發(fā)光二極管晶粒的制造方法
【專(zhuān)利摘要】一種發(fā)光二極管晶粒的制造方法，其包括以下步驟：提供一基板；在該基板表面形成緩沖層；在該緩沖層表面形成過(guò)渡層，該過(guò)渡層為InGaN材質(zhì)；繼續(xù)在該過(guò)渡層上生長(zhǎng)磊晶層，該磊晶層包括依次生長(zhǎng)的第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層及第二半導(dǎo)體層；對(duì)該過(guò)渡層進(jìn)行活化處理，即對(duì)該過(guò)渡層進(jìn)行激光照射，該激光的波長(zhǎng)大于420nm，且活化溫度為1000-1400℃以及將該基板和緩沖層自該磊晶層上分離。
【專(zhuān)利說(shuō)明】發(fā)光二極管晶粒的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件的制造方法，特別涉及一種發(fā)光二極管晶粒的制造方 法。

【背景技術(shù)】
[0002] 發(fā)光二極管（Li曲t血itting Diode, LED)是一種可將電流轉(zhuǎn)換成特定波長(zhǎng)范圍 的光的半導(dǎo)體元件。發(fā)光二極管W其亮度高、工作電壓低、功耗小、易與集成電路匹配、驅(qū)動(dòng) 簡(jiǎn)單、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，從而可作為光源而廣泛應(yīng)用于照明領(lǐng)域。
[0003] 現(xiàn)有的發(fā)光二極管晶粒通常包括藍(lán)寶石基板、緩沖層W及在該緩沖層表面生長(zhǎng)的 半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)。然而上述結(jié)構(gòu)存在W下問(wèn)題：藍(lán)寶石基板的導(dǎo)熱系數(shù)較差，使得發(fā)光二極 管晶粒的散熱性能較差；半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)所發(fā)出的朝向藍(lán)寶石基板一側(cè)的光線(xiàn)在進(jìn)入藍(lán)寶 石基板后，會(huì)被藍(lán)寶石基板所吸收，從而降低發(fā)光二極管晶粒的出光效率。因此該藍(lán)寶石基 板需要?jiǎng)冸x。
[0004] 傳統(tǒng)的發(fā)光二極管晶粒的基板被移除后，磊晶層的表面還具有一緩沖層，常需用 電感式禪合電漿干蝕刻系統(tǒng)（in化ctively coupled plasma, ICP)去除。然而對(duì)于垂直結(jié) 構(gòu)的發(fā)光二極管晶粒，可能因蝕刻強(qiáng)度控制不當(dāng)，導(dǎo)致均勻度不佳無(wú)法有效地將緩沖層去 除完整，或不小也去除到磊晶層，如此造成后續(xù)制造時(shí)出現(xiàn)問(wèn)題，如電性偏高等；另外，蝕刻 過(guò)程所需的時(shí)間也相對(duì)兀長(zhǎng)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 鑒于此，有必要提供一種基板較易剝離的發(fā)光二極管晶粒的制造方法。
[0006] 一種發(fā)光二極管晶粒的制造方法，其包括W下步驟：提供一基板，該基板為藍(lán)寶石 基板；在該基板表面形成緩沖層；在該緩沖層表面形成過(guò)渡層，該過(guò)渡層為InGaN材質(zhì)；繼 續(xù)在該過(guò)渡層上生長(zhǎng)磊晶層，該磊晶層包括依次生長(zhǎng)的第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層及第二半導(dǎo) 體層；對(duì)該過(guò)渡層進(jìn)行活化處理，即對(duì)該過(guò)渡層進(jìn)行激光照射，該激光的波長(zhǎng)大于420nm， 且活化溫度為1000-140(TC ;將該基板和緩沖層自該磊晶層上分離。
[0007] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的發(fā)光二極管晶粒的制造方法中，在緩沖層與磊晶層之間 設(shè)置一過(guò)渡層，且過(guò)渡層為InGaN薄膜，通過(guò)將溫度加熱到1000-140(TC，且對(duì)其進(jìn)行激光照 射，該激光的波長(zhǎng)大于420nm，導(dǎo)致過(guò)渡層被固化分離。如此能夠得到單獨(dú)地磊晶層，避免了 蝕刻不均勻的問(wèn)題，同時(shí)降低了后續(xù)制造工序出現(xiàn)問(wèn)題的風(fēng)險(xiǎn)，且耗時(shí)較短，生產(chǎn)效率高。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008] 圖1是本發(fā)明的發(fā)光二極管晶粒的制造方法中所提供的基板、緩沖層、過(guò)渡層和 磊晶層的W意圖。
[0009] 圖2是本發(fā)明的發(fā)光二極管晶粒的制造方法中將基板、緩沖層和過(guò)渡層剝離的示 意圖。
[0010] 主要元件符號(hào)說(shuō)明

【權(quán)利要求】
1. 一種發(fā)光二極管晶粒的制造方法，包括w下步驟： 提供一基板； 在所述基板表面形成緩沖層； 在所述緩沖層表面形成過(guò)渡層，該過(guò)渡層為InGaN材質(zhì)； 繼續(xù)在所述過(guò)渡層上生長(zhǎng)磊晶層，該磊晶層包括依次生長(zhǎng)的第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層及 第二半導(dǎo)體層； 對(duì)所述過(guò)渡層進(jìn)行活化處理，其中對(duì)該過(guò)渡層進(jìn)行激光照射，該激光的波長(zhǎng)大于 420nm，且活化溫度為1000-140(TC ;及 將該基板和緩沖層自該磊晶層上分離。
2. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶粒的制造方法，其特征在于，該第一半導(dǎo)體層為N 型半導(dǎo)體層，第二半導(dǎo)體層為P型半導(dǎo)體層。
3. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶粒的制造方法，其特征在于，該過(guò)渡層的厚度為 100A 至 200A。
4. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶粒的制造方法，其特征在于，該激光的波長(zhǎng)為 420-520nm。
5. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶粒的制造方法，其特征在于，該緩沖層為未慘雜 的氮化嫁材料制成。
6. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶粒的制造方法，其特征在于，該緩沖層、過(guò)渡層和 磊晶層均是通過(guò)有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積法、分子束磊晶法或團(tuán)化物化學(xué)氣相磊晶法生長(zhǎng)而 成的。
7. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管晶粒的制造方法，其特征在于，該基板為藍(lán)寶石基 板。
【文檔編號(hào)】H01L33/00GK104465897SQ201310440192
【公開(kāi)日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2013年9月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月25日
【發(fā)明者】楊順貴, 洪梓健 申請(qǐng)人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司