晶粒標(biāo)示方法及晶粒標(biāo)示設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種晶粒標(biāo)示技術(shù)，尤其涉及一種晶粒標(biāo)示方法及晶粒標(biāo)示設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]目前常見應(yīng)用于LED晶粒的過程包括下列步驟:點(diǎn)測(cè)(probing)、自動(dòng)化光學(xué)檢測(cè)(Automated Optical Inspect1n，簡(jiǎn)稱 AOI)、分選(sorting)、人工目檢及壞晶挑除。
[0003]點(diǎn)測(cè)是指對(duì)LED晶粒的光電特性進(jìn)行測(cè)試。自動(dòng)化光學(xué)檢測(cè)是通過自動(dòng)化光學(xué)檢測(cè)機(jī)來觀測(cè)晶粒的外觀是否有損傷。分選是依照點(diǎn)測(cè)及自動(dòng)化光學(xué)檢測(cè)所獲得的結(jié)果將好的晶粒(即外觀損傷程度較低的晶粒)依照光學(xué)特性轉(zhuǎn)移到分選載體(sort page)，其例如是具有粘性的藍(lán)膜。人工目檢則是通過人工及顯微鏡來逐一地觀測(cè)在分選載體上的所有晶粒的外觀是否有損傷。壞晶挑除則是依照人工目檢的人為判斷來人工挑除有損傷的晶粒。
[0004]在人工目檢以前的任何步驟中，晶粒的外觀都可能受到程度不一的損傷。因此，在人工目檢的步驟中，依照人為判斷此晶粒是否有損傷。然而，當(dāng)晶粒是否有損傷完全依賴人為判斷時(shí)，晶粒損傷與否很難有統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)。也因此，人工目檢嚴(yán)重地影響到晶粒選擇的均一性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種晶粒標(biāo)示方法，用以標(biāo)示出分選載體上的晶粒。
[0006]本發(fā)明提供一種晶粒標(biāo)示設(shè)備，用以標(biāo)示出分選載體上的晶粒。
[0007]本發(fā)明的一種晶粒標(biāo)示方法，其適于標(biāo)示在分選載體上的多個(gè)晶粒的位置。晶粒標(biāo)示方法包括下列步驟。通過重疊于分選載體下方的顯示裝置的像素陣列顯示出晶粒地圖。晶粒地圖包括背景及多個(gè)標(biāo)示區(qū)域，這些標(biāo)示區(qū)域?qū)?yīng)于這些晶粒的預(yù)設(shè)位置分布在背景上，且各標(biāo)示區(qū)域經(jīng)由顯示裝置的像素陣列的多個(gè)像素顯示并環(huán)繞對(duì)應(yīng)的晶粒。對(duì)應(yīng)被判定受損的晶粒的標(biāo)示區(qū)域的垂直寬度大于或等于顯示裝置的像素陣列的像素的垂直寬度的三倍，且對(duì)應(yīng)晶粒的標(biāo)示區(qū)域的水平寬度大于或等于顯示裝置的像素陣列的像素的水平寬度的三倍。
[0008]本發(fā)明的一種晶粒標(biāo)示設(shè)備，適于標(biāo)示在分選載體上的多個(gè)晶粒的位置。晶粒標(biāo)示設(shè)備包括顯示裝置，用以重疊于分選載體下方并具有像素陣列以顯示出晶粒地圖。晶粒地圖包括背景及多個(gè)標(biāo)示區(qū)域，這些標(biāo)示區(qū)域?qū)?yīng)于這些晶粒的預(yù)設(shè)位置分布在背景上，且各標(biāo)示區(qū)域經(jīng)由顯示裝置的像素陣列的多個(gè)像素顯示并環(huán)繞對(duì)應(yīng)的晶粒。對(duì)應(yīng)被判定受損的晶粒的標(biāo)示區(qū)域的垂直寬度大于或等于顯示裝置的像素陣列的像素的垂直寬度的三倍，且對(duì)應(yīng)晶粒的標(biāo)示區(qū)域的水平寬度大于或等于顯示裝置的像素陣列的像素的水平寬度的三倍。
[0009]基于上述，在本發(fā)明的上述實(shí)施例中，經(jīng)由顯示裝置來顯示出晶粒地圖，并可通過標(biāo)示區(qū)域來標(biāo)示出分選載體上的被判定受損的晶粒。
[0010]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。
【附圖說明】
[0011]圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的顯示裝置與分選載體的分解圖；
[0012]圖2是圖1的顯示裝置所顯示的標(biāo)示區(qū)域與分選載體上的晶粒的預(yù)設(shè)分布示意圖；
[0013]圖3是圖1的顯示裝置所顯示的標(biāo)示區(qū)域與分選載體上的晶粒有偏移的實(shí)際分布示意圖；
[0014]圖4是本發(fā)明另一實(shí)施例的顯示裝置所顯示的標(biāo)示區(qū)域與分選載體上的晶粒有偏移的實(shí)際分布示意圖。
[0015]附圖標(biāo)記說明:
[0016]100:分選載體；
[0017]200:晶粒；
[0018]200’:預(yù)設(shè)位置；
[0019]300:顯示裝置；
[0020]310:像素陣列；
[0021]312:像素；
[0022]400:晶粒地圖；
[0023]410:背景；
[0024]420:標(biāo)示區(qū)域；
[0025]420’:預(yù)設(shè)位置；
[0026]Hl:像素的水平寬度；
[0027]H2:晶粒的水平寬度；
[0028]H3:標(biāo)示區(qū)域的水平寬度；
[0029]HP:標(biāo)示區(qū)域的水平間距；
[0030]Vl:像素的垂直寬度；
[0031]V2:晶粒的垂直寬度；
[0032]V3:標(biāo)示區(qū)域的垂直寬度；
[0033]VP:標(biāo)示區(qū)域的垂直間距。
【具體實(shí)施方式】
[0034]對(duì)于人工目檢的不一致性，可利用另一道自動(dòng)化光學(xué)檢測(cè)及標(biāo)準(zhǔn)值過濾器來決定在分選載體上的晶粒是否合格。具體而言，可通過標(biāo)準(zhǔn)值過濾器來比對(duì)自動(dòng)化光學(xué)檢測(cè)對(duì)于晶粒的觀測(cè)結(jié)果是否在預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)值以內(nèi)，以判斷晶粒是否合格。舉例而言，可比對(duì)晶粒受損傷的面積是否在預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)值以內(nèi)，以判斷晶粒是否合格?；蛘撸杀葘?duì)晶粒上面的線路的粗細(xì)是否在預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)值以內(nèi)，以判斷晶粒是否合格。不合格的晶粒定義為壞晶，并依照壞晶的位置建立壞晶地圖。在壞晶挑除的步驟中，將分選載體與對(duì)應(yīng)的壞晶地圖重疊來標(biāo)示出壞晶的位置，以利于人工挑除壞晶。
[0035]請(qǐng)參照?qǐng)D1及圖2，在本實(shí)施例中，晶粒標(biāo)示方法適于標(biāo)示在分選載體100上的多個(gè)晶粒200的位置。晶粒標(biāo)示方法包括通過重疊于分選載體100下方的顯示裝置300顯示出晶粒地圖400，而分選載體100與顯示裝置300的定位方式可以比對(duì)分選載體100上晶粒分布的外觀，或者以對(duì)位定位標(biāo)記的方式來進(jìn)行，并不以此為限。具體而言，晶粒地圖400包括背景410及多個(gè)標(biāo)示區(qū)域420，這些標(biāo)示區(qū)域420對(duì)應(yīng)于這些晶粒200的預(yù)設(shè)位置分布在背景410上，各標(biāo)示區(qū)域420經(jīng)由顯示裝置300的像素陣列310的多個(gè)像素312顯示并環(huán)繞對(duì)應(yīng)的晶粒200。各標(biāo)示區(qū)域420可經(jīng)由排列成面狀的多個(gè)像素312顯示，以環(huán)繞對(duì)應(yīng)的晶粒200?；蛘?，各標(biāo)示區(qū)域420可經(jīng)由排列成框狀的多個(gè)像素312顯示，以環(huán)繞對(duì)應(yīng)的晶粒200。
[0036]在本實(shí)施例中，在對(duì)應(yīng)被判定受損的晶粒200 (即壞晶)的標(biāo)示區(qū)域420呈現(xiàn)與背景410不同的顏色，以便通過與背景410不同顏色的標(biāo)示區(qū)域420在視覺上標(biāo)示出被判定受損的晶粒200。同時(shí)，在對(duì)應(yīng)被判定未受損的晶粒200的標(biāo)示區(qū)域420則可呈現(xiàn)與背景410相同的顏色，以在視覺上不特別標(biāo)示出這些被判定為未受損的晶粒200 (即好晶)。
[0037]請(qǐng)參照?qǐng)D2，在本實(shí)施例中，各晶粒200的垂直寬度V2大于或等于顯示裝置300的像素陣列310的一像素312的垂直寬度Vl，且各晶粒200的水平寬度H2大于或等于顯示裝置300的像素陣列310的一像素312的水平寬度Hl。對(duì)應(yīng)被判定受損的晶粒200的標(biāo)示區(qū)域420的垂直寬度V3大于對(duì)應(yīng)的晶粒200的垂直寬度V2，且對(duì)應(yīng)晶粒200的標(biāo)示區(qū)域420的水平寬度H3大于對(duì)應(yīng)的晶粒200的水平寬度H2。對(duì)應(yīng)被判定受損的晶粒200的標(biāo)示區(qū)域420的垂直寬度V3大于或等于顯示裝置300的像素陣列310的像素312的垂直寬度Vl的三倍，且對(duì)應(yīng)晶粒200的標(biāo)示區(qū)域420的水平寬度H3大于或等于顯示裝置300的像素陣列310的像素312的水平寬度Hl的三倍。在上述的參數(shù)設(shè)定下，可確保對(duì)應(yīng)欲標(biāo)示的晶粒200 (例如被判定受損的晶粒200)的標(biāo)示區(qū)域420能環(huán)繞或者完全覆蓋對(duì)應(yīng)的晶粒200，以提高人工挑除的準(zhǔn)確率。
[0038]然而，請(qǐng)參照?qǐng)D1及圖2，分選載體100(例如藍(lán)膜)本身的收縮或膨脹可能造成在分選載體100上的晶粒200的偏移。在本實(shí)施例中，任兩相鄰的這些標(biāo)示區(qū)域420之間的間距大于或等于顯示裝置300的一像素312的寬度。具體而言，任兩相鄰的這些標(biāo)示區(qū)域420的垂直間距VP及水平間距HP分別大于或等于顯示裝置300的一像素312的垂直寬度Vl及水平寬度Hl。因此，對(duì)應(yīng)被判定受損且偏移的晶粒200的標(biāo)示區(qū)域420隨著對(duì)應(yīng)的晶粒200的移動(dòng)不易標(biāo)示出其他鄰近未被判定受損且偏移的晶粒200。
[0039]舉例而目，請(qǐng)參照?qǐng)D3，僅以兩個(gè)晶粒200作為不意。在圖3中，左側(cè)的晶粒200是被判定受損的晶粒200，而右側(cè)的晶粒200是判定未受損的晶粒200。需要注意的是，只有被判定受損的晶粒200才會(huì)顯示標(biāo)示區(qū)域420，因此，當(dāng)對(duì)應(yīng)被判定受損的晶粒200 (即圖3的左側(cè)的晶粒200)的位置偏離如圖2所示的對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)位置200’時(shí)，對(duì)應(yīng)晶粒200的標(biāo)示區(qū)域420也從其預(yù)設(shè)位置420’移動(dòng)至對(duì)準(zhǔn)所對(duì)應(yīng)的晶粒200，使得標(biāo)示區(qū)域420仍可圍繞對(duì)應(yīng)的晶粒200。同時(shí)，當(dāng)對(duì)應(yīng)被判定未受損的晶粒200 (即圖3的右側(cè)的晶粒200)的位置偏離如圖2所示的對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)位置200’時(shí)，原先對(duì)應(yīng)晶粒200(即圖3的右側(cè)的晶粒200)的標(biāo)示區(qū)域420 (類