一種隧穿磁電阻器件的制作方法
【專利摘要】實(shí)際應(yīng)用中，隧穿磁電阻器件需要提供一定的偏置磁場(chǎng)，不同的應(yīng)用需要的偏置磁場(chǎng)不盡相同。現(xiàn)有的方法是采用線圈提供偏置磁場(chǎng)，存在著結(jié)構(gòu)復(fù)雜、功耗高等缺點(diǎn)。本實(shí)用新型提供一種隧穿磁電阻器件，包括鐵電襯底、應(yīng)力磁性相變材料層、絕緣層、鐵磁層，其中，應(yīng)力磁性相變材料層生長(zhǎng)在鐵電襯底上，絕緣層生長(zhǎng)在應(yīng)力磁性相變材料層上，鐵磁層生長(zhǎng)在絕緣層上。對(duì)鐵電襯底施加電場(chǎng)，在電場(chǎng)的作用下，鐵電襯底發(fā)生伸縮，應(yīng)力傳遞給應(yīng)力磁性相變材料層，改變其磁性狀態(tài)，調(diào)節(jié)隧穿磁電阻器件的偏置狀態(tài)。本實(shí)用新型具有與現(xiàn)有的電控制兼容、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。
【專利說明】—種隧穿磁電阻器件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及傳感器領(lǐng)域，尤其涉及到一種隧穿磁電阻器件。
【背景技術(shù)】
[0002]磁傳感器廣泛的應(yīng)用于生活、工業(yè)、航空等各行各業(yè)。隧穿磁電阻器件在室溫下的磁電阻大于100%，在高靈敏度的磁傳感器領(lǐng)域應(yīng)用廣發(fā)。實(shí)際應(yīng)用中，隧穿磁電阻器件需要提供一定的偏置磁場(chǎng)，不同的應(yīng)用需要的偏置磁場(chǎng)不盡相同。現(xiàn)有的方法是采用線圈提供偏置磁場(chǎng)，存在著結(jié)構(gòu)復(fù)雜、功耗高等缺點(diǎn)。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型提供一種隧穿磁電阻器件，利用應(yīng)力磁性相變材料來制備隧穿磁電阻器件，依賴應(yīng)力來控制隧穿磁電阻器件的偏置狀態(tài)，具有與現(xiàn)有的電控制兼容、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。本實(shí)用新型所采取的技術(shù)方案為，一種隧穿磁電阻器件，包括鐵電襯底、應(yīng)力磁性相變材料層、絕緣層、鐵磁層，其中，應(yīng)力磁性相變材料層生長(zhǎng)在鐵電襯底上，絕緣層生長(zhǎng)在應(yīng)力磁性相變材料層上，鐵磁層生長(zhǎng)在絕緣層上。
[0004]對(duì)鐵電襯底施加電場(chǎng)，在電場(chǎng)的作用下，鐵電襯底發(fā)生伸縮，應(yīng)力傳遞給應(yīng)力磁性相變材料層，改變其磁性狀態(tài)，調(diào)節(jié)隧穿磁電阻器件的偏置狀態(tài)。本實(shí)用新型具有與現(xiàn)有的電控制兼容、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0005]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0006]圖中:1鐵電襯底、2應(yīng)力磁性相變材料層、3絕緣層、4鐵磁層。
【具體實(shí)施方式】
[0007]以下結(jié)合附圖實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0008]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖，鐵電襯底1、應(yīng)力磁性相變材料層2、絕緣層3、鐵磁層4，其中，應(yīng)力磁性相變材料層2生長(zhǎng)在鐵電襯底I上，絕緣層3生長(zhǎng)在應(yīng)力磁性相變材料層2上，鐵磁層4生長(zhǎng)在絕緣層3上。對(duì)鐵電襯底I施加電場(chǎng)，在電場(chǎng)的作用下，鐵電襯底I發(fā)生伸縮，應(yīng)力傳遞給應(yīng)力磁性相變材料層2，改變其磁性狀態(tài)，調(diào)節(jié)隧穿磁電阻器件的偏置狀態(tài)。本實(shí)用新型具有與現(xiàn)有的電控制兼容、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。
[0009]以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理和主要特征和本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本實(shí)用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
【權(quán)利要求】
1.一種隧穿磁電阻器件，包括鐵電襯底、應(yīng)力磁性相變材料層、絕緣層、鐵磁層，其特征在于:所述的應(yīng)力磁性相變材料層生長(zhǎng)在鐵電襯底上，絕緣層生長(zhǎng)在應(yīng)力磁性相變材料層上，鐵磁層生長(zhǎng)在絕緣層上。
【文檔編號(hào)】H01L43/10GK203398167SQ201320405203
【公開日】2014年1月15日 申請(qǐng)日期:2013年7月2日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月2日
【發(fā)明者】徐榮 申請(qǐng)人:徐榮