芯片平坦化方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種芯片平坦化方法，包括如下步驟：提供一硅襯底，硅襯底上形成有金屬層，該金屬層具有初始厚度；采用第一下壓力及第一轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速的化學(xué)機(jī)械研磨工藝將金屬層從初始厚度研磨至第一目標(biāo)厚度；以及采用第二下壓力及第二轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速的化學(xué)機(jī)械研磨工藝將金屬層從第一目標(biāo)厚度研磨至第二目標(biāo)厚度，其中，第二下壓力小于第一下壓力，第二轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速與第一轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速相同。本發(fā)明通過(guò)先采用大的下壓力高轉(zhuǎn)速研磨金屬層，然后再采用小的下壓力相同的轉(zhuǎn)速研磨金屬層，既能夠提高硅襯底表面全局平坦化，也能夠提高芯片表面平坦化，進(jìn)而提高半導(dǎo)體器件的良率。本發(fā)明芯片平坦化方法也可以先采用小的下壓力高轉(zhuǎn)速研磨金屬層，然后再采用大的下壓力相同的轉(zhuǎn)速研磨金屬層。
【專利說(shuō)明】芯片平坦化方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造工藝【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種芯片平坦化方法。

【背景技術(shù)】
[0002]計(jì)算機(jī)、通信及網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的高速發(fā)展對(duì)半導(dǎo)體器件的要求愈來(lái)愈高，半導(dǎo)體器件不斷向高速化、高集成化、高密度化和高性能化的方向發(fā)展，導(dǎo)致其特征尺寸不斷縮小、金屬互連結(jié)構(gòu)布線層數(shù)不斷增加。在多層布線的立體結(jié)構(gòu)中，不僅要求包含所有芯片的整個(gè)硅片表面平坦化(全局平坦化)，還要求每個(gè)芯片表面平坦化。因?yàn)闊o(wú)論是硅片表面起伏不平或芯片表面起伏不平，都會(huì)對(duì)后續(xù)的光刻工藝造成負(fù)面影響，在光刻時(shí)對(duì)線寬失去控制，也難以在刻蝕后臺(tái)階上不均勻的光刻膠上制作圖形。
[0003]目前，化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)仍是半導(dǎo)體器件制造工藝中最主要的平坦化技術(shù)?；瘜W(xué)機(jī)械研磨工藝為光刻需求提供了硅片上的平滑表面，已成為半導(dǎo)體器件制造中獲得高良率的關(guān)鍵工藝之一?；瘜W(xué)機(jī)械研磨是通過(guò)化學(xué)反應(yīng)和機(jī)械研磨相結(jié)合的方法對(duì)表面起伏不平的硅片進(jìn)行平坦化的過(guò)程，其工藝過(guò)程如下:先將待研磨的硅片的待研磨面向下附著在研磨頭上，然后向研磨頭施加向下的壓力，使硅片的待研磨面緊壓于研磨墊上，接著表面貼有研磨墊的轉(zhuǎn)臺(tái)在電機(jī)的驅(qū)動(dòng)下旋轉(zhuǎn)，同時(shí)，研磨頭也進(jìn)行同向轉(zhuǎn)動(dòng)，在研磨頭和轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)動(dòng)的同時(shí)，研磨液通過(guò)研磨液供應(yīng)管供應(yīng)到研磨墊上，并在轉(zhuǎn)臺(tái)旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力的作用下分布在研磨墊上，實(shí)現(xiàn)對(duì)硅片的研磨。
[0004]通常，為了提高研磨率，會(huì)向研磨頭施加較大的下壓力，大的研磨下壓力產(chǎn)生高的研磨率。然而，在整個(gè)研磨過(guò)程中，如果一直采用大的下壓力研磨硅片，很容易在硅片上產(chǎn)生碟形凹陷，降低硅片表面全局平坦化，更重要的是硅片上芯片表面平坦化難以很好的控制。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是提供一種不僅能夠提高硅片表面全局平坦化，而且能夠提高硅片上芯片表面平坦化的方法。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的一種芯片平坦化方法，包括如下步驟:提供一硅襯底，硅襯底上形成有金屬層，該金屬層具有初始厚度；采用第一下壓力及第一轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速的化學(xué)機(jī)械研磨工藝將金屬層從初始厚度研磨至第一目標(biāo)厚度；以及采用第二下壓力及第二轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速的化學(xué)機(jī)械研磨工藝將金屬層從第一目標(biāo)厚度研磨至第二目標(biāo)厚度，其中，第二下壓力小于第一下壓力，第二轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速與第一轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速相同。
[0007]第一下壓力為1.8?2.3psi,第二下壓力為0.3?0.8psi,第一轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速及第二轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速為70?150rpm。
[0008]在化學(xué)機(jī)械研磨過(guò)程中，實(shí)時(shí)檢測(cè)研磨終點(diǎn)，采用電渦流反饋系統(tǒng)實(shí)時(shí)檢測(cè)研磨終點(diǎn)。
[0009]在采用第一下壓力及第一轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速的化學(xué)機(jī)械研磨工藝將金屬層從初始厚度研磨至第一目標(biāo)厚度的步驟之后，且在采用第二下壓力及第二轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速的化學(xué)機(jī)械研磨工藝將金屬層從第一目標(biāo)厚度研磨至第二目標(biāo)厚度的步驟之前，還包括:采用第三下壓力及第三轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速的化學(xué)機(jī)械研磨工藝研磨金屬層，其中，第三下壓力小于第一下壓力且大于第二下壓力，第三轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速與第一轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速及第二轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速相同。
[0010]第三下壓力為1.0?1.5psi。采用第三下壓力及第三轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速的化學(xué)機(jī)械研磨工藝研磨金屬層的研磨時(shí)間為5秒。
[0011]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的又一種芯片平坦化方法，包括如下步驟:提供一硅襯底，硅襯底上形成有金屬層，該金屬層具有初始厚度；采用第一下壓力及第一轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速的化學(xué)機(jī)械研磨工藝將金屬層從初始厚度研磨至第一目標(biāo)厚度；以及采用第二下壓力及第二轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速的化學(xué)機(jī)械研磨工藝將金屬層從第一目標(biāo)厚度研磨至第二目標(biāo)厚度，其中，第二下壓力大于第一下壓力，第二轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速與第一轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速相同。
[0012]第一下壓力為0.3?0.8psi,第二下壓力為1.8?2.3psi,第一轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速及第二轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速為70?150rpm。
[0013]在化學(xué)機(jī)械研磨過(guò)程中，實(shí)時(shí)檢測(cè)研磨終點(diǎn)，采用電渦流反饋系統(tǒng)實(shí)時(shí)檢測(cè)研磨終點(diǎn)。
[0014]在采用第一下壓力及第一轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速的化學(xué)機(jī)械研磨工藝將金屬層從初始厚度研磨至第一目標(biāo)厚度的步驟之后，且在采用第二下壓力及第二轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速的化學(xué)機(jī)械研磨工藝將金屬層從第一目標(biāo)厚度研磨至第二目標(biāo)厚度的步驟之前，還包括:采用第三下壓力及第三轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速的化學(xué)機(jī)械研磨工藝研磨金屬層，其中，第三下壓力大于第一下壓力且小于第二下壓力，第三轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速與第一轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速及第二轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速相同。
[0015]第三下壓力為1.0?1.5psi。采用第三下壓力及第三轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速的化學(xué)機(jī)械研磨工藝研磨金屬層的研磨時(shí)間為5秒。
[0016]綜上所述，本發(fā)明芯片平坦化方法通過(guò)先采用大的下壓力高轉(zhuǎn)速研磨金屬層，然后再采用小的下壓力相同的轉(zhuǎn)速研磨金屬層，或者，先采用小的下壓力高轉(zhuǎn)速研磨金屬層，然后再采用大的下壓力相同的轉(zhuǎn)速研磨金屬層，既能夠提高硅襯底表面全局平坦化，也能夠提聞芯片表面平坦化，進(jìn)而提聞半導(dǎo)體器件的良率。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1是根據(jù)本發(fā)明的芯片平坦化方法的一實(shí)施例的流程圖。
[0018]圖2A至2C是采用本發(fā)明的芯片平坦化方法對(duì)芯片進(jìn)行平坦化的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖3是根據(jù)本發(fā)明的芯片平坦化方法的又一實(shí)施例的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0020]為詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、所達(dá)成目的及功效，下面將結(jié)合實(shí)施例并配合圖式予以詳細(xì)說(shuō)明。
[0021]請(qǐng)參閱圖1及圖2A-2C，揭示了根據(jù)本發(fā)明的芯片平坦化方法的一實(shí)施例。在本實(shí)施例中，該芯片平坦化方法包括如下步驟:
[0022]SllO:提供一娃襯底11,娃襯底11上形成有金屬層14,金屬層14具有初始厚度，初始厚度為6000?10000埃；
[0023]S120:采用第一下壓力及第一轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速的化學(xué)機(jī)械研磨工藝將金屬層14從初始厚度研磨至第一目標(biāo)厚度。其中，第一下壓力設(shè)定為1.8?2.3psi,第一轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速設(shè)定為70?150rpm，第一目標(biāo)厚度為1800?3000埃；以及
[0024]S130:采用第二下壓力及第二轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速的化學(xué)機(jī)械研磨工藝將金屬層14從第一目標(biāo)厚度研磨至第二目標(biāo)厚度，其中，第二下壓力小于第一下壓力，第二轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速與第一轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速相同。第二下壓力設(shè)定為0.3?0.8psi,第二轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速為70?150rpm,第二目標(biāo)厚度為1000?1500埃。
[0025]具體地，如圖2A所示，在步驟SllO中，硅襯底11的表面依次形成有具有溝槽的介質(zhì)層12、阻擋層13及金屬層14。介質(zhì)層12的材料優(yōu)選為超低K介質(zhì)材料或者低K介質(zhì)材料。阻擋層13的材料優(yōu)選為鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦之一或者它們的混合物。金屬層14的材料優(yōu)選為銅。
[0026]如圖2B所示，在步驟S120中，采用第一下壓力為1.8?2.3psi，第一轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速為70?150rpm的化學(xué)機(jī)械研磨工藝將金屬層14從7000埃研磨至2500埃，研磨時(shí)間為40-50秒。
[0027]如圖2C所示，在步驟S130中，采用第二下壓力為0.3?0.8psi，第二轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速為70?150rpm的化學(xué)機(jī)械研磨工藝將金屬層14從2500埃研磨至1500埃。在步驟S120及步驟S130的研磨過(guò)程中，實(shí)時(shí)檢測(cè)研磨終點(diǎn)，如采用電渦流反饋系統(tǒng)實(shí)時(shí)檢測(cè)研磨終點(diǎn)?？刂平饘賹?4的厚度在1000?1500埃。通常，金屬層14被研磨至1000?1500埃時(shí)，芯片的表面已很平滑。
[0028]為了形成金屬互連結(jié)構(gòu)，在步驟S130之后，可以采用無(wú)應(yīng)力電化學(xué)拋光的方法去除溝槽外的金屬層14，去除金屬層14的厚度為1000?1500埃；然后再采用氣相刻蝕的方法去除溝槽外的阻擋層13。保留在溝槽中的金屬層14形成金屬互連結(jié)構(gòu)。由于在步驟S130中，金屬層14被研磨至1000?1500埃時(shí)，金屬層14的表面平坦化良好，為接下來(lái)的無(wú)應(yīng)力電化學(xué)拋光工藝奠定了很好的基礎(chǔ)，因此采用無(wú)應(yīng)力電化學(xué)拋光的方法去除溝槽外的金屬層14后，金屬層14表面的平坦化依舊很好。
[0029]在一實(shí)施例中，為了避免下壓力在短時(shí)間內(nèi)的快速變化對(duì)硅襯底11造成損傷(下壓力從第一下壓力為1.8?2.3psi下降至第二下壓力為0.3?0.8psi)，在步驟S120之后，步驟S130之前，采用第三下壓力及第三轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速的化學(xué)機(jī)械研磨工藝研磨金屬層14，其中，第三下壓力小于第一下壓力且大于第二下壓力，第三轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速與第一轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速及第二轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速相同。第三下壓力設(shè)定為L(zhǎng) O?1.5psi,第三轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速同樣為70?150rpm,研磨時(shí)間為5秒，以緩沖下壓力的快速變化。
[0030]請(qǐng)參閱圖3，揭示了根據(jù)本發(fā)明的芯片平坦化方法的又一實(shí)施例。在本實(shí)施例中，該芯片平坦化方法包括如下步驟:
[0031]S210:提供一娃襯底11,娃襯底11上形成有金屬層14,金屬層14具有初始厚度，初始厚度為6000?10000埃；
[0032]S220:采用第一下壓力及第一轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速的化學(xué)機(jī)械研磨工藝將金屬層14從初始厚度研磨至第一目標(biāo)厚度。其中，第一下壓力設(shè)定為0.3?0.8psi,第一轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速設(shè)定為70?150rpm，第一目標(biāo)厚度為1800?3000埃；
[0033]S230:采用第二下壓力及第二轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速的化學(xué)機(jī)械研磨工藝將金屬層14從第一目標(biāo)厚度研磨至第二目標(biāo)厚度，其中，第二下壓力大于第一下壓力，第二轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速與第一轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速相同。第二下壓力設(shè)定為L(zhǎng) 8?2.3psi,第二轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速為70?150rpm,第二目標(biāo)厚度為1000?1500埃。
[0034]在步驟S220及步驟S230的研磨過(guò)程中，實(shí)時(shí)檢測(cè)研磨終點(diǎn)，如采用電渦流反饋系統(tǒng)實(shí)時(shí)檢測(cè)研磨終點(diǎn)，控制金屬層14的厚度在1000?1500埃。
[0035]在一實(shí)施例中，為了避免下壓力在短時(shí)間內(nèi)的快速變化對(duì)硅襯底11造成損傷(下壓力從第一下壓力為0.3?0.8psi提高至第二下壓力為1.8?2.3psi)，在步驟S220之后，步驟S230之前，采用第三下壓力及第三轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速的化學(xué)機(jī)械研磨工藝研磨金屬層14，其中，第三下壓力大于第一下壓力且小于第二下壓力，第三轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速與第一轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速及第二轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速相同。其中，第三下壓力設(shè)定為1.0?1.5psi,第三轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速同樣為70?150rpm,研磨時(shí)間為5秒，以緩沖下壓力的快速變化。
[0036]由上述可知，本發(fā)明芯片平坦化方法通過(guò)先采用大的下壓力高轉(zhuǎn)速研磨金屬層14，然后再采用小的下壓力相同的轉(zhuǎn)速研磨金屬層14，或者，先采用小的下壓力高轉(zhuǎn)速研磨金屬層14，然后再采用大的下壓力相同的轉(zhuǎn)速研磨金屬層14，既能夠提高硅襯底11表面全局平坦化，也能夠提高芯片表面平坦化，進(jìn)而提高半導(dǎo)體器件的良率。
[0037]綜上所述，本發(fā)明芯片平坦化方法通過(guò)上述實(shí)施方式及相關(guān)圖式說(shuō)明，已具體、詳實(shí)的揭露了相關(guān)技術(shù)，使本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以據(jù)以實(shí)施。而以上所述實(shí)施例只是用來(lái)說(shuō)明本發(fā)明，而不是用來(lái)限制本發(fā)明的，本發(fā)明的權(quán)利范圍，應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求來(lái)界定。
【權(quán)利要求】
1.一種芯片平坦化方法，其特征在于，包括如下步驟: 提供一硅襯底，硅襯底上形成有金屬層，該金屬層具有初始厚度； 采用第一下壓力及第一轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速的化學(xué)機(jī)械研磨工藝將金屬層從初始厚度研磨至第一目標(biāo)厚度；以及 采用第二下壓力及第二轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速的化學(xué)機(jī)械研磨工藝將金屬層從第一目標(biāo)厚度研磨至第二目標(biāo)厚度，其中，第二下壓力小于第一下壓力，第二轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速與第一轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片平坦化方法，其特征在于，所述第一下壓力為1.8?2.3psi。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片平坦化方法，其特征在于，所述第二下壓力為0.3?0.8psi0
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片平坦化方法，其特征在于，所述第一轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速及第二轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速為70?150rpm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片平坦化方法，其特征在于，還包括:在化學(xué)機(jī)械研磨過(guò)程中，實(shí)時(shí)檢測(cè)研磨終點(diǎn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的芯片平坦化方法，其特征在于，采用電渦流反饋系統(tǒng)實(shí)時(shí)檢測(cè)研磨終點(diǎn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片平坦化方法，其特征在于，在采用第一下壓力及第一轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速的化學(xué)機(jī)械研磨工藝將金屬層從初始厚度研磨至第一目標(biāo)厚度的步驟之后，且在采用第二下壓力及第二轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速的化學(xué)機(jī)械研磨工藝將金屬層從第一目標(biāo)厚度研磨至第二目標(biāo)厚度的步驟之前，還包括:采用第三下壓力及第三轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速的化學(xué)機(jī)械研磨工藝研磨金屬層，其中，第三下壓力小于第一下壓力且大于第二下壓力，第三轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速與第一轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速及第二轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的芯片平坦化方法，其特征在于，所述第三下壓力為1.0?1.5psi ο
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的芯片平坦化方法，其特征在于，采用第三下壓力及第三轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速的化學(xué)機(jī)械研磨工藝研磨金屬層的研磨時(shí)間為5秒。
10.一種芯片平坦化方法，其特征在于，包括如下步驟: 提供一硅襯底，硅襯底上形成有金屬層，該金屬層具有初始厚度； 采用第一下壓力及第一轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速的化學(xué)機(jī)械研磨工藝將金屬層從初始厚度研磨至第一目標(biāo)厚度；以及 采用第二下壓力及第二轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速的化學(xué)機(jī)械研磨工藝將金屬層從第一目標(biāo)厚度研磨至第二目標(biāo)厚度，其中，第二下壓力大于第一下壓力，第二轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速與第一轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速相同。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的芯片平坦化方法，其特征在于，所述第一下壓力為0.3?0.8psi ο
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的芯片平坦化方法，其特征在于，所述第二下壓力為1.8?2.3psi ο
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的芯片平坦化方法，其特征在于，所述第一轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速及第二轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速為70?150rpm。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的芯片平坦化方法，其特征在于，還包括:在化學(xué)機(jī)械研磨過(guò)程中，實(shí)時(shí)檢測(cè)研磨終點(diǎn)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的芯片平坦化方法，其特征在于，采用電渦流反饋系統(tǒng)實(shí)時(shí)檢測(cè)研磨終點(diǎn)。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的芯片平坦化方法，其特征在于，在采用第一下壓力及第一轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速的化學(xué)機(jī)械研磨工藝將金屬層從初始厚度研磨至第一目標(biāo)厚度的步驟之后，且在采用第二下壓力及第二轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速的化學(xué)機(jī)械研磨工藝將金屬層從第一目標(biāo)厚度研磨至第二目標(biāo)厚度的步驟之前，還包括:采用第三下壓力及第三轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速的化學(xué)機(jī)械研磨工藝研磨金屬層，其中，第三下壓力大于第一下壓力且小于第二下壓力，第三轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速與第一轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速及第二轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速相同。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的芯片平坦化方法，其特征在于，所述第三下壓力為1.0?1.5psi ο
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的芯片平坦化方法，其特征在于，采用第三下壓力及第三轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)速的化學(xué)機(jī)械研磨工藝研磨金屬層的研磨時(shí)間為5秒。
【文檔編號(hào)】H01L21/321GK104139331SQ201310167858
【公開(kāi)日】2014年11月12日 申請(qǐng)日期:2013年5月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月8日
【發(fā)明者】王堅(jiān), 楊貴璞, 王暉 申請(qǐng)人:盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司