用于led模塊的基板及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種用于LED模塊的基板以及制造該基板的方法，所述基板包括：基部基板；絕緣層，形成在基部基板中的除了芯片安裝區(qū)域A之外的其余區(qū)域上；電極層，形成在絕緣層上；氧化物層，形成在基部基板的芯片安裝區(qū)域A上；以及高反射性層，形成在氧化物層的頂表面上。
【專利說明】用于LED模塊的基板及其制造方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求于2012年7月19日提交給韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的韓國專利申請(qǐng)N0.10-2012-0078806的權(quán)益，通過引用將其公開內(nèi)容結(jié)合于本文中。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及一種用于LED模塊的基板和制造該基板的方法；并且更具體地涉及一種用于設(shè)置有高反射性層的LED模塊的基板和制造該基板的方法。
【背景技術(shù)】
[0004]近來，發(fā)光二極管(下文中稱為LED)已作為能夠?qū)崿F(xiàn)減重、纖薄和節(jié)能的照明裝置或光發(fā)射裝置而成為關(guān)注焦點(diǎn)。LED裝置是在正向電壓(forward)中對(duì)半導(dǎo)體的PN結(jié)施加電流的同時(shí)發(fā)射光的光裝置，并且通過使用II1- V族半導(dǎo)體晶體來制造。由于外延生長技術(shù)和半導(dǎo)體的發(fā)光裝置工藝技術(shù)的發(fā)展，已開發(fā)出具有優(yōu)良轉(zhuǎn)換效率的LED并且已將其廣泛地用于各個(gè)領(lǐng)域。
[0005]這樣的LED模塊被制造成一本體中的模塊，并且通常的情況是，通過利用表面安裝技術(shù)(SMT)將LED封裝安裝在用于傳統(tǒng)LED模塊的印制電路板(PCB)上來制造所述LED模塊。
[0006]對(duì)于將用于LED模塊的PCB用在LED模塊中的情況，由于其形狀或者材料必須制造成滿足LED裝置的形狀和材料特性，因而使用具有極高的強(qiáng)度和小的熱應(yīng)變的材料。特別地，由于用于LED模塊的PCB具有方向性，因而存在這樣的問題，S卩，在其制造過程中會(huì)根據(jù)用于LED模塊的PCB的裝置安裝形狀而使用額外的構(gòu)件(諸如反射板或者導(dǎo)光板)。即，如果LED裝置安裝在用于傳統(tǒng)LED模塊的PCB上，則會(huì)由于LED光的方向性而導(dǎo)致浪費(fèi)預(yù)定量的光，從而降低效率。
[0007]據(jù)此，對(duì)于將用于LED模塊的PCB用在LED模塊中的情況，將具有優(yōu)良光反射性的鋁材用作基部基板。并且此外，為了實(shí)現(xiàn)更為優(yōu)良的光反射性，對(duì)基部基板的表面進(jìn)行鏡面處理。
[0008]在韓國公開專利公報(bào)上發(fā)表的公開第10-2010-0017841號(hào)(下文中稱為現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)I)中，為了增大用于LED模塊的基板的光反射性，提出一種金屬基部電路基板，其中，在絕緣層上安裝有白色層(white color layer)。
[0009]然而，察看現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)I的發(fā)明，它包含作為白色層的白色的高價(jià)態(tài)鈦的二氧化物，并且該白色層形成在絕緣層的整個(gè)表面上，從而增加制造成本。
[0010]作為制造LED模塊基板以用于增大光反射性的方法，在韓國公開專利公報(bào)上發(fā)表的公開第10-2010-0123155號(hào)(下文中稱為現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)2)中，提出一種制造用于安裝LED裝置的印制電路板的方法，該方法包括:在基部基板上形成電路圖案的電路圖案形成步驟；在所述電路圖案上涂覆光致抗蝕劑的光致抗蝕劑涂覆步驟；在所涂覆的光致抗蝕劑的表面上形成由金屬層組成的反射層的反射層形成步驟；以及通過沖壓電路圖案的內(nèi)部/外部來形成印制電路板的外部形狀的外部形狀形成步驟。
[0011]然而，因?yàn)橛捎趯⒎瓷鋵幼鳛楣夥瓷錁?gòu)件來涂覆而使得現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)2的制造方法通過堆疊工藝實(shí)現(xiàn)，因而所述工藝就電路圖案而言是復(fù)雜的，從而增加制造成本。
[0012]【現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)】
[0013]【專利文獻(xiàn)】
[0014](專利文獻(xiàn)I)韓國專利特開公開N0.10-2010-0017841
[0015](專利文獻(xiàn)2)韓國專利特開公開N0.10-2010-0123155

【發(fā)明內(nèi)容】

[0016]已設(shè)計(jì)本發(fā)明以克服上述問題，并且因此本發(fā)明的目的是提供一種用于LED模塊的基板以及制造該基板的方法，所述基板具有優(yōu)良的光反射性，其中簡(jiǎn)化了制作工藝并且節(jié)省了制造成本。
[0017]根據(jù)本發(fā)明用以實(shí)現(xiàn)所述目的的一個(gè)方面，提供一種用于LED模塊的基板，該基板包括:基部基板；絕緣層，形成在基部基板中的除了芯片安裝區(qū)域A之外的其余區(qū)域上；電極層，形成在絕緣層上；氧化物層，形成在基部基板的芯片安裝區(qū)域A上；以及高反射性層，形成在氧化物層的頂表面上。
[0018]并且此外，氧化物層由通過將基部基板氧化而形成的氧化物制成。
[0019]并且此外，氧化物層包括鋁的氧化物Al2O3、鎂的氧化物MgO、錳的氧化物MnO、鋅的氧化物ZnOJi TiO2、鉿的氧化物HfO2、鉭的氧化物Ta2O5以及鈮Nb2O3之中的任何一種或兩種。
`[0020]并且此外，基部基板的芯片安裝區(qū)域A為圓形的形狀或者矩形的形狀。
[0021]并且此外，高反射性層為通過沉積工藝形成的金屬薄膜。
[0022]并且此外，高反射性層包括鋁Al、鈦T1、銀Ag、鎳Ni和鉻Cr或者其合金之中的任何一種。
[0023]并且此外，基部基板由鋁Al、鎂Mg、錳Mn、鋅Zn、鉿Hf、鉭Ta和鈮Nb或者其合金之中的任何一種制成。
[0024]并且此外，用于LED模塊的基板進(jìn)一步包括安裝在反射性層的頂表面上并且通過引線接合連接至電極層的LED芯片。
[0025]并且此外，用于LED模塊的基板進(jìn)一步包括形成在電極層的表面上以便引線接合至LED芯片的鍍覆層。
[0026]根據(jù)本發(fā)明用以實(shí)現(xiàn)所述目的的另一方面，提供一種制造用于LED模塊的基板的方法，該方法包括:Ca)制備基部基板；(b)將其上根據(jù)預(yù)定圖案形成有開口單元的掩模(mask)附接在基部基板的表面上；(C)將基部基板的通過開口單元而暴露的表面氧化；(d)在通過氧化工藝形成的氧化物層上形成高反射性層；(e)在去除掩模之后，在基部基板中的除了芯片安裝區(qū)域A之外的其余區(qū)域上形成絕緣層；以及(f )在絕緣層上形成電極層。
[0027]并且此外，步驟(d)在附接了掩模的條件下通過對(duì)基部基板的所述表面進(jìn)行金屬沉積處理來執(zhí)行。
[0028]并且此外，金屬沉積工藝使用濺射、鍍覆、熱沉積、電子束沉積、物理氣相沉積(PVD)以及化學(xué)氣相沉積(CVD)之中的任何一種。[0029]并且此外，開口單元具有圓形的形狀或者矩形的形狀。
[0030]并且此外，開口單元的寬度大于基部基板中的芯片安裝區(qū)域A的寬度。
[0031]并且此外，開口單元的寬度與芯片安裝區(qū)域A的寬度之間的差異在芯片安裝區(qū)域A的0.01倍到0.2倍。
[0032]并且此外，氧化處理為陽極化工藝或者等離子電解氧化工藝。
[0033]并且此外，制造用于LED模塊的基板的方法進(jìn)一步包括:在步驟(C)之后，將基部基板的整個(gè)表面磨光。
[0034]并且此外，通過加成工藝、減成工藝或者半加成工藝之中的任何一種來形成電極層。
[0035]并且此外，在步驟(e)中，絕緣層形成為用以覆蓋超出基部基板的芯片安裝區(qū)域A的氧化物層和高反射性層。
[0036]并且此外，制造用于LED模塊的基板的方法進(jìn)一步包括，在步驟(f)之后，通過無電鍍覆在電極層的表面上形成電鍍層，所述無電鍍覆諸如為無電鍍鎳浸金(ENIG)、無電鍍鎳自動(dòng)催化金(ENAG)、無電鍍鎳無電鍍鈀浸金(ENEPIG)等。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0037]從以下結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例進(jìn)行的描述，本總體發(fā)明理念的這些和/或其他的方面和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見并且更容易認(rèn)識(shí)到，附圖中:
[0038]圖1為示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的LED模塊的基板的橫截面圖；
[0039]圖2為示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的LED模塊的基板的平面圖；
[0040]圖3為示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的LED模塊的基板的橫截面圖；
[0041]圖4至圖9為示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的用于制造LED的基板的方法的流程圖；以及
[0042]圖10至圖12為示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的用于制造LED的基板的方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0043]將參照附圖描述用于實(shí)現(xiàn)上述目的的本發(fā)明實(shí)施例。在說明書中，相同的參考數(shù)字指代相同的元件，并且出于簡(jiǎn)潔的目的將省略重復(fù)的或冗余的描述。
[0044]應(yīng)當(dāng)注意的是，除非上下文另有明確指示，否則單數(shù)形式“一個(gè)(a)” “一個(gè)(an)”和“該(the)”旨在包括復(fù)數(shù)形式。應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說明書中使用時(shí)，術(shù)語“包括(comprise)”,包括(include)”和“具有(have)”指明所述特征或者元件的存在，但是不排除一個(gè)或多個(gè)其他特征、元件、或者其組合的存在或增加。
[0045]將對(duì)本說明書在形狀、尺寸、厚度等方面放大地進(jìn)行描述，以便將本發(fā)明的技術(shù)特征作為用于代表在本發(fā)明中呈現(xiàn)的實(shí)施例的實(shí)例有效地進(jìn)行闡述。
[0046]在下文中，將參照附圖更詳細(xì)地本發(fā)明的構(gòu)建和效果。
[0047]圖1為示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的LED模塊的基板的橫截面圖。
[0048]參照?qǐng)D1，根據(jù)本發(fā)明的用于LED模塊的基板100可包括基部基板110、絕緣層120、電極層130、氧化物層140以及高反射性層150。[0049]基部基板110起到將LED芯片160所產(chǎn)生的放射至基部基板110的底表面?zhèn)鹊臒崤懦龅淖饔谩Ｒ虼?，基部基板Iio可由這樣的金屬材料制成，該金屬材料包括鋁Al、鎂Mg、錳Mn、鋅Zn、鈦T1、鉿Hf、鉭Ta和鈮Nb或者其合金之中的任何一種。
[0050]如果使用由金屬材料制成的基部基板，則該基部基板具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性，并且在LED芯片160中產(chǎn)生的熱量被有效地排出。然而，在本發(fā)明中，本發(fā)明不限于這樣的金屬基板，而是根據(jù)LED芯片的特性也可將傳統(tǒng)的環(huán)氧樹脂或者基于聚酰亞胺的基板用作基部基板。
[0051]在其他方面，為了增加與空氣之間的接觸面積，在基部基板110的底表面上形成有多個(gè)凹槽，或者本發(fā)明具有通過使基部基板110與散熱片(未示出)形成單體而獲得的結(jié)構(gòu)。
[0052]并且，為了防止在LED芯片的安裝過程中的彎折現(xiàn)象，優(yōu)選的是，基部基板110的厚度在800nm到IOOOnm的范圍內(nèi)。
[0053]絕緣層120形成在除了基部基板110中的芯片安裝區(qū)域A之外的其余的基部基板110的表面中。
[0054]在此，由于芯片安裝區(qū)域A是其中通過腔體131暴露至外部的高反射性層150所存在的區(qū)域，因而根據(jù)高反射性層150的結(jié)構(gòu)，高反射性層150的寬度等于或者大于芯片安裝區(qū)域A的寬度。
[0055]并且，根據(jù)在下文中描述的本發(fā)明的制造方法，芯片安裝區(qū)域A可制造成各種形狀。如圖2的平面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LED模塊的基板，例如，芯片安裝區(qū)域A可制造成如在圖2中所示的圓形的形狀，并且該芯片安裝區(qū)域可制造成任意的形狀，諸如矩形、橢圓形、多邊形等。
[0056]回顧性地參照?qǐng)D1，絕緣層120具有這樣的結(jié)構(gòu)，即，玻璃纖維凹入到熱固性樹脂中。由于這樣的絕緣層120制造成片狀，因而該絕緣層可堆疊在基部基板110上?？蓪h(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、硅樹脂、丙烯酸樹脂等用作熱固性樹脂。
[0057]在其他方面，為了有效地排出在LED芯片160中產(chǎn)生的熱，絕緣層120可包括具有優(yōu)良導(dǎo)熱性的無機(jī)填充物。無機(jī)填充物可由非均勻顆粒組成，所述非均勻顆粒的平均粒徑彼此不同。例如，無機(jī)填充物可由具有的平均粒徑在0.6μπι至2.4μπι范圍內(nèi)的顆粒和具有的平均粒徑在5μηι至20μηι范圍內(nèi)的顆粒組成。
[0058]這樣，通過將具有大的平均粒徑的粗糙顆粒與具有小的平均粒徑的精細(xì)顆?；旌希捎谂c單獨(dú)使用每種顆粒的情況相比允許密集的填充，因而本發(fā)明能獲得更為優(yōu)良的導(dǎo)熱性。
[0059]電極層130通過以預(yù)定的圖案形成在絕緣層120上來執(zhí)行與LED芯片160的電信號(hào)傳輸。因此，電極層130可包括由鎳、銅、金、銀、錫和鈷組成的組中選出的具有優(yōu)良導(dǎo)熱性的至少一種或兩種材料。
[0060]更詳細(xì)地察看電極層130的結(jié)構(gòu)，電極層130可由底部籽晶層(seed layer，種子層)和頂部金屬層組成。所述籽晶層是通過使用濺射工藝而形成在絕緣層120的表面上的薄金屬層，并且所述金屬層通過將籽晶層用作型線(drawing line)利用電解鍍覆工藝來形成。
[0061]此外，所述金屬層可通過使用為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的各種鍍覆工藝(例如加成工藝、減成工藝、半加成工藝等)來形成，并且可根據(jù)鍍覆工藝而省略所述籽晶層。
[0062]在其他方面，鍍覆層可進(jìn)一步形成在電極層130的表面上，從而允許將LED芯片160引線接合或者焊接。使用金Au以形成鍍覆層，該鍍覆層可通過使用無電鍍覆工藝(諸如無電鍍鎳浸金(ENIG)、無電鍍鎳自動(dòng)催化金(ENAG)、無電鍍鎳無電鍍鈀浸金(ENEPIG)等)形成。
[0063]高反射性層150為具有在2 μ m到3 μ m范圍內(nèi)的厚度的金屬薄膜，該金屬薄膜均勻地形成在基部基板Iio的芯片安裝區(qū)域A上。在本發(fā)明實(shí)施例中，盡管高反射性層150由鋁Al制成并且通過濺射工藝形成，然而所述高反射性層可由能夠通過使用濺射工藝形成的金屬材料(即，鈦T1、銀Ag、鎳N1、鉻Cr等)制成。除了高反射性層可通過使用濺射工藝形成這一點(diǎn)之外，這樣的材料的共同特性還具有高的光反射性。
[0064]這樣，由于根據(jù)本發(fā)明的用于LED模塊的基板采用這樣的結(jié)構(gòu)，即，LED芯片160安裝在具有高的光反射性的高反射性層150上，因而通過利用高反射性層150反射從LED芯片160發(fā)射的光，該基板能實(shí)現(xiàn)有效的照明。
[0065]并且此外，由于高反射性層150僅形成在在其中LED芯片160的光直接到達(dá)的芯片安裝區(qū)域A上，因而通過不對(duì)不必要的區(qū)域形成高反射性層150而可降低其制造成本。
[0066]在其他方面，在圖1中，盡管用于LED模塊的基板具有其中高反射性層150的寬度等于芯片安裝區(qū)域A的寬度的結(jié)構(gòu)，然而如在圖3中所示，根據(jù)另一實(shí)施例的用于LED模塊的基板可具有其中高反射性層150的寬度大于芯片安裝區(qū)域A的寬度的結(jié)構(gòu)。相應(yīng)地，高反射性層150形成到基部基板110中的芯片安裝區(qū)域A以及從芯片安裝區(qū)域A延伸的區(qū)域B中，并且絕緣層120覆蓋區(qū)域B中的高反射性層150。
[0067]這樣，在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，高反射性層150與絕緣層120通過對(duì)應(yīng)于區(qū)域B的區(qū)域而結(jié)合，高反射性層150與基部基板110之間的接合程度可極大地增加，從而提高產(chǎn)品的可靠性。
[0068]并且此外，在LED芯片160中產(chǎn)生的熱通過高反射性層150的底表面以及高反射性層150與絕緣層120之間的接合表面排出，從而執(zhí)行有效的排出。
[0069]在此，優(yōu)選的是，區(qū)域B的寬度在芯片安裝區(qū)域A的寬度的0.01倍到0.2倍的范圍內(nèi)。盡管當(dāng)區(qū)域B的寬度更大時(shí)可進(jìn)一步呈現(xiàn)上述效果，然而相反地，用于形成高反射性層150的加工成本可增加。因此，優(yōu)選的是，區(qū)域B的寬度具有在上述范圍內(nèi)的適當(dāng)?shù)闹怠?br> [0070]在基部基板110由金屬材料制成的情況下，氧化物層140可形成在高反射性層150與基部基板110之間，以便使基部基板110與高反射性層150電絕緣以及降低基板的光吸收率。
[0071]氧化物層140可通過將金屬材料的基部基板110的表面陽極化或電解氧化來形成。例如，如果基部基板Iio由鋁Al制成，則氧化物層140可由陽極氧化型氧化鋁Al2O3制成。由于氧化鋁Al2O3具有優(yōu)良的絕緣性能和反射性，因而盡管氧化物層140的厚度是薄的，卻可充分地確保基部基板110與高反射性層150之間的絕緣性并且可通過降低基部基板110的光吸收率而增加來自LED芯片160的光量。
[0072]安裝在高反射性層150的頂表面上的LED芯片160可形成為包括η型半導(dǎo)體層、P型半導(dǎo)體層以及夾置于它們之間的活性層的結(jié)構(gòu)，其中，該LED芯片具有通過使電子與活性層中的空穴結(jié)合而放出光的結(jié)構(gòu)。然而，本發(fā)明可應(yīng)用于各種類型的LED芯片，無論LED芯片的結(jié)構(gòu)是否是豎直的類型、水平的類型或者倒裝的類型，并且本發(fā)明不限于特定類型的LED芯片。
[0073]這樣的LED芯片160的安裝可利用這樣的結(jié)合方法，諸如芯片粘結(jié)劑、焊接、點(diǎn)焊、熱排出墊(heat discharging pad)或熱排出帶、熱排出膏等。
[0074]并且，盡管LED芯片160與電極層130之間的接合能根據(jù)部件的形狀和特性連接成各種結(jié)構(gòu)，然而通常這樣的接合可使用引線接合。優(yōu)選的是，引線接合是金Au引線接合；并且，LED芯片160與電極層130通過引線接合而電連接。
[0075]在此，將察看根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造用于LED模塊的基板的方法。
[0076]圖4至圖9為示出了據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的用于制造LED的基板的方法的流程圖。
[0077]如在圖4中所示，造據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制用于LED模塊的基板的方法首先制備基部基板110。
[0078]基部基板110可為由這樣的金屬材料制成的基板，該金屬材料包括從由鋁Al、鎂Mg、錳Mn、鋅Zn、鈦T1、鉿Hf、鉭Ta和鈮Nb或者其合金組成的組中選擇的至少一種金屬。
[0079]之后，如在圖5中所示，將掩模111附接至基部基板110的表面，在所述掩模上根據(jù)預(yù)定圖案形成有開口單元111a。
[0080]由于其上安裝有LED芯片160的高反射性層150形成在基部基板110的通過開口單元Illa而暴露至其外部的表面上，因而優(yōu)選的是，考慮到LED芯片160的安裝位置來形成開口單元111a。
[0081]此時(shí)，開口單元Illa可具有任意的形狀，諸如圓形、矩形、橢圓形、多邊形等；并且相應(yīng)地，根據(jù)開口單元Illa的形狀，基部基板110的通過開口單元Illa而暴露的表面也具有所述諸如圓形、矩形、橢圓形、多邊形等的任意形狀。
[0082]開口單元Illa的寬度可等于或者大于芯片安裝區(qū)域A的寬度。在圖5中，如先前作為實(shí)例所披露的，開口單元Illa的寬度大于芯片安裝區(qū)域A的寬度。
[0083]在開口單元Illa的寬度大于芯片安裝區(qū)域A的寬度的情況下，由于通過以下工藝所形成的高反射性層150的寬度大于芯片安裝區(qū)域A的寬度，可制造如在圖3中所示的用于LED模塊的基板的結(jié)構(gòu)。
[0084]此時(shí)，優(yōu)選的是，開口單元Illa的寬度與芯片安裝區(qū)域A的寬度之間的差異在芯片安裝區(qū)域A的寬度的0.01倍到0.2倍之間。
[0085]之后，如在圖6中所示，通過使基部基板110的通過開口單元Illa而暴露的表面氧化來形成氧化物層140。
[0086]氧化工藝可為陽極化工藝或者等離子電解氧化工藝。
[0087]詳細(xì)地察看例如使用陽極化工藝的氧化工藝，在基部基板110為鋁Al情況下，基部基板110的通過開口單元Illa而暴露的表面與電解質(zhì)溶液反應(yīng)，從而在它們之間的界面表面上形成鋁離子Al3+。此時(shí)，如果電流密度由于施加至基部基板110的電壓而集中，則會(huì)形成更多的鋁離子Al3+，因此，在基部基板110的通過開口單元Illa而暴露的表面上會(huì)形成多個(gè)凹槽。并且然后，由于電場(chǎng)力而使得氧離子02_朝向凹槽移動(dòng)并且與鋁離子Al3+反應(yīng)；并且因此，在基部基板110的通過開口單元Illa而暴露的表面上形成由氧化鋁Al2O3構(gòu)成的氧化物層140。[0088]在氧化工藝之后，根據(jù)情況，可通過額外地執(zhí)行對(duì)基部基板110的整個(gè)表面進(jìn)行磨光的步驟將氧化物層140的表面磨光。通常，由于光的反射性會(huì)在待入射的光的波長更長和入射表面更為平坦時(shí)增大，因而通過執(zhí)行這樣的磨光工藝可增加來自LED芯片160的光量。
[0089]之后，如在圖7中所示，高反射性層150形成在氧化物層140上。
[0090]如果基部基板110的表面在附接了掩模111的條件下沉積，則高反射性層150沉積在氧化物層140的通過開口單元Illa而暴露的表面上。
[0091]并且然后，如果去除掩模111，如在圖8中所示，則基部基板110設(shè)置有氧化物層140以及形成在氧化物層140的頂表面上的高反射性層150。
[0092]在此，沉積工藝可為傳統(tǒng)的濺射工藝。由于濺射工藝是通過將金屬顆粒沉積在基板的表面上以形成薄膜的技術(shù)，因而盡管在本發(fā)明的實(shí)施例中濺射工藝是通過使用鋁Al來實(shí)現(xiàn)的，然而濺射工藝可通過使用能夠執(zhí)行所述濺射工藝的金屬材料(例如鎳、鉻、銀等)來實(shí)現(xiàn)。
[0093]另外，沉積工藝可以是這樣的，S卩，金屬層還可通過使用為本領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟知的傳統(tǒng)的沉積工藝(諸如鍍覆工藝、熱沉積工藝、電子束沉積工藝、物理氣相沉積工藝、化學(xué)氣相沉積工藝)來形成。
[0094]并且然后，如在圖9中所示，將絕緣層120堆疊在基部基板110的除了高反射性層150之外的表面上。
[0095]特別地，絕緣層120可為這樣的覆銅層壓件(copper clad laminate,CCL),在該覆銅層壓件中，銅層在真空下熱壓縮在一種結(jié)構(gòu)的絕緣片的一個(gè)表面上，在該結(jié)構(gòu)中，玻璃纖維凹入到熱固性樹脂(諸如環(huán)氧樹脂)中。這樣的覆銅層壓件CCL在銅層的表面朝上的條件下堆置在基部基板110上。
[0096]此時(shí)，可堆疊先前在其上形成有腔體的絕緣層120，作為另一種方法，將覆層定位焊接(tack weld)在芯片安裝區(qū)域A上，在將絕緣層120堆疊在基部基板110的整個(gè)表面上之后，可通過去除該覆層來制作腔體。
[0097]在此，堆疊在基部基板110上的絕緣層120覆蓋基部基板110中的除了芯片安裝區(qū)域A之外的其余區(qū)域。因此，如果在之前的工藝中附接了其中開口單元Illa的寬度大于芯片安裝區(qū)域A的寬度的掩模111，則根據(jù)之后的工藝形成的高反射性層150的寬度變得大于芯片安裝區(qū)域A的寬度，因而，如在圖9中所示，絕緣層120的一部分超出芯片安裝區(qū)域A而覆蓋高反射性層150。
[0098]如果堆疊絕緣層120，則最終，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于LED模塊的基板通過在絕緣層120上形成電極層130來完成。
[0099]電極層130可通過使用為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的工藝(諸如使用形成在絕緣層120的一個(gè)表面上的銅膜的加成工藝、減成工藝、半加成工藝等)來形成。
[0100]這樣，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制造用于LED模塊的基板的方法，可利用掩模工藝以容易且簡(jiǎn)單的方法來形成作為光反射構(gòu)件的氧化物層140以及位于氧化物層140上的高反射性層150。因而，能實(shí)現(xiàn)工藝的簡(jiǎn)化并且能極大地降低工藝成本。
[0101]并且，利用這樣的掩模法的制造方法具有可應(yīng)用于產(chǎn)品的大規(guī)模生產(chǎn)的優(yōu)點(diǎn)。如圖10至圖12為示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的用于制造LED的基板的方法的部分的流程圖，如在圖10中所示，在其上形成有多個(gè)開口單元的掩模附接至基部基板的條件下，如在圖11中所示，基部基板的整個(gè)表面被氧化，如在圖12中所示，通過執(zhí)行金屬沉積工藝形成多個(gè)高反射性層。即，可通過附接其上形成有多個(gè)開口單元的掩模并且通過將每個(gè)工藝執(zhí)行一次來制造多個(gè)產(chǎn)品。
[0102]并且，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造用于LED模塊的基板的方法，由于開口單元Illa的尺寸和形狀是任意設(shè)定的并且可形成高反射性層150的與開口單元對(duì)應(yīng)的尺寸和形狀，因而本發(fā)明不限于用于安裝LED芯片的空間并且能實(shí)現(xiàn)具有各種尺寸和形狀的LED芯片安裝空間。
[0103]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造用于LED模塊的方法，通過利用掩模工藝以簡(jiǎn)單且容易的方法形成作為光反射構(gòu)件的氧化物層并且形成設(shè)置在該氧化物層上的高反射性層，本發(fā)明能顯著地實(shí)現(xiàn)工藝的簡(jiǎn)化并且降低制造成本。
[0104]并且，由于高反射性層可根據(jù)LED芯片的尺寸和分布而形成為各種尺寸和形狀，因而本發(fā)明不限于用于安裝LED芯片的空間并且能通過允許LED芯片有效地分布來控制LED芯片的光學(xué)性能。
[0105]在上文中已參照附圖討論本發(fā)明的實(shí)施例。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)容易地意識(shí)到，在本文中給出的與這些圖相關(guān)的詳細(xì)描述是用于說明的目的，因?yàn)楸景l(fā)明超出這些有限的實(shí)施例之外。例如，應(yīng)該意識(shí)到的是，在本發(fā)明的教導(dǎo)下，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)意識(shí)到超出所描述并示出的實(shí)施例的實(shí)施選擇的根據(jù)特定應(yīng)用以實(shí)現(xiàn)在本文中所描述的任何給定的細(xì)節(jié)的功能的多種可替換的且合適的方法。即，存在列舉不盡但均落在本發(fā)明范圍內(nèi)的本發(fā)明的許多修改和變型。
【權(quán)利要求】
1.一種用于LED模塊的基板,所述基板包括: 基部基板； 絕緣層，形成在所述基部基板中的除了芯片安裝區(qū)域A之外的其余區(qū)域上； 電極層，形成在所述絕緣層上； 氧化物層，形成在所述基部基板的所述芯片安裝區(qū)域A上；以及高反射性層，形成在所述氧化物層的頂表面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于LED模塊的基板，其中，每個(gè)所述氧化物層均由通過將所述基部基板氧化而形成的氧化物制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于LED模塊的基板，其中，所述氧化物層包括鋁的氧化物A1203、鎂的氧化物MgO、錳的氧化物MnO、鋅的氧化物ZnO^jc TiO2、鉿的氧化物HfO2、鉭的氧化物Ta2O5以及鈮Nb2O3之中的任何一種或者兩種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于LED模塊的基板，其中，所述基部基板的所述芯片安裝區(qū)域A為圓形的形狀或者矩形的形狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于LED模塊的基板，其中，所述高反射性層為通過沉積工藝形成的金屬薄膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于LED模塊的基板，其中，所述高反射性層包括鋁Al、鈦T1、銀Ag、鎳Ni和鉻Cr或者其合金之中的任何一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于LED模塊的基板，其中，所述基部基板由鋁Al、鎂Mg、錳Mn、鋅Zn、鉿Hf、鉭Ta和鈮Nb或者其合金之中的任何一種制成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于LED模塊的基板，進(jìn)一步包括: LED芯片，安裝在所述反射性層的頂表面上并且通過引線接合連接至所述電極層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于LED模塊的基板，進(jìn)一步包括: 鍍覆層，形成在所述電極層的表面上以便引線接合至所述LED芯片。
10.一種用于LED模塊的基板,包括: 基部基板； 氧化物層，位于所述基部基板中的一芯片安裝區(qū)域A和一區(qū)域B上，所述區(qū)域B從所述芯片安裝區(qū)域A連接； 高反射性層，形成在所述氧化物層上 絕緣層，形成在所述基部基板中的除了所述芯片安裝區(qū)域A之外的其余區(qū)域上，其中，所述絕緣層覆蓋從所述芯片安裝區(qū)域A延伸的所述區(qū)域B中的所述氧化物層和所述高反射性層；以及電極層，形成在所述絕緣層上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的用于LED模塊的基板，其中，從所述芯片安裝區(qū)域A延伸的所述區(qū)域B的寬度與所述芯片安裝區(qū)域A的寬度的比在0.01到0.2的范圍內(nèi)。
12.一種制造用于LED模塊的基板的方法，所述方法包括: (a)制備基部基板； (b)將掩模附接在所述基部基板的一表面上，在所述掩模上根據(jù)預(yù)定圖案形成有開口單元； (C)將所述基部基板的通過所述開口單元而暴露的所述表面氧化； (d)在通過氧化工藝形成的氧化物層上形成高反射性層；(e)在去除所述掩模之后，在所述基部基板中的除了所述芯片安裝區(qū)域A之外的其余區(qū)域上形成絕緣層；以及 Cf)在所述絕緣層上形成電極層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造用于LED模塊的基板的方法，其中，在附接了所述掩模的條件下，通過對(duì)所述基部基板的所述表面進(jìn)行金屬沉積工藝來執(zhí)行所述步驟(d)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造用于LED模塊的基板的方法，其中，所述金屬沉積工藝使用濺射、鍍覆、熱沉積、電子束沉積、物理氣相沉積(PVD )和化學(xué)氣相沉積(CVD )之中的任何一種。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造用于LED模塊的基板的方法，其中，所述開口單元具有圓形的形狀或者矩形的形狀。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造用于LED模塊的基板的方法，其中，所述開口單元的寬度大于所述基部基板中的所述芯片安裝區(qū)域A的寬度。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造用于LED模塊的基板的方法，其中，所述開口單元的寬度與所述芯片安裝區(qū)域A的寬度之間的差異在所述芯片安裝區(qū)域A的0.01倍到0.2倍的范圍內(nèi)。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造用于LED模塊的基板的方法，其中，氧化處理為陽極化工藝或者等離子電解氧化工藝。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造用于LED模塊的基板的方法，所述方法進(jìn)一步包括， 在所述步驟(c)之后， 對(duì)所述基部基板的整個(gè)表面拋光。
20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造用于LED模塊的基板的方法，其中，通過加成工藝、減成工藝或者半加成工藝之中的任何一種來形成所述電極層。
21.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造用于LED模塊的基板的方法，其中，在所述步驟(e)中，所述絕緣層形成為用以覆蓋超出所述基部基板的所述芯片安裝區(qū)域A的所述氧化物層和所述高反射性層。
22.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造用于LED模塊的基板的方法，所述方法進(jìn)一步包括: 在所述步驟(f)之后， 通過無電鍍覆在所述電極層的表面上形成鍍覆層，所述無電鍍覆諸如為無電鍍鎳浸金(ENIG)、無電鍍鎳自動(dòng)催化金(ENAG)、無電鍍鎳無電鍍鈀浸金(ENEPIG)等。
【文檔編號(hào)】H01L33/62GK103579476SQ201310303977
【公開日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2013年7月18日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月19日
【發(fā)明者】許哲豪 申請(qǐng)人:三星電機(jī)株式會(huì)社