雙向輻射微帶天線的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例提供了一種雙向輻射微帶天線，包括：導(dǎo)電頂層貼片，設(shè)置在所述雙向輻射微帶天線中的第一非導(dǎo)電頂層介質(zhì)的上面；饋電層，設(shè)置在所述雙向輻射微帶天線中的第二非導(dǎo)電頂層介質(zhì)的下面；導(dǎo)電底層貼片，設(shè)置在所述雙向輻射微帶天線中的第一非導(dǎo)電底層介質(zhì)的下面，并且設(shè)置帶縫隙導(dǎo)電頂層地和帶縫隙導(dǎo)電底層地。一路激勵(lì)信號(hào)進(jìn)入饋電層，激勵(lì)導(dǎo)電頂層貼片和導(dǎo)電底層貼片，使單個(gè)微帶天線實(shí)現(xiàn)雙向輻射的功能，且易于得到各種極化的電磁波和所需要的方向圖，集成度高。
【專利說明】雙向輻射微帶天線

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及天線【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種雙向輻射微帶天線。

【背景技術(shù)】
[0002]天線作為通信系統(tǒng)中無線電設(shè)備的一個(gè)重要組成部分，其性能的好壞將直接影響無線電設(shè)備的性能。微帶天線是做在帶有金屬基板的介質(zhì)基片上，在實(shí)際使用中介質(zhì)基片的相對(duì)介電常數(shù)一般為2.5左右，貼片導(dǎo)體選用銅或金等導(dǎo)電物質(zhì)，并把輻射貼片單元做成規(guī)則的幾何形狀。
[0003]與常規(guī)的微波天線相比，微帶天線的一些主要優(yōu)點(diǎn)是:重量輕、體積小、剖面薄，可以做成共形天線；制造簡(jiǎn)單、成本低，易于大量生產(chǎn)；容易實(shí)現(xiàn)雙頻、多頻段工作等。微帶天線適合于組合式設(shè)計(jì)(固體器件，如振蕩器、放大器、可變衰減器、開關(guān)、調(diào)制器、混頻器、移相器等可以直接加到天線基片上)；饋線和匹配網(wǎng)絡(luò)可以和天線結(jié)構(gòu)同時(shí)制作。因而，在大約從10MHz到50GHz的寬頻帶上獲得了大量的應(yīng)用。
[0004]RFID (Rad1 Frequency Identificat1n,射頻識(shí)別技術(shù))技術(shù)，是無線通訊領(lǐng)域中的一個(gè)分支，主要包括讀寫器、電子標(biāo)簽、系統(tǒng)軟件等三部分組成，其工作原理是讀寫器通過讀寫器天線來發(fā)射和接收電磁波，讀取附著在物品上的電子標(biāo)簽內(nèi)部數(shù)據(jù)信息，并將數(shù)據(jù)傳遞到計(jì)算機(jī)或者后臺(tái)系統(tǒng)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)物品的數(shù)據(jù)收集和管理。RFID應(yīng)用范圍較廣，在多通道門禁系統(tǒng)如圖書館、商場(chǎng)、檔案館等，超高頻RFID可實(shí)現(xiàn)書籍、物品或者檔案的管理。在此類系統(tǒng)中，讀寫器天線多采用微帶天線，實(shí)現(xiàn)對(duì)電磁信號(hào)的發(fā)射和接收。傳統(tǒng)微帶天線多為定向天線，在多通道門禁中，通過在兩個(gè)門的公共端架設(shè)兩個(gè)天線的方式，實(shí)現(xiàn)雙向輻射。
[0005]上述現(xiàn)有技術(shù)中的微帶天線的缺點(diǎn)為:目前的微帶天線，最大輻射方向在天線一偵牝并未實(shí)現(xiàn)雙向輻射。如果想實(shí)現(xiàn)雙向輻射，往往需要使用兩套微帶天線，增加了空間和成本，且操作起來不方便，結(jié)構(gòu)相對(duì)復(fù)雜。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種雙向輻射微帶天線，以實(shí)現(xiàn)通過微帶天線自身結(jié)構(gòu)完成雙向輻射的工作特點(diǎn)。
[0007]一種雙向輻射微帶天線，其特征在于，包括:
[0008]導(dǎo)電頂層貼片，設(shè)置在所述雙向輻射微帶天線中的第一非導(dǎo)電頂層介質(zhì)的上面；
[0009]饋電層，設(shè)置在所述雙向輻射微帶天線中的第二非導(dǎo)電頂層介質(zhì)的下面；
[0010]導(dǎo)電底層貼片，設(shè)置在所述雙向輻射微帶天線中的第一非導(dǎo)電底層介質(zhì)的下面。
[0011]所述第一非導(dǎo)電頂層介質(zhì)下方設(shè)置有帶縫隙導(dǎo)電頂層地，所述帶縫隙導(dǎo)電頂層地的下方設(shè)置有第二非導(dǎo)電頂層介質(zhì)。
[0012]所述第一非導(dǎo)電底層介質(zhì)上方設(shè)置有帶縫隙導(dǎo)電底層地，所述帶縫隙導(dǎo)電底層地的上方設(shè)置有第二非導(dǎo)電底層介質(zhì)。
[0013]所述導(dǎo)電頂層貼片或?qū)щ姷讓淤N片的形狀為方形、圓形、橢圓形、菱形、矩形、三角形。
[0014]所述導(dǎo)電頂層貼片或?qū)щ姷讓淤N片為弓I入幾何微擾的貼片。
[0015]所述縫隙的形狀為矩形、圓形、橢圓形、正方形、三角形、菱形。
[0016]所述縫隙的數(shù)量可以為一個(gè)或者正交的兩個(gè)。
[0017]所述饋電層為微帶線饋電、T型功分器、3dB電橋或者威爾金森功分器。
[0018]所述帶縫隙導(dǎo)電頂層地和所述帶縫隙導(dǎo)電底層地通過具備導(dǎo)電性質(zhì)的過孔或者柱相連。
[0019]多個(gè)所述雙向輻射微帶天線組成雙向輻射天線陣形式。
[0020]由上述本發(fā)明的實(shí)施例提供的技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明實(shí)施例通過將微帶天線結(jié)構(gòu)設(shè)置為:導(dǎo)電頂層貼片，設(shè)置在所述雙向輻射微帶天線中的第一非導(dǎo)電頂層介質(zhì)的上面；饋電層，設(shè)置在所述雙向輻射微帶天線中的第二非導(dǎo)電頂層介質(zhì)的下面；導(dǎo)電底層貼片，設(shè)置在所述雙向輻射微帶天線中的第一非導(dǎo)電底層介質(zhì)的下面，并且設(shè)置帶縫隙導(dǎo)電頂層地和帶縫隙導(dǎo)電底層地。實(shí)現(xiàn)了電性能多樣化，使單個(gè)微帶天線實(shí)現(xiàn)可以雙向輻射的功能，易于得到各種極化的電磁波和所需要的方向圖，集成度高。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0022]圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的單縫隙耦合雙向輻射微帶天線的分解結(jié)構(gòu)示意圖，圖中，導(dǎo)電頂層貼片11，第一非導(dǎo)電頂層介質(zhì)12，帶縫隙導(dǎo)電頂層地13，縫隙131，第二非導(dǎo)電頂層介質(zhì)14，過孔141，饋電層15，第二非導(dǎo)電底層介質(zhì)16，帶縫隙導(dǎo)電底層地17，縫隙171，第一非導(dǎo)電底層介質(zhì)18，導(dǎo)電底層貼片19 ；
[0023]圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的單縫隙耦合雙向輻射微帶天線的組合剖面示意圖，圖中，導(dǎo)電頂層貼片11，第一非導(dǎo)電頂層介質(zhì)12，帶縫隙導(dǎo)電頂層地13，縫隙131，第二非導(dǎo)電頂層介質(zhì)14，連接柱142，饋電層15，第二非導(dǎo)電底層介質(zhì)16，帶縫隙導(dǎo)電底層地17，縫隙171，第一非導(dǎo)電底層介質(zhì)18，導(dǎo)電底層貼片19 ；
[0024]圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的單縫隙耦合雙向輻射微帶天線的各部件示意圖，圖中，雙向輻射微帶天線的俯視圖10，導(dǎo)電頂層貼片11，第一非導(dǎo)電頂層介質(zhì)12，帶縫隙導(dǎo)電頂層地13，縫隙131，第二非導(dǎo)電頂層介質(zhì)14，過孔141，饋電層15，第二非導(dǎo)電底層介質(zhì)16，帶縫隙導(dǎo)電底層地17，縫隙171，第一非導(dǎo)電底層介質(zhì)18，導(dǎo)電底層貼片19 ；
[0025]圖4為本發(fā)明實(shí)施例二提供的雙縫隙耦合雙向輻射微帶天線的各部件示意圖，圖中，雙向輻射微帶天線的俯視圖20，導(dǎo)電頂層貼片21，非導(dǎo)電頂層介質(zhì)22，帶縫隙導(dǎo)電頂層地23，縫隙231，縫隙232，導(dǎo)電頂層介質(zhì)24，過孔241，饋電層25，導(dǎo)電底層介質(zhì)26，過孔261，帶縫隙導(dǎo)電底層地27，縫隙271，縫隙272，非導(dǎo)電底層介質(zhì)28，導(dǎo)電底層貼片29 ；
[0026]圖5為本發(fā)明實(shí)施例三提供的雙向輻射微帶天線的結(jié)構(gòu)示意圖，圖中，雙向輻射微帶天線的俯視圖30,饋電層31 ；
[0027]圖6為本發(fā)明實(shí)施例四提供的雙向輻射微帶天線的結(jié)構(gòu)示意圖，圖中，雙向輻射微帶天線的俯視圖40,饋電層41。

【具體實(shí)施方式】
[0028]為便于對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的理解，下面將結(jié)合附圖以幾個(gè)具體實(shí)施例為例做進(jìn)一步的解釋說明，且各個(gè)實(shí)施例并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的限定。
[0029]本實(shí)施例提供一種雙向輻射微帶天線，包括:導(dǎo)電頂層貼片，設(shè)置在所述雙向輻射微帶天線中的第一非導(dǎo)電頂層介質(zhì)的上面；饋電層，設(shè)置在所述雙向輻射微帶天線中的第二非導(dǎo)電頂層介質(zhì)的下面；導(dǎo)電底層貼片，設(shè)置在所述雙向輻射微帶天線中的第一非導(dǎo)電底層介質(zhì)的下面。
[0030]帶縫隙導(dǎo)電頂層地設(shè)置在所述第一非導(dǎo)電頂層介質(zhì)下方，所述帶縫隙導(dǎo)電頂層地的下方設(shè)置有第二非導(dǎo)電頂層介質(zhì)。帶縫隙導(dǎo)電底層地設(shè)置在所述第一非導(dǎo)電底層介質(zhì)上方，所述帶縫隙導(dǎo)電底層地的上方設(shè)置有第二非導(dǎo)電底層介質(zhì)。一路激勵(lì)信號(hào)進(jìn)入饋電層，激勵(lì)導(dǎo)電頂層貼片和導(dǎo)電底層貼片，以實(shí)現(xiàn)通過單個(gè)雙向輻射微帶天線單元實(shí)現(xiàn)雙向輻射的功能。
[0031]圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的單縫隙耦合雙向輻射微帶天線的分解結(jié)構(gòu)示意圖，圖中，導(dǎo)電頂層貼片11，第一非導(dǎo)電頂層介質(zhì)12，帶縫隙導(dǎo)電頂層地13，縫隙131，第二非導(dǎo)電頂層介質(zhì)14，過孔141，饋電層15，第二非導(dǎo)電底層介質(zhì)16，帶縫隙導(dǎo)電底層地17，縫隙171，第一非導(dǎo)電底層介質(zhì)18，導(dǎo)電底層貼片19。
[0032]圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的單縫隙耦合雙向輻射微帶天線的組合剖面示意圖，圖中，導(dǎo)電頂層貼片11，第一非導(dǎo)電頂層介質(zhì)12，帶縫隙導(dǎo)電頂層地13，縫隙131，第二非導(dǎo)電頂層介質(zhì)14，連接柱142，饋電層15，第二非導(dǎo)電底層介質(zhì)16，帶縫隙導(dǎo)電底層地17，縫隙171，第一非導(dǎo)電底層介質(zhì)18，導(dǎo)電底層貼片19。
[0033]圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的單縫隙雙向輻射微帶天線的各部件示意圖，圖中，雙向輻射微帶天線的俯視圖10，導(dǎo)電頂層貼片11，第一非導(dǎo)電頂層介質(zhì)12，帶縫隙導(dǎo)電頂層地13，縫隙131，第二非導(dǎo)電頂層介質(zhì)14，過孔141，饋電層15，第二非導(dǎo)電底層介質(zhì)16，帶縫隙導(dǎo)電底層地17，縫隙171，第一非導(dǎo)電底層介質(zhì)18，導(dǎo)電底層貼片19。
[0034]圖1，圖2，圖3所示，本實(shí)施例中的雙向輻射微帶天線從上到下的結(jié)構(gòu)為:導(dǎo)電頂層貼片11，第一非導(dǎo)電頂層介質(zhì)12，帶縫隙導(dǎo)電頂層地13，第二非導(dǎo)電頂層介質(zhì)14，饋電層15，第二非導(dǎo)電底層介質(zhì)16，帶縫隙導(dǎo)電底層地17，第一非導(dǎo)電底層介質(zhì)18，導(dǎo)電底層貼片19。上述帶縫隙導(dǎo)電頂層地13上帶有縫隙131，帶縫隙導(dǎo)電底層地17上帶有縫隙171，并且上述帶縫隙導(dǎo)電頂層地13和帶縫隙導(dǎo)電底層地17通過過孔141或者連接柱142連接。本設(shè)計(jì)中的饋電層15也可以為饋電網(wǎng)絡(luò)，而同時(shí)激勵(lì)兩個(gè)導(dǎo)電頂層貼片11和導(dǎo)電底層貼片19，分別在導(dǎo)電頂層貼片11和導(dǎo)電底層貼片19方向形成易于控制的方向圖。所述饋電層15可以為微帶線饋電、T型功分器、3dB電橋或者威爾金森功分器。
[0035]導(dǎo)電頂層貼片11和導(dǎo)電底層貼片19，為微帶天線輻射主體。導(dǎo)電頂層貼片11的尺寸主要由工作的頻段、第一非導(dǎo)電頂層介質(zhì)12的厚度和介電常數(shù)等決定，導(dǎo)電底層貼片19的尺寸主要由工作的頻段、第一非導(dǎo)電底層介質(zhì)18的厚度和介電常數(shù)等決定。導(dǎo)電頂層貼片11和導(dǎo)電底層貼片19，可為多層導(dǎo)電材料，形狀可為矩形、圓形、橢圓形、正方形、三角形、菱形或其他形狀，同時(shí)導(dǎo)電頂層貼片11和導(dǎo)電底層貼片19可以通過切角等幾何微擾方式實(shí)現(xiàn)天線的圓極化。
[0036]第一非導(dǎo)電頂層介質(zhì)12和第一非導(dǎo)電底層介質(zhì)18的介電常數(shù)和厚度還會(huì)影響天線的整體尺寸和工作帶寬，其介質(zhì)損耗影響天線的整體增益，其材料可為空氣或非導(dǎo)電介質(zhì)板材等?？p隙131和縫隙171的寬度和長(zhǎng)度將直接影響雙向輻射微帶天線的輸入阻抗實(shí)部部分以及電磁耦合強(qiáng)度和后瓣大小。上述縫隙131和縫隙171的形狀為矩形、圓形、橢圓形、正方形、三角形、菱形。
[0037]饋電層15中，在饋電層15起始端饋入信號(hào)時(shí)候，饋電層15將信號(hào)行至饋線末端，通過縫隙131和縫隙171分別同時(shí)耦合激勵(lì)導(dǎo)電頂層貼片11和導(dǎo)電底層貼片19。饋電層的15的饋線寬度，可根據(jù)雙向輻射微帶天線的輸入阻抗、結(jié)構(gòu)、第二非導(dǎo)電頂層14和第二非導(dǎo)電底層介質(zhì)16的介電常數(shù)、介質(zhì)厚度計(jì)算得出；饋電層15的饋線末端開路長(zhǎng)度，影響雙向輻射微帶天線的輸入阻抗虛部部分。第二非導(dǎo)電頂層介質(zhì)14和第二非導(dǎo)電底層介質(zhì)16的厚度介電常數(shù)、介質(zhì)損耗還決定饋電層15的損耗。帶縫隙導(dǎo)電頂層地13和帶縫隙導(dǎo)電底層地17通過具備導(dǎo)電性質(zhì)的過孔141或者連接柱142連接，實(shí)現(xiàn)兩個(gè)地的等電位。
[0038]圖4為本發(fā)明實(shí)施例二提供的雙縫隙雙向輻射微帶天線的各部件示意圖，圖中，雙向輻射微帶天線的俯視圖20，導(dǎo)電頂層貼片21，非導(dǎo)電頂層介質(zhì)22，帶縫隙導(dǎo)電頂層地23，縫隙231，縫隙232，導(dǎo)電頂層介質(zhì)24，過孔241，饋電層25，導(dǎo)電底層介質(zhì)26，過孔261，帶縫隙導(dǎo)電底層地27，縫隙271，縫隙272，非導(dǎo)電底層介質(zhì)28，導(dǎo)電底層貼片29。
[0039]圖4所示，20為雙縫隙耦合雙向輻射微帶天線的俯視圖，該結(jié)構(gòu)從上到下的結(jié)構(gòu)依次為:導(dǎo)電頂層貼片21，非導(dǎo)電頂層介質(zhì)22，帶縫隙導(dǎo)電頂層地23，導(dǎo)電頂層介質(zhì)24，饋電層25，導(dǎo)電底層介質(zhì)26，帶縫隙導(dǎo)電底層地27，非導(dǎo)電底層介質(zhì)28，導(dǎo)電底層貼片29，上述帶縫隙導(dǎo)電頂層地23上帶有縫隙231和縫隙232，導(dǎo)電頂層介質(zhì)24上帶有過孔241，導(dǎo)電底層介質(zhì)26上帶有過孔261，帶縫隙導(dǎo)電底層地27上帶有縫隙271和縫隙272。
[0040]上述導(dǎo)電頂層貼片21和導(dǎo)電底層貼片29的形狀為方形、圓形或者其他形狀，結(jié)構(gòu)可以為多層金屬等導(dǎo)電性質(zhì)體結(jié)構(gòu)。帶縫隙導(dǎo)電頂層地23有兩個(gè)正交的縫隙，縫隙231和縫隙232，帶縫隙導(dǎo)電底層地27上有兩個(gè)正交的縫隙，縫隙271和縫隙272。饋電層25的饋線網(wǎng)絡(luò)由一個(gè)T型功率分配器構(gòu)成，激勵(lì)信號(hào)從T型分配器的輸入端251進(jìn)入，能量等分，二分之一強(qiáng)度信號(hào)進(jìn)入T型分配器的左臂252，另二分之一強(qiáng)度信號(hào)進(jìn)入T型分配器的右臂253 ;右臂253比左臂252長(zhǎng)四分之一波長(zhǎng)的電長(zhǎng)度，這樣在兩個(gè)端口，端口 252和端口 253形成兩個(gè)等幅，并且相位相差90度的信號(hào)。
[0041]一方面T型分配器端口 252和端口 253兩個(gè)信號(hào)通過帶縫隙導(dǎo)電頂層地23中的兩個(gè)縫隙，縫隙231和縫隙232激勵(lì)導(dǎo)電頂層貼片21，從而形成向上輻射的圓極化電磁波；另一方面T型分配器端口 252和253兩個(gè)信號(hào)通過帶縫隙導(dǎo)電底層地27中的兩個(gè)縫隙，縫隙271和縫隙272激勵(lì)導(dǎo)電底層貼片29，從而形成向上和向下輻射的圓極化電磁波。
[0042]饋電網(wǎng)絡(luò)層中饋電網(wǎng)絡(luò)也可由其他實(shí)現(xiàn)方式，如3dB電橋、威爾金森功分器，圖5為本發(fā)明實(shí)施例三提供的雙向輻射微帶天線的結(jié)構(gòu)示意圖，圖中，雙向輻射微帶天線的俯視圖30，饋電層31。在饋線輸入端口輸入信號(hào)，在兩個(gè)輸出端口形成幅度相等相位相差90度的信號(hào)分量。饋電層為威爾金森功分器，其它層的結(jié)構(gòu)和原理和上述實(shí)施例二中相同，故不再加以贅述。
[0043]圖6為本發(fā)明實(shí)施例四提供的雙向輻射微帶天線的結(jié)構(gòu)示意圖，圖中，雙向輻射微帶天線的俯視圖40，饋電層41。饋電層為3dB電橋，其它層的結(jié)構(gòu)和原理和上述實(shí)施例二中相同，故不再加以贅述。
[0044]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)能理解上述雙向福射微帶天線的組合類型僅為舉例,其他現(xiàn)有的或今后可能出現(xiàn)的雙向輻射微帶天線的組合類型如可適用于本發(fā)明實(shí)施例，也應(yīng)包含在本發(fā)明保護(hù)范圍以內(nèi)，并在此以引用方式包含于此。
[0045]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例通過將微帶天線結(jié)構(gòu)設(shè)置為:導(dǎo)電頂層貼片，設(shè)置在所述雙向輻射微帶天線中的第一非導(dǎo)電頂層介質(zhì)的上面；饋電層，設(shè)置在所述雙向輻射微帶天線中的第二非導(dǎo)電頂層介質(zhì)的下面；導(dǎo)電底層貼片，設(shè)置在所述雙向輻射微帶天線中的第一非導(dǎo)電底層介質(zhì)的下面，并且設(shè)置帶縫隙導(dǎo)電頂層地和帶縫隙導(dǎo)電底層地。使單個(gè)微帶天線實(shí)現(xiàn)可以雙向輻射的功能，易于得到各種極化的電磁波和所需要的方向圖，集成度高，且多個(gè)所述雙向輻射微帶天線可以組成雙向輻射天線陣形式，實(shí)現(xiàn)了電性能多樣化，輻射范圍更廣。
[0046]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解:附圖只是一個(gè)實(shí)施例的示意圖，附圖中的模塊或流程并不一定是實(shí)施本發(fā)明所必須的。
[0047]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解:實(shí)施例中的裝置中的部件可以按照實(shí)施例描述分布于實(shí)施例的裝置中，也可以進(jìn)行相應(yīng)變化位于不同于本實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)裝置中。上述實(shí)施例的部件可以合并為一個(gè)部件，也可以進(jìn)一步拆分成多個(gè)子部件。
[0048]以上所述，僅為本發(fā)明較佳的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種雙向輻射微帶天線，其特征在于，包括: 導(dǎo)電頂層貼片，設(shè)置在所述雙向輻射微帶天線中的第一非導(dǎo)電頂層介質(zhì)的上面； 饋電層，設(shè)置在所述雙向輻射微帶天線中的第二非導(dǎo)電頂層介質(zhì)的下面； 導(dǎo)電底層貼片，設(shè)置在所述雙向輻射微帶天線中的第一非導(dǎo)電底層介質(zhì)的下面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙向輻射微帶天線，其特征在于，所述第一非導(dǎo)電頂層介質(zhì)下方設(shè)置有帶縫隙導(dǎo)電頂層地，所述帶縫隙導(dǎo)電頂層地的下方設(shè)置有第二非導(dǎo)電頂層介質(zhì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙向輻射微帶天線，其特征在于，所述第一非導(dǎo)電底層介質(zhì)上方設(shè)置有帶縫隙導(dǎo)電底層地，所述帶縫隙導(dǎo)電底層地的上方設(shè)置有第二非導(dǎo)電底層介質(zhì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙向輻射微帶天線，其特征在于，所述導(dǎo)電頂層貼片或?qū)щ姷讓淤N片的形狀為方形、圓形、橢圓形、菱形、矩形、三角形。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的雙向輻射微帶天線，其特征在于，所述導(dǎo)電頂層貼片或?qū)щ姷讓淤N片為引入幾何微擾的貼片。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的雙向輻射微帶天線，其特征在于，所述縫隙的形狀為矩形、圓形、橢圓形、正方形、三角形、菱形。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙向輻射微帶天線，其特征在于，所述縫隙的數(shù)量可以為一個(gè)或者正交的兩個(gè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙向福射微帶天線,其特征在于,所述饋電層為微帶線饋電、X型功分器、3(18電橋或者威爾金森功分器。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的雙向輻射微帶天線，其特征在于，所述帶縫隙導(dǎo)電頂層地和所述帶縫隙導(dǎo)電底層地通過具備導(dǎo)電性質(zhì)的過孔或者柱相連。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的雙向福射微帶天線,其特征在于,多個(gè)所述雙向福射微帶天線組成雙向福射天線陣形式。
【文檔編號(hào)】H01Q1/38GK104466366SQ201310419191
【公開日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2013年9月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月14日
【發(fā)明者】林磊 申請(qǐng)人:航天信息股份有限公司