清洗裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種清洗裝置，在旋轉(zhuǎn)工作臺中能對晶片的被清洗面進(jìn)行擦刷清洗，且防止污染物繞到晶片的背面而造成背面污染。外周保持構(gòu)件具有：液體蓄積部，其在上表面（21a）蓄積液體而形成液體層（6）；液體供給口，其向液體蓄積部上表面供給液體；以及升降部，其選擇性地將液體蓄積部定位到作用位置和非作用位置，因此，在清洗晶片（W）時，液體蓄積部被定位于作用位置，形成于液體蓄積部的液體層的上表面（7）為與旋轉(zhuǎn)工作臺的上表面（3）相同的高度，由液體層保持晶片外周部（Wc），并能夠通過清洗構(gòu)件來清洗晶片的正面（Wa）。另外，由于晶片的背面（Wb）被液體層密封，所以能夠防止污染物繞到背面，能夠減低晶片的背面污染。
【專利說明】/目/7t衣直【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及清洗晶片的面的清洗裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)使用磨削裝置來對從鑄錠切出且在兩面存在起伏的晶片的兩面、或通過間隔道劃分開地在表面形成有多個器件的晶片的背面進(jìn)行磨削時，由于晶片附著有磨削屑(污染物)，所以需要在磨削后對晶片進(jìn)行清洗。另外，在對形成有器件的晶片的背面進(jìn)行磨削之后，通過激光加工裝置或切割裝置來使間隔道分離而將晶片分割成一個個器件時，由于晶片附著有切削屑等(污染物)，所以也需要在分割后對晶片進(jìn)行清洗。
[0003]一般的磨削裝置或切割裝置至少具有:加工構(gòu)件，其用于對保持在卡盤工作臺上的晶片進(jìn)行磨削或切削；旋轉(zhuǎn)式的清洗裝置，其使因磨削或切削而被污染的晶片旋轉(zhuǎn)并且通過清洗液來進(jìn)行清洗；以及搬送裝置，其用于搬送晶片。這樣的清洗裝置具有旋轉(zhuǎn)工作臺，該旋轉(zhuǎn)工作臺保持晶片并進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。
[0004]在通過上述清洗裝置來對磨削后或分割后的晶片進(jìn)行清洗時，在通過搬送裝置將晶片搬送到旋轉(zhuǎn)工作臺上并定位于作業(yè)位置的狀態(tài)下，清洗裝置一邊使旋轉(zhuǎn)工作臺旋轉(zhuǎn)一邊向晶片的正面(被清洗面)供給清洗液，由此，除去磨削屑或切削屑等(例如，參照下述的專利文獻(xiàn)I)。
[0005]為了通過搬送墊從保持在旋轉(zhuǎn)工作臺上的晶片的背面?zhèn)葋肀３志?，旋轉(zhuǎn)工作臺大多形成為比晶片的外徑小。在這樣的旋轉(zhuǎn)工作臺中，由于只有晶片的中心部保持在旋轉(zhuǎn)工作臺上，所以例如在下述的專利文獻(xiàn)2中提出了這樣的清洗裝置:該清洗裝置具有刷子構(gòu)件，該刷子構(gòu)件對晶片(中心部保持在旋轉(zhuǎn)工作臺上而外周部沒有被保持)的沒有被保持的外周部進(jìn)行支撐。該清洗裝置能夠在支撐晶片背面整個面的狀態(tài)下對晶片的正面進(jìn)行清洗。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)1:日本特開2004-322168號公報 [0008]專利文獻(xiàn)2:日本特開2000-260740號公報
[0009]但是，在構(gòu)成為通過刷子來支撐晶片的外周部的清洗裝置中，有時存在于晶片正面的污染物會繞到晶片的背面?zhèn)?，加上與背面接觸的刷子的力，污染物會附著在晶片的背面外周而無法除去。因此，產(chǎn)生這樣的問題:在沒有除去污染物的狀態(tài)下繼續(xù)進(jìn)行晶片的加工，即使在其他的清洗工序中也無法除去附著在晶片的背面外周的污染物，因此，對晶片的品質(zhì)造成不良影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明是鑒于上述事情而完成的發(fā)明，本發(fā)明要解決課題在于，即使是具有比晶片的尺寸小的外徑的旋轉(zhuǎn)工作臺，也能夠接觸(擦刷)清洗晶片的正面，且防止污染物繞到晶片的背面而對背面造成污染。[0011]本發(fā)明的清洗裝置特征在于，具有:旋轉(zhuǎn)工作臺，其形成為直徑比晶片的外徑小，該旋轉(zhuǎn)工作臺用于將晶片保持在上表面并且該旋轉(zhuǎn)工作臺能夠高速旋轉(zhuǎn)；清洗構(gòu)件，其向保持在上述旋轉(zhuǎn)工作臺的上表面上的晶片的被清洗面供給清洗液，來清洗上述晶片的被清洗面；以及外周保持構(gòu)件，其形成為圍繞上述旋轉(zhuǎn)工作臺并通過液體層來支撐晶片的外周部，上述外周保持構(gòu)件具有:液體蓄積部，其在上表面蓄積液體而形成液體層；液體供給口，其向上述液體蓄積部的上表面供給液體；以及升降部，其選擇性地將上述液體蓄積部定位到作用位置和非作用位置，在上述作用位置，形成于上述液體蓄積部的上述液體層的上表面被定位于與上述旋轉(zhuǎn)工作臺的上表面相同的高度位置，在上述非作用位置，上述液體蓄積部的上表面被定位于比上述旋轉(zhuǎn)工作臺的上表面靠下方的位置，在晶片清洗時，上述液體蓄積部被定位于上述作用位置，從上述液體供給口向上述液體蓄積部的上表面供給液體，保持在上述旋轉(zhuǎn)工作臺的上表面上的晶片的外周部被形成于上述液體蓄積部的液體層保持，并且通過上述旋轉(zhuǎn)工作臺的旋轉(zhuǎn)使晶片旋轉(zhuǎn)，并通過上述清洗構(gòu)件來進(jìn)行晶片的被清洗面的清洗，在晶片干燥時，上述液體蓄積部被定位于上述非作用位置，通過使上述旋轉(zhuǎn)工作臺高速旋轉(zhuǎn)來進(jìn)行晶片的被清洗面的干燥。
[0012]發(fā)明效果
[0013]本發(fā)明的清洗裝置具有圍繞旋轉(zhuǎn)工作臺的外周保持構(gòu)件，外周保持構(gòu)件具有:液體蓄積部，其在上表面蓄積液體而形成液體層；液體供給口，其向液體蓄積部的上表面供給液體；以及升降部，其選擇性地將液體蓄積部定位到作用位置和非作用位置，在清洗晶片時，通過使液體蓄積部被定位于作用位置，形成于液體蓄積部的液體層的上表面為與旋轉(zhuǎn)工作臺的上表面相同的高度，從而能夠保持晶片的外周部，因此，在該狀態(tài)下，能夠通過清洗構(gòu)件來清洗晶片的正面。
[0014]另外，通過由液體層保持晶片的外周部，晶片的外周部側(cè)的背面被液體層密封，因此，能夠防止存在于晶片正面的污染物繞到背面。因此，能夠減低晶片的背面污染，能夠抑制對器件的品質(zhì)造成不良影響。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1是表示清洗裝置的結(jié)構(gòu)的立體圖。
[0016]圖2是表示旋轉(zhuǎn)工作臺以及外周保持構(gòu)件的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0017]圖3是表示搭載了清洗裝置的磨削裝置的一個示例的立體圖。
[0018]圖4是表示清洗工序的剖視圖。
[0019]圖5是表示干燥工序的剖視圖。
[0020]標(biāo)號說明
[0021]1:清洗裝置2:旋轉(zhuǎn)工作臺3:上表面
[0022]4:多孔質(zhì)部件5:旋轉(zhuǎn)軸6:液體層7:上表面
[0023]8:收納器9a:搬送區(qū)9b:清洗區(qū)
[0024]10:清洗構(gòu)件11:擦刷清洗部件12:支撐柱13:清洗液供給噴嘴
[0025]14:清洗液供給源15:壓縮空氣供給噴嘴16:空氣供給源17:支撐部
[0026]20:外周保持構(gòu)件21:液體蓄積部21a:上表面
[0027]22:液體供給口 23:升降部23a:活塞[0028]24:供給管25:開閉閥26:供給源
[0029]30:磨削裝置
[0030]31:基座 32:支柱 33a、33b:臺
[0031]34a、34b:收納盒35:搬送構(gòu)件
[0032]36:臨時放置構(gòu)件37:轉(zhuǎn)盤38:卡盤工作臺
[0033]39:磨削構(gòu)件
[0034]40:磨削進(jìn)給構(gòu)件41:第I搬送臂42:第2搬送臂
[0035]Pl:作用位置P2:非作用位置
[0036]W:晶片Wa:正面(被清洗面)Wb:背面Wc:外周部
【具體實(shí)施方式】
[0037]—邊參照圖1以及圖2 —邊對清洗被加工物即晶片W的清洗裝置I的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。清洗裝置I具有:旋轉(zhuǎn)工作臺2，其用于保持被加工物并且能夠高速旋轉(zhuǎn)；清洗構(gòu)件10，其用于清洗被加工物；以及外周保持構(gòu)件20，其形成為圍繞旋轉(zhuǎn)工作臺2并支撐被加工物的外周部，并且該清洗裝置I構(gòu)成為收納于在收納器8的中央部形成的空間內(nèi)。
[0038]如圖1以及圖2所示，旋轉(zhuǎn)工作臺2形成為直徑比被加工物的外徑小。旋轉(zhuǎn)工作臺2具有多孔質(zhì)部件4，旋轉(zhuǎn)工作臺2的表面?zhèn)葹槌槲３直患庸の锏纳媳砻?。旋轉(zhuǎn)工作臺2的下端與旋轉(zhuǎn)軸5連接，該旋轉(zhuǎn)軸5使旋轉(zhuǎn)工作臺2高速旋轉(zhuǎn)。另外，旋轉(zhuǎn)工作臺2構(gòu)成為能夠沿Z軸方向升降，并且能夠在被加工物的搬送區(qū)9a和清洗區(qū)9b之間移動。
[0039]清洗構(gòu)件10具有接觸(擦刷)清洗被加工物的擦刷清洗部件11 (參照圖4)。擦刷清洗部件11在旋轉(zhuǎn)工作臺2的上方通過支撐柱12而被支撐為能夠以水平方向的旋轉(zhuǎn)軸為中心旋轉(zhuǎn)。另外，作為擦刷清洗部件11，例如能夠使用海綿，但是沒有特別限定。
[0040]清洗構(gòu)件10具有:清洗液供給噴嘴13，其在清洗晶片時向保持在旋轉(zhuǎn)工作臺2上的被加工物供給清洗液；以及壓縮空氣供給噴嘴15，其在干燥晶片時向保持在旋轉(zhuǎn)工作臺2上的被加工物供給壓縮空氣。清洗液供給噴嘴13以及壓縮空氣供給噴嘴15與支撐部17連接，上述支撐部17使清洗液供給噴嘴13以及壓縮空氣供給噴嘴15在旋轉(zhuǎn)工作臺2的上方在半徑方向回轉(zhuǎn)。清洗液供給噴嘴13與清洗液供給源14連接，壓縮空氣供給噴嘴15與空氣供給源16連接。
[0041]如圖1所示，外周保持構(gòu)件20具有液體蓄積部21，該液體蓄積部21具有能夠蓄積液體的上表面21a。另外，外周保持構(gòu)件20具有環(huán)狀的液體供給口 22，該環(huán)狀的液體供給口 22向液體蓄積部21的上表面21a供給液體，如圖2所示,液體供給口 22與供給管24連通，上述供給管24配設(shè)于液體蓄積部21的內(nèi)部。供給管24經(jīng)開閉閥25與供給源26連接，當(dāng)打開開閉閥25時，能夠從液體供給口 22向液體蓄積部21的上表面21a供給液體。
[0042]另外，外周保持構(gòu)件20具有使液體蓄積部21升降的升降部23。升降部23通過使活塞23a升降來使液體蓄積部21沿Z軸方向升降，如圖2所示，能夠?qū)⒁后w蓄積部21選擇性地定位到作用位置Pl和非作用位置P2。
[0043]如圖2所示，所謂作用位置Pl是指蓄積在液體蓄積部21的上表面21a上的液體層6的上表面成為與旋轉(zhuǎn)工作臺2的上表面3相同高度時的液體蓄積部21的高度位置，表示能夠通過液體層6來保持被加工物的外周部的液體蓄積部21的高度位置。因此，只要能夠通過液體層6來保持被加工物，則不需要使液體層6的上表面的高度與旋轉(zhuǎn)工作臺2的上表面3的高度完全一致。另外，根據(jù)液體層6的厚度來變更作用位置。另一方面，所謂非作用位置P2是指液體蓄積部21的上表面21a比旋轉(zhuǎn)工作臺2的上表面3靠下方時的位置，表示液體層6沒有對被加工物的保持發(fā)揮作用時的液體蓄積部21的高度位置。
[0044]清洗裝置I例如能夠應(yīng)用到圖3所示的磨削裝置30。磨削裝置30具有:沿Y軸方向延伸的基座31、以及立起設(shè)置于基座31后部側(cè)的支柱32。
[0045]在基座31的Y軸方向前部形成有臺33a以及臺33b。在臺33a上裝載有收納磨削前的被加工物的收納盒34a，在臺33b上裝載有收納磨削后的被加工物的收納盒34b。在收納盒34a以及收納盒34b的附近配設(shè)有搬送構(gòu)件35，該搬送構(gòu)件35將磨削前的被加工物從收納盒34a搬出并且將磨削后的被加工物搬入至收納盒34b。在搬送構(gòu)件35的可動區(qū)域配設(shè)有臨時放置被加工物的臨時放置構(gòu)件36、以及清洗磨削后的被加工物的清洗裝置I。
[0046]在基座31的上表面配設(shè)有能夠旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)盤37，通過該轉(zhuǎn)盤37來支撐卡盤工作臺38，該卡盤工作臺38用于保持被加工物且能夠自轉(zhuǎn)。在支柱32的側(cè)部，對被加工物實(shí)施磨削的磨削構(gòu)件39被支撐為通過磨削進(jìn)給構(gòu)件40能夠升降。磨削構(gòu)件39能夠升降，磨削構(gòu)件39具有磨削磨具390，該磨削磨具390配設(shè)為圓環(huán)狀且能夠旋轉(zhuǎn)。
[0047]在臨時放置構(gòu)件36的附近配設(shè)有將磨削前的被加工物從臨時放置構(gòu)件36搬送到卡盤工作臺38上的第I搬送臂41，并與第I搬送臂41相鄰地配設(shè)有將磨削后的被加工物搬送至清洗裝置I的第2搬送臂42。
[0048]在像這樣構(gòu)成的磨削裝置30中，對磨削圖1以及圖2所示的晶片W時的磨削裝置30的動作進(jìn)行說明。另外，晶片W的正面Wa是被磨削面，處于正面Wa相反側(cè)的面為裝載于旋轉(zhuǎn)工作臺2的上表面3上的背面Wb。另外，在將晶片W裝載到旋轉(zhuǎn)工作臺2的上表面3上時，從上表面3伸出的晶片W的外周部分為外周部Wc。
[0049]磨削前的晶片W被收納在收納盒34a中并通過搬送構(gòu)件35被搬送到卡盤工作臺38上。并且，在晶片W通過轉(zhuǎn)盤37的旋轉(zhuǎn)而移動到磨削構(gòu)件39的下方后，使卡盤工作臺38旋轉(zhuǎn)，并且一邊使磨削磨具390旋轉(zhuǎn)一邊使磨削構(gòu)件39下降，使磨削磨具390與晶片W的正面Wa接觸從而進(jìn)行磨削。
[0050]在結(jié)束正面Wa的磨削后，使轉(zhuǎn)盤37旋轉(zhuǎn)從而使晶片W定位于清洗裝置I的附近。此時，在晶片W的正面Wa附著有磨削屑等污染物。
[0051]磨削后的晶片W通過圖3所示的第2搬送臂42來保持正面Wa側(cè)，將磨削后的晶片W從卡盤工作臺38搬送到在收納器8的搬送區(qū)9a待機(jī)的旋轉(zhuǎn)工作臺2上，并以正面Wa露出的狀態(tài)來進(jìn)行保持。并且，旋轉(zhuǎn)工作臺2在保持晶片W的同時沿Z軸方向下降，從而移動到圖1所示的收納器8的清洗區(qū)％。
[0052]如圖4所示，通過外周保持構(gòu)件20來保持晶片W的從旋轉(zhuǎn)工作臺2伸出的外周部Wc0具體來說，升降部23使活塞23a上升，而將液體蓄積部21定位到作用位置Pl。
[0053]當(dāng)液體蓄積部21定位到作用位置Pl之后，打開開閉閥25向供給管24供給液體。然后，如圖4所示，當(dāng)液體通過供給管24被從液體供給口 22向液體蓄積部21的上表面21a供給時，在上表面21a上形成有液體層6。另外，作為液體例如能夠使用純水。
[0054]此時，由于液體蓄積部21被定位在作用位置P1，所以液體層6的上表面7被定位于與旋轉(zhuǎn)工作臺2的上表面3大致相同的高度位置，從而通過液體層6來保持晶片W的外周部Wc。
[0055]接下來，在通過液體層6來保持晶片W的外周部Wc的同時，旋轉(zhuǎn)軸5使旋轉(zhuǎn)工作臺2例如向箭頭B方向旋轉(zhuǎn)從而來清洗晶片W的正面Wa。具體來說，使海綿11與晶片W的正面Wa接觸，并且使海綿11例如向箭頭A方向旋轉(zhuǎn)從而進(jìn)行擦刷清洗。在晶片W的清洗中，繼續(xù)從清洗液供給噴嘴13向晶片W的正面Wa供給清洗液。像這樣通過液體層6保持晶片W的外周部Wc而進(jìn)行清洗，在旋轉(zhuǎn)工作臺2的直徑比晶片W小的情況下，也能夠?qū)琖的正面整個面進(jìn)行清洗。另外，由于晶片W的外周部Wc側(cè)的背面Wb被液體層6密封，所以存在于晶片W的正面Wa的污染物不會繞到背面Wb。
[0056]在像這樣對晶片W的正面Wa進(jìn)行清洗之后，如圖5所示，實(shí)施晶片W的正面Wa的干燥工序。首先，使活塞23a下降，將液體蓄積部21定位到非作用位置P2。
[0057]接下來，使旋轉(zhuǎn)軸5旋轉(zhuǎn)，并以例如3000rpm以上的速度使旋轉(zhuǎn)工作臺2高速旋轉(zhuǎn)。此時，利用通過使旋轉(zhuǎn)工作臺2高速旋轉(zhuǎn)而在晶片W的表面Wa產(chǎn)生的離心力使附著在正面Wa的液體飛散。與此同時，從壓縮空氣供給噴嘴15向高速旋轉(zhuǎn)的晶片W的正面Wa供給壓縮空氣。繼續(xù)進(jìn)行這些動作直到晶片W的正面Wa干燥為止。在使晶片W干燥時，由于旋轉(zhuǎn)工作臺2高速旋轉(zhuǎn)使得離心力作用在晶片W上，所以即使不形成液體層6，外周部Wc也不會下垂。
[0058]如上所述，清洗裝置I具有圍繞旋轉(zhuǎn)工作臺2的外周保持構(gòu)件20，外周保持構(gòu)件20具有:液體蓄積部21，其用于在上表面21a蓄積液體而形成液體層6 ;液體供給口 22，其用于向液體蓄積部21的上表面21a供給液體；以及升降部23，其用于將液體蓄積部21選擇性地定位到作用位置Pl和非作用位置P2，因此，在清洗晶片時，通過使液體蓄積部21被定位到作用位置P1，形成于液體蓄積部21的液體層6的上表面7為與旋轉(zhuǎn)工作臺2的上表面3相同的高度，從而能夠保持晶片W的外周部Wc，能夠通過海綿11來對晶片W的正面Wa進(jìn)行擦刷清洗。
[0059]另外，通過由液體層6保持晶片W的外周部Wc，晶片W的外周部Wc側(cè)的背面Wb被液體層6密封，因此，能夠防止存在于晶片W的正面Wa的污染物繞到背面。由此，能夠減低晶片的背面污染。
【權(quán)利要求】
1.一種清洗裝置，其特征在于，具有: 旋轉(zhuǎn)工作臺，其形成為直徑比晶片的外徑小，該旋轉(zhuǎn)工作臺用于將晶片保持在上表面并且該旋轉(zhuǎn)工作臺能夠旋轉(zhuǎn)； 清洗構(gòu)件，其向保持在上述旋轉(zhuǎn)工作臺的上表面上的晶片的被清洗面供給清洗液，來清洗上述晶片的被清洗面；以及 外周保持構(gòu)件，其形成為圍繞上述旋轉(zhuǎn)工作臺并通過液體層來支撐晶片的外周部， 上述外周保持構(gòu)件具有: 液體蓄積部，其在上表面蓄積液體而形成液體層； 液體供給口，其向上述液體蓄積部的上表面供給液體；以及 升降部，其選擇性地將上述液體蓄積部定位到作用位置和非作用位置， 在上述作用位置，形成于上述液體蓄積部的上述液體層的上表面被定位于與上述旋轉(zhuǎn)工作臺的上表面相同的高度位置， 在上述非作用位置，上述液體蓄積部的上表面被定位于比上述旋轉(zhuǎn)工作臺的上表面靠下方的位置， 在晶片清洗時，上述液體蓄積部被定位于上述作用位置，從上述液體供給口向上述液體蓄積部的上表面供給液體，保持在上述旋轉(zhuǎn)工作臺的上表面上的晶片的外周部被形成于上述液體蓄積部的液體層保持，并且通過上述旋轉(zhuǎn)工作臺的旋轉(zhuǎn)使晶片旋轉(zhuǎn)，并通過上述清洗構(gòu)件來進(jìn)行晶片的被清洗面的清洗， 在晶片干燥時，上述液體蓄積部被定位于上述非作用位置，通過使上述旋轉(zhuǎn)工作臺高速旋轉(zhuǎn)來進(jìn)行晶片的被清洗面的干燥。
【文檔編號】H01L21/67GK103855059SQ201310601770
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2013年11月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月30日
【發(fā)明者】溝本康隆 申請人:株式會社迪思科