專利名稱：布圖傳導(dǎo)層的方法和器件及其生產(chǎn)的部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體涉一種有機(jī)器件產(chǎn)品，更具體而言涉及在所述有機(jī)器件中使用的傳導(dǎo)層的布圖，其中有機(jī)器件例如有機(jī)發(fā)光器件(OLED )、有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFET )或有機(jī)光電池。
背景技術(shù)：
有機(jī)器件技術(shù)的飛速發(fā)展增加了快速和廉價(jià)但是可靠的沉積所需層的方法的需求，以及對(duì)所述層布圖的需求，尤其是傳導(dǎo)層的布圖。需要大面積生產(chǎn)的方法。聚合體基底的卷繞式處理是一種有前途的方法。對(duì)于大多數(shù)應(yīng)用來(lái)說(shuō)，由于有機(jī)半導(dǎo)體和導(dǎo)體材料相對(duì)于氧和水的低穩(wěn)定性，因此要求基底具有良好的屏蔽性質(zhì)。因此在有機(jī)器件的傳導(dǎo)層沉積之前，通常在聚合物基底上沉積屏蔽涂料。為了保持這些屏蔽性能，布圖過(guò)程必須采用適當(dāng)?shù)姆绞竭M(jìn)行。特別地必須避免基底持久變形。直到現(xiàn)在仍然缺少一種具有上述所有要點(diǎn)的布圖方法。本領(lǐng)域現(xiàn)狀
一些技術(shù)可以應(yīng)用于有機(jī)器件的多個(gè)層或疊層的布圖。金屬或透明導(dǎo)體氧化物層的蝕刻是其中之一。首先，在需要布圖的層上沉積保護(hù)層，即所謂的抗蝕涂層。隨后在抗腐蝕層上生成需要的圖案，例如通過(guò)影印石版，然后進(jìn)行顯影步驟。圖案可以通過(guò)濕法或干法蝕刻步驟在需要布圖的層中轉(zhuǎn)印，這去除了沒(méi)有保護(hù)的面積。蝕刻步驟后剩余的抗腐蝕層必須被去除。該項(xiàng)技術(shù)的一大優(yōu)點(diǎn)是該方法的高分辨率(深至65nm)。另一方面該方法的多個(gè)步驟使得其非常緩慢并且成本非常高。另外蝕刻化學(xué)或干法蝕刻過(guò)程的等離子體危害到多種有機(jī)材料以及聚合物基底和基底上的屏蔽涂料。因此該技術(shù)并不能很好的適合卷繞式生產(chǎn)。印刷工藝能夠生產(chǎn)布圖的聚合物層。甚至傳導(dǎo)聚合物例如PEDOT =PSS都可以在卷繞式方法中高速印制，例如通過(guò)照相凹版印刷。含有傳導(dǎo)顆粒例如氧化錫銦(ITO)或納米金屬顆粒的混合物也可以被印制。印刷方法的缺陷在于印刷過(guò)程的分辨率的限制。尤其是在布圖的邊沿具有良好界定厚度的大約IOOnm的布圖層就非常難以實(shí)現(xiàn)。而且印刷的傳導(dǎo)層的傳導(dǎo)性能與真空沉積的層相比仍然非常低。而層的布圖的另一方法是基于激光輻射。通過(guò)選擇合適的波長(zhǎng)和能量，可以從基底上部分去除金屬或透明傳導(dǎo)氧化物(TCO)層。由于向?qū)踊虔B層和/或基底中導(dǎo)入熱量，該方法改變或破壞和層或基底。而且該技術(shù)直到現(xiàn)在還沒(méi)有足夠穩(wěn)定地應(yīng)用在卷繞式方法中，并且其投資，因而成本非常高。通過(guò)陰蔽進(jìn)行布圖沉積是一項(xiàng)快速且經(jīng)濟(jì)的技術(shù)。其可以用在真空沉積技術(shù)中，例如蒸發(fā)中或甚至在卷繞式涂布機(jī)中的陰極真空噴鍍中。該技術(shù)的缺陷是其大于200 μ m的分辨率。在以下申請(qǐng)中描述了基于沖切等技術(shù)的層的布圖方法。專利申請(qǐng)WOOI/60589AI描述了一種聚合物承載的材料的微結(jié)構(gòu)化，其中所述材料適合用作例如偏光器、半透過(guò)反射板、微電極芯片、或液晶陣列層。通過(guò)將具有需要結(jié)構(gòu)的母片壓入聚合物載體上將該材料層微結(jié)構(gòu)化。母片結(jié)構(gòu)的深度通常超過(guò)單層或多層的厚度，并且母片足夠硬和能夠穿過(guò)層切入聚合物基底內(nèi)。該方法很好地適合于所提到的應(yīng)用，但是因?yàn)榛椎淖冃?，不適合用于在有機(jī)器件中使用的傳導(dǎo)層的布圖。在專利申請(qǐng)US2005/0071969A1中，描述了一種聚合物器件的固態(tài)壓紋方法。該方法包括通過(guò)溶解過(guò)程沉積導(dǎo)體、半導(dǎo)體和/或絕緣聚合物和直接印刷以及在多層結(jié)構(gòu)中壓紋細(xì)微紋溝。該專利申請(qǐng)集中在復(fù)雜有機(jī)多層器件的壓紋，例如垂直聚合物薄膜晶體管(TFT)0該描述的方法并沒(méi)有解決通過(guò)切入單層或多層破壞基底的問(wèn)題。而且沒(méi)有解決由于在壓紋步驟中原料流動(dòng)導(dǎo)致破壞基底和/或沉積的傳導(dǎo)層的問(wèn)題。專利申請(qǐng)US2002/0094594A1公開(kāi)了一種采用印模布圖有機(jī)薄膜器件的方法。該方法包括使用第一有機(jī)層涂覆基底，然后涂覆電極層。隨后在電極層上沖壓布圖印模。制備該印模使得于與印模接觸的電極層部分粘結(jié)到所述印模上并因此與印模一起除去。該專利應(yīng)用的缺點(diǎn)在于在印模可以再利用之前，其必須在另一附加步驟中清潔。這延遲了處理的速度并增加了費(fèi)用。對(duì)于卷繞式應(yīng)用，該附加清潔步驟是不利的。而且第一有機(jī)層與電極層之間的附著力必須小于印模和電極層之間的附著力。這種釋放功能顯然降低了層結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性并限制了可能的材料組合。在專利申請(qǐng)W02004/111729A1中，描述了生產(chǎn)電子薄膜元件的方法和器件。該方法包括以下步驟。傳導(dǎo)層直接在電介質(zhì)基底上形成。通過(guò)在傳導(dǎo)層上施加基于沖切的機(jī)械操作，以形成多個(gè)電流隔離的傳導(dǎo)區(qū)域，其中機(jī)件的退切導(dǎo)致基底的永久變形。隨后在該布圖的電極層的頂部上通過(guò)沉積需要的層，可以形成需要的電子薄膜元件。由于基底的永久變形，臨界應(yīng)力在布圖過(guò)程中被引入到傳導(dǎo)層中。而且基底的阻隔性能將會(huì)減弱。在專利申請(qǐng)W02005/006462中公開(kāi)了一種通過(guò)在規(guī)定的溫度和規(guī)定的壓力下在有機(jī)層中積壓壓紋工具來(lái)構(gòu)造有機(jī)電路層的方法。該結(jié)構(gòu)采用有機(jī)層永久保持該結(jié)構(gòu)的方式制備。該專利申請(qǐng)的主要目的是提供一種節(jié)省時(shí)間的方法，以在導(dǎo)體或半導(dǎo)體有機(jī)層之間形成絕緣的有機(jī)層，從而得到隔層連接。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是至少排除一些本領(lǐng)域現(xiàn)狀具有的缺點(diǎn)。本發(fā)明提供了 一種有機(jī)器件的層的布圖方法。還提供了具有根據(jù)如附加的獨(dú)立權(quán)利要求中定義的方法布圖的層的有機(jī)器件。優(yōu)選的，本發(fā)明的有利或可選的特征在從屬權(quán)利要求中列出。在第一方面中，本發(fā)明提供了一種布圖傳導(dǎo)層或包含至少一個(gè)傳導(dǎo)層的疊層的方法，其中在層或疊層與基底之間具有一層可壓縮的間隔層或包括至少一個(gè)可壓縮層的間隔置層。在第二方面中，本發(fā)明提供了具有至少一個(gè)根據(jù)權(quán)利要求的方法布圖的傳導(dǎo)層的有機(jī)器件。
本發(fā)明包括以下實(shí)施方案:
1、一種用于布圖傳導(dǎo)層或包括至少一個(gè)傳導(dǎo)層的傳導(dǎo)疊層的方法，包括以下步驟:
在基底上形成可壓縮層、或包括至少一層可壓縮層的可壓縮疊層；和 在可壓縮層或疊層上形成傳導(dǎo)層或疊層；
以形成涂覆的基底；以及
將涂覆的基底和壓紋工具接觸，使得在傳導(dǎo)層或疊層中形成預(yù)定的布圖，其中在壓紋的區(qū)域可壓縮層或疊層被壓縮并且傳導(dǎo)層或疊層裝埋入可壓縮層或疊層。2、根據(jù)實(shí)施方案I的方法，其中壓紋區(qū)域中的傳導(dǎo)層與相鄰未壓紋區(qū)域中的傳導(dǎo)層相分離。3、根據(jù)實(shí)施方案I或2的方法，其中可壓縮層或疊層比涂覆基底中的其它層更容易壓縮。4、根據(jù)前述任一實(shí)施方案的方法，其中可壓縮層或疊層包括低密度聚合物，優(yōu)選密度低于1.0g.CnT3。5、根據(jù)前述任一實(shí)施方案的方法，其中可壓縮層或疊層包括多孔材料。6、根據(jù)前述任一實(shí)施方案的方法，其中在形成傳導(dǎo)層或疊層之前，在可壓縮層或疊層上形成平滑層。7、根據(jù)前述任一實(shí)施方案的方法,其中可壓縮層或疊層的厚度為200nm-50ym。8、根據(jù)前述任一實(shí)施方案的方法，其中可壓縮層或疊層的厚度為I μ m-20 μ m。9、根據(jù)前述任一實(shí)施方案的方法，其中壓紋傳導(dǎo)層或疊層的殘余物或邊沿基本沒(méi)有粘結(jié)或粘附到可壓縮層或疊層的相鄰壁上。10、根據(jù)前述任一實(shí)施方案的方法,其中傳導(dǎo)層或疊層包括金屬。11、根據(jù)前述任一實(shí)施方案的方法，其中傳導(dǎo)層或疊層包括有機(jī)導(dǎo)體。12、根據(jù)前述任一實(shí)施方案的方法,其中傳導(dǎo)層或疊層包括無(wú)機(jī)導(dǎo)體。13、根據(jù)前述任一實(shí)施方案的方法，其中壓紋工具的布圖部分的高度小于25 μ m，優(yōu)選小于9 μ m。14、根據(jù)前述任一實(shí)施方案的方法，其中在步進(jìn)式機(jī)器中或在卷繞式機(jī)器中進(jìn)行壓紋步驟。15、根據(jù)前述任一實(shí)施方案的方法，其中在升高的溫度下進(jìn)行壓紋步驟。16、根據(jù)前述任一實(shí)施方案的方法，進(jìn)一步包括在壓紋后進(jìn)行處理的步驟，例如蝕亥IJ、涂覆或等離子體處理。17、根據(jù)前述任一實(shí)施方案的方法，進(jìn)一步包括在導(dǎo)體層或疊層的壓紋面積沉積傳導(dǎo)材料的步驟，例如制備晶體管。18、根據(jù)前述任一實(shí)施方案的方法，進(jìn)一步包括在傳導(dǎo)層或疊層的壓紋區(qū)沉積有機(jī)層的步驟，例如制備有機(jī)光發(fā)射二極管(0LED)。19、根據(jù)前述任一實(shí)施方案的方法，進(jìn)一步包括在傳導(dǎo)層或疊層的壓紋區(qū)沉積多層的步驟，例如制備太陽(yáng)能電池、光敏二極管或其它光電器件。20、一種布圖傳導(dǎo)層或包括至少一層傳導(dǎo)層的疊層的方法，所述方法包括以下步驟:
在基底上涂覆可壓縮間隔層、或包括至少一層可壓縮層的間隔疊層； 在間隔層或間隔疊層上形成傳導(dǎo)層或包括至少一層傳導(dǎo)層的疊層；
將涂覆的基底和壓紋工具接觸，使得在傳導(dǎo)層或疊層中形成需要的布圖，而在壓紋區(qū)間隔層或間隔疊層被壓縮，傳導(dǎo)層或包括至少一層傳導(dǎo)層的疊層裝埋入間隔層或間隔疊層中。21、一種使用前述任一實(shí)施方案限定的方法制備的器件。22、一種使用如實(shí)施方案1-20任一限定的方法制備的有機(jī)器件、晶體管、光發(fā)射器件或光電器件。23、包括在可壓縮層或疊層上形成傳導(dǎo)層或疊層的器件，其中至少傳導(dǎo)層的一部分面積裝埋入可壓縮層或疊層的可壓縮區(qū)。24、包括在可壓縮層或疊層上形成的傳導(dǎo)層或疊層的有機(jī)器件、晶體管、光發(fā)射器件或光電器件，其中至少傳導(dǎo)層的一部分區(qū)域裝埋入可壓縮層或疊層的可壓縮區(qū)。25、在如實(shí)施方案1-20任一限定的方法中使用的壓紋工具。26、一種生產(chǎn)器件的方法,基本上如在此結(jié)合附圖描述的。27、一種器件,例如有機(jī)器件、晶體管、光發(fā)射器件或光電器件,基本上如在此結(jié)合附圖描述的。28、一種壓紋工具，基本上結(jié)合附圖如本文所描述。本發(fā)明的實(shí)施方案在下文中結(jié)合以下示意性附圖描述；
附

圖1顯示了體現(xiàn)本發(fā)明的第一布圖方法的示意 附圖2顯示了體現(xiàn)本發(fā)明的第二布圖方法的示意 附圖3顯示了體現(xiàn)本發(fā)明的第三布圖方法的示意 附圖4顯示了壓紋式樣的顯微 附圖5顯示了體現(xiàn)本發(fā)明的另一布圖方法的示意 附圖6顯示了通過(guò)體現(xiàn)本發(fā)明的方法制備的OLED器件；和 附圖7顯示了通過(guò)體現(xiàn)本發(fā)明的方法制備的晶體管。有機(jī)器件例如有機(jī)發(fā)光器件(OLED)、有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFET)或有機(jī)光電池，在層結(jié)構(gòu)中具有一個(gè)或多個(gè)傳導(dǎo)層。例如OLED的最簡(jiǎn)單的層結(jié)構(gòu)是具有透明的陽(yáng)極層、光發(fā)射層和陰極層的三層結(jié)構(gòu)。為了獲得器件的需要功能，傳導(dǎo)層需要以適當(dāng)?shù)姆绞讲紙D。本發(fā)明的中心點(diǎn)是通過(guò)壓紋布圖傳導(dǎo)單層或多層，而在基底和第一傳導(dǎo)層之間具有一層可壓縮的間隔層或具有至少一層該可壓縮層的間隔疊層。由于壓紋工具施加的壓力(參見(jiàn)附圖
1)，可壓縮層的厚度在壓紋區(qū)變小。傳導(dǎo)層或包括至少一層傳導(dǎo)層的疊層在壓紋區(qū)的邊沿?cái)嚅_(kāi)并在可壓縮層內(nèi)穿孔。因?yàn)檫@一點(diǎn)，可壓縮層應(yīng)當(dāng)比其它層具有更好的可壓縮性。如果恰當(dāng)?shù)倪x擇了壓紋步驟的參數(shù)，那么通過(guò)該方法僅僅上述的層永久變形而基底不會(huì)永久變形。特別是沉積用于提高聚合物基底的屏蔽性能的屏蔽涂層就能夠保持不被損壞(參見(jiàn)圖2)?；撞牧?br> 用于有機(jī)器件的合適基底(I)為玻璃、聚合物，尤其是聚合物箔、紙或金屬。柔韌的基底非常好的適合卷繞式工藝?；卓梢允抢缛犴g性聚合物箔，如丙烯腈-丁二烯一苯乙烯ABS、聚碳酸酯PC、聚乙烯PE、聚醚酰亞胺PE1、聚醚酮PEK、聚萘二甲酸乙二酯PEN、聚對(duì)苯二甲酸二乙醇酯PET、聚酰亞胺P1、聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、聚甲醛Ρ0Μ、單注塑級(jí)聚丙烯MOPP、聚苯乙烯PS、聚氯乙烯PVC等。其它材料例如紙(每面積重量20-500g/m2，優(yōu)選40-200g/m2)、金屬箔(例如Al-、Au-、Cu-、Fe-、N1-、Sn-、鋼箔等)、尤其表面改進(jìn)并涂覆漆或聚合物的金屬箔也可以適用。基底可以涂覆一層屏蔽層(4)或屏蔽疊層(5)，用以提高屏蔽性倉(cāng)泛(J.Lange and Y.ffyser, 〃Recent Innovations in Barrier Technologies forPlastic Packaging - a Review", Packag.Technol.and Sc1.16, 2003, p.149-158)。例如無(wú)機(jī)材料如S102、Si3N4、Si0xNy、Al203、A10xNy等通常使用。這些物質(zhì)可以在例如真空處理中沉積，其中真空沉積例如蒸發(fā)、陰極真空噴鍍、或化學(xué)蒸汽沉積CVD、尤其是等離子體促進(jìn)的CVD(PECVD)。其它合適的材料為以溶膠-凝膠方法沉積的有機(jī)和無(wú)機(jī)材料的混合物。這些材料甚至可以以濕法涂覆方法例如照相凹版印刷沉積。通過(guò)如W003/094256A2中描述的無(wú)機(jī)和有機(jī)材料的多層涂層可以獲得目前最好的屏蔽性能。以下術(shù)語(yǔ)基底將指代具有或不具有涂層的基底。可壓縮層材料
可壓縮層(2)的適用材料為低密度聚合物，例如密度為大約0.92g/cc的低密度聚乙烯
(LDPE)0大多數(shù)絕緣和傳導(dǎo)聚合物具有的密度>1.0g/CC。例如聚甲基丙烯酸甲酯PMMA具
有1.19g/cc的密度,聚苯乙烯PS為1.05g/cc,聚(碳酸酯)PC為1.2g/cc和聚對(duì)二苯酸乙
酯PET為1.3-1.4g/cc。金屬和TCOs的密度甚至更高。例如鋁(Al)具有2.7g/cc的密度，
銅(Cu)為8.96g/cc，銀(Ag)為10.5g/cc或金(Au)為19.3g/cc，摻雜錫的氧化銦(ITO)為
7.14g/cc。因此在有機(jī)器件中，低密度聚合物在所有材料中具有最低的密度。在壓紋中這種
可壓縮間隔層被壓縮，導(dǎo)致密度升高同時(shí)厚度降低。通過(guò)使用中等或微孔材料可以得到具
有非常好的壓縮性能的間隔層。例如Tsutsui等("Doubling Coupling-Out Efficiency
in Organic Light_3S Emitting Devices Using a Thin Silica Aerogel Layer", Adv.Mater.- 13，2001，pll49_1152)描述的硅氣溶膠處理的溶膠-凝膠具有1.03的低折射系
數(shù)，這只有在層的體積大部分為空氣或氣體時(shí)是可能的。這些空氣或氣體在壓紋過(guò)程中吸
收材料。該微孔層也可以通過(guò)其它技術(shù)制備。如在US2005/0003179 Al、EP1464511 A2和
EP0614771 Al中所述，與粘結(jié)劑，如聚乙烯醇PVA或聚乙烯吡咯烷酮PVP，一起混合的無(wú)機(jī)
氧化物，例如硅石或勃姆石，能夠形成高孔隙率的層，從而具有低密度。在以上提到的文獻(xiàn)
中，多孔層用作墨水吸收層。由于傳導(dǎo)層或具有至少一層傳導(dǎo)層的疊層在隔離層(疊層)的
表面涂覆，平滑的表面是非常有利的。在大多數(shù)情況下，可壓縮中或微孔層的多孔性產(chǎn)生了
粗糙的表面。為了解決該問(wèn)題，可以在傳導(dǎo)層或疊層涂覆之前在多孔層的表面涂覆一層均
勻平滑的薄層。這種均勻的薄層可以由有機(jī)電介質(zhì)制備，如Si02、Al2O3等或聚合物例如但
不限于PMMA、PS或PVA。隔離疊層中各層的合適的和優(yōu)選的厚度為:
權(quán)利要求
1.一種用于布圖傳導(dǎo)層或包括至少一個(gè)傳導(dǎo)層的傳導(dǎo)疊層的方法，包括以下步驟: 在基底上形成可壓縮層、或包括至少一層可壓縮層的可壓縮疊層，其中可壓縮層或疊層包括密度低于1.0g/cm3的低密度聚合物或選自二氧化硅、和與粘結(jié)劑混合的無(wú)機(jī)氧化物的多孔材料；和 在可壓縮層或疊層上形成傳導(dǎo)層或疊層； 以形成涂覆的基底；以及 將涂覆的基底和壓紋工具接觸，使得在傳導(dǎo)層或疊層中形成預(yù)定的布圖，其中在壓紋的區(qū)域可壓縮層或疊層被壓縮并且傳導(dǎo)層或疊層裝埋入可壓縮層或疊層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中壓紋區(qū)域中的傳導(dǎo)層與相鄰未壓紋區(qū)域中的傳導(dǎo)層相分離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其中可壓縮層或疊層比涂覆基底中的其它層更容易壓縮。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其中在形成傳導(dǎo)層或疊層之前，在可壓縮層或疊層上形成平滑層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其中可壓縮層或疊層的厚度為200nm-50ym。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其中可壓縮層或疊層的厚度為1μπι-20μπι。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 或2的方法，其中壓紋傳導(dǎo)層或疊層的殘余物或邊沿基本沒(méi)有粘結(jié)或粘附到可壓縮層或疊層的相鄰壁上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其中傳導(dǎo)層或疊層包括金屬。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其中傳導(dǎo)層或疊層包括有機(jī)導(dǎo)體。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其中傳導(dǎo)層或疊層包括無(wú)機(jī)導(dǎo)體。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其中壓紋工具的布圖部分的高度小于25μ m，優(yōu)選小于 9 μ m0
12.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其中在步進(jìn)式機(jī)器中或在卷繞式機(jī)器中進(jìn)行壓紋步驟。
13.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其中在升高的溫度下進(jìn)行壓紋步驟。
14.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，進(jìn)一步包括在壓紋后進(jìn)行處理的步驟，例如蝕刻、涂覆或等離子體處理。
15.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，進(jìn)一步包括在導(dǎo)體層或疊層的壓紋面積沉積傳導(dǎo)材料的步驟，例如制備晶體管。
16.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，進(jìn)一步包括在傳導(dǎo)層或疊層的壓紋區(qū)沉積有機(jī)層的步驟，例如制備有機(jī)光發(fā)射二極管(OLED)。
17.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，進(jìn)一步包括在傳導(dǎo)層或疊層的壓紋區(qū)沉積多層的步驟，例如制備太陽(yáng)能電池、光敏二極管或其它光電器件。
18.—種布圖傳導(dǎo)層或包括至少一層傳導(dǎo)層的疊層的方法，所述方法包括以下步驟: 在基底上涂覆可壓縮間隔層、或包括至少一層可壓縮層的間隔疊層，其中可壓縮層或疊層包括密度低于1.0g/cm3的低密度聚合物或選自二氧化硅、和與粘結(jié)劑混合的無(wú)機(jī)氧化物的多孔材料； 在間隔層或間隔疊層上形成傳導(dǎo)層或包括至少一層傳導(dǎo)層的疊層；將涂覆的基底和壓紋工具接觸，使得在傳導(dǎo)層或疊層中形成需要的布圖，而在壓紋區(qū)間隔層或間隔疊層被壓縮，傳導(dǎo)層或包括至少一層傳導(dǎo)層的疊層裝埋入間隔層或間隔疊層中。
19.一種使用如權(quán)利要求1-18任一項(xiàng)限定的方法制備的器件。
20.一種使用如權(quán)利要求1-18任一項(xiàng)限定的方法制備的有機(jī)器件、晶體管、光發(fā)射器件或光電器件。
21.包括在可壓縮層或疊層上形成的傳導(dǎo)層或疊層的器件，其中至少傳導(dǎo)層的一部分面積裝埋入可壓縮層或疊層的可壓縮區(qū)，其中可壓縮層或疊層包括密度低于1.0g/cm3的低密度聚合物或選自二氧化硅、和與粘結(jié)劑混合的無(wú)機(jī)氧化物的多孔材料。
22.包括在可壓縮層或疊層上形成的傳導(dǎo)層或疊層的有機(jī)器件、晶體管、光發(fā)射器件或光電器件，其中至少傳導(dǎo)層的一部分區(qū)域裝埋入可壓縮層或疊層的可壓縮區(qū)，其中可壓縮層或疊層包括密度低于1.0g/cm3的低密度聚合物或選自二氧化硅、和與粘結(jié)劑混合的無(wú)機(jī)氧化物的多孔材料。
23.在如權(quán)利要求1-18任 一項(xiàng)限定的方法中使用的壓紋工具。
全文摘要
通過(guò)一種方法制備一種器件，其中在可壓縮層或疊層上形成傳導(dǎo)層或疊層，并且與壓紋工具接觸。壓紋工具的凸起部分?jǐn)D壓可壓縮層或疊層并將傳導(dǎo)層或疊層裝埋入可壓縮層或疊層中。
文檔編號(hào)H01L51/05GK103199196SQ201310077589
公開(kāi)日2013年7月10日 申請(qǐng)日期2006年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月14日
發(fā)明者H.瓦爾特, T.貝爾萊因 申請(qǐng)人:西巴控股有限公司