激光轉(zhuǎn)印方法和該方法使用的激光轉(zhuǎn)印裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種激光轉(zhuǎn)印方法和該方法使用的激光轉(zhuǎn)印裝置。本發(fā)明涉及一種有機(jī)EL面板，不使用蒸鍍掩模形成有機(jī)EL面板的發(fā)光層的有機(jī)EL層。與在支承基板（20）上形成有有機(jī)EL膜（21）的金屬施主基板（220）相對(duì)，配置具有有機(jī)EL元件形成部（110）的電路基板（101）。對(duì)金屬施主基板（220）照射激光，使支承基板（20）內(nèi)產(chǎn)生沖擊波，在電路基板（101）側(cè)形成有機(jī)EL層，實(shí)現(xiàn)高精細(xì)、大畫面且制造成本低的有機(jī)EL面板。
【專利說明】激光轉(zhuǎn)印方法和該方法使用的激光轉(zhuǎn)印裝置【技術(shù)領(lǐng)域】[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)EL面板、有機(jī)TFT、有機(jī)太陽能電池等功能性有機(jī)膜的制造方法。[0002]另外，涉及有機(jī)EL面板的制造裝置和有機(jī)EL面板制造方法，特別涉及高效、穩(wěn)定地形成有機(jī)EL發(fā)光層的技術(shù)。【背景技術(shù)】[0003]目前，作為包含有機(jī)EL面板的發(fā)光層的有機(jī)EL層的顏色區(qū)分方法，使用掩模蒸鍍法。但是，掩模蒸鍍法所使用的蒸鍍掩模價(jià)格較高，并且經(jīng)營成本也高，由于使器件基板與蒸鍍掩模接觸，因此異物的影響較大，制造成品率低。因此，成為制造成本高、有機(jī)EL面板單價(jià)高的掩模蒸鍍法。另外，相對(duì)有機(jī)EL面板的大型化?高精細(xì)化、工件尺寸擴(kuò)大，蒸鍍掩模制造技術(shù)和掩模蒸鍍工藝已經(jīng)顯得落后。[0004]為了解決這些問題，正在研究“白色光+彩色濾光片(CF)”法或顏色轉(zhuǎn)換法、噴墨法或膠印法等溶液工序等不使用掩模蒸鍍的方法。在“白色光+ CF”法或顏色轉(zhuǎn)換法、噴墨法或膠印法等使用了涂敷工序的有機(jī)EL面板中，發(fā)光效率低，壽命也短。因此，為了實(shí)現(xiàn)使用這些技術(shù)的有機(jī)EL面板，必須等待發(fā)光效率高、可實(shí)現(xiàn)長壽命的材料的開發(fā)。另外，“白色光+ CF”法是在整個(gè)像素中形成白色光的有機(jī)EL層，每個(gè)像素使用多種顏色的CF形成彩色圖像的方法。[0005]作為替代掩模蒸鍍的顏色區(qū)分方法的其它的方法，能夠列舉有激光轉(zhuǎn)印法。在激光轉(zhuǎn)印法中，能夠進(jìn)行高精細(xì)對(duì)應(yīng)且能夠?qū)?yīng)大面積基板。在專利文獻(xiàn)I中報(bào)告有通過升華法使材料蒸鍍至有機(jī)EL面板的激光轉(zhuǎn)印法(LIPS、Laser Patternwise Sublimation)。 另外，在專利文獻(xiàn)2中報(bào)告有利用轉(zhuǎn)印板的熱膨脹使有機(jī)材料轉(zhuǎn)印到有機(jī)EL面板上的激光轉(zhuǎn)印法(LIT1、Laser Induced Thermal Imaging)。[0006]在專利文獻(xiàn)3中，公開了一種無掩模構(gòu)圖，其對(duì)施主基板的規(guī)定部位照射激光，利用形成于施主基板上的吸收層吸收激光，由此,產(chǎn)生沖擊波,使施主基板上的發(fā)光材料剝離而轉(zhuǎn)印到有機(jī)EL面板上。[0007]另外,有機(jī)EL (電致發(fā)光；Electro luminescence)元件具有自發(fā)光性、高速響應(yīng)和寬視角等優(yōu)異的性能。由于這些優(yōu)異的性能，近年來，有機(jī)EL元件作為表現(xiàn)高畫質(zhì)的動(dòng)態(tài)映像的顯示器面板用的器件正積極地開發(fā)。有機(jī)EL元件在陰極和陽極之間具有將有機(jī)空穴傳輸層、有機(jī)電子傳輸層、有機(jī)發(fā)光層等層疊而形成的多層結(jié)構(gòu)。[0008]作為成為有機(jī)EL顯示裝置的發(fā)光層等的較薄的有機(jī)EL膜的成膜方法，一般使用掩模蒸鍍法。掩模蒸鍍法是利用圖案狀地形成有開口部的蒸鍍掩模將基板覆蓋，通過開口部蒸鍍有機(jī)物質(zhì)，在基板上形成有機(jī)EL膜的方法。由于有機(jī)EL顯示裝置的像素的精細(xì)度高，蒸鍍掩模的開口非常小。在掩模蒸鍍法中，在覆蓋基板的掩模上也堆積有機(jī)EL膜，因開口徑發(fā)生變化，蒸鍍掩模需要進(jìn)行定期的更換、清洗或維護(hù)，存在生產(chǎn)力低的問題。[0009]另外，在掩模蒸鍍法中，由于受到來自蒸發(fā)源的熱輻射，掩模本身發(fā)生熱膨脹，因此不能確保母基板的周邊部的掩模開口位置和電路基板上的規(guī)定蒸鍍`地址的對(duì)齊精度，成為阻礙向母基板大型化、面板高精細(xì)化的對(duì)應(yīng)的主要原因。[0010]為了解決這些問題，提倡有無掩模轉(zhuǎn)印方式，該無掩模轉(zhuǎn)印方式使預(yù)先蒸鍍有有 機(jī)層的施主基板與進(jìn)行元件形成的基板密接或接近，通過對(duì)施主基板照射激光束，使有機(jī) EL層升華或剝離而向元件基板轉(zhuǎn)印。[0011]作為在預(yù)先形成有機(jī)層的施主基板上照射激光而在電路基板上的所希望區(qū)域轉(zhuǎn) 印有機(jī)層的方式，在專利文獻(xiàn)4中公開了一種技術(shù)，S卩，通過對(duì)在玻璃基板整個(gè)面上涂敷有 發(fā)光材料的施主基板照射激光，使發(fā)光材料升華，由此在相對(duì)設(shè)置的器件基板上形成有機(jī) EL層。另外，在專利文獻(xiàn)5中公開有一種使涂敷有發(fā)光材料的施主薄膜與器件基板密接而 在規(guī)定部位熱轉(zhuǎn)印發(fā)光層的方式。[0012]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)[0013]專利文獻(xiàn)1:日本專利3789991號(hào)公報(bào)[0014]專利文獻(xiàn)2:日本特表2002 - 534782號(hào)公報(bào)[0015]專利文獻(xiàn)3:日本特開2010 - 40380號(hào)公報(bào)[0016]專利文獻(xiàn)4:日本特開2002 - 302759號(hào)[0017]專利文獻(xiàn)5:日本特開2006 — 216563號(hào)
【發(fā)明內(nèi)容】
[0018]發(fā)明想要解決的問題[0019]專利文獻(xiàn)I所示的LIPS法，是通過對(duì)在玻璃基板整個(gè)面上形成有發(fā)光材料的施主 基板照射激光，使發(fā)光材料升華，由此在相對(duì)設(shè)置的器件基板上形成有機(jī)EL層。通過對(duì)成 膜部分有選擇地照射激光，而實(shí)現(xiàn)無掩模構(gòu)圖。在該方法中，由于是一層一層地進(jìn)行蒸鍍， 因用于升華的蓄熱層的溫度上升，而容易受到蒸鍍氣氛的影響。因此，工序數(shù)變長，也容易 產(chǎn)生膜質(zhì)劣化。另外，在LIPS法中，理論上一次僅能夠進(jìn)行一層構(gòu)圖，隨著行分離形成的層 數(shù)增加，存在轉(zhuǎn)印的工序數(shù)也會(huì)增加的缺點(diǎn)。另外，由于是利用激光能量進(jìn)行熱轉(zhuǎn)換，因此， 有時(shí)產(chǎn)生轉(zhuǎn)印氣氛溫度上升引起的雜質(zhì)混入等，使有機(jī)EL元件的特性劣化。[0020]另外，在專利文獻(xiàn)2所示的LITI法中，使形成有發(fā)光材料的施主薄膜與器件密接， 通過對(duì)規(guī)定部位照射激光而實(shí)現(xiàn)無掩模構(gòu)圖。LITI法基本上是熱轉(zhuǎn)印法，因此，能夠進(jìn)行多 層轉(zhuǎn)印。但是，需要附加壓力、溫度，有時(shí)層數(shù)增加或進(jìn)行厚膜化時(shí)膜質(zhì)產(chǎn)生劣化。因此，即 使是LITI法，實(shí)際上也是I?2層，因此，在層數(shù)增加的情況下，需要反復(fù)進(jìn)行轉(zhuǎn)印或與蒸 鍍法并用。另外，當(dāng)存在異物時(shí)，由于是在夾著異物的狀態(tài)下施加壓力，因此缺陷增加。[0021]另外，在專利文獻(xiàn)3中，未公開用于產(chǎn)生沖擊波的具體的激光照射方法，考慮基于 與LIPS法一樣的升華進(jìn)行的發(fā)光材料的蒸鍍，具有與LIPS法一樣的課題。[0022]在專利文獻(xiàn)4中公開有一種技術(shù)，即，通過對(duì)在玻璃基板整個(gè)面上涂敷有發(fā)光材 料的施主基板照射激光，使發(fā)光材料升華，從而在相對(duì)設(shè)置的器件基板上形成有機(jī)EL層。 但是，由于將激光能量轉(zhuǎn)換成熱，發(fā)光材料加熱到充分升華的溫度，因此容易產(chǎn)生轉(zhuǎn)印氣氛 的溫度上升造成的雜質(zhì)混入等，存在有機(jī)EL元件特性容易劣化的問題。[0023]專利文獻(xiàn)5中公開有一種方式，即，使涂敷有發(fā)光材料的施主薄膜與器件基板密 接，在規(guī)定部位熱轉(zhuǎn)印發(fā)光層。但是，由于使器件基板和施主薄膜密接，因此，當(dāng)存在異物 時(shí)，在夾著異物的狀態(tài)下施加壓力，因此存在形成器件時(shí)異物引起的黑點(diǎn)缺陷增加的問題。[0024]本發(fā)明的課題在于，克服以上各種問題點(diǎn)，不使用蒸鍍掩模，高成品率地形成包含發(fā)光層的多個(gè)有機(jī)膜層。
[0025]本發(fā)明的第二目的在于，解決上述現(xiàn)有技術(shù)的課題，提供一種在激光轉(zhuǎn)印工藝中，不產(chǎn)生伴隨溫度上升的元件發(fā)光特性的劣化、因混入異物造成的黑點(diǎn)缺陷的激光轉(zhuǎn)印方法或轉(zhuǎn)印裝置。
[0026]另外，本發(fā)明的第二目的在于，提供一種能夠?qū)⑹┲骰迳系挠袡C(jī)層聞速且聞穩(wěn)定性地轉(zhuǎn)印至電路基板的激光轉(zhuǎn)印方法或轉(zhuǎn)印裝置。
[0027]用于解決課題的技術(shù)方案
[0028]本發(fā)明提供一種激光轉(zhuǎn)印方法，將形成于金屬施主片上的薄膜轉(zhuǎn)印到與金屬施主片相對(duì)的基板上，該激光轉(zhuǎn)印方法的特征在于，將多個(gè)脈沖激光串沿著一定方向進(jìn)行掃描對(duì)金屬施主片背面進(jìn)行照射，照射第二脈沖光進(jìn)行掃描，使得第二脈沖光的至少一部分與照射了第一脈沖光的部分重疊。
[0029]另外，本發(fā)明提供一種使用激光轉(zhuǎn)印方法的激光轉(zhuǎn)印裝置，將形成于金屬施主片上的薄膜轉(zhuǎn)印到與金屬施主片相對(duì)的基板上，該激光轉(zhuǎn)印裝置的特征在于，具有:轉(zhuǎn)印部，其使多個(gè)脈沖激光串沿一定方向進(jìn)行掃描向金屬施主片背面進(jìn)行照射，照射第二脈沖光進(jìn)行掃描，使得第二脈沖光的至少一部分與照射了第一脈沖光的部分重疊；和在金屬施主片上作為薄膜形成有機(jī)膜的薄膜形成部。
[0030]另外，本發(fā)明的特征在于，還具備:搭載施主基板和電路基板的載置臺(tái)，其中，施主基板一主面上形成有有機(jī)層，電路基板與所述一主面隔開一定間隔相對(duì)；激光振蕩器，其使激光振蕩；激光整形裝置，其將所述激光轉(zhuǎn)換成矩形形狀的均勻強(qiáng)度分布；激光分配裝置，其得到使所述均勻強(qiáng)度分布的激光線列且等間隔配置的兩個(gè)以上的激光；投影透鏡，其將所述兩個(gè)以上的激光縮小投影到所述施主基板的另一主面上；移動(dòng)裝置，其使所述線列且等間隔配置的所述激光和所述載置臺(tái)在所述線列方向上相對(duì)地等速移動(dòng)；控制裝置，其使激光隨著所述等速移動(dòng)對(duì)所述施主基板的另一主面上的同一部位重疊照射。
[0031]另外，本發(fā)明提供一種有機(jī)EL面板的制造方法，該方法是在電路基板上形成由導(dǎo)電性薄膜構(gòu)成的第一電極，在所述第一電極上形成至少包含發(fā)光層的有機(jī)EL層，在所述有機(jī)EL層上形成第二電極，其特征在于，對(duì)于在一主面上層疊了有機(jī)EL膜的施主基板，使形成了下部電極的所述電路基板與所述施主基板保持一定間隔與所述一主面相對(duì)，將振蕩的振蕩激光轉(zhuǎn)換成矩形形狀的具備均勻強(qiáng)度分布的多個(gè)矩形激光，將多個(gè)所述矩形激光線列且等間隔地配置，對(duì)所述施主基板的另一主面的規(guī)定區(qū)域，隔開一定時(shí)間以上重疊照射規(guī)定次數(shù)，使所述有機(jī)EL膜從所述施主基板剝離而轉(zhuǎn)印到所述相對(duì)的所述電路基板上。
[0032]發(fā)明效果
[0033]本發(fā)明提供一種將形成于金屬施主片上的薄膜轉(zhuǎn)印到與金屬施主片相對(duì)的基板上的轉(zhuǎn)印方法，其中，使多個(gè)脈沖激光串沿著一定方向進(jìn)行掃描，照射金屬施主片背面，以第二脈沖光的至少一部分與照射了第一脈沖光的部分重疊的方式照射第二脈沖光進(jìn)行掃描，由此，能夠不使用蒸鍍掩模而形成有機(jī)膜層，所以能夠?qū)崿F(xiàn)有機(jī)膜面板的大型化、高精細(xì)化。
[0034]另外，由于可以實(shí)現(xiàn)形成有機(jī)膜面板的母基板的大型化，因此，能夠增大每個(gè)母基板的面板取得數(shù)，其結(jié)果是，能夠降低有機(jī)膜面板的制造成本。[0035]另外，由于能夠以制約條件少的整片膜的狀態(tài)形成有機(jī)膜，其中，該有機(jī)膜構(gòu)成形成在有機(jī)膜面板上的多個(gè)有機(jī)膜元件，因此，能夠提高膜厚分布和再現(xiàn)性，能夠改善色純度等特性。另外，能夠以整片膜的狀態(tài)進(jìn)行有機(jī)膜元件的膜構(gòu)成，因此，能夠減少膜缺陷，能夠有助于減少有機(jī)膜層的工序數(shù)。
[0036]進(jìn)而，根據(jù)本發(fā)明，能夠提供在激光轉(zhuǎn)印工藝中不產(chǎn)生伴隨溫度上升的元件發(fā)光特性的劣化、因異物混入引起的黑點(diǎn)缺陷的激光轉(zhuǎn)印方法和轉(zhuǎn)印裝置。
[0037]另外，能夠提供能夠?qū)⑹┲骰迳系挠袡C(jī)層聞速且聞穩(wěn)定性地轉(zhuǎn)印至電路基板的激光轉(zhuǎn)印方法和轉(zhuǎn)印裝置。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0038]圖1是表示本發(fā)明的有機(jī)EL顯示裝置的截面圖。
[0039]圖2是實(shí)施例1的制造工藝圖。
[0040]圖3是表示實(shí)施例1的脈沖激光串的曲線圖。
[0041]圖4是表示實(shí)施例1的脈沖激光照射后的金屬施主片的熱擴(kuò)散區(qū)域的示意圖。
[0042]圖5是表不實(shí)施例1的脈沖激光照射方法的不意圖。
[0043]圖6是表示具有實(shí)施例1中的凹凸構(gòu)造的金屬施主片的制造方法的截面圖。
[0044]圖7是表示具有實(shí)施例1的2層構(gòu)造的金屬施主片的制造方法的截面圖。
[0045]圖8是表示本發(fā)明的激光轉(zhuǎn)印裝置的一方式的示意圖。
[0046]圖9是表示本發(fā)明的激光轉(zhuǎn)印裝置的另一方式的示意圖。
[0047]圖10是表示本發(fā)明的實(shí)施例2的有機(jī)EL顯示裝置的截面圖。
[0048]圖11是表示本發(fā)明的實(shí)施例3的有機(jī)EL顯示裝置的截面圖。
[0049]圖12是表示本發(fā)明的實(shí)施例4的有機(jī)EL顯示裝置的截面圖。
[0050]圖13是表示本發(fā)明的實(shí)施例5的有機(jī)TFT裝置的截面圖。
[0051]圖14是表示本發(fā)明的實(shí)施例6的有機(jī)太陽能電池裝置的截面圖。
[0052]圖15是表示本發(fā)明的實(shí)施例7的激光轉(zhuǎn)印裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
[0053]圖16是表示本發(fā)明的激光轉(zhuǎn)印裝置能夠采用的衍射光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)和形成的所希望的形狀的均勻強(qiáng)度分布的圖。
[0054]圖17是表示本發(fā)明實(shí)施例8的激光轉(zhuǎn)印裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
[0055]圖18A是表示本發(fā)明激光轉(zhuǎn)印裝置能夠采用的衍射光學(xué)元件的另一結(jié)構(gòu)和形成的所希望的形狀的均勻強(qiáng)度分布的圖。
[0056]圖18B是表示本發(fā)明激光轉(zhuǎn)印裝置可以采用的衍射光學(xué)元件的另一結(jié)構(gòu)的圖。
[0057]圖19是說明本發(fā)明的激光轉(zhuǎn)印方法的圖。
[0058]圖20是說明本發(fā)明的激光轉(zhuǎn)印方法的適當(dāng)?shù)臈l件范圍的圖。
[0059]圖21是表示本發(fā)明的實(shí)施例9的激光轉(zhuǎn)印裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
[0060]圖22是表不應(yīng)用本發(fā)明的有機(jī)EL顯不器生產(chǎn)工序的一個(gè)例子的工序圖。
[0061]圖23是表示完成后的有機(jī)EL元件的構(gòu)造的截面圖。
[0062]附圖標(biāo)記說明
[0063]20、60、61、70、71:支承基板
[0064]21:第一有機(jī)膜[0065]22:薄膜片
[0066]23:薄膜圖案
[0067]31,51:第一脈沖光
[0068]32、52:第二脈沖光
[0069]33:第三脈沖光
[0070]41:熱擴(kuò)散的圓柱區(qū)域
[0071]100,300,400,500:有機(jī) EL 基板
[0072]101:驅(qū)動(dòng)電路基板
[0073]102:平坦化層
[0074]103:第一電極
[0075]104:觸排
[0076]105 ?107:有機(jī)膜
[0077]108:第二電極
[0078]109:有機(jī)EL元件形成部
[0079]220:施主基板
[0080]801:基板
[0081]802:柵極電極
[0082]803:柵極絕緣層
[0083]804:源極電極
[0084]805:漏極電極
[0085]806:有機(jī)膜
[0086]810:有機(jī) TFT 基板
[0087]901:基板
[0088]902:第一電極
[0089]903:觸排
[0090]904 ?906:有機(jī)膜
[0091]907:第二電極
[0092]910:有機(jī)太陽能電池基板
[0093]502:前處理室
[0094]503、515:有機(jī)蒸鍍室
[0095]504、506、507、509、512、514:激光轉(zhuǎn)印室
[0096]505、508、513:施主蒸鍍槽
[0097]516:蒸鍍室
[0098]517:密封室
[0099]1:激光振蕩器
[0100]3:激光
[0101]4:光閘
[0102]12:激光整形、分支單元
[0103]13:掩模[0104]13K:掩模的開口部
[0105]14:中繼透鏡
[0106]16:施王基板和電路基板
[0107]17:載置臺(tái)
[0108]18:光束分析儀
[0109]80,30:衍射光學(xué)元件
[0110]81:高斯型強(qiáng)度分布
[0111]85、35:均勻強(qiáng)度分布
[0112]501真空腔室
[0113]201、202、203:激光轉(zhuǎn)印裝置
[0114]310:電路基板
[0115]304:有機(jī) EL 膜
[0116]305:剝離片
[0117]312:施主基板
[0118]320?327:轉(zhuǎn)印區(qū)域
[0119]330:不照射區(qū)域
[0120]401:玻璃基板
[0121]402:SiN 膜
[0122]403:SiO 膜
[0123]405:溝道膜
[0124]406:柵極配線
[0125]407:源極、漏極配線
[0126]408:層間絕緣膜
[0127]409:鈍化膜
[0128]410:透明電極
[0129]411:元件分離帶
[0130]412:空穴傳輸層陰極
[0131]413:發(fā)光層
[0132]414:陰極
[0133]415:填充材料
[0134]416:密封板
【具體實(shí)施方式】
[0135]下面，根據(jù)實(shí)施例，利用附圖等對(duì)本發(fā)明詳細(xì)地進(jìn)行說明。下面的說明表示本申請發(fā)明的內(nèi)容的具體例，本申請發(fā)明不限定于這些說明，在本說明書所公開的技術(shù)性的思想范圍內(nèi)，本領(lǐng)域從業(yè)人員可以進(jìn)行各種變更和修正。另外，在用于說明本發(fā)明的所有圖中，具有相同功能的部件附加相同的符號(hào)，有時(shí)省略其重復(fù)說明。
[0136]在本說明書中，在TFT等具有驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)電路基板上，將形成有由有機(jī)EL元件構(gòu)成的發(fā)光兀件的基板稱為有機(jī)EL基板，將密封有有機(jī)EL基板的基板稱為有機(jī)EL面板。[0137]【實(shí)施例1】[0138]首先，對(duì)將本發(fā)明的激光轉(zhuǎn)印方法圖形化了的在有機(jī)EL基板上形成有機(jī)膜的有機(jī)EL面板的制造方法進(jìn)行說明。圖1是實(shí)施例1的有機(jī)EL基板的截面圖。在圖1中，100 表不有機(jī)EL基板。101表不在玻璃基板上形成有具有TFT (薄I旲晶體管)等的驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)電路基板，102表示由設(shè)置于驅(qū)動(dòng)電路基板101上的聚酰亞胺等構(gòu)成的平坦化層，103 表不成為有機(jī)EL兀件的下部電極的由導(dǎo)電性薄膜構(gòu)成的第一電極，104表不覆蓋第一電極端部的絕緣觸排，105~107表示構(gòu)成有機(jī)EL元件的有機(jī)膜，108表示成為上部電極的第二電極。109表示設(shè)置于驅(qū)動(dòng)電路基板101上的上述有機(jī)EL元件形成部。有機(jī)EL基板100 由驅(qū)動(dòng)電路基板101和形成于驅(qū)動(dòng)電路基板101上的有機(jī)EL元件形成部109形成。[0139]在將發(fā)出的光從驅(qū)動(dòng)電路基板101側(cè)取出的底部發(fā)射型元件的情況下，第一電極 103由ΙΤ0、ΙΖ0、Ζη0等透明導(dǎo)電膜形成，第二電極108由Al等反射性金屬膜構(gòu)成。另一方面，在將發(fā)出的光從驅(qū)動(dòng)電路基板101的相反側(cè)取出的頂部發(fā)射型元件的情況下，使用Al 等反射性金屬膜作為第一電極103。有時(shí)第一電極103的表面被ITO等透明膜覆蓋。作為第二電極108，使用ΙΤΟ、ΙΖ0、ZnO等透明導(dǎo)電膜或較薄地形成的Ag等金屬膜的半透明膜。 有時(shí)第二電極108設(shè)定為透明導(dǎo)電膜和金屬膜的層疊膜。[0140]在圖1所示的有機(jī)EL基板100中，有機(jī)膜105和有機(jī)膜107作為紅色發(fā)光元件 106R、綠色發(fā)光元件106G、藍(lán)色發(fā)光元件106Β的共用層發(fā)揮作用。在第一電極103側(cè)為陽極的情況下，有機(jī)膜105成為空穴傳輸層(包含空穴注入層、電子阻止層。)，有機(jī)膜107成為電子傳輸層(包含電子注入層、空穴阻止層。)。相反，在第二電極106側(cè)為陽極的情況下，有機(jī)膜107成為空穴傳輸層,有機(jī)膜105成為電子傳輸層。[0141]有機(jī)膜106是包含發(fā)光層的有機(jī)膜，按每一發(fā)光色圖案分離為紅色發(fā)光兀件 106R、綠色發(fā)光元件106G、藍(lán)色發(fā)光元件106Β。有機(jī)膜106中有時(shí)包含空穴阻止層、電子阻止層，在對(duì)有機(jī)EL兀件具有干擾效果的情況下,有時(shí)包含空穴傳輸層、電子傳輸層。該有機(jī)膜106的成膜中應(yīng)用了本發(fā)明。[0142]有機(jī)膜106的發(fā)光層有時(shí)也僅圖案分離有兩個(gè)發(fā)光色。在該情況下，有機(jī)膜105 或有機(jī)膜107作為剩余的發(fā)光色的發(fā)光層發(fā)揮作用。由于有機(jī)膜105、有機(jī)膜107的能帶隙較寬，因此作為不進(jìn)行圖案分離的發(fā)光層的發(fā)光色，優(yōu)選藍(lán)色發(fā)光。[0143]圖2中表示本發(fā)明一實(shí)施方式的有機(jī)EL基板的制造方法的工序流程圖。在步驟 (a)中，表示有由金屬箔構(gòu)成的支承基板20。如后所述，對(duì)支承基板照射激光，激光的脈沖能量被吸收。作為該金屬箔的材質(zhì)，能夠列舉有奧氏體系不銹鋼、馬氏體系不銹鋼、N1、Fe -Ni合金等,但不限定于此。[0144]在步驟(b)中，通過在 支承基板20上形成第一有機(jī)膜21，由此形成施主基板220。 第一有機(jī)膜21是由至少包含106R、106G、106B中任一發(fā)光層的I層以上的有機(jī)膜構(gòu)成的整片(未圖形化)的有機(jī)膜。第一有機(jī)膜21中也可以包含空穴傳輸層或電子阻止層。另外，第一有機(jī)膜21中也可以包含電子傳輸層或空穴傳輸層。作為第一有機(jī)膜21的形成方法，能夠列舉有眾所周知的真空蒸鍍法、印刷法、旋涂法，但不限定于此。[0145]在步驟(C)中，使設(shè)置有由平坦化層102、第一電極103和作為共用層的有機(jī)膜104 構(gòu)成的有機(jī)EL元件形成部110的驅(qū)動(dòng)電路基板101與在步驟(b)中所示的工序中所形成的施主基板220相對(duì)，設(shè)置在成膜室(轉(zhuǎn)印室)200內(nèi)。驅(qū)動(dòng)電路基板101和施主基板220 也可以接觸，也可以不接觸而設(shè)置間隙。接著，進(jìn)行真空排氣，直到IOOPa以下的壓力，制作 將設(shè)置于施主基板220上的第一有機(jī)膜21向驅(qū)動(dòng)電路基板101輸送的氣氛。為了使得容 易進(jìn)行間隙控制，抑制殘留氣體的影響，該氣氛設(shè)定為IOOPa以下的真空度。間隙優(yōu)選為 100 μ m以下。特別優(yōu)選不接觸的10 μ m以上100 μ m以下。IOOPa下的平均自由工序程為 大約100 μ m，在上述間隙中，轉(zhuǎn)印的分子幾乎不會(huì)與殘留氣體碰撞，因此，殘留氣體進(jìn)入轉(zhuǎn) 印的膜中的情況減少，保證了轉(zhuǎn)印膜的膜質(zhì)的高質(zhì)量。需要說明的是，在高于IOOPa的真空 狀態(tài)下，使間隙為100 μ m以上，也可保證轉(zhuǎn)印膜的膜質(zhì)的高質(zhì)量。另外，薄膜片的輸送氣氛 也可以為大氣壓，但需要大幅縮小驅(qū)動(dòng)電路基板101和施主基板220的間隙，且需要注意受 到殘留氣體對(duì)輸送的影響。[0146]在步驟(d)中，從背面?zhèn)认蛑С谢?0的規(guī)定部位(與驅(qū)動(dòng)電路基板101的形成 發(fā)光元件圖案的部位相對(duì)的施主基板220的部位)照射激光La (例如，Nd =YAG激光的第二 高次諧波，波長:532nm),在支承基板20內(nèi)誘發(fā)沖擊波。激光La的照射部位也可以通過計(jì) 算機(jī)控制進(jìn)行地址指定，也可以使用設(shè)置有與發(fā)光部圖案對(duì)應(yīng)的開口部的遮光掩模。在步 驟(e)中，對(duì)支承基板20的規(guī)定位置照射有多個(gè)脈沖激光La。脈沖光激發(fā)支承基板即金屬 箔的電子。該電子通過無放射過渡激發(fā)晶格振動(dòng)，使支承基板的物體溫度上升。由此，在支 承基板中產(chǎn)生由熱膨脹引起的彈性變形，且彈性波在支承基板內(nèi)部傳播。最初所照射的第 一脈沖激光Lal被作為金屬箔的支承基板吸收而轉(zhuǎn)換成熱。轉(zhuǎn)換的熱在經(jīng)過時(shí)間t-tl中 向用式(I)表示的熱擴(kuò)散長L定義的區(qū)域擴(kuò)散。[0147]熱擴(kuò)散長L = 2X [熱擴(kuò)散率 aX (t-tl)] 1/2- (I)[0148]如式(I)所示，熱擴(kuò)散長成為熱擴(kuò)散率和照射脈沖激光Lal之后的經(jīng)過時(shí)間t_tl 的積的平方根的2倍。熱擴(kuò)散率是支承基板的材質(zhì)金屬箔固有的物理參數(shù)，通過激光閃光 法來測定。[0149]在步驟(f)中，向驅(qū)動(dòng)電路基板101飛出的薄膜片在施主基板220和驅(qū)動(dòng)電路基 板101之間的空間進(jìn)行移動(dòng)，到達(dá)并附著于驅(qū)動(dòng)電路基板101。由此，如步驟(g)所示，在驅(qū) 動(dòng)電路基板101的有機(jī)EL元件部110上形成由第一有機(jī)膜21構(gòu)成的薄膜圖案23。該薄膜 圖案23成為包含圖1所示的發(fā)光層的有機(jī)膜106。[0150]通過反復(fù)進(jìn)行用以上步驟(a)?步驟(f)表示的工序，能夠?qū)l(fā)光層的有機(jī) 膜106按發(fā)光的顏色類別圖案分離為106R、106G、106B。[0151]在上述工序中，在步驟(d)中，激光使用具有重復(fù)頻率的脈沖激光。作為脈沖激光 能夠列舉有Nd =YAG激光、Nd:YV04、Nd:YLF激光、鈦藍(lán)寶石激光，但不限于此。作為激光La 的波長，選擇支承層20的材質(zhì)可吸收的光的波長。具體而言，可選的波長為UV光、可視光、 紅外光這樣寬波長的范圍。[0152]圖3是表示脈沖激光串的時(shí)間變化的曲線圖。在經(jīng)過時(shí)間t = tl，照射第一脈沖 光31。接著，在t = t2、t3，照射第二脈沖光32、第三脈沖光33。在反復(fù)使用脈沖激光的 情況下，照射各脈沖光的經(jīng)過時(shí)間的間隔相等，為Λ t0。另外，各脈沖光的脈沖寬度優(yōu)選為 0.1?IOns的范圍。[0153]并且，在步驟(e)的工序中，圖4是表示直至照射第二脈沖激光的熱擴(kuò)散區(qū)域的示 意圖。在圖4中假定為在照射第二脈沖光的經(jīng)過時(shí)間t = t2-tl的熱擴(kuò)散長L2比支承基板的板厚d大。Φ是被聚光的脈沖激光的直徑。圖4中，在t = t2之前，擴(kuò)散的熱到達(dá)支 承基板的激光入射面的相反側(cè)的面，因此，熱向直徑(P + 2L2、高度d的圓柱41內(nèi)擴(kuò)散。當(dāng) L2比d小時(shí)，圓柱的直徑成為(P+2L2，高度成為L2。若將圓柱41的體積設(shè)為Va，則該圓柱41內(nèi)的溫度上升Λ T用式(2)來表示。[0154]Δ T=Ep/ (VaX ρ X σ )...(2)[0155]在此，Ep是第一脈沖激光31的脈沖能量，P是支承基板20的密度，σ是支承基 板20的比熱。因此，用TO +Δ T表示形成有有機(jī)膜的支承基板的表面溫度。以滿足該溫 度比有機(jī)膜的蒸鍍溫度TEV低的條件即式(3)的方式，選擇脈沖激光串、支承基板20的條 件。[0156]TO +Δ T < TEV- (3)[0157]例如,通過減小激光的Ep,來減小Λ T0或者,通過延長t = tl?t2的時(shí)間間隔 即降低激光的重復(fù)頻率I / (AtO)來減小AT?；蛘?，通過增厚支承基板的板厚d來減小 Δ T。[0158]蒸鍍溫度TEV定義為固體材料通過加熱進(jìn)行氣化的溫度或經(jīng)由熔融進(jìn)行氣化的 溫度。具體而言，定義為真空下的飽和蒸氣壓成為0.1Pa的溫度。飽和蒸氣壓根據(jù)在真空 下材料的熱重量變化測定進(jìn)行計(jì)算。[0159]照射第一脈沖激光31之后，對(duì)相同的位置照射第二脈沖激光32、第三脈沖激光33。由此，誘發(fā)在支承基板內(nèi)部傳播的沖擊波，利用產(chǎn)生的沖擊波，層疊于該部位的第一有 機(jī)膜21剝離。第一有機(jī)膜21剝離而形成的薄片22從產(chǎn)生的沖擊波得到能量而朝向驅(qū)動(dòng) 電路基板101飛出。[0160]接著，圖5是表示照射掃描脈沖激光串的方法的示意圖。對(duì)形成有有機(jī)膜21的 支承基板20照射第一脈沖激光51。照射第一脈沖激光之后,在Λ t0后照射第二脈沖激光 52。此時(shí)，以第二脈沖激光的照射位置與照射了第一脈沖激光的位置局部重疊的方式進(jìn)行 掃描。優(yōu)選重疊的區(qū)域?yàn)槊}沖束的一半以上的面積重疊的掃描條件。在該條件下，掃描區(qū) 域成為最少照射兩次脈沖的區(qū)域。于是，與對(duì)相同位置反復(fù)照射時(shí)同樣，誘發(fā)在支承基板內(nèi) 部傳播的沖擊波，利用產(chǎn)生的沖擊波，層疊于該部位的第一有機(jī)膜21發(fā)生剝離。第一有機(jī) 膜21剝離而形成的薄片22從產(chǎn)生的沖擊波得到能量而朝向驅(qū)動(dòng)電路基板101飛出。[0161]如以上所述，根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)EL基板的形成方法，得到如下的效果。[0162](I)不需要使用難以微細(xì)化、大型化的金屬掩模(蒸鍍掩模)。另外，由于不使用金 屬掩模形成有機(jī)膜，因此，也能夠抑制異物的影響、因向蒸鍍掩模的接觸引起的損傷等。[0163](2)由于對(duì)包含需要進(jìn)行分離形成的發(fā)光層的有機(jī)膜的成膜的限制較少，因此能 夠進(jìn)行有機(jī)膜的高質(zhì)量化。即，有助于提高發(fā)光效率和長壽命化。[0164](3)在維持形成于施主基板上的第一有機(jī)膜的層結(jié)構(gòu)的同時(shí),形成有機(jī)膜圖案。 對(duì)于向施主基板形成薄膜層沒有限制，因此可以不增加工序數(shù)而制作使用各種膜的層疊構(gòu)造。[0165]接著，對(duì)兩種金屬施主片的制造方法進(jìn)行說明。圖6是表示具有實(shí)施例1的凹凸 構(gòu)造的金屬施主片的制造方法的截面圖。圖6中，支承基板620由兩種金屬板60、61構(gòu)成。 對(duì)于產(chǎn)生沖擊波的金屬板61，在不照射激光的部分局部形成較厚的金屬板60。由此，有機(jī)膜的剝離由金屬板60來決定，因此，能夠進(jìn)行端面整齊的圖案轉(zhuǎn)印。
[0166]接著，圖7是表示具有實(shí)施例1的兩層構(gòu)造的金屬施主片的制造方法的截面圖。圖7中，支承基板由兩種金屬板70、71構(gòu)成。與處于激光照射面?zhèn)鹊慕饘侔?0相比,產(chǎn)生沖擊波的金屬板71的板厚薄、熱擴(kuò)散率低。因此，產(chǎn)生的沖擊波的頻率低、轉(zhuǎn)印能量強(qiáng)，能夠以更低的激光功率進(jìn)行轉(zhuǎn)印。
[0167]通過采用本發(fā)明，能夠?qū)崿F(xiàn)有機(jī)EL面板的高精細(xì)化、大畫面化、畫面的高亮度化、長壽命化，能夠在大面積的母基板上形成多個(gè)有機(jī)EL基板，由此能夠降低每一個(gè)有機(jī)EL面板的制造成本、提聞制造成品率等。
[0168]在圖1所示的有機(jī)EL基板100中，在驅(qū)動(dòng)電路基板101上依次形成平坦化層102、第一電極103、有機(jī)膜共用層105后，根據(jù)本發(fā)明形成圖案分離的有機(jī)膜106，然后，形成有機(jī)膜共用層107和作為共用層的第二電極108。
[0169]作為實(shí)施例1中所示的有機(jī)EL元件的有機(jī)膜的具體例，能夠列舉有發(fā)光層的基質(zhì)材料、添加在發(fā)光層中的各發(fā)光色摻雜劑、空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層。另外，作為有機(jī)EL層的無機(jī)層的具體例能夠列舉有電子注入層。下面對(duì)各層的材料進(jìn)行說明。
[0170]< 基質(zhì) >
[0171]作為基質(zhì)材料，優(yōu)選使用:咔唑衍生物、芴衍生物或芳基硅烷衍生物等。為了得到高效的發(fā)光，優(yōu)選基質(zhì)材料的激發(fā)能量比藍(lán)色摻雜劑的激發(fā)能量充分大。另外，使用發(fā)光光譜來測定激發(fā)能量。
[0172]〈藍(lán)色摻雜劑〉
[0173]藍(lán)色摻雜劑在400nm?500nm之間存在室溫下的PL光譜的最大強(qiáng)度。作為藍(lán)色摻雜劑的主骨架，例如列舉出:茈、銥絡(luò)合物(Bis (3、5 — difluoro -2-(2- pyridyl)phenyl — (2 — carboxypyridyl) iridium (III)):FIrpic 等)。從發(fā)光效率、載流子傳導(dǎo)的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選藍(lán)色摻雜劑的濃度相對(duì)于基質(zhì)在10wt%以上。藍(lán)色摻雜劑的重量平均分子量優(yōu)選為500以上3000以下。
[0174]〈綠色摻雜劑〉
[0175]綠色摻雜劑在500nm?590nm之間存在室溫下的PL光譜的最大強(qiáng)度。作為綠色摻雜劑的主骨架，例如列舉出:香豆素及其衍生物、銥絡(luò)合物(Tris (2 — phenylpyridine)iridium (III):以下Ir (ppy)3等)。綠色摻雜劑的重量平均分子量優(yōu)選為500以上3000以下。
[0176]〈紅色摻雜劑〉
[0177]紅色摻雜劑在590nm?780nm之間存在室溫下的PL光譜的最大強(qiáng)度。作為紅色摻雜劑的主骨架，例如舉出:紅突烯、(E) — 2 — (2 — (4 — (dimethylamino) styryl)—6 — methyl — 4H — pyran — 4 — ylidene) malononitrile (DCM)及其衍生物、銥絡(luò)合物(Bis (I — phenylisoquinoline) (acetylacetonate) iridium (III)等)、鋨絡(luò)合物、銪絡(luò)合物。
[0178]〈空穴注入層〉
[0179]空穴注入層以改善發(fā)光效率、壽命為目的而使用。另外，雖然不是特別必須，但以緩和陽極的凹凸為目的而使用。也可以將空穴注入層設(shè)置單層或多層。作為空穴注入層，優(yōu)選PEDOT (聚(3，4 一乙撐二氧噻吩)):PSS (聚苯乙烯磺酸)等導(dǎo)電性高分子。此外，還能 夠使用聚吡咯類、或三苯基胺類的聚合物材料。另外，也能夠采用與低分子(重量平均分子 量10000以下)材料類組合使用的酞菁類化合物、星爆胺(Starburst amine)類化合物。[0180]〈空穴傳輸層〉[0181]空穴傳輸層是向發(fā)光層供給空穴的層。從廣義上講，空穴注入層、電子阻止層也包 含于空穴傳輸層。也能夠?qū)⒖昭▊鬏攲釉O(shè)置單層或多層。作為空穴傳輸層，能夠使用:星爆 胺類化合物、芪衍生物、腙衍生物、噻吩衍生物、芴衍生物等。另外，并不限于這些材料，也能 夠?qū)⑦@些材料兩種以上并用。為了將空穴傳輸層低電阻化而降低驅(qū)動(dòng)電壓，也可以向空穴 傳輸層中添加電子兼容性材料。[0182]〈電子傳輸層〉[0183]電子傳輸層是向發(fā)光層供給電子的層。廣義上講，電子注入層、空穴阻止層也包含 于電子傳輸層。也可以將電子傳輸層設(shè)置單層或多層。作為該電子傳輸層的材料，例如可 以使用:雙(2-甲基-8-羥基喹啉)-4_ (苯基苯酚)鋁(BAlq)、三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、 Tris (2,4,6 — trimethyl — 3 — (pyridin — 3 — ylphenyl) borane (3TPYMB)、1,4 — Bis (triphenyIsilyDbenzene (UGH2)、卩惡二唑衍生物、三唑衍生物、富勒烯衍生物、菲咯啉 衍生物、喹啉衍生物、噻咯衍生物等。為了將電子傳輸層低電阻化而降低元件的驅(qū)動(dòng)電壓， 也可以向電子傳輸層中添加電子給予性材料。[0184]電子兼容性材料是指易于放出電子的(易于過渡成電子兼容性材料以外的分子) 材料。作為電子給予性材料，例如舉出:N — ethyl — 1、10 — phenanthrolium (NEP)衍 生物、Methyltriphenylphosphonium (MTPP)衍生物、N、N、N、N — tetramethyl — ρ — phenylenendiamine (TMPD)衍生物、rhodamine Bchloride 衍生物、pyronin Bchloride 衍 生物、8 — Hydroxyquinolinolato — lithium (Liq)衍生物等。[0185]〈電子注入層〉[0186]電子注入層提高從陰極到電子傳輸層的電子注入效率。具體而言，優(yōu)選氟化鋰、氟 化鎂、氟化鈣、氟化鍶、氟化鋇、氧化鎂、氧化鋁。另外，當(dāng)然不限于這些材料，也可以將這些 材料兩種以上并用。[0187]〈面板〉[0188]在此所說的面板是指像素使用了有機(jī)發(fā)光元件的顯示裝置。在有機(jī)發(fā)光顯示裝置 中，具有單純矩陣有機(jī)發(fā)光顯示裝置和有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示裝置。[0189]單純矩陣有機(jī)發(fā)光顯示裝置在多個(gè)陽極線和陰極線交叉的位置形成有空穴傳輸 層、發(fā)光層、電子傳輸層等有機(jī)膜，各像素在I幀期間中僅在選擇時(shí)間點(diǎn)亮。選擇時(shí)間成為 用陽極線數(shù)除I幀期間的時(shí)間寬度。[0190]在有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，構(gòu)成各像素的有機(jī)EL (發(fā)光)元件與由2?4個(gè) 薄膜晶體管的開關(guān)元件和電容構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)元件連接，能夠進(jìn)行I幀期間中的全部點(diǎn)亮。因 此，不需要提高亮度，就能夠延長有機(jī)發(fā)光元件的壽命。[0191]在此所說的像素是指沿著顯示裝置的畫面縱橫地配置有多個(gè)，并在顯示區(qū)域中顯 示文字、圖形的最小單位。另外，子像素是指在進(jìn)行彩色顯示的顯示裝置中，將像素進(jìn)一步 分割的最小單位。在彩色圖像中，一般是由綠、紅、藍(lán)三種顏色的子像素構(gòu)成的構(gòu)造。子像 素的配置具有條紋排列、鑲嵌排列、三角排列。在條紋排列中，各種顏色的子像素排列成一列。因此，在條紋排列中，優(yōu)選激光轉(zhuǎn)印的掃描方向沿著各種顏色的子像素排列成一列的方向進(jìn)行。在鑲嵌排列中，形成為各種顏色的子像素沿著斜方向排列的配置。因此，優(yōu)選激光轉(zhuǎn)印的掃描方向在各種顏色的子像素傾斜排列的方向進(jìn)行。三角排列采取綠、紅、藍(lán)的子像素成為三角形的配置。因此，處于某子像素的上下的其它顏色的子像素偏離子像素的短邊方向上的長度的一半的量。在該配列中，激光轉(zhuǎn)印的掃描方向也可以是排列有各種顏色的子像素的斜方向，但由于子像素間分離，因此優(yōu)選在子像素的長邊方向上移動(dòng)并向短邊方向上移動(dòng)，接著向下一個(gè)子像素的長邊方向移動(dòng)的掃描方法。
[0192]〈激光轉(zhuǎn)印裝置〉
[0193]激光轉(zhuǎn)印裝置包括:進(jìn)行基板的搬入搬出的負(fù)載鎖定室、進(jìn)行基板的搬送的搬送機(jī)器人、向有機(jī)EL基板蒸鍍有機(jī)膜的真空蒸鍍室、向金屬施主片蒸鍍有機(jī)膜的真空蒸鍍室、使用金屬施主片進(jìn)行激光轉(zhuǎn)印的激光轉(zhuǎn)印室。另外，為了進(jìn)行彩色圖像顯示，該激光轉(zhuǎn)印裝置優(yōu)選設(shè)置對(duì)紅、綠、藍(lán)發(fā)光色的子像素電極進(jìn)行激光轉(zhuǎn)印的多個(gè)激光轉(zhuǎn)印室。
[0194]圖8是表示激光轉(zhuǎn)印裝置的一方式的示意圖。從進(jìn)行基板的搬入的負(fù)載鎖定室501送入有機(jī)EL基板。所搬入的有機(jī)EL基板使用機(jī)器人室510的臂被搬入搬出到各處理槽。首先，在前處理槽502中進(jìn)行下部電極的清洗以及表面處理。作為前處理，列舉出:大氣壓等離子、UV/03處理、ICP等離子體處理等，但不限定于此。接著，在有機(jī)蒸鍍室503中，用真空蒸鍍法形成圖1所示的有機(jī)膜105。接著，在激光轉(zhuǎn)印室504或506中，形成紅色發(fā)光層106R。該室中所使用的紅色金屬施主片在施主蒸鍍槽505中形成有進(jìn)行轉(zhuǎn)印的有機(jī)膜。
[0195]在圖8中，對(duì)兩臺(tái)轉(zhuǎn)印室配置有一臺(tái)施主蒸鍍室，臺(tái)數(shù)比由激光轉(zhuǎn)印和形成進(jìn)行轉(zhuǎn)印的有機(jī)膜的節(jié)拍時(shí)間之比決定。接著，在激光轉(zhuǎn)印室507或509中形成綠色發(fā)光層106G。綠色金屬施主片在施主蒸鍍槽508中形成有進(jìn)行轉(zhuǎn)印的有機(jī)膜。
[0196]接著，有機(jī)EL基板經(jīng)由負(fù)載鎖定室511搬送到具有機(jī)器人室518的相鄰的組(Cluster)中，在激光轉(zhuǎn)印室512或514中形成藍(lán)色發(fā)光層106B。藍(lán)色金屬施主片在施主蒸鍍槽513中形成有進(jìn)行轉(zhuǎn)印的有機(jī)膜。接著，在有機(jī)蒸鍍室515中形成圖1所示的有機(jī)膜107，在蒸鍍室516中形成第二電極。接著，在密封室517中進(jìn)行后述的密封，經(jīng)由負(fù)載鎖定室519被搬出。
[0197]圖9是表不另一激光轉(zhuǎn)印裝置的一方式的不意圖。從負(fù)載鎖定室501搬入有機(jī)EL基板，在相鄰的前處理槽502中進(jìn)行下部電極的清洗以及表面處理。接著，在有機(jī)蒸鍍室503中，用真空蒸鍍法形成圖1所示的有機(jī)膜105。接著，在激光轉(zhuǎn)印室504或506中形成紅色發(fā)光層106R。在該室中所使用的紅色金屬施主片在施主蒸鍍槽505中形成有進(jìn)行轉(zhuǎn)印的有機(jī)膜。在該圖中，對(duì)兩臺(tái)轉(zhuǎn)印室配置有一臺(tái)施主蒸鍍室，臺(tái)數(shù)比由激光轉(zhuǎn)印和進(jìn)行轉(zhuǎn)印的有機(jī)膜的節(jié)拍時(shí)間之比決定。
[0198]接著，在激光轉(zhuǎn)印室507或509中形成綠色發(fā)光層106G。綠色金屬施主片在施主蒸鍍槽508中形成有進(jìn)行轉(zhuǎn)印的有機(jī)膜。接著，在激光轉(zhuǎn)印室512或514中形成藍(lán)色發(fā)光層106B。藍(lán)色金屬施主片在施主蒸鍍槽513中形成有進(jìn)行轉(zhuǎn)印的有機(jī)膜。接著,在有機(jī)蒸鍍室515中形成圖1所示的有機(jī)膜107，在蒸鍍室516中形成第二電極。接著，在密封室517中進(jìn)行后述的密封，經(jīng)由負(fù)載鎖定室519被搬出。
[0199]另外，優(yōu)選激光轉(zhuǎn)印優(yōu)選按照下面的工藝進(jìn)行實(shí)施。使用金屬施主片對(duì)送入激光轉(zhuǎn)印室的第一有機(jī)EL基板進(jìn)行激光轉(zhuǎn)印。接著，搬入第二有機(jī)EL基板，調(diào)整該金屬施主片的位置，使用附著有有機(jī)薄膜的金屬板區(qū)域進(jìn)行激光轉(zhuǎn)印。接著，搬入第三有機(jī)EL基板，調(diào)整該金屬施主片的位置，使用附著有有機(jī)薄膜的區(qū)域進(jìn)行激光轉(zhuǎn)印。[0200]金屬施主片和有機(jī)EL基板的對(duì)準(zhǔn)優(yōu)選使用處于有機(jī)EL基板背面的對(duì)準(zhǔn)照相機(jī)。 對(duì)準(zhǔn)照相機(jī)調(diào)整有機(jī)EL基板與激光頭的位置關(guān)系，對(duì)于第二有機(jī)EL基板、第三有機(jī)EL基板而言，調(diào)整該有機(jī)EL基板與金屬施主片的位置關(guān)系。由此，轉(zhuǎn)印金屬施主片整個(gè)區(qū)域的有機(jī)薄膜，因此，能夠提高材料利用效率，能夠進(jìn)行金屬施主片的再生。[0201]【實(shí)施例2】[0202]圖10是表不實(shí)施例2的有機(jī)EL基板300的結(jié)構(gòu)的不意圖。圖10中，在驅(qū)動(dòng)電路基板101上依次形成平坦化層102、第一電極103、觸排104、作為共用層的有機(jī)膜105后，根據(jù)本發(fā)明形成作為各顏色均圖案分離了的發(fā)光元件的有機(jī)膜106R、106G、106B和圖案分離了的有機(jī)膜107R、107G、107B，然后，形成作為共用層的第二電極108。[0203]在有機(jī)EL基板300中，作為圖案分離了的發(fā)光元件的有機(jī)膜106A、106B、106C中包含有機(jī)膜107R、107G、107B。其它構(gòu)造和制造方法與圖1所示的有機(jī)EL基板100相同。 [0204]【實(shí)施例3】[0205]圖11是表示實(shí)施例3的有機(jī)EL基板400的結(jié)構(gòu)的示意圖。在圖11中，在驅(qū)動(dòng)電路基板101上依次形成平坦化層102、第一電極103、觸排104之后，根據(jù)本發(fā)明形成圖案分離了的有機(jī)膜105R、105G、105B和作為圖案分離了的發(fā)光元件的有機(jī)膜106R、106G、106B, 然后，形成作為共用層的有機(jī)膜107和作為共用層的第二電極108。[0206]在有機(jī)EL基板400中，在圖案分離了的有機(jī)膜106R、106G、106B中含有有機(jī)膜 105R、105G、105B。其它構(gòu)造和制造方法與圖1所示的有機(jī)EL基板100相同。[0207]【實(shí)施例4】[0208]圖12是表示實(shí)施例4的有機(jī)EL基板500的結(jié)構(gòu)的示意圖。在圖12中，在驅(qū)動(dòng)電路基板101上依次形成平坦化層102、第一電極103、觸排104后，根據(jù)本發(fā)明形成圖案分離了的有機(jī)膜105R、105G、105B，然后，形成作為圖案分離了的發(fā)光元件的有機(jī)膜106R、106G、 106B，再形成圖案分離了的有機(jī)膜107R、107G、107B，在其上形成有第二電極108。[0209]在有機(jī)EL基板500中，在圖案分離了的有機(jī)膜106中，包含有機(jī)膜105RU05G、 105B和有機(jī)膜107R、107G、107B。其它構(gòu)造和制造方法與圖1所示的有機(jī)EL基板100相同。[0210]通過將采用本發(fā)明形成的有機(jī)EL基板進(jìn)行密封，完成有機(jī)EL面板。使用密封劑將設(shè)置有具有根據(jù)本發(fā)明進(jìn)行了圖案分離的有機(jī)膜的有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)電路基板和密封玻璃貼合，向驅(qū)動(dòng)電路基板和密封玻璃之間的密封空間填充氮等不活潑氣體。[0211]另外，也可以利用樹脂板覆蓋設(shè)置有具有根據(jù)本發(fā)明進(jìn)行了圖案分離的有機(jī)膜的有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)電路的有機(jī)EL元件形成部。作為樹脂板，能夠使用環(huán)氧類高分子化合物、丙烯酸類高分子化合物、聚酰亞胺類高分子化合物等。也可以在樹脂板和第二電極之間安裝硅類絕緣層(氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜)、氧化鋁膜等無機(jī)類絕緣薄膜。另外，也可以使用設(shè)置有氣體阻隔層的塑料等替代密封玻璃。[0212]另外，利用薄膜密封層覆蓋設(shè)置有具有根據(jù)本發(fā)明進(jìn)行了圖案分離的有機(jī)膜的有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)電路基板的有機(jī)EL元件形成部，能夠減薄有機(jī)EL面板。作為薄膜密封層， 采用上述無機(jī)類絕緣膜和有機(jī)類絕緣薄膜的多層膜。由于利用樹脂板、薄膜密封層壓住具有根據(jù)本發(fā)明進(jìn)行了圖案分離的有機(jī)膜的有機(jī)EL元件，因此，能夠獲得提高被圖形化轉(zhuǎn)印成膜的有機(jī)膜的密合力的效果。[0213]此外，在實(shí)施例1~4中，對(duì)有機(jī)EL元件的發(fā)光層的構(gòu)圖進(jìn)行了說明。該發(fā)光層作為有源層發(fā)揮作用。有源層是指進(jìn)行元件的動(dòng)作的部分，因此，在有機(jī)EL元件中，有源層是指發(fā)光層。另外，在有機(jī)薄膜晶體管(TFT)的情況下，有源層是指通過對(duì)柵極電極施加電壓而流過電流的有機(jī)半導(dǎo)體層。另外，在有機(jī)太陽能電池中，有源層是指吸收光而形成的激發(fā)狀態(tài)背離空穴和電子的有機(jī)半導(dǎo)體層。[0214]【實(shí)施例5】[0215]在本發(fā)明的實(shí)施例5中，圖13是表示本發(fā)明實(shí)施例5的有機(jī)TFT裝置的截面圖。 制作出圖13所示的各自的有機(jī)TFT裝置。在基板801上形成柵極絕緣電極802，在柵極絕緣電極802上形成有柵極絕緣膜803。在柵極絕緣膜803上形成有源極電極804和漏極電極805。在該基板的柵極電極上部對(duì)由源極電極和漏極電極包圍的區(qū)域，利用實(shí)施例1中所采用的激光轉(zhuǎn)印方法，對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體806進(jìn)行圖案化，制作出有機(jī)TFT基板810。通過本發(fā)明的激光轉(zhuǎn)印制作出具有高精細(xì)的有機(jī)半導(dǎo)體層的有機(jī)TFT。[0216]【實(shí)施例6】[0217]在本發(fā)明的實(shí)施例6中，圖14是表示本發(fā)明實(shí)施例6的有機(jī)太陽能電池裝置的截面圖。制作出圖14所示的結(jié)構(gòu)的有機(jī)太陽能電池裝置。在基板900上形成第一電極901， 并形成覆蓋其端部的絕緣觸排902。在絕緣觸排902上形成共用有機(jī)膜903。對(duì)該基板的第一電極上部，通過實(shí)施例1中采用的激光轉(zhuǎn)印方法，形成層疊有P型有機(jī)半導(dǎo)體904和η 型有機(jī)半導(dǎo)體905的膜。在該膜上形成第二電極906，制作出有機(jī)太陽能電池基板910。通過本發(fā)明的激光轉(zhuǎn)印制作出具有高精細(xì)的有源層區(qū)域的有機(jī)太陽能電池裝置。[0218]【實(shí)施例7】[0219]圖15是表示適用于實(shí)施本發(fā)明的有機(jī)EL面板的制造方法的作為第七實(shí)施例的激光轉(zhuǎn)印裝置201的結(jié)構(gòu)的圖。激光轉(zhuǎn)印裝置201具備:作為LD激發(fā)脈沖固體激光器的激光振蕩器I ;前處理部；調(diào)節(jié)光束直徑的光束直徑調(diào)節(jié)部；將由光束直徑調(diào)節(jié)部處理過的激光向施主基板312照射的照射處理部；將較薄的有機(jī)EL膜從施主基板312向電路基板310轉(zhuǎn)印的轉(zhuǎn)印部；和它們的集成控制部(未圖示)。[0220]前處理部具備:用于調(diào)整由激光振蕩器I振蕩的脈沖激光3的輸出的ND濾波器2 ； 和由用于在所希望的時(shí)刻截出激光的普克爾盒以及偏振光分束器構(gòu)成的光閘4。[0221]光束直徑調(diào)節(jié)部具備:用于調(diào)整來自光閘4的激光的光束直徑的光束擴(kuò)展器5 ;用于將激光的一部分進(jìn)行分支的激光分支機(jī)構(gòu)6 ;測量分支出的激光的空間強(qiáng)度分布的光束分析儀7 ;對(duì)由光束分析儀7測定的空間強(qiáng)度分布信號(hào)進(jìn)行處理并提取光束直徑進(jìn)行與基準(zhǔn)值的比較的信號(hào)處理部8 ;和基于處理結(jié)果對(duì)光束擴(kuò)展器5進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)器9。[0222]照射處理部包括:具備驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(未圖示)且對(duì)被分支的激光的光軸進(jìn)行調(diào)整的光軸調(diào)整用鏡10和11 ;將激光在成像面上整形成所希望形狀的強(qiáng)度分布的激光整形裝置12 ； 和將該被整形過的光學(xué)像縮小投影到照射面上(樣品面上)的投影透鏡15。[0223]轉(zhuǎn)印部具備:搭載電路基板和施主基板16的載置臺(tái)17 ;用于測定載置臺(tái)上的激光的空間強(qiáng)度分布的光束分析儀18 ;和對(duì)由光束分析儀18測定的空間強(qiáng)度分布和基準(zhǔn)強(qiáng)度分布進(jìn)行比較的信號(hào)處理裝置19。[0224]如后述的圖19所示，在一主面?zhèn)纫跃鶆虻哪ず裥纬捎杏袡C(jī)EL薄膜304的施主基板和電路基板16，以施主基板312的形成有有機(jī)EL薄膜304的一側(cè)的面和電路基板310上的形成有電路的一側(cè)的面相對(duì)的方式保持于真空腔室50內(nèi)的載置臺(tái)17上。另外，在真空腔室50內(nèi)部設(shè)置有光束分析儀18。
[0225]激光振蕩器I使用產(chǎn)生紫外光或可視波長的脈沖激光的振蕩器，從輸出的大小、輸出的穩(wěn)定性等出發(fā)，特別適合的是激光二極管激發(fā)YV04激光或激光二極管激發(fā)Nd =YAG激光的第二高次諧波(波長:532nm)。但是，不限定于此，能夠使用:氬激光、準(zhǔn)分子激光、YV04或YAG激光的第三或第四高次諧波、由纖維結(jié)合成的多個(gè)半導(dǎo)體激光等。
[0226]作為構(gòu)成光閘4的零件，除了普克爾盒之外，能夠使用AO (聲光)調(diào)制器。但是，與普克爾盒相比，一般AO調(diào)制器具有驅(qū)動(dòng)頻率低、衍射效率為70?80%的稍微低的缺點(diǎn)，但能夠使用。這樣，通過使用普克爾盒4或AO調(diào)制器等光閘，能夠自激光振蕩器I的脈沖串(脈沖序列)在所希望的時(shí)刻截出脈沖進(jìn)行照射。
[0227]對(duì)于向施主基板312照射的激光3而言，為了轉(zhuǎn)換成適于激光轉(zhuǎn)印的激光，利用激光整形裝置12整形成具有至少兩個(gè)以上的均勻強(qiáng)度分布的矩形激光。來自氣體激光振蕩器、固體激光振蕩器的輸出光束，通常為圓形且具有高斯函數(shù)型能量分布，因此，不能直接應(yīng)用于本發(fā)明的激光轉(zhuǎn)印。當(dāng)振蕩器輸出充分大時(shí)，通過將光束直徑充分?jǐn)U展，從中心部分的比較均勻的部分截出需要的形狀，就能夠得到大致均勻的能量分布的任意形狀，但會(huì)舍棄光束的周邊部分，能量的大部分被浪費(fèi)。另外，若遍及大型基板整個(gè)面用一束激光束反復(fù)進(jìn)行每個(gè)像素間距的轉(zhuǎn)印工序，則存在總處理能力大幅度降低的問題。為了解決這些缺點(diǎn)，將具有高斯函數(shù)型分布的單一激光脈沖轉(zhuǎn)換成具有多個(gè)均勻分布的激光，使用具有激光整形裝置和激光分配(分支)裝置的功能的激光整形、分支單元12。
[0228]作為將高斯函數(shù)型的不均勻的強(qiáng)度分布的單一激光整形成多個(gè)均勻強(qiáng)度分布的裝置的代表例，能夠列舉出衍射光學(xué)元件，但本發(fā)明中使用的激光整形、分支單元12不限定于此，能夠使用任意的裝置，只要是能夠使激光實(shí)現(xiàn)以矩形狀均勻分布或適于激光轉(zhuǎn)印的能量分布的裝置即可。另外，作為在保持由激光整形、分支單元12整形、分支了的激光3的空間強(qiáng)度分布不變的狀態(tài)下提高功率密度、縮小為所希望間距的裝置，也可以在激光整形裝置12和施主基板312之間插入縮小投影透鏡(未圖示)，對(duì)光學(xué)像進(jìn)行縮小投影。
[0229]在此，對(duì)本發(fā)明的激光轉(zhuǎn)印使用的衍射光學(xué)元件的功能詳細(xì)地進(jìn)行說明。圖16是說明將具有高斯函數(shù)型強(qiáng)度分布的激光，利用衍射光學(xué)元件20轉(zhuǎn)換成多個(gè)(圖16中，4條)均勻強(qiáng)度分布的功能的圖。
[0230]衍射光學(xué)元件80是指如下光學(xué)元件，即，在透明的平面基板上通過光刻工序形成可視光波長程度的凹凸圖案，通過使光通過該凹凸圖案，使通過各圖案的激光中產(chǎn)生光程長，自由地控制激光的波陣面和相位，在任意的成像面上以任意的分割數(shù)形成任意的強(qiáng)度分布和形狀的激光圖案。衍射光學(xué)元件80為如下元件，即，能夠?qū)次衍射光的取出效率非常高地設(shè)定為90%以上，當(dāng)與準(zhǔn)分子激光那樣的用于相干長度較短的(相干性低)激光的整形光學(xué)系統(tǒng)的多透鏡陣列方式(復(fù)眼方式)等進(jìn)行比較時(shí)，能夠高效地取出激光能量。另夕卜，衍射光學(xué)元件80利用光的衍射對(duì)激光進(jìn)行整形，所以固體激光等相干長度長(相干性較高)，在上述多透鏡陣列方式、復(fù)眼方式等現(xiàn)有激光整形技術(shù)中，具有在整形困難的激光的整形光學(xué)系統(tǒng)也能夠應(yīng)用的優(yōu)越性。并且，衍射光學(xué)元件80用單體元件進(jìn)行激光整形，所以在光學(xué)系統(tǒng)的維護(hù)容易性方面，也比上述兩種方式更有利。[0231]圖16所示的衍射光學(xué)元件80設(shè)計(jì)為，具有高斯函數(shù)型強(qiáng)度分布81的激光3入射到元件中心時(shí)，在成像面84上形成所希望形狀的均勻強(qiáng)度分布85。入射激光3為高斯函數(shù)型強(qiáng)度分布81，且激光的中心位置、前進(jìn)方向與光軸83 —致。此時(shí)的光軸83是指通過衍射光學(xué)元件80的中心位置在與衍射光學(xué)元件表面垂直的方向上延伸的軸。即，衍射光學(xué)元件 80的中心與激光3的中心一致。在這種狀態(tài)下激光81入射到衍射光學(xué)元件80時(shí)，成像面 84的整形激光強(qiáng)度分布85轉(zhuǎn)換成適合有機(jī)材料轉(zhuǎn)印的均勻強(qiáng)度分布。[0232]【實(shí)施例8】[0233]圖17是表示使用能量充分大的振蕩器時(shí)的具有另一激光分支單元的激光轉(zhuǎn)印裝置202的第二實(shí)施例的圖。圖18A、18B是表示另一激光分支單元的圖。圖18A所示的衍射光學(xué)元件30是使具有高斯函數(shù)型強(qiáng)度分布31的激光3入射且在某成像面34上形成具有均勻強(qiáng)度分布35的激光的激光整形裝置。在衍射光學(xué)元件30的成像面34上插入作為形成有圖18B所示的任意開口圖案、例如規(guī)則的矩形開口圖案的激光分支(分配)裝置的掩模 13，得到透過掩模13的開口部13K而分配的多個(gè)激光。另外，如圖17所示，也可以經(jīng)由用于將多個(gè)激光轉(zhuǎn)換成平行光的中繼透鏡14即投影透鏡在施主基板上成像。[0234]根據(jù)實(shí)施例8，如圖18B所示，如果將掩模13的開口圖案13K設(shè)定成矩陣狀，則能夠沿著激光掃描方向和與激光掃描方向平行的方向形成排列多個(gè)激光的圖案，對(duì)施主基板 312進(jìn)行多列的重疊照射，因此，能夠期待吞吐量的大幅度的提高。[0235]如后述的圖19所示，在一主面?zhèn)纫跃鶆虻哪ず裥纬捎袡C(jī)EL膜的施主基板312和電路基板310以施主基板上的形成有有機(jī)EL I旲的一側(cè)的面和電路基板上的形成有電路的一側(cè)的面相對(duì)的方式保持于真空腔室50內(nèi)的載置臺(tái)17上。此外，實(shí)施例7、8中表示了將施主基板312、電路基板310和載置臺(tái)17保持于真空腔室50內(nèi)的情況。除此之外，也可以采用將相對(duì)配置的基板周邊部利用夾架等密封后，利用干泵、渦輪分子泵，低溫泵(均未圖示) 對(duì)施主基板312和電路基板310之間的空間進(jìn)行真空保持的方式。 [0236]施主基板312優(yōu)選為由T1、N1、Cu、Fe、Au、Cr、Mo、W、或包含它們的合金的任一項(xiàng)構(gòu)成的金屬板，作為施主基板的厚度，優(yōu)選5~10微米左右。在施主基板312的與電路基板310相對(duì)的面上，以均勻的膜厚成膜有通過真空蒸鍍法等預(yù)先轉(zhuǎn)印成電路基板的有機(jī) EL膜。相對(duì)設(shè)置的施主基板和成膜用的電路基板的間隔需要在整個(gè)基板面內(nèi)保持固定，因此，優(yōu)選在電路基板上的像素區(qū)域周邊或施主基板上的任一方設(shè)置通過光刻工序而形成的突起或墊片(未圖示)。突起或墊片的厚度為數(shù)μ m~數(shù)百μ m，優(yōu)選為80~IOOym左右， 它們通過光刻工序而形成。墊片以按每個(gè)像素或包圍多個(gè)像素區(qū)域的方式(以不與像素區(qū)域重疊的方式)配置于四方，但優(yōu)選在包圍四方的墊片支架間設(shè)置間隙。利用該間隙，在經(jīng)由墊片使施主基板和電路基板之間保持真空地相對(duì)時(shí)，被墊片隔開的區(qū)域均以固定壓力保持。即，利用該突起、墊片，能夠?qū)⒊赡び惺┲骰宓挠袡C(jī)EL膜的一面和電路基板的間隔保持成固定。[0237]接著，根據(jù)附圖對(duì)可適用于本發(fā)明的各實(shí)施例的有機(jī)EL面板的制造方法進(jìn)行說明。[0238]圖19 Ca)~(d)是表示采用本發(fā)明的激光轉(zhuǎn)印方法在電路基板310上轉(zhuǎn)印有機(jī) EL膜304的工序的一個(gè)例子的圖。在轉(zhuǎn)印為矩陣狀的情況下，圖19以其I列為代表進(jìn)行說明。如圖19 (a)所示，相對(duì)于在金屬箔上預(yù)先形成有均勻膜厚的有機(jī)EL膜304的施主基板312，將激光3利用作為圖16所示的激光整形、裝置12的衍射光學(xué)元件80分支成具有4條均勻的強(qiáng)度分布的激光。而且，對(duì)施主基板312相對(duì)性地掃描向箭頭方向分支的激光,使所希望區(qū)域依次從圖19 (a)移動(dòng)到圖(d)進(jìn)行照射。此時(shí)，以分支的4條激光每隔一定時(shí)間對(duì)轉(zhuǎn)印有機(jī)EL膜304的相對(duì)坐標(biāo)O?X7 (轉(zhuǎn)印區(qū)域320?轉(zhuǎn)印區(qū)域327)進(jìn)行重疊照射的方式調(diào)整激光掃描速度。
[0239]或者，此時(shí)，為了提高激光照射時(shí)刻的調(diào)整自由度，也可以以將按照高頻振蕩的激光振蕩器的脈沖串使用EO調(diào)制器、AO調(diào)制器等光閘4 (參照圖15)進(jìn)行脈沖的拉長間隔，由此激光對(duì)所希望區(qū)域重疊照射的方式調(diào)整。
[0240]在此，相對(duì)施主基板312上的激光照射弓I起的熱彈性波的產(chǎn)生機(jī)構(gòu)、有機(jī)EL膜304的剝離機(jī)構(gòu)進(jìn)行敘述。被照射激光的金屬箔利用上表面吸收激光能量。由此，僅上表面附近的晶格進(jìn)行局部地?zé)崤蛎洝崤蛎浟说纳媳砻娓浇木Ц駢嚎s深度方向的晶格，該壓縮應(yīng)變以音速在晶格中傳播。即，產(chǎn)生彈性波。另一方面，自由表面(激光照射面)以釋放在晶格中積累的應(yīng)變的形式進(jìn)行膨脹。當(dāng)沿著深度方向傳播的壓縮波到達(dá)背面時(shí)，此次的背面的自由表面起伏。相對(duì)于起伏的表面，要恢復(fù)成最初形狀的力發(fā)揮作用，而沿著相反方向反射傳播彈性波。
[0241]這樣，熱彈性波在金屬箔中往返，能夠獲得共振狀態(tài)。有機(jī)EL膜304在一定時(shí)間以上承受金屬箔的共振狀態(tài)時(shí)，機(jī)械性地從金屬箔剝離、濺射，并轉(zhuǎn)印到相對(duì)的電路基板310。
[0242]此時(shí)，誘發(fā)適于有機(jī)EL膜304的機(jī)械剝離的彈性波的激光強(qiáng)度中存在恰當(dāng)?shù)姆秶?。圖20是表示有機(jī)膜的激光剝離轉(zhuǎn)印工藝的恰當(dāng)范圍的示意圖。橫軸、縱軸分別對(duì)應(yīng)激光重疊次數(shù)和激光的能量密度。認(rèn)為當(dāng)對(duì)一主面照射恰當(dāng)范圍以上的強(qiáng)度的激光時(shí)，產(chǎn)生以下兩種現(xiàn)象。一個(gè)是被加熱的一主面的上表面的熱進(jìn)行傳導(dǎo)，而多主面的有機(jī)膜溫度上升，另一個(gè)是由于振幅(能量)大的熱彈性波到達(dá)另一主面上，在通過有機(jī)EL膜中時(shí)，產(chǎn)生因波的傳播引起的隔熱壓縮，而膜中溫度上升的現(xiàn)象。由于它們的合成主要原因，使膜中溫度不必要地上升，而易于產(chǎn)生損傷有機(jī)膜的不良情況。即，失去作為有機(jī)EL膜的功能。
[0243]另一方面，在照射恰當(dāng)范圍以下的激光的情況下，誘發(fā)的熱彈性波的振幅(能量)較小，因此，在照射下一個(gè)激光脈沖之前減少，在產(chǎn)生機(jī)械剝離中不能得到充分的共振狀態(tài)。即，僅在以恰當(dāng)?shù)拇螖?shù)重疊照射恰當(dāng)強(qiáng)度的激光脈沖的情況下，能夠持續(xù)得到適于剝離的恰當(dāng)?shù)墓舱駹顟B(tài)。
[0244]圖19 Ca)所示的施主基板312上的轉(zhuǎn)印區(qū)域320處于分支的4條激光結(jié)束重疊照射的區(qū)域。利用4次的激光照射，一定時(shí)間以上持續(xù)誘發(fā)所希望的振幅強(qiáng)度的熱彈性波，背面的有機(jī)EL膜304作為剝離片305被轉(zhuǎn)印到電路基板310 (相對(duì)坐標(biāo)O)。向轉(zhuǎn)印區(qū)域321 (相對(duì)坐標(biāo)XI)激光照射3次、向轉(zhuǎn)印區(qū)域322 (相對(duì)坐標(biāo)X2)激光照射兩次、向轉(zhuǎn)印區(qū)域323 (相對(duì)坐標(biāo)X3)激光照射一次結(jié)束后，誘發(fā)沿著照射區(qū)域的深度方向進(jìn)行的熱彈性波，但有機(jī)膜不會(huì)剝離轉(zhuǎn)印。另外，由虛線包圍的區(qū)域330 (相對(duì)坐標(biāo)X4?X7)處于激光不照射區(qū)域。
[0245]圖19 (b)中表示一定時(shí)間經(jīng)過后的狀態(tài)。激光3、光學(xué)元件80相對(duì)于與電路基板310相對(duì)的施主基板312進(jìn)行相對(duì)性地移動(dòng)，并對(duì)轉(zhuǎn)印區(qū)域321 (相對(duì)坐標(biāo)XI)進(jìn)行第四次激光照射。由此，滿足轉(zhuǎn)印區(qū)域321的有機(jī)膜剝離的條件，有機(jī)EL膜304剝離轉(zhuǎn)印到電路基板310上的坐標(biāo)XI。同時(shí)，對(duì)轉(zhuǎn)印區(qū)域322 (相對(duì)坐標(biāo)X2)進(jìn)行第三次激光照射，對(duì)轉(zhuǎn)印區(qū)域323 (相對(duì)坐標(biāo)X3)進(jìn)行第二次激光照射，對(duì)轉(zhuǎn)印區(qū)域324 (相對(duì)坐標(biāo)X4)進(jìn)行第一次激光照射。[0246]圖19 (C)中表示進(jìn)一步經(jīng)過一定時(shí)間后的狀態(tài)。激光3、光學(xué)元件80相對(duì)于與電路基板310相對(duì)的施主基板312向箭頭方向進(jìn)一步進(jìn)行相對(duì)性地移動(dòng)，并對(duì)轉(zhuǎn)印區(qū)域322 (相對(duì)坐標(biāo)X2)進(jìn)行第四次激光照射。與之前一樣，滿足轉(zhuǎn)印區(qū)域322 (相對(duì)坐標(biāo)X2)的有機(jī)膜剝離的條件，有機(jī)EL膜304剝離轉(zhuǎn)印到電路基板310上的坐標(biāo)X2。同時(shí)，對(duì)轉(zhuǎn)印區(qū)域 323 (相對(duì)坐標(biāo)X3)進(jìn)行第三次激光照射，對(duì)轉(zhuǎn)印區(qū)域324 (相對(duì)坐標(biāo)X4)進(jìn)行第二次激光照射，對(duì)轉(zhuǎn)印區(qū)域325 (相對(duì)坐標(biāo)X5)進(jìn)行首次激光照射。[0247]圖19 (d)中表示進(jìn)一步經(jīng)過一定時(shí)間后的狀態(tài)。激光3、光學(xué)元件80相對(duì)于與電路基板310相對(duì)的施主基板312向箭頭方向進(jìn)一步進(jìn)行相對(duì)地移動(dòng)，對(duì)轉(zhuǎn)印區(qū)域323(相對(duì)坐標(biāo)X3)進(jìn)行第四次激光照射。與之前一樣，滿足轉(zhuǎn)印區(qū)域323 (相對(duì)坐標(biāo)X3)的有機(jī)膜剝離的條件，有機(jī)EL膜304剝離轉(zhuǎn)印到電路基板上的坐標(biāo)X3。同時(shí)，對(duì)轉(zhuǎn)印區(qū)域324 (相對(duì)坐標(biāo)X4)進(jìn)行第三次激光照射，對(duì)轉(zhuǎn)印區(qū)域325 (相對(duì)坐標(biāo)X5)進(jìn)行第二次激光照射，對(duì)轉(zhuǎn)印區(qū)域326 (相對(duì)坐標(biāo)X6)進(jìn)行首次激光照射。[0248]然后，也對(duì)電路基板上的必要區(qū)域以固定間隔反復(fù)進(jìn)行激光的重疊照射。這樣，不會(huì)由于不必要的溫度上升而損傷有機(jī)膜，能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定的轉(zhuǎn)印工序。[0249]在以上說明的轉(zhuǎn)印工序中，在每一個(gè)轉(zhuǎn)印區(qū)域均離散性地移動(dòng)，但也可以按照分支的激光的公約數(shù)單位離散性地移動(dòng)，并與規(guī)定次數(shù)相同的轉(zhuǎn)印區(qū)域重疊。例如，在分支數(shù)為四支的情況下，其公約數(shù)為1、2、4。在兩條的情況下，在相同的位置進(jìn)行兩次激光照射，并在兩個(gè)轉(zhuǎn)印區(qū)域中均進(jìn)行兩次離散性地移動(dòng)。在分支數(shù)為四支的情況下，在相同位置進(jìn)行四次激光照射，并在四個(gè)轉(zhuǎn)印區(qū)域中均進(jìn)行一次離散性地移動(dòng)。一般地，如果將分支數(shù)設(shè)為 N，將N的公約數(shù)設(shè)為M，將移動(dòng)次數(shù)設(shè)為P，將在相同位置的照射次數(shù)設(shè)為L，則成為P=N / M、L = N / P。另外，在以上的說明中，規(guī)定次數(shù)=分支數(shù)，但也可以將分支數(shù)設(shè)定成規(guī)定次數(shù)的整數(shù)倍。在該情況下，首先，設(shè)為分支數(shù)=規(guī)定次數(shù)，按照上述方法進(jìn)行照射，然后，根據(jù)真的分支數(shù)進(jìn)行離散性地移動(dòng)。[0250]以上說明的激光轉(zhuǎn)印裝置中，根據(jù)實(shí)施例7、8，在一主面層疊有有機(jī)EL薄膜的施主基板上的另一主面上，將具有均勻的強(qiáng)度分布的多個(gè)激光保持一定的時(shí)間間隔并進(jìn)行重疊照射，由此，能夠抑制有機(jī)EL薄膜的溫度上升引起的損傷，并在施主基板內(nèi)持續(xù)產(chǎn)生適于剝離有機(jī)EL薄膜的熱彈性波。[0251]另外，在以上說明的激光轉(zhuǎn)印裝置中，根據(jù)實(shí)施例7，將激光束分支相對(duì)于掃描方向線列地配置，由此，能夠?qū)ν徊课恢丿B照射激光束，即使在誘發(fā)希望的熱彈性波時(shí)，也能夠不會(huì)損傷吞吐量地實(shí)現(xiàn)所希望的激光轉(zhuǎn)印工藝。[0252]另外，在以上說明的激光轉(zhuǎn)印裝置中，根據(jù)實(shí)施例8，能夠利用將任意分配的開口圖案、例如規(guī)則的矩形開口圖案設(shè)置成矩陣狀的掩模分配激光，對(duì)同一部位重疊照射激光束，在誘發(fā)所希望的熱彈性波時(shí)，能夠不會(huì)損傷吞吐量地實(shí)現(xiàn)所希望的激光轉(zhuǎn)印工藝。[0253]【實(shí)施例9】`[0254]圖7是表示適于實(shí)施本發(fā)明的有機(jī)EL面板的制造方法的實(shí)施例9的激光轉(zhuǎn)印裝置203的結(jié)構(gòu)的圖。[0255]實(shí)施例9的激光轉(zhuǎn)印裝置203與實(shí)施例7不同的方面在于，作為激光分配裝置，線列且等間隔地設(shè)置有多臺(tái)激光振蕩器I。另外，作為激光整形裝置，使用圖18所示的衍射光學(xué)元件30，線列且等間隔地形成激光。當(dāng)然，也可以使用圖18所示的將多個(gè)激光分支成多個(gè)作為激光整形、分支單元12的衍射光學(xué)元件30，形成具有矩陣狀的均勻的強(qiáng)度分布的激光。另外，也可以分別對(duì)激光設(shè)置相對(duì)于一束激光形成光學(xué)系統(tǒng)的構(gòu)成要素的一部分或全部。另外，也可以矩陣狀且等間隔地設(shè)置多臺(tái)激光振蕩器I。[0256]圖19中所示的轉(zhuǎn)印工序在實(shí)施例9中也同樣能夠使用。在實(shí)施例9中，也能夠?qū)崿F(xiàn)與實(shí)施例7或8相同的效果。[0257]根據(jù)以上說明的實(shí)施例7至9，可以提供在激光轉(zhuǎn)印工藝中不會(huì)產(chǎn)生隨著溫度上升而元件發(fā)光特性劣化、因異物混入引起的黑點(diǎn)缺陷的激光轉(zhuǎn)印方法和轉(zhuǎn)印裝置。[0258]根據(jù)以上說明的實(shí)施例7~9,還能夠提供能夠?qū)⑹┲骰迳系挠袡C(jī)層聞速且聞穩(wěn)定性地轉(zhuǎn)印到電路基板的激光轉(zhuǎn)印方法和轉(zhuǎn)印裝置。[0259]【實(shí)施例10】[0260]作為實(shí)施例10，表示進(jìn)行了本發(fā)明激光轉(zhuǎn)印方式的原理驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。通過真空蒸鍍法，在厚度IOym的SUS304施主基板的一主面上以膜厚65nm形成有Alq3 (發(fā)光層和電子傳輸層)作為轉(zhuǎn)印層。另一方面，作為轉(zhuǎn)印Alq3的一側(cè)的電路基板，在玻璃基板的一主面上以膜厚150nm形成有ITO (陽極電極)、以膜厚125nm形成有a_NPD (空穴傳輸層)。[0261]接著，經(jīng)由厚度80 μ m的墊片，以Alq3膜面和a-NTO膜面相對(duì)的方式設(shè)置施主基板和玻璃基板，在保持于真空層內(nèi)的基礎(chǔ)上，通過真空層的窗口材料，以0.8m/s的速度沿著一方向在SUS304施主基板的另一主面上(未形成Alq3層的一側(cè))進(jìn)行掃描，照射脈沖 YAG激光(波長532nm、輸出6W、脈沖寬度10ns、重復(fù)頻率20kHz)。激光每I脈沖的輸出是將300 μ J、SUS304板上的照射光束直徑設(shè)定為190 μ m而進(jìn)行照射，并以lj/cm2的能量密度進(jìn)行激光照射。根據(jù)激光的重復(fù)頻率和掃描速度的關(guān)系，依次進(jìn)行光斑直徑為190mm的激光脈沖每50 μ s沿著一方向移動(dòng)40 μ m進(jìn)行照射的工序。即，成為在SUS施主基板上的同一部位重疊照射4次激光脈沖的條件。[0262]在這樣的照射條件下，在進(jìn)行一連串照射后，使光斑沿著與掃描方向平行的方向相對(duì)地平行移動(dòng)100 μ m，進(jìn)行同樣的掃描照射。這樣，反復(fù)使光束平行移動(dòng)而對(duì)基板整個(gè)面進(jìn)行掃描照射后，在轉(zhuǎn)印的Alq3膜上依次蒸鍍0.5nm的LiF (電子注入層)、Al (陰極電極)，使玻璃基板與層疊膜形成基板粘貼合而密封。[0263]在利用該方法形成的有機(jī)EL發(fā)光器件中，遍及進(jìn)行了轉(zhuǎn)印的整個(gè)面可看到發(fā)光。 此時(shí)，亮度IOOcd / m2下的發(fā)光電壓為9V。考慮SUS施主基板的光吸收和向板厚方向的熱傳導(dǎo)，對(duì)由激光重疊照射引起的Alq3層側(cè)的溫度上升量進(jìn)行了估計(jì)，結(jié)果溫度為70°C左右 。該溫度是遠(yuǎn)低于Alq3升華溫度的溫度。[0264]由此，在本方式中，能夠理解為利用熱升華以外的現(xiàn)象，有機(jī)層被轉(zhuǎn)印到器件基板偵U。即，如實(shí)施例7所記載的那樣，認(rèn)為是由激光熱彈性波引起的機(jī)械剝離的轉(zhuǎn)印。由于能夠?qū)⒂袡C(jī)膜溫度抑制在低溫，因此，能夠一邊抑制有機(jī)膜的熱損傷，一邊實(shí)現(xiàn)作為具有原本的功能膜而穩(wěn)定的轉(zhuǎn)印工序。通過這些研究證實(shí)，利用通過脈沖重疊照射而誘發(fā)的熱彈性波的傳播，Alq3不會(huì)由于熱而升華(分解)，在保持分子結(jié)構(gòu)的狀態(tài)下進(jìn)行機(jī)械性地轉(zhuǎn)印。實(shí)現(xiàn)保持分子結(jié)構(gòu)的狀態(tài)下的轉(zhuǎn)印意思是能夠不損傷器件性能而實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的有機(jī)層的轉(zhuǎn)印。[0265](比較例)[0266]在實(shí)施例10中，除了將用作施主基板的SUS板的厚度設(shè)定為2 μ m、將激光掃描速 度設(shè)定為3.2m/s以外，與實(shí)施例2同樣地設(shè)定，形成有機(jī)EL器件。在以3.2m/s掃描的情 況下，根據(jù)與激光振蕩頻率的關(guān)系，激光脈沖間的移動(dòng)相當(dāng)于160μπι。S卩，在比較例2的照 射中，成為激光脈沖不在SUS304施主基板上的同一部位重疊的(I脈沖照射)條件。[0267]調(diào)查在這樣的激光照射條件下形成的器件的發(fā)光特性，結(jié)果在光照射中央部未確 認(rèn)到器件發(fā)光。對(duì)SUS板厚條件為2 μ m的Alq3層側(cè)的溫度上升量進(jìn)行了估計(jì)，結(jié)果溫度 達(dá)到270°C左右。該溫度超過Alq3升華的溫度，可推定因激光轉(zhuǎn)印工藝中的膜中溫度上升， 產(chǎn)生了材料的熱升華和分解。[0268]以上對(duì)激光轉(zhuǎn)印裝置以及使用轉(zhuǎn)印裝置的激光轉(zhuǎn)印方法的實(shí)施例進(jìn)行了說明。[0269]在此，對(duì)包含上述激光轉(zhuǎn)印工藝的使用有機(jī)電致發(fā)光(EL)元件的顯示裝置的制造 工序進(jìn)行說明。圖22是表示制造工序的流程圖，圖23是表示完成的有機(jī)EL元件的構(gòu)造的 截面圖。如這些圖所示，利用CVD等裝置在玻璃基板401上較薄地堆積作為阻擋膜發(fā)揮作 用的SiN膜402和SiO膜403，通過CVD法在其上將構(gòu)成晶體管的溝道部分的非晶硅膜或 IGZO膜的溝道膜405堆積成50nm左右的厚度，根據(jù)需要進(jìn)行激光退火等轉(zhuǎn)換膜質(zhì)的處理。 關(guān)于在此記載的阻擋膜的層構(gòu)成、膜厚和構(gòu)成晶體管溝道的薄膜的膜厚、膜質(zhì)等，是一個(gè)例 子，應(yīng)該強(qiáng)調(diào)，該記載不限制本發(fā)明。[0270]將如上所述形成的溝道膜405以形成規(guī)定電路的方式蝕刻成島狀，形成柵極絕緣 膜(未圖示)、柵極配線406后，進(jìn)行離子注入的雜質(zhì)擴(kuò)散和雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域的活化退火，依次 形成源極、漏極配線407、層間絕緣膜408、鈍化膜409、透明電極410，由此，可形成在像素部 配置有晶體管電路的有源矩陣基板。[0271]為了驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件所需要的每個(gè)像素的晶體管數(shù)選擇2?5，使用將晶體管組 合而成的最佳的電路構(gòu)成即可。該電路中，由CMOS電路形成的定電流驅(qū)動(dòng)電路作為一個(gè)例 子被推薦。該電路、電極形成涉及的加工技術(shù)的詳細(xì)情況，對(duì)于本領(lǐng)域從業(yè)人員而言是眾所 周知的。另外，需要在晶體管電路的制造工序中途追加離子注入、活化退火等工序也是眾所 周知的。[0272]接著，在有源矩陣基板上的透明電極410的周邊部形成元件分離帶411。這種元件 分離帶411要求絕緣性，也能夠使用聚酰亞胺等有機(jī)材料，也能夠使用Si02、SiN等無機(jī)材 料。關(guān)于該元件分離帶411的成膜和圖案形成方法，本領(lǐng)域從業(yè)人員是眾所周知的。[0273]接著，如上所述，在透明電極410上依次形成有機(jī)EL材料的空穴傳輸層412、發(fā)光 層413、電子傳輸層(未圖示)、陰極414。此時(shí)，也可以將包含有機(jī)層的多層構(gòu)造的膜如上所 述以激光轉(zhuǎn)印方式一并進(jìn)行轉(zhuǎn)印。另外，也能夠使用激光轉(zhuǎn)印和掩模蒸鍍選擇在規(guī)定的透 明電極410上分涂發(fā)光色不同的發(fā)光層413。由此，能夠形成多色的顯示器是眾所周知的。[0274]利用絲網(wǎng)印刷等裝置僅在像素區(qū)域涂敷填充材料415，在該填充材料415上層疊 密封板416而完成密封。對(duì)這樣形成的有機(jī)EL顯示裝置進(jìn)行點(diǎn)亮檢查。在點(diǎn)亮檢查中，SP 使在產(chǎn)生黑點(diǎn)、白點(diǎn)等缺陷的情況下，也可進(jìn)行缺陷修正。然后，根據(jù)需要經(jīng)由存儲(chǔ)于框體 的模塊化工序，完成有機(jī)EL顯示裝置。[0275]本發(fā)明不僅對(duì)通過激光轉(zhuǎn)印和真空蒸鍍形成上述中說明的有機(jī)層的、所謂的低分 子型的顯示器有效，而且對(duì)被稱為所謂的高分子型的有機(jī)EL顯示器也是有效的。并且，本發(fā)明不僅對(duì)如上所述的在玻璃基板上依次層疊透明電極、有機(jī)層和陰極并在玻璃基板側(cè)取出EL發(fā)光的、所謂的底部發(fā)射型有機(jī)EL的制造有效，而且對(duì)在玻璃基板上依次層疊陰極、有機(jī)層和透明電極并在密封基板側(cè)取出EL發(fā)光的、所謂的頂部發(fā)射型有機(jī)EL的制造也是有效的。
【權(quán)利要求】
1.一種激光轉(zhuǎn)印方法，將形成于金屬施主片上的薄膜轉(zhuǎn)印到與所述金屬施主片相對(duì)的基板上，所述激光轉(zhuǎn)印方法的特征在于:將多個(gè)脈沖激光串沿一定方向進(jìn)行掃描對(duì)所述金屬施主片背面進(jìn)行照射，照射第二脈沖光進(jìn)行掃描，使得第二脈沖光的至少一部分與照射了第一脈沖光的部分重疊。
2.如權(quán)利要求1所述的激光轉(zhuǎn)印方法，其特征在于:使用具有在照射所述第一脈沖光之后至照射所述第二脈沖光的時(shí)間，從被照射了所述第一脈沖光的所述金屬施主片背面部分至熱擴(kuò)散長區(qū)域的溫度比所述薄膜的蒸鍍溫度低的重復(fù)頻率的所述脈沖激光串。
3.如權(quán)利要求1所述的激光轉(zhuǎn)印方法，其特征在于:使用在照射所述第一脈沖光之后至照射所述第二脈沖光的時(shí)間，從被照射了所述第一脈沖光的所述金屬施主片背面部分至熱擴(kuò)散長區(qū)域的溫度比所述薄膜的蒸鍍溫度低的板厚的所述金屬施主片。
4.如權(quán)利要求1所述的激光轉(zhuǎn)印方法，其特征在于:使用在照射所述第一脈沖光之后至照射所述第二脈沖光的時(shí)間，從被照射了所述第一脈沖光的所述金屬施主片背面部分至熱擴(kuò)散長區(qū)域的溫度比所述薄膜的蒸鍍溫度低的脈沖能量的所述第一脈沖光。
5.如權(quán)利要求1所述的激光轉(zhuǎn)印方法，其特征在于:在所述金屬施主片和所述基板之間具有間隙。
6.如權(quán)利要求5所述的激光轉(zhuǎn)印方法，其特征在于:所述間隙取為?ο μ m以上且100 μ m以下。
7. 如權(quán)利要求1所述的激光轉(zhuǎn)印方法，其特征在于:所述薄膜是從所述金屬施主片側(cè)起依次層疊有載流子輸送層、有源層的層疊膜，或者是從所述金屬施主片側(cè)依次層疊有有源層、載流子輸送層的層疊膜。
8.如權(quán)利要求1所述的激光轉(zhuǎn)印方法，其特征在于:所述薄膜是從所述金屬施主片側(cè)起依次層疊有有源層、載流子輸送層的層疊膜。
9.如權(quán)利要求1所述的激光轉(zhuǎn)印方法，其特征在于:所述薄膜是從所述金屬施主片側(cè)起依次層疊有載流子輸送層、有源層、載流子輸送層的層疊膜。
10.如權(quán)利要求1所述的激光轉(zhuǎn)印方法，其特征在于:所述薄膜是從所述金屬施主片側(cè)起依次層疊有電極層、載流子輸送層、有源層的層疊膜。
11.如權(quán)利要求1所述的激光轉(zhuǎn)印方法，其特征在于:所述薄膜是從所述金屬施主片側(cè)起依次層疊有多個(gè)載流子輸送層、有源層、多個(gè)載流子輸送層的層疊膜。
12.如權(quán)利要求1所述的激光轉(zhuǎn)印方法，其特征在于:在所述基板上形成有電極，所述脈沖激光串的掃描方向?yàn)樗鲭姌O的長邊方向。
13.如權(quán)利要求12所述的激光轉(zhuǎn)印方法，其特征在于:所述電極是圖像顯示裝置的像素電極，所述像素電極被分類為具有至少三種以上的發(fā)光色的子像素電極，所述脈沖激光沿規(guī)定的發(fā)光色的所述子像素電極的長邊方向掃描。
14.如權(quán)利要求13所述的激光轉(zhuǎn)印方法，其特征在于:所述子像素電極以鑲嵌排列或三角排列配置，所述脈沖激光在規(guī)定的發(fā)光色的所述子像素電極相鄰的方向掃描。
15.如權(quán)利要求1所述的激光轉(zhuǎn)印方法，其特征在于:形成有所述金屬施主片的板厚不同的區(qū)域，不被照射所述脈沖激光串的區(qū)域的金屬施主片的板厚，比被照射所述脈沖激光串的區(qū)域的金屬施主片的板厚厚。
16.如權(quán)利要求1所述的激光轉(zhuǎn)印方法，其特征在于:所述金屬施主片形成為雙層構(gòu)造，被照射所述脈沖激光串的一側(cè)的金屬板的熱擴(kuò)散率，比形成有所述薄膜的一側(cè)的金屬板的熱擴(kuò)散率大。
17.—種激光轉(zhuǎn)印裝置，將形成于金屬施主片上的薄膜轉(zhuǎn)印到與所述金屬施主片相對(duì)的基板上，所述激光轉(zhuǎn)印裝置的特征在于:具有轉(zhuǎn)印部和薄膜形成部，其中，所述轉(zhuǎn)印部執(zhí)行如下激光轉(zhuǎn)印方法:使多個(gè)脈沖激光串沿一定方向進(jìn)行掃描并向所述金屬施主片背面進(jìn)行照射，照射第二脈沖光進(jìn)行掃描，使得第二脈沖光的至少一部分與照射了第一脈沖光的部分重疊，所述薄膜形成部在所述金屬施主片上形成有機(jī)膜作為所述薄膜。
18.如權(quán)利要求17所述的激光轉(zhuǎn)印裝置，其特征在于:所述基板具有至少三種以上的發(fā)光色的子像素電極用于彩色圖像顯示，對(duì)第一發(fā)光色的子像素電極進(jìn)行所述激光轉(zhuǎn)印，對(duì)第二發(fā)光色的子像素電極進(jìn)行所述激光轉(zhuǎn)印，對(duì)第三發(fā)光色的子像素電極進(jìn)行所述激光轉(zhuǎn)印。
19.如權(quán)利要求17所述的激光轉(zhuǎn)印裝置，其特征在于:所述基板具有至少三種以上的發(fā)光色的子像素電極用于彩色圖像顯示，對(duì)第一發(fā)光色的子像素電極進(jìn)行所述激光轉(zhuǎn)印，對(duì)第二發(fā)光色的子像素電極進(jìn)行所述激光轉(zhuǎn)印。
20.如權(quán)利要求17所述的激光轉(zhuǎn)印裝置，其特征在于:使用所述金屬施主片對(duì)第一基板進(jìn)行所述激光轉(zhuǎn)印，調(diào)整第二基板和所述金屬施主片的位置，使用附著有所述薄膜的金屬板區(qū)域進(jìn)行所述激光轉(zhuǎn)印，調(diào)整第三基板和所述金屬施主片的位置，使用附著有所述薄膜的區(qū)域進(jìn)行所述激光轉(zhuǎn)印。
21.如權(quán)利要求20所述的激光轉(zhuǎn)印裝置，其特征在于:在所述第一基板、所述第二基板和所述第三基板的背面設(shè)置對(duì)準(zhǔn)照相機(jī)，使用該對(duì)準(zhǔn)照相機(jī)調(diào)整所述基板和激光頭，調(diào)整所述金屬施主片和所述激光頭的位置，進(jìn)`行激光轉(zhuǎn)印。
22.—種有機(jī)EL面板制造裝置，其特征在于，具備:搭載施主基板和電路基板的載置臺(tái)，其中，施主基板在一主面上形成有有機(jī)層，電路基板與所述一主面隔開一定間隔相對(duì)；激光振蕩器，其使激光振蕩；激光整形單元，其將所述激光轉(zhuǎn)換成矩形形狀的均勻強(qiáng)度分布；激光分配單元，其得到使所述均勻強(qiáng)度分布的激光線列且等間隔配置的兩個(gè)以上的激光;投影透鏡，其將所述兩個(gè)以上的激光縮小投影到所述施主基板的另一主面上；移動(dòng)單元，其使所述線列且等間隔地配置的所述激光和所述臺(tái)在所述線列方向上相對(duì)地等速移動(dòng)；控制單元，其使激光隨著所述等速移動(dòng)對(duì)所述施主基板的另一主面上的同一部位重疊照射。
23.如權(quán)利要求22所述的有機(jī)EL面板制造裝置，其特征在于:所述激光分配單元是具有將所述均勻強(qiáng)度分布的激光分支成線列且等間隔的多個(gè)激光的功能的激光分支單元。
24.如權(quán)利要求23所述的有機(jī)EL面板制造裝置，其特征在于，所述激光整形單元和所述激光分配單元，是所述線列且等間隔地產(chǎn)生多個(gè)具有所述均勻強(qiáng)度分布的激光的衍射光學(xué)元件。
25.如權(quán)利要求23所述的有機(jī)EL面板制造裝置，其特征在于:所述激光整形單元是在成像面上形成具有均勻強(qiáng)度分布的激光的衍射光學(xué)元件，所述激光分支單元是位于所述成像面上，具備所述線列且等間隔的開口圖案的掩模。
26.如權(quán)利要求25所述的有機(jī)EL面板制造裝置，其特征在于，在所述掩模和所述投影透鏡之間設(shè)置有用于將所述分支數(shù)為兩個(gè)以上的激光轉(zhuǎn)換成平行光的中透鏡。
27.如權(quán)利要求22所述的有機(jī)EL面板制造裝置，其特征在于:所述激光分配單元具備線列或矩陣狀且等間隔設(shè)置的多個(gè)所述激光振蕩器。
28.如權(quán)利要求22~27中任一項(xiàng)所述的有機(jī)EL面板制造裝置，其特征在于，具備: 光閘，其利用普克爾盒和偏振光分束器的組合，具有在任意時(shí)間以任意時(shí)間間隔截出來自所述激光振蕩器的激光的功能。
29.如權(quán)利要求22~27中任一項(xiàng)所述的有機(jī)EL面板制造裝置，其特征在于:所述激光是全固體脈沖激光或利用所述光閘進(jìn)行了時(shí)間調(diào)制的連續(xù)振蕩固體激光。
30.如權(quán)利要求22~27中任一項(xiàng)所述的有機(jī)EL面板制造裝置，其特征在于:所述施主基板是由T1、N1、Cu、Fe、Au、Cr、Mo、W、或含有它們的合金的任一者構(gòu)成的金屬板。
31.一種有機(jī)EL面板制造方法，其在電路基板上形成由導(dǎo)電性薄膜構(gòu)成的第一電極， 在所述第一電極上形成至少包含發(fā)光層的有機(jī)EL層，在所述有機(jī)EL層上形成第二電極，所述有機(jī)EL面板制造方法的特征在于:對(duì)于在一主面上層疊了有機(jī)EL膜的施主基板，使形成有下部電極的所述電路基板與所述施主基板保持一定間隔與所述一主面相對(duì)，將所振蕩的振蕩激光轉(zhuǎn)換成矩形形狀的具備均勻強(qiáng)度分布的多個(gè)矩形激光，將多個(gè)所述矩形激光線列且等間隔地配置，并對(duì)所述施主基板的另一主面的規(guī)定區(qū)域隔開一定時(shí)間以上重疊照射規(guī)定次數(shù)，使所述有機(jī)EL膜從所述施主基板剝離，轉(zhuǎn)印到所述相對(duì)的所述電路基板上。
32.如權(quán)利要求31所述的有機(jī)EL面板制造方法，其特征在于:將所述振蕩激光或所述矩形激光分支或截出。
33.如權(quán)利要求31所述的有機(jī)EL面板制造方法，其特征在于:所述一定時(shí)間通過對(duì)脈沖激光或所述振蕩激光或所述矩形激光進(jìn)行時(shí)間調(diào)制而得到。
34.如權(quán)利要求31所述的有機(jī)EL面板制造方法，其特征在于:使所述矩形激光與所述電路基板以及所述施主基板相對(duì)地進(jìn)行移動(dòng)。
35.如權(quán)利要求34所述的有機(jī)EL面板制造方法，其特征在于:以所述等間隔單位或所述規(guī)定次數(shù)單位離散性地進(jìn)行移動(dòng)。
36.如權(quán)利要求31~35中任一項(xiàng)所述的有機(jī)EL面板制造方法，其特征在于:基于來自一臺(tái)激光振蕩器或線列或矩陣狀且等間隔地配置的多個(gè)激光振蕩器的所述振蕩激光，形成所述多個(gè)矩形激光 。
【文檔編號(hào)】H01L51/40GK103568614SQ201310306105
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2013年7月19日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月20日
【發(fā)明者】石原慎吾, 松崎永二, 松浦宏育, 矢崎秋夫 申請人:株式會(huì)社日立高新技術(shù)