本實(shí)用新型涉及一種化學(xué)機(jī)械研磨系統(tǒng)的基板裝載裝置及其控制方法，更為具體地涉及一種化學(xué)機(jī)械研磨系統(tǒng)的基板裝載裝置及其控制方法，所述化學(xué)機(jī)械研磨系統(tǒng)的基板裝載裝置能夠防止將用于投入化學(xué)機(jī)械研磨系統(tǒng)的基板在研磨頭裝載的過(guò)程中產(chǎn)生基板的變形及損傷。

背景技術(shù)：

化學(xué)機(jī)械式研磨(CMP)系統(tǒng)是促進(jìn)大面積平坦化、由用于電路形成的接觸/布線膜分離以及高集成元件化所致的晶元表面粗糙度提高等而使用于對(duì)晶元的表面進(jìn)行精密研磨加工的裝置，所述大面積平坦化對(duì)因在半導(dǎo)體元件制造過(guò)程中反復(fù)執(zhí)行掩蔽、蝕刻及布線等工藝時(shí)所生成的晶元表面的凹凸引起的單元(cell)區(qū)域和周邊電路區(qū)域間高度差進(jìn)行去除。

通常，如韓國(guó)登記專利公報(bào)第10-1188579號(hào)等公開(kāi)的一樣，CMP系統(tǒng)是將晶元裝載在研磨頭90之后，研磨頭移動(dòng)的同時(shí)在規(guī)定的研磨平板上對(duì)晶元的研磨面同時(shí)施行通過(guò)機(jī)械式摩擦的機(jī)械研磨和通過(guò)研磨液的化學(xué)研磨。

此時(shí)，如圖1所示，在化學(xué)機(jī)械研磨工藝中將用于朝底板92a對(duì)晶元W進(jìn)行下方加壓的膜92固定在本體部91，研磨頭90設(shè)置為在膜92和本體部91之間形成壓力室92C，并利用從壓力調(diào)節(jié)部95通過(guò)空氣壓力供給管95a所施加的空氣壓力而能夠?qū)г猈進(jìn)行下方加壓。并且，設(shè)置為在膜92的周圍設(shè)置有在化學(xué)機(jī)械研磨工藝中防止晶元W脫離的護(hù)環(huán)(retainer ring)93，根據(jù)護(hù)圈室(retainer chamber)93C的空氣壓力而能夠進(jìn)行下方加壓。

并且，如圖1及圖2所示，將晶元W裝載至研磨頭90的裝載裝置1包括：放置架 10，其放置晶元W；驅(qū)動(dòng)部MH，其使放置架10朝上下方向移動(dòng)。換句話說(shuō)，在將晶元W 放置在放置架10的中央?yún)^(qū)域的狀態(tài)下，將放置架10朝上方移動(dòng)規(guī)定的高度，則研磨頭 90靠近放置架10并將吸入壓施加至中央的貫通孔95x，由此晶元W緊貼至研磨頭90的膜底板92a形成裝載的狀態(tài)。此外，為了使被放置架10支撐的晶元W的接觸部位最小化，晶元W的底面中央部未放置在放置架10并且只有晶元W的底面邊緣位置區(qū)域放置在放置架10。

另外，在基板的裝載工藝中，晶元W可以在放置架10和研磨頭90之間得到加壓，但是由于放置架升降機(jī)(lift)的異?；蛘咂渌蚨鴮?duì)晶元W所作用的加壓力大于一定以上的情況下，存在由于加壓力而晶元W損傷或破損的問(wèn)題。

換句話說(shuō)，在晶元W裝載至研磨頭90的工藝中，在放置架10的移動(dòng)停止的狀態(tài)下研磨頭90接觸至放置在放置架10的上面的晶元W，由此研磨頭90的荷重施加至晶元W，從而存在晶元W損傷或破損的問(wèn)題。

尤其，研磨頭90的膜92以底板92a的中央部區(qū)域因自重而朝下部方向下垂的狀態(tài)移動(dòng)，底板92a的中央部區(qū)域朝下部方向下垂的膜92接觸至晶元W的上面，由此向晶元W(尤其，未放置在放置架的晶元的中央部區(qū)域)施加膜92的荷重所致的壓力P，從而存在晶元W產(chǎn)生翹曲或者變形(圖2的W')或晶元W破損的問(wèn)題。

此外，當(dāng)研磨頭90和放置架10的加壓力大于一定以上的情況下，存在根據(jù)加壓力而研磨頭90的膜92可能損傷的問(wèn)題。

另外，在所述化學(xué)機(jī)械研磨工藝進(jìn)行的研磨區(qū)域，通常，存在如下問(wèn)題：對(duì)于多個(gè)晶元同時(shí)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝，在裝載工藝中晶元損傷的情況下，在研磨區(qū)域?qū)ζ渌гM(jìn)行的研磨工藝也要中斷。

此外，在研磨區(qū)域完成化學(xué)機(jī)械研磨工藝之前中斷的情況下，存在如下問(wèn)題：不只是裝載時(shí)損傷的晶元而且正常進(jìn)行工藝中的其他晶元也要廢棄，并且由此費(fèi)用上升且收益率下降。

由此，最近可以防止基板及膜的損傷，并且可以提升化學(xué)機(jī)械研磨工藝的效率及收益率，雖然為了削減費(fèi)用的多種方案正在進(jìn)行，但是仍然存在不足而要求繼續(xù)開(kāi)發(fā)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種在進(jìn)行基板的裝載工藝時(shí)能夠防止基板損傷的化學(xué)機(jī)械研磨系統(tǒng)的基板裝載裝置及其控制方法。

特別是，本實(shí)用新型的目的在于使得基板以浮起狀態(tài)附著在研磨頭，由此能夠使得基板沒(méi)有損傷地并準(zhǔn)確地進(jìn)行裝載。

此外，本實(shí)用新型的目的在于防止在進(jìn)行基板的裝載工藝時(shí)由于施加于研磨頭的膜的加壓力而產(chǎn)生的膜的損傷。

此外，本實(shí)用新型的目的在于使基板沒(méi)有損傷地得到裝載，由此提升穩(wěn)定性及信賴性，并在裝載基板后能夠準(zhǔn)確地控制下一工藝。

此外，本實(shí)用新型的目的在于能夠提高工藝效率性及收率。

為了達(dá)到所述本實(shí)用新型的目的，根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，用于將基板裝載至研磨頭的化學(xué)機(jī)械研磨系統(tǒng)的基板裝載裝置包括：放置部，其放置基板；基板浮起部，其使基板從放置部浮起，基板在從放置部浮起的狀態(tài)下裝載至研磨頭。

這是為了防止在基板的裝載工藝中因基板在放置架和研磨頭之間得到加壓而產(chǎn)生的基板變形及損傷，并用于將基板穩(wěn)定地裝載至研磨頭。

換句話說(shuō)，本實(shí)用新型在研磨頭和放置部之間使基板不被加壓，并且在基板從放置部浮起于空中的狀態(tài)下裝載至研磨頭，由此可以帶來(lái)防止基板由于加壓而翹曲或者變形，并且具有使施加于基板的損傷最小化的有利效果。

更重要的是，在現(xiàn)有技術(shù)中在放置部的移動(dòng)處于停止的狀態(tài)下，根據(jù)研磨頭接觸于放置在放置部的上面的基板，研磨頭的荷重施加于基板而存在產(chǎn)生基板損傷或破損的問(wèn)題，但是本實(shí)用新型中，基板從放置部浮在空中的狀態(tài)下以真空方式附著于研磨頭，因此能夠獲得以下有利效果：從根本上防止研磨頭的荷重施加于基板，并能夠防止基板的損傷。

基板浮起部可以設(shè)置為能夠使基板從放置部浮起的多種結(jié)構(gòu)。例如，基板浮起部安裝于放置部，并設(shè)置為朝基板的底面噴射流體，并且基板通過(guò)從基板浮起部噴射出的流體的噴射力而從放置部的上面有間距地浮起。根據(jù)情況，基板浮起部能夠設(shè)置為利用磁力而使基板浮起的結(jié)構(gòu)。

更為具體地，基板浮起部可以包括：第一流體噴射部，其供給第一流體的；第二流體噴射部，其供給與第一流體不同的第二流體，并且能夠以第一流體和第二流體混合或者分離的狀態(tài)噴射于基板的底面。

此時(shí)，可從基板浮起部噴射的異種流體的種類及特性可以根據(jù)要求的條件及設(shè)計(jì)樣式而進(jìn)行多種變更。例如，第一流體可以是氣態(tài)流體和液態(tài)流體之中任何一個(gè)，第二流體可以是氣態(tài)流體和液態(tài)流體之中任何一個(gè)。優(yōu)選地，第一流體噴射部以高壓噴射氣態(tài)流體(第一流體)，第二流體噴射部通過(guò)噴射液態(tài)流體(第二流體)，由此得到提供使基板浮起的充分的浮起力的同時(shí)維持基板的濕式(Wet)狀態(tài)的有利效果。更優(yōu)選地，第一流體噴射部可以噴射氮(N₂)(例如，第一流體)，第二流體噴射部可以噴射純水 (DIW)(例如，第二流體)。

并且，組成基板浮起部的多個(gè)噴射噴嘴(第一流體噴射部及第二流體噴射部)可以配置為可以使基板浮起的多種排列。例如，將多個(gè)噴射噴嘴配置為沿著放置部的圓周方向或者半徑方向而等間距地間隔并進(jìn)行排列，由此能夠得到用于使基板浮起的浮起力均等地形成于基板整體的有利效果。根據(jù)情況，能夠使得組成基板浮起部的多個(gè)噴射噴嘴配置為不規(guī)則的排列。

另外，根據(jù)本實(shí)用新型的其他領(lǐng)域，用于將基板裝載于研磨頭的化學(xué)機(jī)械研磨系統(tǒng)的基板裝載裝置的控制方法，包括：將基板放置于放置部的基板放置步驟；使基板從放置部浮起的基板浮起步驟；將從放置部浮起的基板裝載于研磨頭的裝載步驟。

如上所述，本實(shí)用新型使基板在研磨頭和放置部之間不受加壓，并且在基板從放置部浮在空中的狀態(tài)下裝載于研磨頭，由此能夠得到防止基板由于加壓而產(chǎn)生翹曲或變形并且使施加于基板的損傷最小化的有利效果。

更重要的是，現(xiàn)有技術(shù)中在放置部停止移動(dòng)的狀態(tài)下，隨著研磨頭接觸于放置在放置部上面的基板，研磨頭的荷重施加于基板，從而產(chǎn)生基板損傷或破損的問(wèn)題，但是本實(shí)用新型中在使得基板從放置部浮在空中的狀態(tài)下以真空方式附著于研磨頭，因此能夠得到從根本上防止研磨頭的荷重施加于基板，從而防止基板損傷的有利效果。

并且，在基板浮起步驟中可以朝基板的底面噴射流體而使基板浮起。優(yōu)選地，通過(guò)在基板浮起步驟中朝基板的底面噴射各不相同的異種(heterogeneity)流體，特別是，通過(guò)朝基板的底面同時(shí)噴射氣態(tài)流體和液態(tài)流體，從而得到提供使基板浮起的充分的浮起力的同時(shí)維持基板濕式(Wet)狀態(tài)的有利效果。

本說(shuō)明書(shū)及權(quán)利要求書(shū)中記載的‘浮起’或者與此類似的術(shù)語(yǔ)定義為基板從放置部的上面間隔一定距離地浮在空中的狀態(tài)。

本說(shuō)明書(shū)及權(quán)利要求書(shū)中記載的‘流體’或者與此類似的術(shù)語(yǔ)定義為包括氣態(tài)流體和液態(tài)流體之中至少任何一種。

如上所述，根據(jù)本實(shí)用新型，在基板的裝載工藝時(shí)可以防止基板的損傷。

特別是，根據(jù)本實(shí)用新型，使得基板在研磨頭和放置部之間不受加壓，并且使得基板在從放置部浮在空中的狀態(tài)下裝載于研磨頭，由此能夠得到防止基板由于加壓而翹曲或變形并使施加于基板的損傷最小化的有利效果。

更重要的是，現(xiàn)有技術(shù)中在放置部停止移動(dòng)的狀態(tài)下，隨著研磨頭接觸于放置在放置部上面的基板，研磨頭的荷重施加于基板，從而產(chǎn)生基板損傷或破損的問(wèn)題，但是本實(shí)用新型中使得基板在從放置部浮在空中的狀態(tài)下以真空方式附著于研磨頭，因此能夠得到從根本上防止研磨頭的荷重施加于基板，從而防止基板損傷的有利效果。

此外，根據(jù)本實(shí)用新型，通過(guò)朝基板的底面同時(shí)噴射氣態(tài)流體和液態(tài)流體，從而得到提供使基板浮起的充分的浮起力的同時(shí)維持基板濕式(Wet)狀態(tài)的有利效果。

此外，根據(jù)本實(shí)用新型，不僅可以在基板的裝載工藝時(shí)防止基板的損傷，并且還可以得到防止由于研磨頭施加于膜的沖擊而產(chǎn)生膜的損傷的效果。

此外，根據(jù)本實(shí)用新型，可以提升穩(wěn)定性及信賴性，并且可以得到提升工藝效率性及收率的效果。

附圖說(shuō)明

圖1是示出現(xiàn)有晶元裝載裝置的構(gòu)成的圖，

圖2是示出圖1的研磨頭靠近晶元的狀態(tài)的圖，

圖3是用于說(shuō)明根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的化學(xué)機(jī)械研磨系統(tǒng)的基板裝載裝置的圖，

圖4是用于說(shuō)明通過(guò)圖3的基板浮起部的基板的浮揚(yáng)狀態(tài)的圖，

圖5是用于說(shuō)明基板裝載于圖3的研磨頭的狀態(tài)的圖，

圖6及圖7是用于說(shuō)明圖3的基板浮起部的配置結(jié)構(gòu)的圖，

圖8是用于說(shuō)明根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例的化學(xué)機(jī)械研磨系統(tǒng)的基板裝載裝置的圖，

圖9是用于說(shuō)明根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的化學(xué)機(jī)械研磨系統(tǒng)的基板裝載裝置的控制方法的框圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，但是本實(shí)用新型并非受實(shí)施例的限制或限定。作為參考，本實(shí)用新型中相同的標(biāo)號(hào)實(shí)質(zhì)上指代相同的要素，并且在所述規(guī)則下，可引用其他附圖中所記載的內(nèi)容來(lái)說(shuō)明，并且可省略對(duì)于從業(yè)者不言而喻的內(nèi)容或反復(fù)出現(xiàn)的內(nèi)容。

圖3是用于說(shuō)明根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的化學(xué)機(jī)械研磨系統(tǒng)的基板裝載裝置的圖，圖4是用于說(shuō)明通過(guò)圖3的基板浮起部的基板的浮揚(yáng)狀態(tài)的圖，圖5是用于說(shuō)明基板裝載于圖3的研磨頭的狀態(tài)的圖。此外，圖6及圖7是用于說(shuō)明圖3的基板浮起部的配置結(jié)構(gòu)的圖。

參照?qǐng)D3至圖7，根據(jù)本實(shí)用新型的用于將基板10裝載于研磨頭100的化學(xué)機(jī)械研磨系統(tǒng)的基板裝載裝置200包括：放置部210，其放置基板10；基板浮起部300，其使基板從放置部210浮起，并且基板在從放置部210浮起的狀態(tài)下裝載于研磨頭。

研磨頭100從基板裝載裝置200接收基板10的裝載后，在使得研磨液供給至研磨平板上所設(shè)置的研磨墊上面的狀態(tài)下加壓基板10從而進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨工藝，在利用研磨墊及研磨液的化學(xué)機(jī)械研磨工藝結(jié)束后，可以通過(guò)清洗裝置移送基板10。

作為參考，本實(shí)用新型中的基板10可以理解為在研磨墊上能夠被研磨的研磨對(duì)象物，并且本實(shí)用新型并非根據(jù)基板10的種類及特性受到限制或者局限。例如，晶元可以用作基板10。

研磨頭100包括：本體部191，其以能夠旋轉(zhuǎn)的形式設(shè)置；膜192，其設(shè)置于本體部 191的底面；及護(hù)環(huán)193，其以配置于膜192的周圍的形式結(jié)合于本體部191的邊緣部，并防止基板10的脫離。根據(jù)情況，研磨頭可以設(shè)置為其他不一樣的結(jié)構(gòu)，本實(shí)用新型并非受研磨頭的結(jié)構(gòu)而限制或局限。

膜192中可以形成多個(gè)活板(flip)(例如，環(huán)形的活板)，根據(jù)多個(gè)活板而在本體部191和膜192之間可以設(shè)置沿著本體部192的半徑方向劃分的多個(gè)壓力室192C。

在此，在各個(gè)壓力室192C可以設(shè)置用于測(cè)量各個(gè)壓力的壓力傳感器。各個(gè)壓力室 192C的壓力可以根據(jù)壓力控制部195的控制而分別進(jìn)行調(diào)節(jié)，調(diào)節(jié)各個(gè)壓力室192C的壓力從而可以分別調(diào)節(jié)加壓于基板10的壓力。

并且，在研磨頭100的中心部可以形成有被膜192的開(kāi)口所貫通形成的中心部壓力室195X。中心部壓力室195X與基板10直接連通并作用有吸入壓而使基板10緊貼于研磨頭100的膜192，由此可以進(jìn)行基板10裝載。

并且，研磨頭100以通過(guò)研磨頭移送部180而上下移動(dòng)的形式構(gòu)成。作為研磨頭移送部180可以使用通過(guò)馬達(dá)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的導(dǎo)螺桿或者線形驅(qū)動(dòng)手桿，本實(shí)用新型并非根據(jù)研磨頭移送部180的種類及結(jié)構(gòu)而限制或局限。

放置部210設(shè)置為能夠沿著上下方向而進(jìn)行升降，在放置部210的上面放置用于裝載的基板10。

放置部210可以設(shè)置為能夠放置基板10的多種結(jié)構(gòu)。例如，放置部210可以包括：放置板220，其以距離基板10的底面分離地進(jìn)行配置；邊緣位置放置部230，其形成于放置板220的上面且支撐基板10的底面邊緣位置。

放置板220可以設(shè)置為上面為平坦的形態(tài)，邊緣位置放置部230設(shè)置于放置板220 的邊緣位置且在比放置板220的上面高的高度設(shè)置放置基板10的底面邊緣位置的放置面。

并且，邊緣位置放置部230可以沿著放置板220的圓周方向形成環(huán)形，但是根據(jù)情況，邊緣位置放置部也能夠沿著放置板的圓周方向有間距地設(shè)置多個(gè)。

如此，基板10通過(guò)邊緣位置放置部230僅部分支撐邊緣位置區(qū)域，因此使放置部 210和基板10的接觸面積最小化，并使放置部210和基板10之間殘留的灰塵、清洗液、化學(xué)制劑等異物最小化，由此隨著放置部210和基板10的接觸面積增加而可以使基板 10的損傷最小化。

并且，放置板220可以根據(jù)連接于其底面的升降軸212朝上下方向進(jìn)行升降，升降軸212可以通過(guò)如馬達(dá)一樣的驅(qū)動(dòng)部(MH)240得到升降。作為參考，放置板220的升降結(jié)構(gòu)可以根據(jù)要求的條件及設(shè)計(jì)樣式而進(jìn)行多種變更，本實(shí)用新型并非因放置板220 的升降結(jié)構(gòu)而限制或局限。此外，護(hù)環(huán)193接觸的接觸部能夠設(shè)置為一體形成于邊緣位置接觸部或設(shè)置為分離的形態(tài)。

基板浮起部300是為使基板10從放置部210浮起而設(shè)置。

在此，基板從放置部210浮起，定義為基板10從放置部210的上面有間距地浮在空中的狀態(tài)。

基板浮起部300可以設(shè)置為使基板10浮起的多種結(jié)構(gòu)。例如，基板浮起部300安裝于放置部210，并設(shè)置為朝基板10的底面噴射流體，基板根據(jù)從基板浮起部300噴射出的流體的噴射力而從放置部210的上面有間距地浮起。根據(jù)情況，能夠設(shè)置為基板浮起部利用磁力使基板浮起。

基板浮起部300根據(jù)要求的條件及設(shè)計(jì)樣式可以設(shè)置為噴射多種流體使基板浮起。例如，基板浮起部300可以將互不相同的異種(heterogeneity)流體噴射于基板10的底面從而使基板浮起。

更具體地，基板浮起部300可以包括：第一流體噴射部310，其供給第一流體；第二流體噴射部320，其供給與第一流體不同的第二流體，并且可以以第一流體和第二流體混合或分離的狀態(tài)通過(guò)類似于常規(guī)的噴嘴一樣的噴射工具噴射于基板10的底面。以下，對(duì)于使得第一流體和第二流體以相互分離的狀態(tài)從第一流體噴射部310和第二流體噴射部320噴射于基板10的底面的例子進(jìn)行說(shuō)明。根據(jù)情況，從第一流體噴射部和第二流體噴射部供給的第一流體和第二流體能夠從一個(gè)混合流路以混合的狀態(tài)進(jìn)行噴射。

能夠從基板浮起部300噴射的異種流體的種類及特性可以根據(jù)要求的條件及設(shè)計(jì)樣式進(jìn)行多種變更。例如，第一流體可以是氣態(tài)流體和液態(tài)流體之中任何一個(gè)，第二流體可以是氣態(tài)流體和液態(tài)流體之中任何一個(gè)。

優(yōu)選地，可以設(shè)置為第一流體噴射部310以高壓噴射氣態(tài)流體(第一流體)，第二流體噴射部320噴射液態(tài)流體(第二流體)。如上所述，通過(guò)同時(shí)噴射高壓的氣態(tài)流體和液態(tài)流體，可以得到提供使基板10浮起的充分的浮起力F的同時(shí)維持基板10濕式 (Wet)狀態(tài)W的有利效果。更優(yōu)選地，通過(guò)第一流體噴射部310噴射氮(N₂)(例如，第一流體)，第二流體噴射部320噴射純水(DIW)(例如，第二流體)，可以得到維持基板10濕式狀態(tài)的同時(shí)使基板從放置部210充分浮起的有利效果。根據(jù)情況，基板浮起部能夠設(shè)置為噴射兩種氣態(tài)流體或者噴射兩種液態(tài)流體。

參照?qǐng)D6及圖7，組成基板浮起部300的多個(gè)噴射噴嘴(nozzle)(第一流體噴射部310及第二流體噴射部320)可以配置為能夠使基板10浮起的多種排列。

例如，參照?qǐng)D7，組成基板浮起部300的多個(gè)噴射噴嘴(第一流體噴射部310及第二流體噴射部320)可以以沿放置部210的圓周方向等間距地間隔的形式進(jìn)行配置。例如，參照?qǐng)D8，組成基板浮起部300的多個(gè)噴射噴嘴(第一流體噴射部310及第二流體噴射部320)可以以沿放置部210的半徑方向等間距地間隔的形式進(jìn)行配置。如上所述，通過(guò)將組成基板浮起部300的多個(gè)噴射噴嘴沿放置部210的圓周方向或半徑方向有規(guī)律地間隔配置，可以得到用于使得基板10浮起的浮起力均等地形成于基板10整體的有利效果。根據(jù)情況，組成基板浮起部的多個(gè)噴射噴嘴也能夠以不規(guī)則地形式進(jìn)行配置。

并且，本實(shí)用新型的實(shí)施例中雖然以從噴射噴嘴使得流體以點(diǎn)(spot)方式噴射為例進(jìn)行說(shuō)明，但是也能夠?qū)娚鋰娮斓膰娮祛^(nozzle tip)形成為狹縫形態(tài)或者環(huán)形并設(shè)置為以面噴射方式噴射流體。

根據(jù)所述結(jié)構(gòu)，在基板10放置于放置部210的上面的狀態(tài)下(參照?qǐng)D3)，如圖4 所示，通過(guò)從基板浮起部300噴射異種流體(例如，氮及純水)，通過(guò)異種流體(例如，氮及純水)而基板10可以有間距地浮起于放置部210的上面。

其后，如圖5所示，基板10在有間距地浮起于放置部210的上面的狀態(tài)下，可以裝載(附著)于研磨頭100。優(yōu)選地，研磨頭100以預(yù)先設(shè)定的間距鄰近地設(shè)置于基板10，則通過(guò)使浮起的基板10真空附著于研磨頭100，能夠得到使施加于基板10的過(guò)度的加壓力或沖擊最小化，并且防止因加壓力或沖擊所致的基板10損傷及破損的有利效果。

如上所述，本實(shí)用新型在研磨頭100和放置部210之間未直接加壓基板10，在基板 10浮在空中的狀態(tài)下裝載于研磨頭100，由此可以得到防止基板10由于加壓產(chǎn)生的翹曲或變形，并且使施加于基板10的損傷最小化的有利效果。

另外，圖8是用于說(shuō)明根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例的化學(xué)機(jī)械研磨系統(tǒng)的基板裝載裝置的圖。并且，對(duì)于與上述的結(jié)構(gòu)相同且相當(dāng)于相同的部分利用相同或相當(dāng)于相同的參考標(biāo)號(hào)，并省略對(duì)其的詳細(xì)說(shuō)明。

參照?qǐng)D8，根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例，放置部210可以僅包括放置基板10并且朝上下方向升降的放置板220'，基板的底面可以整體接觸于放置板220'的上面。

并且，在放置板220'的上面可以安裝噴射流體的基板浮起部300，放置于放置板220' 的基板10可以隨著從基板浮起部300噴射流體而浮起。

此外，圖9是用于說(shuō)明根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的化學(xué)機(jī)械研磨系統(tǒng)的基板裝載裝置的控制方法的框圖。并且，對(duì)于與上述的結(jié)構(gòu)相同且相當(dāng)于相同的部分利用相同或相當(dāng)于相同的參考標(biāo)號(hào)，并省略對(duì)其的詳細(xì)說(shuō)明。

參照?qǐng)D9，根據(jù)本實(shí)用新型的不同領(lǐng)域，用于將基板裝載于研磨頭的化學(xué)機(jī)械研磨系統(tǒng)的基板裝載裝置的控制方法，包括：將基板10放置于放置部210的基板放置步驟 (S10)；使基板10從放置部210浮起的基板浮起步驟(S20)；將從放置部210浮起的基板10裝載于研磨頭100的裝載步驟(S30)。

步驟1：

首先，將基板10放置于放置部210的上面。(S10)

在基板放置步驟(S10)中，基板10通過(guò)常規(guī)的機(jī)械臂等向放置部210的上面進(jìn)行供給并配置。

例如，放置部210可以包括：放置板220，其從基板10的底面有間距地得到配置；邊緣位置放置部230，其形成于放置板220的上面且支撐基板10的底面邊緣位置，并且基板10可以配置于邊緣位置放置部230的上面。所述可以得到使邊緣位置放置部230 和基板10的接觸面積最小化且根據(jù)接觸面積增加而防止基板10損傷的效果。

并且，基板10放置于放置部210之后，放置部210可以以已設(shè)定的規(guī)定高度進(jìn)行上向移動(dòng)。

步驟2：

其次，使基板從放置部210浮起。(S20)

在基板浮起步驟(S20)根據(jù)要求的條件能夠以多種方式使基板10從放置部210浮起。例如，在基板浮起步驟(S20)中朝基板10的底面噴射流體，通過(guò)朝基板10的底面噴射的流體的噴射力而基板10可以從放置部210的上面有間距地浮起。

例如，在基板浮起步驟(S20)中可以將互不相同的異種(heterogeneity)流體噴射于基板10的底面從而使基板10浮起。

優(yōu)選地，在基板浮起步驟(S20)中可以設(shè)置為以高壓噴射氣態(tài)流體(第一流體)的同時(shí)噴射液態(tài)流體(第二流體)。如此，通過(guò)同時(shí)噴射高壓的氣態(tài)流體和液態(tài)流體，可以得到提供使基板10浮起的充分的浮起力(F)的同時(shí)維持基板10濕式(Wet)狀態(tài)(W) 的有利效果。更優(yōu)選地，通過(guò)第一流體噴射部310噴射氮(N₂)(例如，第一流體)，第二流體噴射部320噴射純水(DIW)(例如，第二流體)，可以得到使基板10維持濕式狀態(tài)的同時(shí)從放置部210充分地浮起的效果。根據(jù)情況，基板浮起部能夠設(shè)置為僅噴射相互不同種類的氣態(tài)流體，或者也能夠設(shè)置為僅噴射相互不同種類的液態(tài)流體。

作為參考，在基板浮起步驟(S20)中噴射于基板10的異種流體能夠以混合的狀態(tài)進(jìn)行噴射，或者能夠以分別分離的狀態(tài)進(jìn)行噴射。

步驟3：

其次，將從放置部210浮起的基板10裝載于研磨頭100。(S30)

在裝載步驟(S30)中基板10可以在有間距地浮起于放置部210的上面的狀態(tài)下，裝載(附著)于研磨頭。

優(yōu)選地，裝載步驟(S30)中，如果研磨頭100以預(yù)先設(shè)定的間距鄰近地配置于基板 10，則通過(guò)使得浮起的基板10以真空方式附著于研磨頭100，可以得到使施加于基板 10的過(guò)度的加壓力或者沖擊最小化，并且防止由于加壓力或沖擊而發(fā)生基板10損傷及破損的有利效果。

如上所述，雖然參照本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，但是可理解為，如果是相應(yīng)技術(shù)領(lǐng)域的熟練的從業(yè)者，在不超過(guò)記載于下述的專利權(quán)利要求的本實(shí)用新型的思想及領(lǐng)域的范圍內(nèi)可對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行多種修改及變更。

標(biāo)號(hào)說(shuō)明

10：基板 100：研磨頭

192：膜 193：護(hù)環(huán)

200：基板裝載裝置 210：放置部

220：放置板 230：邊緣位置放置部

240：驅(qū)動(dòng)部 300：基板浮起部

310：第一流體噴射部 320：第二流體噴射部