而言，在真空搬送室1400與腔室100a之間設(shè)有閘閥1490a，并在與腔室100b之間設(shè)有閘閥1490b。在與腔室100c之間設(shè)有閘閥1490c，并在與腔室100d之間設(shè)有閘閥1490d。在與腔室100e之間設(shè)有閘閥1490e，并在與腔室100f之間設(shè)有閘閥1490f。在與腔室100g之間設(shè)有閘閥1490g，并在與腔室100h之間設(shè)有閘閥1490h。

通過各閘閥1490進(jìn)行打開、關(guān)閉，從而能夠進(jìn)行經(jīng)由襯底搬入搬出口1480的晶片200的出入。

在此，發(fā)明人在這種裝置構(gòu)成中發(fā)現(xiàn)了以下課題。如圖16所示地構(gòu)成為，在各工藝模塊內(nèi)設(shè)有多個(gè)腔室，且閘閥相鄰。圖3中示出了工藝模塊110a的例子。在將晶片200搬入至各腔室時(shí)，如后所述，腔室100a的壓力與腔室100b的壓力不同，根據(jù)真空搬送室1400的壓力與腔室100a的壓力、腔室100b的壓力之間的關(guān)系，具有腔室內(nèi)的環(huán)境氣體從腔室100a和腔室100b中的某一方或雙方流入至真空搬送室1400的課題。另外，具有環(huán)境氣體從腔室100a流入至腔室100b、或者環(huán)境氣體從腔室100b流入至腔室100a的課題。發(fā)明人經(jīng)過銳意研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)：通過設(shè)置朝向圖2的用虛線箭頭標(biāo)記的方向的氣流，能夠抑制環(huán)境氣體從腔室100向真空搬送室1400的流出。以下，對(duì)供給非活性氣體的構(gòu)成進(jìn)行記述。

<第一氣體供給部>

如圖1、3、4所示，在閘閥(gv)1490a附近且在殼體1410的頂部上，設(shè)有用于向晶片200的表面供給非活性氣體的氣體供給孔(第一氣體供給孔、非活性氣體供給孔、gv氣體供給孔)1460。在第一氣體供給孔1460的周圍設(shè)有氣體引導(dǎo)件1461。氣體引導(dǎo)件1461抑制從第一氣體供給孔1460供給的非活性氣體向真空搬送室1400的上方擴(kuò)散。在此，圖3是沿z1方向觀察圖2所示的γ-γ′而看到的圖。此外，圖3中省略了真空搬送機(jī)械手1700等構(gòu)成。圖6示出了第一氣體供給部與晶片200之間的位置關(guān)系。

在第一氣體供給孔1460上連接有非活性氣體供給管1510。在非活性氣體供給管1510上，從上游起依次設(shè)有非活性氣體源1520、質(zhì)量流量控制器1530、閥1540。通過質(zhì)量流量控制器1530、閥1540等，對(duì)向殼體1410內(nèi)的閘閥1490附近、或從閘閥1460通過的晶片200的表面供給的非活性氣體的供給量進(jìn)行控制。此外，優(yōu)選第一氣體供給孔1460的下端配置在與閘閥1490的上端同等的高度上。通過這樣地構(gòu)成，能夠構(gòu)成為從第一氣體供給孔1460供給的非活性氣體的主流向gv和腔室內(nèi)流動(dòng)。

主要由第一氣體供給孔1460、非活性氣體供給管1510、質(zhì)量流量控制器1530、和閥1540構(gòu)成通向真空搬送室1400的閘閥1490的非活性氣體供給部(第一氣體供給)1500。此外，還可以將非活性氣體源1520包含到非活性氣體供給部1500內(nèi)。

另外，如圖6所示，第一氣體供給孔1460下端與晶片200表面之間的距離d以d＜l的關(guān)系構(gòu)成。在此，l是晶片200與第一氣體供給孔1460的下端所相對(duì)的面上的晶片200的徑向長度。通過這樣地構(gòu)成，能夠使從第一氣體供給孔1460供給的氣流直接向晶片200供給。由此，能夠使附著在晶片200表面上的處理氣體、反應(yīng)氣體、副產(chǎn)物、顆粒中的任一種或兩種以上脫離，并抑制其向真空搬送室1400內(nèi)的進(jìn)入。在為d＞l的關(guān)系的情況下，從第一氣體供給孔1460供給的氣流會(huì)向真空搬送室1400內(nèi)擴(kuò)散而不向晶片200供給，導(dǎo)致使吸附在晶片200上的氣體等脫離的效果會(huì)降低。另外，該d＜l的關(guān)系對(duì)于上側(cè)臂1800所保持的晶片200與第一氣體供給孔1460之間的距離d1、和下側(cè)臂1900所保持的晶片200與第一氣體供給孔1460之間的距離d2各自是相同的。具體而言，成為d1＜l、d2＜l。此外，如圖6所示，通過像上側(cè)臂1800和下側(cè)臂1900那樣使兩條臂的高度各不相同，能夠同時(shí)進(jìn)行晶片200的搬入和搬出，并且能夠使搬送吞吐量提高。

另外，優(yōu)選使分別向兩條臂供給的非活性氣體的流量不同。在以上側(cè)臂1800所保持的晶片200與第一氣體供給孔1460之間的距離d1、和下側(cè)臂1900所保持的晶片200與第一氣體供給孔1460之間的距離d2不同的方式形成的情況下，對(duì)于d1時(shí)的供給量，則具有在d2時(shí)向晶片200供給的量會(huì)不足、且氣體會(huì)從腔室流入至真空搬送室1400的情況。這種情況下，通過將非活性氣體的供給量設(shè)為d2＞d1，能夠抑制腔室內(nèi)的環(huán)境氣體流入至真空搬送室。

此外，如圖1、圖7所示，對(duì)于通向從其他閘閥1490a、1490b、1490c、1490d、1490e、1490f、1490g、1490h通過的晶片200的第一氣體供給部1500(1500a、1500b、1500c、1500d、1500e、1500f、1500g、1500h)也以同樣的方式構(gòu)成。此外，如圖7所示，非活性氣體源1520也可以以共用的方式構(gòu)成。

另外，也可以通過使設(shè)在各第一氣體供給部1500上的質(zhì)量流量控制器1530分別進(jìn)行控制，使向從各閘閥通過的晶片200的表面供給的惰性氣流量各不相同。另外，也可以使設(shè)在各第一氣體供給部1500上的閥1540的開閉定時(shí)各不相同。還可以構(gòu)成為與各閘閥的開閉定時(shí)、真空搬送機(jī)械手1700搬送晶片200的定時(shí)、或者向頂升銷207上載置晶片200的定時(shí)等配合地，使非活性氣體的供給定時(shí)或供給量發(fā)生變化。

例如，為了抑制各腔室的環(huán)境氣體向真空搬送室內(nèi)的流入，各腔室內(nèi)的壓力設(shè)定為比真空搬送室1400內(nèi)的壓力低。以圖3為例進(jìn)行說明，在將工藝模塊110a與真空搬送室1400之間的閘閥1490a和閘閥1490b同時(shí)打開的情況下，存在真空搬送室1400的環(huán)境氣體從真空搬送室1400流入至兩個(gè)腔室100a、100b雙方，并且真空搬送室1400與腔室100a和腔室100b之間的壓力差變小的情況。這種情況下，擔(dān)心氣體或存在于腔室100a、100b內(nèi)的副產(chǎn)物或顆粒會(huì)從腔室100a、100b流入至真空搬送室1400。

另外，還可以在各第一氣體供給部的與第一氣體供給孔1460相對(duì)的一側(cè)設(shè)置氣體引導(dǎo)件1465。通過設(shè)置氣體引導(dǎo)件1465，即使是第一氣體供給孔1460與晶片200不相對(duì)的情況下，從第一氣體供給孔1460供給的非活性氣體也能形成例如向腔室側(cè)流動(dòng)的氣體流動(dòng)，而不會(huì)向真空搬送室1400內(nèi)擴(kuò)散。在此，所謂不相對(duì)的情況例如具有以下情況。各情況的例子如圖4和圖5所示，該情況包括：1)將未保持晶片200的末端執(zhí)行器插入腔室內(nèi)的情況(圖4)；2)開始將保持有晶片200的末端執(zhí)行器向腔室內(nèi)搬送時(shí)、和搬出結(jié)束的情況(圖5)。

在殼體1410的底壁上設(shè)有用于將殼體1410的環(huán)境氣體排出的排氣口1470。在排氣口1470上設(shè)有排氣管1610。在排氣管1610上，從上游起依次設(shè)有壓力控制器即apc(autopressurecontroller)1620、泵1630。此外，在此apc1620至少具有閥體。閥體可以構(gòu)成為能夠基于從控制器260發(fā)送的數(shù)據(jù)來控制，也可以構(gòu)成為在apc1620的內(nèi)部設(shè)置控制裝置從而能夠由apc1620單獨(dú)進(jìn)行閥的開度調(diào)節(jié)。

主要由排氣口1470、排氣管1610、和apc1620構(gòu)成真空搬送室1400中的氣體排出部1600。此外，還可以將泵1630包含到搬送室排氣部?jī)?nèi)。

此外，排氣口1470優(yōu)選設(shè)在遠(yuǎn)離各閘閥的位置上，即，設(shè)在真空搬送機(jī)械手1700的附近。通過這樣地構(gòu)成，能夠抑制從各第一氣體供給部供給的非活性氣體、和各腔室內(nèi)的環(huán)境氣體流入至搬送室1400內(nèi)。

在各閘閥關(guān)閉的期間，通過第一氣體供給部1500和氣體排出部1600的協(xié)作對(duì)真空搬送室1400的環(huán)境氣體進(jìn)行控制。apc1620在各閘閥中的某一個(gè)正打開時(shí)、或各閘閥中的某一個(gè)打開之前，以能夠形成上述虛線箭頭方向的氣體流動(dòng)的方式使閥開度減小。此外，此時(shí)的apc1620還可以以完全關(guān)閉的方式構(gòu)成。

接著，利用圖8對(duì)搭載在真空搬送室1400內(nèi)的真空搬送機(jī)械手1700進(jìn)行說明。圖8是將圖1的真空搬送機(jī)械手1700放大后的圖。

真空搬送機(jī)械手1700具備兩條臂即臂1800和臂1900。臂1800具有在頂端設(shè)有兩個(gè)末端執(zhí)行器即末端執(zhí)行器1810和末端執(zhí)行器1820的叉形部分1830。在叉形部分1830的根部經(jīng)由軸1850連接有中間部分1840。此外，臂1800出于將兩張晶片200同時(shí)搬送的關(guān)系上，存在以使末端執(zhí)行器1810的高度與末端執(zhí)行器1820的高度不同的方式形成的情況。通過使末端執(zhí)行器的高度不同，能夠使搬送時(shí)的晶片200的位置調(diào)節(jié)容易化，從而使搬送吞吐量提高。在此，例如如圖9所示，以末端執(zhí)行器1810的高度比末端執(zhí)行器1820高的方式構(gòu)成。

這樣，在末端執(zhí)行器1810的高度與末端執(zhí)行器1820的高度不同的情況下，上述距離d根據(jù)末端執(zhí)行器而變化。這種情況下，由于末端執(zhí)行器上的流導(dǎo)會(huì)變化，所以存在非活性氣體從距離d短的一方向著距離長的一方流動(dòng)的情況。由此，存在一個(gè)腔室的環(huán)境氣體或顆粒向其他腔室流動(dòng)的情況。在圖3的情況下，氣體從腔室100b向腔室100a流動(dòng)。這種情況下，通過使向氣體供給孔1460b供給的非活性氣體的流量比向氣體供給孔1460a供給的非活性氣體的流量減少、或者使向氣體供給孔1460a供給的非活性氣體的流量比向氣體供給孔1460b供給的非活性氣體的流量增多，而能夠抑制從腔室100b向腔室100a的氣體流動(dòng)。

在末端執(zhí)行器1810和末端執(zhí)行器1820上載置從各個(gè)工藝模塊110搬出的晶片200。在圖2中，表示載置有從工藝模塊110c搬出的晶片200的例子。

在中間部分1840中的與叉形部分1830不同的部位上經(jīng)由軸1870連接有基底部分1860?；撞糠?860經(jīng)由軸1880配置在凸緣1430上。

臂1900具有在頂端設(shè)有兩個(gè)末端執(zhí)行器即末端執(zhí)行器1910和末端執(zhí)行器1920的叉形部分1930。在叉形部分1930的根部經(jīng)由軸1950連接有中間部分1940。此外，臂1900出于將兩張晶片200同時(shí)搬送的關(guān)系上，以使末端執(zhí)行器1910的高度與末端執(zhí)行器1920的高度不同的方式構(gòu)成。通過使末端執(zhí)行器的高度不同，能夠使搬送時(shí)的晶片200的位置調(diào)節(jié)容易化。在此，例如以末端執(zhí)行器1910的高度比末端執(zhí)行器1920高的方式構(gòu)成。

在末端執(zhí)行器1910和末端執(zhí)行器1920上載置從加載互鎖室1300搬出的晶片200。

在中間部分1940中的與叉形部分1930不同的部位上經(jīng)由軸1970連接有基底部分1960?；撞糠?970經(jīng)由軸1980配置在凸緣1430。

另外，末端執(zhí)行器1810、末端執(zhí)行器1820配置在比末端執(zhí)行器1910、末端執(zhí)行器1920高的位置上。

真空搬送機(jī)械手1700能夠進(jìn)行以軸為中心的旋轉(zhuǎn)、和臂的伸展。

(工藝模塊)

接著，以圖1、圖2、圖10為例對(duì)各工藝模塊110內(nèi)的工藝模塊110a進(jìn)行說明。圖10是說明工藝模塊110a和與工藝模塊110a連接的氣體供給部、與工藝模塊110a連接的氣體排出部之間的關(guān)聯(lián)的說明圖。

雖然在此以工藝模塊110a為例，但對(duì)于其他工藝模塊110b、工藝模塊110c、工藝模塊110d也是同樣的構(gòu)造，因此在此省略說明。

如圖10所示，在工藝模塊110a內(nèi)設(shè)有作為處理晶片200的襯底處理裝置的一個(gè)構(gòu)成的腔室100a和腔室100b。在腔室100a與腔室100b之間設(shè)有分隔壁2040a，其以使各個(gè)腔室內(nèi)的環(huán)境氣體不會(huì)混在一起的方式構(gòu)成。

如圖2所示，在真空搬送室1400與腔室100e相鄰的壁上設(shè)有襯底搬入搬出口2060e，同樣地，在真空搬送室1400與腔室100a相鄰的壁上設(shè)有襯底搬入搬出口2060a。

在各腔室100內(nèi)設(shè)有支承晶片200的襯底支承部210。

在工藝模塊110a內(nèi)，分別在腔室100a和腔室100b上連接有供給處理氣體的氣體供給部。氣體供給部由第一處理氣體供給部、第二處理氣體供給部、第一吹掃氣體供給部、第二吹掃氣體供給部中的至少一個(gè)以上構(gòu)成。關(guān)于各氣體供給部的構(gòu)成詳見后述。

(1)襯底處理裝置的構(gòu)成

說明第一實(shí)施方式的襯底處理裝置。

說明本實(shí)施方式的處理裝置100。襯底處理裝置100是高介電常數(shù)絕緣膜形成單元，如圖1所示構(gòu)成為枚葉式襯底處理裝置。在襯底處理裝置中進(jìn)行如上所述的半導(dǎo)體元器件的制造的一道工序。

如圖11所示，襯底處理裝置100具備處理容器202。處理容器202構(gòu)成為例如橫截面為圓形且扁平的密閉容器。另外，處理容器202由例如鋁(al)或不銹鋼(sus)等金屬材料或者由石英構(gòu)成。在處理容器202內(nèi)形成有對(duì)作為襯底的硅晶片等晶片200進(jìn)行處理的處理空間(處理室)201、和移載空間(移載室)203。處理容器202由上部容器202a和下部容器202b構(gòu)成。在上部容器202a與下部容器202b之間設(shè)有劃分板204。將被上部處理容器202a包圍的空間、即比劃分板204靠上方的空間稱為處理空間(也稱為處理室)201，將被下部容器202b包圍的空間、即比劃分板靠下方的空間稱為移載室203。

在下部容器202b的側(cè)面上設(shè)有與閘閥1490相鄰的襯底搬入搬出口1480，晶片200經(jīng)由襯底搬入搬出口1480在與未圖示的搬送室之間移動(dòng)。在下部容器202b的底部設(shè)有多個(gè)頂升銷207。而且，下部容器202b接地。

在處理室201內(nèi)設(shè)有支承晶片200的襯底支承部210。襯底支承部210具有載置晶片200的載置面211、和在表面具有載置面211和外周面215的襯底載置臺(tái)212。優(yōu)選地，設(shè)有作為加熱部的加熱器213。通過設(shè)置加熱部，能夠使襯底加熱，并使形成在襯底上的膜的品質(zhì)提高。在襯底載置臺(tái)212上，還可以在與頂升銷207對(duì)應(yīng)的位置上分別設(shè)有供頂升銷207貫穿的貫穿孔214。此外，還可以將形成在襯底載置臺(tái)212的表面上的載置面211的高度以比外周面215低相當(dāng)于晶片200厚度的長度量的方式形成。通過這樣地構(gòu)成，晶片200的上表面的高度與襯底載置臺(tái)212的外周面215之間的高度差變小，從而能夠抑制由于高度差而產(chǎn)生的氣體紊流。另外，在氣體紊流不影響針對(duì)晶片200的處理均勻性的情況下，也可以將外周面215的高度以與載置面211相同的平面上的高度以上的方式構(gòu)成。

襯底載置臺(tái)212由軸217支承。軸217貫穿處理容器202的底部，進(jìn)而在處理容器202的外部與升降機(jī)構(gòu)218連接。構(gòu)成為使升降機(jī)構(gòu)218工作來使軸217及襯底載置臺(tái)212升降，由此能夠使載置于襯底載置面211上的晶片200升降。此外，軸217下端部的周圍由波紋管219覆蓋，處理室201內(nèi)被氣密地保持。

襯底載置臺(tái)212在搬送晶片200時(shí)，以使襯底載置面211處于襯底搬入搬出口206的位置(晶片搬送位置)的方式下降，并且在處理晶片200時(shí)如圖1所示，上升至晶片200處于處理室201內(nèi)的處理位置(晶片處理位置)。

具體而言，在使襯底載置臺(tái)212下降至晶片搬送位置時(shí)，頂升銷207的上端部從襯底載置面211的上表面突出，頂升銷207從下方支承晶片200。另外，在使襯底載置臺(tái)212上升至晶片處理位置時(shí)，頂升銷207從襯底載置面211的上表面收回，襯底載置面211從下方支承晶片200。此外，頂升銷207由于與晶片200直接接觸，所以期望由例如石英或氧化鋁等材質(zhì)形成。此外，還可以對(duì)頂升銷207設(shè)置升降機(jī)構(gòu)，并構(gòu)成為襯底載置臺(tái)212與頂升銷207相對(duì)移動(dòng)。

(排氣系統(tǒng))

在處理室201(上部容器202a)的內(nèi)壁上表面，設(shè)有將處理室201的環(huán)境氣體排出的作為第一排氣部的排氣口221。在排氣口221上連接有作為第一排氣管的排氣管224，在排氣管224上依次串聯(lián)地連接有將處理室201內(nèi)控制成規(guī)定壓力的閥227、壓力調(diào)節(jié)器226、222、和真空泵223。主要由排氣口221、排氣管224、和閥227構(gòu)成第一排氣部(排氣管路)。此外，還可以構(gòu)成為將壓力調(diào)節(jié)器226、222和真空泵223包含到第一排氣部?jī)?nèi)。

在構(gòu)成緩沖空間232的整流板270的背面，設(shè)有將緩沖空間232的環(huán)境氣體排出的作為第二排氣部的噴頭排氣口240。構(gòu)成為緩沖空間232的環(huán)境氣體能夠經(jīng)由由整流板270的背面與排氣引導(dǎo)件235所構(gòu)成的排氣流路238而向噴頭排氣口240排出。在噴頭排氣口240上連接有作為第二排氣管的排氣管236，在排氣管236上依次串聯(lián)地連接有閥237等。主要由噴頭排氣口240、閥237、和排氣管236構(gòu)成第二排氣部(排氣管路)。另外，還可以構(gòu)成為將排氣管236連接在真空泵223上。

另外，在下部容器202b上設(shè)有下部容器排氣口1481，其以能夠?qū)ο虏咳萜?02b內(nèi)進(jìn)行排氣的方式構(gòu)成。另外，下部容器排氣口1481也能經(jīng)由下部容器202b對(duì)上部容器202a進(jìn)行排氣。

(氣體導(dǎo)入口)

在設(shè)于處理室201上部的噴頭234的上表面(頂壁)，設(shè)有用于向處理室201內(nèi)供給各種氣體的氣體導(dǎo)入口241。關(guān)于與氣體供給部即第一氣體導(dǎo)入口241連接的氣體供給單元的構(gòu)成詳見后述。

(氣體分散部)

噴頭234由緩沖室(空間)232、分散板234b、和分散孔234a構(gòu)成。噴頭234設(shè)在氣體導(dǎo)入口241與處理室201之間。從氣體導(dǎo)入口241導(dǎo)入的氣體向噴頭234的緩沖空間232(分散部)供給。噴頭234由例如石英、氧化鋁、不銹鋼、鋁等材料構(gòu)成。

此外，還可以通過具有導(dǎo)電性的金屬來形成噴頭234的蓋231，并將其作為用于激發(fā)存在于緩沖空間232或處理室201內(nèi)的氣體的活性化部(激發(fā)部)。此時(shí)，在蓋231與上部容器202a之間設(shè)有絕緣塊233，從而使蓋231與上部容器202a之間絕緣。還可以構(gòu)成為在作為活性化部的電極(蓋231)上連接有匹配器251和高頻電源252，從而能夠供給電磁波(高頻電力或微波)。

在緩沖空間232內(nèi)設(shè)有整流板270，其作為用于使從氣體導(dǎo)入口241導(dǎo)入的氣體向緩沖空間232擴(kuò)散的整流部。

(處理氣體供給部)

在與整流板270連接的氣體導(dǎo)入口241上連接有通用氣體供給管242。如圖12所示，在通用氣體供給管242上連接有第一處理氣體供給管243a、第二處理氣體供給管244a、吹掃氣體供給管245a、和清潔氣體供給管248a。

從包含第一處理氣體供給管243a的第一處理氣體供給部243主要供給含第一元素氣體(第一處理氣體)，從包含第二氣體供給管244a的第二處理氣體供給部244主要供給含第二元素氣體(第二處理氣體)。從包含吹掃氣體供給管245a的吹掃氣體供給部245主要供給吹掃氣體，從包含清潔氣體供給管248a的清潔氣體供給部248供給清潔氣體。

(第一處理氣體供給部)

在第一處理氣體供給管243a上，從上游方向起依次設(shè)有第一處理氣體供給源243b、作為流量控制器(流量控制部)的質(zhì)量流量控制器(mfc)243c、以及作為開閉閥的閥243d。

從第一處理氣體供給源243b供給含有第一元素的氣體(第一處理氣體)，并經(jīng)由質(zhì)量流量控制器243c、閥243d、第一處理氣體供給管243a、和通用氣體供給管242向氣體緩沖空間232供給。

第一處理氣體為原料氣體，即處理氣體之一。

在此，第一元素例如為硅(si)。即，第一處理氣體例如為含硅氣體。作為含硅氣體，能夠使用例如二氯硅烷(dichlorosilane(sih2cl2)：dcs)氣體。需要說明的是，第一處理氣體的原料在常溫常壓下可以是固體、液體、以及氣體中的任一種。在第一處理氣體的原料在常溫常壓下為液體的情況下，在第一處理氣體供給源243b與質(zhì)量流量控制器243c之間設(shè)置未圖示的氣化器即可。在此，選擇原料為氣體進(jìn)行說明。

在第一處理氣體供給管243a的與閥243d相比的下游側(cè)連接有第一非活性氣體供給管246a的下游端。在第一非活性氣體供給管246a上，從上游方向起依次設(shè)有非活性氣體供給源246b、作為流量控制器(流量控制部)的質(zhì)量流量控制器(mfc)246c、以及作為開閉閥的閥246d。

在此，非活性氣體例如為氮(n2)氣。此外，作為非活性氣體，除了n2氣體之外，還能使用例如氦(he)氣、氖(ne)氣、氬(ar)氣等稀有氣體。

主要由第一處理氣體供給管243a、質(zhì)量流量控制器243c、和閥243d構(gòu)成含第一元素氣體供給部243(也稱為含硅氣體供給部)。

另外，主要由第一非活性氣體供給管246a、質(zhì)量流量控制器246c及閥246d構(gòu)成第一非活性氣體供給部。此外，也可以考慮將非活性氣體供給源246b、第一氣體供給管243a包含到第一非活性氣體供給部?jī)?nèi)。

進(jìn)一步地，還可以考慮將第一處理氣體供給源243b、第一非活性氣體供給部包含到含第一元素氣體供給部?jī)?nèi)。

(第二處理氣體供給部)

在第二處理氣體供給管244a的上游，從上游方向起依次設(shè)有第二處理氣體供給源244b、作為流量控制器(流量控制部)的質(zhì)量流量控制器(mfc)244c、以及作為開閉閥的閥244d。

從第二處理氣體供給源244b供給含有第二元素的氣體(以下為“第二處理氣體”)，并經(jīng)由質(zhì)量流量控制器244c、閥244d、第二處理氣體供給管244a、和通用氣體供給管242向緩沖空間232供給。

第二處理氣體為處理氣體之一。此外，第二處理氣體也可以是與處理氣體反應(yīng)的反應(yīng)氣體，還可以考慮作為與形成在襯底上的膜反應(yīng)的改性氣體。

在此，第二處理氣體含有與第一元素不同的第二元素。作為第二元素，包含例如氧(o)、氮(n)、碳(c)、氫(h)中的一種以上。在本實(shí)施方式中，第二處理氣體例如選用含氮?dú)怏w。具體而言，作為含氮?dú)怏w可以使用氨(nh3)氣。

主要由第二處理氣體供給管244a、質(zhì)量流量控制器244c、和閥244d構(gòu)成第二處理氣體供給部244。

在此基礎(chǔ)上，還可以構(gòu)成為設(shè)置作為活性化部的遠(yuǎn)程等離子體單元(rpu)244e，從而能夠使第二處理氣體活性化。

另外，在第二處理氣體供給管244a的與閥244d相比的下游側(cè)，連接有第二非活性氣體供給管247a的下游端。在第二非活性氣體供給管247a上，從上游方向起依次設(shè)有非活性氣體供給源247b、作為流量控制器(流量控制部)的質(zhì)量流量控制器(mfc)247c、以及作為開閉閥的閥247d。

從第二非活性氣體供給管247a經(jīng)由質(zhì)量流量控制器247c、閥247d、和第二氣體供給管247a向緩沖空間232供給非活性氣體。非活性氣體在成膜工序(后述s203～s207)中作為運(yùn)載氣體或稀釋氣體發(fā)揮作用。

主要由第二非活性氣體供給管247a、質(zhì)量流量控制器247c及閥247d構(gòu)成第二非活性氣體供給部。此外，也可以考慮將非活性氣體供給源247b、第二氣體供給管244a包含到第二非活性氣體供給部?jī)?nèi)。

進(jìn)一步地，還可以考慮將第二處理氣體供給源244b、第二非活性氣體供給部包含到含第二元素氣體供給部244內(nèi)。

(吹掃氣體供給部)

在吹掃氣體供給管245a上，從上游方向起依次設(shè)有吹掃氣體供給源245b、作為流量控制器(流量控制部)的質(zhì)量流量控制器(mfc)245c、以及作為開閉閥的閥245d。

從吹掃氣體供給源245b供給作為吹掃氣體的非活性氣體，并經(jīng)由質(zhì)量流量控制器245c、閥245d、吹掃氣體供給管245a、和通用氣體供給管242向緩沖空間232供給。

在此，非活性氣體例如為氮(n2)氣。此外，作為非活性氣體，除了n2氣體之外，還能使用例如氦(he)氣、氖(ne)氣、氬(ar)氣等稀有氣體。

主要由吹掃氣體供給管245a、質(zhì)量流量控制器245c、和閥245d構(gòu)成吹掃氣體供給部245(也稱為吹掃氣體供給部)。

(清潔氣體供給部)

在清潔氣體供給管243a上，從上游方向起依次設(shè)有清潔氣體源248b、質(zhì)量流量控制器(mfc)248c、閥248d、和遠(yuǎn)程等離子體單元(rpu)250。

從清潔氣體源248b供給清潔氣體，并經(jīng)由mfc248c、閥248d、rpu250、清潔氣體供給管248a、和通用氣體供給管242向氣體緩沖空間232供給。

在清潔氣體供給管248a的與閥248d相比的下游側(cè)，連接有第四非活性氣體供給管249a的下游端。在第四非活性氣體供給管249a上，從上游方向起依次設(shè)有第四非活性氣體供給源249b、mfc249c、和閥249d。

另外，主要由清潔氣體供給管248a、mfc248c及閥248d構(gòu)成清潔氣體供給部。此外，還可以考慮將清潔氣體源248b、第四非活性氣體供給管249a、rpu250包含到清潔氣體供給部?jī)?nèi)。

此外，還可以將從第四非活性氣體供給源249b供給的非活性氣體以作為清潔氣體的運(yùn)載氣體或稀釋氣體發(fā)揮作用的方式進(jìn)行供給。

從清潔氣體供給源248b供給的清潔氣體在清潔工序中作為將附著于氣體整流部234和處理室201上的副產(chǎn)物等除去的清潔氣體而發(fā)揮作用。

在此，清潔氣體例如為三氟化氮(nf3)氣體。此外，作為清潔氣體，也可以使用例如氟化氫(hf)氣體、三氟化氯氣體(clf3)氣體、氟(f2)氣等，另外還可以將它們組合使用。

另外優(yōu)選地，作為設(shè)在上述各氣體供給部上的流量控制部，選用針型閥或節(jié)流孔(orifice)等的氣流響應(yīng)能力高的構(gòu)成即可。例如，在氣體的脈沖寬度變成毫秒級(jí)的情況下，對(duì)于mfc，具有無法響應(yīng)的情況，但在針型閥或節(jié)流孔的情況下，通過與高速的on/off閥組合，能夠應(yīng)對(duì)毫秒以下的氣體脈沖。

(控制部)

如圖13所示，腔室100具有對(duì)腔室100的各部分的動(dòng)作進(jìn)行控制的控制器260。

控制器260的概要如圖13所示?？刂撇?控制機(jī)構(gòu))即控制器260構(gòu)成為具備cpu(centralprocessingunit)260a、ram(randomaccessmemory)260b、存儲(chǔ)裝置260c、和i/o端口260d的計(jì)算機(jī)。ram260b、存儲(chǔ)裝置260c、i/o端口260d構(gòu)成為能夠經(jīng)由內(nèi)部總線260e與cpu260a進(jìn)行數(shù)據(jù)交換。構(gòu)成為在控制器260上能夠連接有例如作為觸摸面板等構(gòu)成的輸入輸出裝置261、外部存儲(chǔ)裝置262、接收部285等。

存儲(chǔ)裝置260c由例如閃存、hdd(harddiskdrive)等構(gòu)成。在存儲(chǔ)裝置260c內(nèi)，以可讀取的方式存儲(chǔ)有：對(duì)襯底處理裝置的動(dòng)作進(jìn)行控制的控制程序；記載有后述襯底處理的步驟和條件等的工藝制程；和在直到設(shè)定用于對(duì)晶片200處理的工藝制程為止的過程中產(chǎn)生的運(yùn)算數(shù)據(jù)和處理數(shù)據(jù)等。此外，工藝制程是以能夠使控制器260執(zhí)行后述襯底處理工序中的各步驟并得到規(guī)定結(jié)果的方式進(jìn)行組合而成的，其作為程序而發(fā)揮功能。以下，也將該程序制程和控制程序等統(tǒng)一簡(jiǎn)稱為程序。需要說明的是，在本說明書中使用術(shù)語“程序”時(shí)，有時(shí)僅單獨(dú)包含程序制程，有時(shí)僅單獨(dú)包含控制程序，或者有時(shí)包含上述兩者。另外，ram260b以存儲(chǔ)區(qū)域(工作區(qū))的形式構(gòu)成，該存儲(chǔ)區(qū)域暫時(shí)保持通過cpu260a讀取的程序、和運(yùn)算數(shù)據(jù)、處理數(shù)據(jù)等數(shù)據(jù)。

i/o端口260d與閘閥1330、1350、1490、升降機(jī)構(gòu)218、加熱器213、壓力調(diào)節(jié)器222、226、1620、真空泵223(223a、223b、223c、223d)、泵1630、匹配器251、高頻電源252、質(zhì)量流量控制器(mfc)243c、244c、245c、246c、247c、248c、249c、1530、閥227、228、236、237、243d、244d、245d、246d、247d、248d、249d、1540、遠(yuǎn)程等離子體單元(rpu)244e、250等連接。

作為運(yùn)算部的cpu260a以如下方式構(gòu)成：讀取并執(zhí)行來自存儲(chǔ)裝置260c的控制程序，并且根據(jù)來自輸入輸出裝置260的操作命令的輸入等從存儲(chǔ)裝置260c讀取工藝制程。另外，構(gòu)成為：對(duì)從接收部285輸入的設(shè)定值、與存儲(chǔ)于存儲(chǔ)裝置121c內(nèi)的工藝制程和控制數(shù)據(jù)進(jìn)行比較、運(yùn)算，從而能夠計(jì)算出運(yùn)算數(shù)據(jù)。另外，構(gòu)成為能夠根據(jù)運(yùn)算數(shù)據(jù)執(zhí)行對(duì)應(yīng)的處理數(shù)據(jù)(工藝制程)的決定處理等。而且，cpu260a構(gòu)成為，按照所讀取的工藝制程的內(nèi)容來控制如下內(nèi)容：閘閥1330、1350、1490(1490a、1490b、1490c、1490d、1490e、1490f、1490g、1490h)的開閉動(dòng)作、升降機(jī)構(gòu)218的升降動(dòng)作、向加熱器213的電力供給動(dòng)作、壓力調(diào)節(jié)器222、226、1620的壓力調(diào)節(jié)動(dòng)作、真空泵223(223a、223b、223c、223d)的開關(guān)控制、rpu244e、250的氣體活性化動(dòng)作、閥227、228、236、237、243d、244d、245d、246d、247d、248d、249d、1540的開閉控制、匹配器251的電力匹配動(dòng)作、高頻電源252的開關(guān)控制等。

此外，控制器260并不限于構(gòu)成為專用的計(jì)算機(jī)的情況，也可以構(gòu)成為通用的計(jì)算機(jī)。例如，準(zhǔn)備存儲(chǔ)有上述程序的外部存儲(chǔ)裝置(例如磁帶、軟盤和硬盤等磁盤、cd和dvd等光盤、mo等光磁盤、usb存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)卡等半導(dǎo)體存儲(chǔ)器)262，并使用該外部存儲(chǔ)裝置262將程序安裝到通用的計(jì)算機(jī)上等，由此能夠構(gòu)成本實(shí)施方式的控制器260。此外，用于向計(jì)算機(jī)供給程序的方法并不限于經(jīng)由外部存儲(chǔ)裝置262進(jìn)行供給的情況。例如，也可以使用接收部285和網(wǎng)絡(luò)263(互聯(lián)網(wǎng)和專用線路)等通信方法而不經(jīng)由外部存儲(chǔ)裝置262供給程序。此外，存儲(chǔ)裝置260c和外部存儲(chǔ)裝置262構(gòu)成為計(jì)算機(jī)可讀取的記錄介質(zhì)。以下也將它們統(tǒng)一簡(jiǎn)稱為記錄介質(zhì)。需要說明的是，在本說明書中使用術(shù)語“記錄介質(zhì)”時(shí)，有時(shí)僅單獨(dú)包含存儲(chǔ)裝置260c，有時(shí)僅單獨(dú)包含外部存儲(chǔ)裝置262，或者有時(shí)包含上述兩者。

(2)襯底處理工序

接著，作為半導(dǎo)體器件(半導(dǎo)體元器件)的制造工序之一，參照?qǐng)D14、15對(duì)使用上述襯底處理裝置的處理爐在襯底上形成絕緣膜、例如作為含硅膜的氮化硅(sin)膜的時(shí)序例進(jìn)行說明。此外，在以下說明中，構(gòu)成襯底處理裝置的各部分的動(dòng)作由控制器260控制。

需要說明的是，在本說明書中使用術(shù)語“晶片”時(shí)，有時(shí)表示“晶片本身”，有時(shí)表示“晶片及形成在其表面上的規(guī)定層或膜等和它們的層疊體(集合體)”(即，包含形成在表面上的規(guī)定層或膜等而稱為晶片的情況)。另外，在本說明書中使用術(shù)語“晶片的表面”時(shí)，有時(shí)表示“晶片本身的表面(露出面)”，有時(shí)表示“形成在晶片上的規(guī)定層或膜等的表面、即作為層疊體的晶片的最外表面”。

因此，在本說明書中記載了“對(duì)晶片供給規(guī)定氣體”時(shí)，有時(shí)表示“對(duì)晶片本身的表面(露出面)直接供給規(guī)定氣體”，有時(shí)表示“對(duì)形成在晶片上的層或膜等、即作為層疊體的晶片的最外表面供給規(guī)定氣體”。另外，在本說明書中有時(shí)表示“在形成于晶片上的層或膜等上、即作為層疊體的晶片最外表面上形成規(guī)定層(或膜)”。

此外，在本說明書中使用術(shù)語“襯底”時(shí)也與使用術(shù)語“晶片”時(shí)相同，這種情況下，只要考慮在上述說明中將“晶片”替換成“襯底”即可。

以下，對(duì)襯底處理工序進(jìn)行說明。

(襯底搬入工序s201)

在進(jìn)行襯底處理工序時(shí)，首先，使晶片200搬入至處理室201。具體而言，通過升降機(jī)構(gòu)218使襯底支承部210下降，成為使頂升銷207從貫穿孔214向襯底支承部210的上表面?zhèn)韧怀龅臓顟B(tài)。另外，向處理室201內(nèi)和移載室203內(nèi)供給非活性氣體，同時(shí)從下部容器排氣口1481將非活性氣體排出，并且將處理室201內(nèi)和移載室203內(nèi)調(diào)壓成規(guī)定壓力。在進(jìn)行了處理室201內(nèi)和移載室203內(nèi)的調(diào)壓后，將閘閥1490打開，使晶片200從閘閥1490向頂升銷207上載置。在使晶片200載置到頂升銷207上后，通過由升降機(jī)構(gòu)218使襯底支承部210上升至規(guī)定位置，而使晶片200從頂升銷207向襯底支承部210載置。此外，在將閘閥1490打開之前，使非活性氣體開始從第一氣體供給部1500向供晶片200從閘閥1490通過的位置供給。此外，優(yōu)選在此時(shí)將apc1620和閥227關(guān)閉，使得不從排氣口221或排氣口1470進(jìn)行排氣。通過這樣地構(gòu)成，能夠形成沿著圖2中標(biāo)記的虛線箭頭方向的氣流，并能抑制從腔室100a向真空搬送室1400的逆流。

晶片200載置于襯底支承部210上，當(dāng)襯底載置臺(tái)212到達(dá)圖11所示的處理位置時(shí)，將閥227打開，從排氣口221開始進(jìn)行處理室201內(nèi)的環(huán)境氣體的排出。另外，此時(shí)，在將閘閥1490關(guān)閉之后，將與下部容器排氣口1481連接的閥228關(guān)閉，從而停止下部容器202b內(nèi)的排氣。

在將閘閥1490a關(guān)閉之后，停止來自非活性氣體供給部1500a的非活性氣體的供給。此外，在其他閘閥1490(1490b、1490c、1490d、1490e、1490f、1490g、1490h)、1350打開著的情況下，使來自與各閘閥對(duì)應(yīng)的非活性氣體供給部1500b、1500c、1500d、1500e、1500f、1500g、1500h的非活性氣體的供給繼續(xù)。

(減壓、升溫工序s202)

接著，經(jīng)由處理室排氣管224對(duì)處理室201內(nèi)進(jìn)行排氣，以使處理室201內(nèi)變成規(guī)定壓力(真空度)。此時(shí)，基于壓力傳感器測(cè)定的壓力值，對(duì)作為壓力調(diào)節(jié)器222的apc閥的閥開度進(jìn)行反饋控制。另外，基于溫度傳感器(未圖示)檢測(cè)出的溫度值對(duì)向加熱器213的通電量進(jìn)行反饋控制，以使處理室201內(nèi)變成規(guī)定溫度。具體而言，通過加熱器213將襯底支承部210預(yù)先加熱，當(dāng)晶片200或襯底支承部210的溫度無變化后放置固定時(shí)間。在此期間，在處理室201內(nèi)具有殘留的水分或來自部件的脫氣等的情況下，還可以通過真空排氣或基于n2氣體供給進(jìn)行的吹掃來將其除去。到此完成成膜工藝前的準(zhǔn)備。此外，在將處理室201內(nèi)排氣至規(guī)定壓力時(shí)，也可以進(jìn)行一次真空排氣直到可達(dá)到的真空度。

(成膜工序s301)

接著，以在晶片200上形成sin膜為例進(jìn)行說明。利用圖14、15對(duì)成膜工序s301進(jìn)行具體說明。

晶片200載置于襯底支承部210上，在處理室201內(nèi)的環(huán)境氣體穩(wěn)定之后，進(jìn)行圖14所示的s203～s207的步驟。

(第一處理氣體供給工序s203)

在第一處理氣體供給工序s203中，從第一處理氣體供給部向處理室201內(nèi)供給作為第一氣體(原料氣體)的含硅氣體。作為含硅氣體，例如有二氯硅烷(dcs)。具體而言，將氣閥打開，將含硅氣體從氣體源向腔室100供給。屆時(shí)，將處理室側(cè)閥打開，由mfc調(diào)節(jié)成規(guī)定流量。進(jìn)行了流量調(diào)節(jié)的含硅氣體從緩沖空間232通過，并從噴頭234的分散孔234a向減壓狀態(tài)的處理室201內(nèi)供給。另外，繼續(xù)基于排氣系統(tǒng)進(jìn)行的處理室201內(nèi)的排氣，以使處理室201內(nèi)的壓力變成規(guī)定的壓力范圍(第一壓力)的方式進(jìn)行控制。此時(shí)，對(duì)晶片200供給的含硅氣體以規(guī)定壓力(第一壓力：例如100pa以上20000pa以下)向處理室201內(nèi)供給。這樣，向晶片200供給含硅氣體。通過供給含硅氣體，而在晶片200上形成含硅層。

(第一吹掃工序s204)

在晶片200上形成含硅層后，停止含硅氣體的供給。通過使原料氣體停止，將存在于處理室201中的原料氣體、和存在于緩沖空間232中的原料氣體從處理室排氣管224排出，由此進(jìn)行第一吹掃工序s204。

另外，在吹掃工序中，除了單純地對(duì)氣體進(jìn)行排氣(抽真空)而將氣體排出以外，還可以構(gòu)成為通過供給非活性氣體將殘留氣體推出來進(jìn)行排出處理。另外，也可以將抽真空與非活性氣體的供給組合進(jìn)行。另外，還可以構(gòu)成為將抽真空與非活性氣體的供給交替進(jìn)行。

此外，此時(shí)還可以將噴頭排氣管236的閥237打開，從而將存在于緩沖空間232內(nèi)的氣體從噴頭排氣管236排出。此外，在排氣過程中，通過壓力調(diào)節(jié)器227和閥237對(duì)噴頭排氣管236和緩沖空間232內(nèi)的壓力(排氣流導(dǎo))進(jìn)行控制。關(guān)于排氣流導(dǎo)，還可以對(duì)壓力調(diào)節(jié)器227和閥237進(jìn)行控制，以使緩沖空間232內(nèi)的來自噴頭排氣管236的排氣流導(dǎo)比經(jīng)由處理室201向處理室排氣管224的排氣流導(dǎo)高。通過像這樣進(jìn)行調(diào)節(jié)，形成從緩沖空間232的端部即氣體導(dǎo)入口241朝向另一端部即噴頭排氣口240的氣流。由此，附著于緩沖空間232的壁上的氣體、和浮動(dòng)在緩沖空間232內(nèi)的氣體能夠從噴頭排氣管236排出而不進(jìn)入至處理室201。此外，還可以對(duì)緩沖空間232內(nèi)的壓力和處理室201的壓力(排氣流導(dǎo))進(jìn)行調(diào)節(jié)，以抑制從處理室201向緩沖空間232內(nèi)的氣體逆流。

另外，在第一吹掃工序中，繼續(xù)真空泵223的動(dòng)作，將存在于處理室201內(nèi)的氣體從真空泵223排出。此外，還可以對(duì)壓力調(diào)節(jié)器227和閥237進(jìn)行調(diào)節(jié)，以使從處理室201向處理室排氣管224的排氣流導(dǎo)比向緩沖空間232的排氣流導(dǎo)高。通過像這樣進(jìn)行調(diào)節(jié)，能夠形成經(jīng)由處理室201朝向處理室排氣管224的氣流，從而將殘留于處理室201內(nèi)的氣體排出。

在經(jīng)過規(guī)定時(shí)間之后，使非活性氣體的供給停止，并將閥237關(guān)閉來阻斷從緩沖空間232向噴頭排氣管236的流路。

更優(yōu)選地，在經(jīng)過規(guī)定時(shí)間之后，使真空泵223繼續(xù)工作，并同時(shí)將閥237關(guān)閉。這樣，由于經(jīng)由處理室201朝向處理室排氣管224的流動(dòng)不受噴頭排氣管236的影響，所以能夠更確實(shí)地將非活性氣體向襯底上供給，并能進(jìn)一步提高襯底上的殘留氣體的除去效率。

此外，從處理室吹掃環(huán)境氣體的情況，除了單純地抽真空來將氣體排出以外，還意味著基于非活性氣體的供給進(jìn)行的氣體推出動(dòng)作。因此，在第一吹掃工序中，還可以構(gòu)成為通過向緩沖空間232內(nèi)供給非活性氣體將殘留氣體推出來進(jìn)行排出動(dòng)作。另外，也可以將抽真空與非活性氣體的供給組合進(jìn)行。另外，還可以將抽真空與非活性氣體的供給交替進(jìn)行。

另外，此時(shí)向處理室201內(nèi)供給的n2氣體的流量也無需為大流量，例如也可以供給與處理室201的容積同程度的量。通過像這樣進(jìn)行吹掃，能夠降低對(duì)下一工序的影響。另外，通過不完全地吹掃處理室201內(nèi)，能夠縮短吹掃時(shí)間，并使生產(chǎn)能力提高。另外，也能將n2氣體的消耗抑制在所需的最小限度。

此時(shí)的加熱器213的溫度與向晶片200供給原料氣體時(shí)同樣地設(shè)定為200～750℃、優(yōu)選為300～600℃、更優(yōu)選為300～550℃的范圍內(nèi)的固定溫度。從各非活性氣體供給系統(tǒng)供給的作為吹掃氣體的n2氣體的供給流量分別為例如100～20000sccm的范圍內(nèi)的流量。作為吹掃氣體，除n2氣體以外也可以使用ar、he、ne、xe等稀有氣體。

(第二處理氣體供給工序s205)

在第一氣體吹掃工序之后，經(jīng)由氣體導(dǎo)入口241、多個(gè)分散孔234a向處理室201內(nèi)供給作為第二處理氣體(反應(yīng)氣體)的含氮?dú)怏w。含氮?dú)怏w例如示出使用氨氣(nh3)例子。由于經(jīng)由分散孔234a向處理室201進(jìn)行供給，所以能夠向襯底上均勻地供給氣體。因此，能夠使膜厚均勻。此外，當(dāng)供給第二氣體時(shí)，還可以構(gòu)成為能夠?qū)⒔?jīng)由作為活性化部(激發(fā)部)的遠(yuǎn)程等離子體單元(rpu)進(jìn)行了活性化的第二氣體向處理室201內(nèi)供給。

此時(shí)，對(duì)質(zhì)量流量控制器進(jìn)行調(diào)節(jié)以使nh3氣體的流量變成規(guī)定流量。此外，nh3氣體的供給流量例如為100sccm以上10000sccm以下。另外，當(dāng)nh3氣體在rpu內(nèi)流動(dòng)時(shí)，以將rpu設(shè)為on狀態(tài)(電源接通的狀態(tài))、并使nh3氣體活性化(激發(fā))的方式進(jìn)行控制。

將nh3氣體向形成在晶片200上的含硅層供給，則含硅層被改性。例如形成硅元素或含有硅元素的改性層。此外，通過設(shè)置rpu將進(jìn)行了活性化的nh3氣體向晶片200上供給，能夠形成更多的改性層。

改性層例如根據(jù)處理室201內(nèi)的壓力、nh3氣體的流量、晶片200的溫度、rpu的電力供給情況，而以規(guī)定厚度、規(guī)定分布、規(guī)定氮成分等相對(duì)于含硅層的滲入深度而形成。

在經(jīng)過規(guī)定時(shí)間之后，使nh3氣體的供給停止。

(第二吹掃工序s206)

通過使nh3氣體的供給停止，將存在于處理室201中的nh3氣體、和存在于第二緩沖空間232中的nh3氣體從第一排氣部排出，由此進(jìn)行第二吹掃工序s206。第二吹掃工序s206進(jìn)行與上述第一吹掃工序s204相同的工序。

在第二吹掃工序s206中，繼續(xù)真空泵223的動(dòng)作，將存在于處理室201內(nèi)的氣體從處理室排氣管224排出。此外，還可以對(duì)壓力調(diào)節(jié)器227和閥237進(jìn)行調(diào)節(jié)，以使從處理室201向處理室排氣管224的排氣流導(dǎo)比向緩沖空間232的排氣流導(dǎo)高。通過像這樣進(jìn)行調(diào)節(jié)，能夠形成經(jīng)由處理室201朝向處理室排氣管224的氣流，從而將殘留于處理室201內(nèi)的氣體排出。另外，在此，通過供給非活性氣體，能夠?qū)⒎腔钚詺怏w確實(shí)地向襯底上供給，并且襯底上的殘留氣體的除去效率變高。

在經(jīng)過規(guī)定時(shí)間之后，使非活性氣體的供給停止，并將閥關(guān)閉來阻斷緩沖空間232與噴頭排氣管236之間。

更優(yōu)選地，在經(jīng)過規(guī)定時(shí)間之后，使真空泵223繼續(xù)工作，并同時(shí)將閥237關(guān)閉。這樣，由于經(jīng)由處理室201朝向噴頭排氣管236的流動(dòng)不受處理室排氣管224的影響，所以能夠更確實(shí)地將非活性氣體向襯底上供給，并能進(jìn)一步提高襯底上的殘留氣體的除去效率。

此外，從處理室吹掃環(huán)境氣體的情況，除了單純地抽真空來將氣體排出以外，還意味著基于非活性氣體的供給進(jìn)行的氣體推出動(dòng)作。另外，也可以將抽真空與非活性氣體的供給組合進(jìn)行。另外，還可以構(gòu)成為將抽真空與非活性氣體的供給交替進(jìn)行。

另外，此時(shí)向處理室201內(nèi)供給的n2氣體的流量也無需為大流量，例如也可以供給與處理室201的容積同程度的量。通過像這樣進(jìn)行吹掃，能夠降低對(duì)下一工序的影響。另外，通過不完全地吹掃處理室201內(nèi)，能夠縮短吹掃時(shí)間，并使生產(chǎn)能力提高。另外，也能將n2氣體的消耗抑制在所需的最小限度。

此時(shí)的加熱器213的溫度與向晶片200供給原料氣體時(shí)同樣地設(shè)定為200～750℃、優(yōu)選為300～600℃、更優(yōu)選為300～550℃的范圍內(nèi)的固定溫度。從各非活性氣體供給系統(tǒng)供給的作為吹掃氣體的n2氣體的供給流量分別為例如100～20000sccm的范圍內(nèi)的流量。作為吹掃氣體，除n2氣體以外也可以使用ar、he、ne、xe等稀有氣體。

(判定工序s207)

在第一吹掃工序s206結(jié)束后，控制器260判定在上述成膜工序s301內(nèi)s203～s206是否執(zhí)行了規(guī)定的循環(huán)次數(shù)n(n為自然數(shù))。即，判定在晶片200上是否形成了所希望的厚度的膜。通過將上述的步驟s203～s206作為一個(gè)循環(huán)，并將該循環(huán)進(jìn)行至少一次以上(步驟s207)，能夠在晶片200上形成規(guī)定膜厚的含硅及氧的絕緣膜、即sio膜。此外，上述循環(huán)優(yōu)選重復(fù)多次。由此，在晶片200上形成規(guī)定膜厚的sio膜。

在未實(shí)施夠規(guī)定次數(shù)時(shí)(“否”判定時(shí))，重復(fù)s203～s206的循環(huán)。在已實(shí)施了規(guī)定次數(shù)時(shí)(“是”判定時(shí))，結(jié)束成膜工序s301，并執(zhí)行搬送壓力調(diào)節(jié)工序s208和襯底搬出工序s209。

(搬送壓力調(diào)節(jié)工序s208)

在搬送壓力調(diào)節(jié)工序s208中，向處理室201內(nèi)供給非活性氣體，并同時(shí)經(jīng)由處理室排氣管224對(duì)處理室201內(nèi)進(jìn)行排氣，以使處理室201內(nèi)和移載室203變成規(guī)定壓力(真空度)。另外，將閥228打開，從下部容器排氣口1481對(duì)移載室203內(nèi)進(jìn)行排氣。對(duì)此時(shí)的處理室201內(nèi)和移載室203內(nèi)的壓力進(jìn)行調(diào)節(jié)，以使其比真空搬送室1400內(nèi)的壓力低。

(襯底搬出工序s209)

在搬送壓力調(diào)節(jié)工序s208中使處理室201內(nèi)變成規(guī)定壓力后，通過升降機(jī)構(gòu)218使襯底支承部210下降，成為使頂升銷207從貫穿孔214向襯底支承部210的上表面?zhèn)韧怀?、并將晶?00載置到頂升銷207上的狀態(tài)。另外，在襯底支承部210的下降開始之后，將閥227關(guān)閉，使從處理室排氣管224進(jìn)行的排氣停止，形成從氣體導(dǎo)入口241供給的非活性氣體向下部容器排氣口1481排出這樣的氣流。此外，還可以是，在將晶片200搬出之前，直到晶片200的溫度下降至規(guī)定溫度為止都以由頂升銷207支承的狀態(tài)來待機(jī)。此外，還可以是，在使晶片200于頂升銷207上冷卻的期間，使處理室201內(nèi)的壓力和移載室203內(nèi)的壓力上升至與真空搬送室1400內(nèi)的壓力、或上述成膜工序時(shí)的壓力同程度的壓力。通過提高壓力，能夠使冷卻時(shí)間縮短。冷卻后，對(duì)處理室201內(nèi)的壓力和移載室203內(nèi)的壓力進(jìn)行調(diào)壓，以使其比真空搬送室1400內(nèi)的壓力低。

在上述的氣流形成之后，從真空搬送室1400的第一氣體供給部朝向閘閥1490的開口附近的供晶片200通過的位置開始進(jìn)行非活性氣體的供給。在非活性氣體的供給開始之后，將閘閥1490打開，使頂升銷207上的晶片200向真空搬送室1400搬送。在晶片200進(jìn)入至真空搬送室1400之后，將閘閥1490關(guān)閉并將apc1620打開，使真空搬送室1400內(nèi)的環(huán)境氣體從氣體排出部1600排出。由此，即使在真空搬送室1400內(nèi)的環(huán)境氣體中混入了異物，也能不經(jīng)由處理室201而排出。即，能夠抑制異物進(jìn)入至處理室201內(nèi)。

此外，還可以構(gòu)成為，在使襯底支承部210向圖11的虛線標(biāo)記的搬送位置移動(dòng)之前，進(jìn)行以下動(dòng)作。從氣體導(dǎo)入孔241經(jīng)由移載室203向下部容器排氣口1481供給非活性氣體，并對(duì)各室的壓力進(jìn)行調(diào)節(jié)，以構(gòu)成處理室201的壓力＞真空搬送室1400的壓力＞移載室203的壓力的關(guān)系。在壓力調(diào)節(jié)之后，從第一氣體供給部向閘閥1490開口附近的供晶片200通過的位置供給非活性氣體。在非活性氣體的供給開始之后，將閘閥1490打開，從第一氣體供給部供給的非活性氣體形成從閘閥1490向下部容器排氣口1481的氣流。之后，使襯底支承部210向搬送位置搬送。在將襯底支承部210搬送到搬送位置上之后，由真空搬送機(jī)械手1700使晶片200向真空搬送室1400搬送。通過進(jìn)行這樣的動(dòng)作，能夠抑制存在于移載室203內(nèi)和處理室201內(nèi)的氣體流入至真空搬送室1400。另外，通過像這樣以階段式使各室銜接，能夠抑制基于各室壓力差的氣體擴(kuò)散。

在這樣的工序中進(jìn)行針對(duì)晶片200的處理。

(3)本實(shí)施方式的效果

根據(jù)本實(shí)施方式，獲得以下(a)～(d)中任意一個(gè)以上的效果。

(a)通過設(shè)置第一氣體供給部1500向gv的開口附近的供晶片200通過的位置供給非活性氣體，并從下部容器排氣口1481將非活性氣體排出，能夠抑制存在于腔室100內(nèi)的副產(chǎn)物和顆粒流入至真空搬送室1400。

(b)另外，能夠抑制一個(gè)腔室的環(huán)境氣體和顆粒進(jìn)入至其他腔室。

(c)在設(shè)于臂上的兩個(gè)末端執(zhí)行器的高度不同的情況下，通過使向設(shè)在第一氣體供給部1500上的兩個(gè)氣體供給孔供給的非活性氣體的流量不同，能夠抑制腔室之間的氣體移動(dòng)(氣體擴(kuò)散)。

(d)通過將第一氣體供給孔1460下端與晶片200表面之間的距離d、和晶片200與第一氣體供給孔1460的下端相對(duì)的面上的晶片200的徑向長度l的關(guān)系設(shè)為d＜l，能夠使附著于晶片200表面上的處理氣體、反應(yīng)氣體、副產(chǎn)物、顆粒中的任一種或兩種以上脫離，并抑制其進(jìn)入至真空搬送室1400。

(e)在第一氣體供給孔1460與上側(cè)臂1800所保持的晶片200之間的距離d1比第一氣體供給孔1460與下側(cè)臂1900所保持的晶片200之間的距離d2短的情況下，通過使非活性氣體的供給量在d2時(shí)比d1時(shí)增多，能夠抑制腔室100內(nèi)的環(huán)境氣體流入至真空搬送室1400內(nèi)。

<其他實(shí)施方式>

圖16、17中表示其他實(shí)施方式。圖16、17中，在第一氣體供給部的氣體供給孔1460a、1460b之間設(shè)有第二氣體供給部1462a。通過該第二氣體供給部，能夠抑制腔室100a與腔室100b之間的氣體移動(dòng)(氣體擴(kuò)散)。

另外，優(yōu)選地，第二氣體供給部1462a的氣體供給孔1463a以比第一氣體供給部的第一氣體供給孔1460向搬送室1400的中央突出的方式構(gòu)成。通過這樣地構(gòu)成，能夠抑制腔室100a與腔室100b之間的氣體移動(dòng)。

另外，優(yōu)選地，從各氣體供給孔供給的非活性氣體的流量?jī)?yōu)選為1463a＞1460a≈1460b。如上所述，在兩個(gè)末端執(zhí)行器的高度不同的情況下，構(gòu)成為1463a＞1460b＞1460a。通過構(gòu)成這種氣流量的關(guān)系，能夠抑制腔室100a與腔室100b之間的氣體移動(dòng)、和從腔室100向搬送室1400的氣體移動(dòng)。

此外，還可以在第二氣體供給部1462a上不設(shè)置氣體供給孔1463a而作為氣體引導(dǎo)件。

此外，在上述中記載了真空搬送室與移載室之間的襯底搬送，但可以是加載互鎖室1300與真空搬送室1400之間的襯底搬送，也可以是加載互鎖室與大氣搬送室1200之間的襯底搬送。另外，即使是以不具備真空搬送室1400或加載互鎖室1300而從大氣搬送室1200向移載室直接搬送的方式構(gòu)成的襯底處理系統(tǒng)，也能獲得同樣的效果。如上所述，通過在真空環(huán)境下進(jìn)行搬送，能夠抑制顆粒和各腔室的環(huán)境氣體的擴(kuò)散。

另外，在上述中記載了將原料氣體和反應(yīng)氣體交替供給來成膜的方法，但只要原料氣體和反應(yīng)氣體的氣相反應(yīng)量或副產(chǎn)物的產(chǎn)生量在容許范圍內(nèi)，就也能適用其他方法。例如，像原料氣體與反應(yīng)氣體的供給定時(shí)重合之類的方法。

另外，在上述中記載了成膜處理，但也能適用于其他處理。例如，具有擴(kuò)散處理、氧化處理、氮化處理、氧氮化處理、還原處理、氧化還原處理、蝕刻處理、加熱處理等。例如，在僅使用反應(yīng)氣體對(duì)襯底表面或形成于襯底上的膜進(jìn)行等離子體氧化處理或等離子體氮化處理時(shí)，也能適用本發(fā)明。另外，也能適用于僅使用反應(yīng)氣體的等離子體退火處理。

另外，在上述中記載了半導(dǎo)體器件的制造工序，但實(shí)施方式的技術(shù)方案在半導(dǎo)體器件的制造工序以外也能適用。例如，具有液晶元器件的制造工序、太陽能電池的制造工序、發(fā)光元器件的制造工序、玻璃襯底的處理工序、陶瓷襯底的處理工序、導(dǎo)電性襯底的處理工序等襯底處理。

另外，在上述中記載了使用含硅氣體作為原料氣體、使用含氮?dú)怏w作為反應(yīng)氣體來形成氮化硅膜的例子，但也能適用于使用其他氣體的成膜。例如有含氧膜、含氮膜、含碳膜、含硼膜、含金屬膜和含有多種這些元素的膜等。此外，作為這些膜，例如有sin膜、alo膜、zro膜、hfo膜、hfalo膜、zralo膜、sic膜、sicn膜、sibn膜、tin膜、tic膜、tialc膜等。

另外，設(shè)在工藝模塊內(nèi)的腔室可以是一個(gè)也可以是多個(gè)。在工藝模塊內(nèi)設(shè)有多個(gè)腔室的情況下，由于工藝模塊的熱容量變大，所以對(duì)一個(gè)以上的工藝模塊進(jìn)行維護(hù)保養(yǎng)的情況的影響變大。

另外，在上述中記載了在一個(gè)處理室內(nèi)處理一張襯底的裝置構(gòu)成，但并不限于此，還可以是將多張襯底沿水平方向或垂直方向排列的裝置。