專(zhuān)利名稱(chēng)：一種塑封外延型超快恢復(fù)二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種塑封外延型超快恢復(fù)二極管技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及一種二極管，特別涉及一種塑封外延型超快恢復(fù)二極管。
背景技術(shù)：
[0002]開(kāi)關(guān)電源中功率器件的損耗影響其可靠性和效率，隨著整機(jī)頻率的提升以及開(kāi)關(guān)電源技術(shù)的發(fā)展，對(duì)于因二極管的恢復(fù)特性欠佳而引發(fā)功率損耗的呼聲與日俱增。傳統(tǒng)的二極管會(huì)對(duì)電網(wǎng)產(chǎn)生諧波電流干擾，引起功率因數(shù)下降，造成電網(wǎng)污染。有源功率因數(shù)校正電路(典型電路見(jiàn)圖1)可以有效地消除電源的諧波電流，提高功率因數(shù)，減小高次諧波。但是有源功率因數(shù)校正電路中的快恢復(fù)二極管由于反向恢復(fù)特性不佳，導(dǎo)致二極管產(chǎn)生較大的損耗，并產(chǎn)生EMI干擾諧波。發(fā)明內(nèi)容[0003]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種塑封外延型超快恢復(fù)二極管，能夠克服摻鉬工藝正向電壓降和反向恢復(fù)時(shí)間折衷不佳的弊端，改善反向恢復(fù)特性，同時(shí)發(fā)揮摻鉬高溫反向漏電流突出優(yōu)勢(shì)。[0004]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型的技術(shù)方案為一種塑封外延型超快恢復(fù)二極管，其創(chuàng)新點(diǎn)在于包括外延型快恢復(fù)芯片、低應(yīng)力環(huán)氧樹(shù)脂、焊料、銅引線、純錫鍍層，銅引線為一對(duì)，銅引線的內(nèi)端鐓頭成錐形，在銅引線內(nèi)端錐形之間設(shè)置外延型快恢復(fù)芯片，外延型快恢復(fù)芯片與兩側(cè)的銅引線內(nèi)端焊接固定；外延型快恢復(fù)芯片采用低應(yīng)力環(huán)氧樹(shù)脂進(jìn)行封裝，露出低應(yīng)力環(huán)氧樹(shù)脂的銅芯線外鍍純錫鍍層。[0005]本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于由于采用外延晶片可以很好地實(shí)現(xiàn)基區(qū)緩沖層結(jié)構(gòu)。故外延片大幅度降低了反向電壓)，這樣可以克服摻鉬工藝正向電壓降和反向時(shí)間折衷不佳的弊端，改善反向恢復(fù)特性，軟度因子從O. 3改善至1. O,同時(shí)發(fā)揮摻鉬高溫反向漏電流的突出優(yōu)勢(shì)。


[0006]圖1為典型 硬開(kāi)關(guān)Boost PFC電路圖。[0007]圖2為本實(shí)用新型塑封外延型超快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
[0008]如圖2所示，包括外延型快恢復(fù)芯片1、低應(yīng)力環(huán)氧樹(shù)脂2、焊料3、銅引線4、純錫鍍層5。[0009]上述銅引線4的內(nèi)端鐓粗成錐形，銅引線4為一對(duì)，在內(nèi)端錐形之間設(shè)置外延型快恢復(fù)芯片1，外延型快恢復(fù)芯片I與兩側(cè)的銅引線4錐形通過(guò)焊料3焊接固定。[0010]外延型快恢復(fù)芯片 I采用低應(yīng)力環(huán)氧樹(shù)脂2進(jìn)行封裝，露出低應(yīng)力環(huán)氧樹(shù)脂2的銅芯線4外鍍純錫鍍層5。[0011]電鍍完成后進(jìn)行測(cè)試，該結(jié)構(gòu)的超快恢復(fù)二極管技術(shù)參數(shù)為Io(正向電流)1. 0 8· OA ；VR (反向電壓):100 600V ；TRR (反向時(shí)間):<25ns ;VF(正向電壓降)<1. 7V ； IR(反向漏電流)〈1.0uA;典型軟度因子1.0 。
權(quán)利要求1.一種塑封外延型超快恢復(fù)二極管，其特征在于包括外延型快恢復(fù)芯片、低應(yīng)力環(huán)氧樹(shù)脂、焊料、銅引線、純錫鍍層，銅引線為一對(duì)，銅引線的內(nèi)端鐓頭成錐形，在銅引線內(nèi)端錐形之間設(shè)置外延型快恢復(fù)芯片，外延型快恢復(fù)芯片與兩側(cè)的銅引線內(nèi)端焊接固定；外延型快恢復(fù)芯片采用低應(yīng)力環(huán)氧樹(shù)脂進(jìn)行封裝，露出低應(yīng)力環(huán)氧樹(shù)脂的銅芯線外鍍純錫鍍。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種塑封外延型超快恢復(fù)二極管，其創(chuàng)新點(diǎn)在于包括外延型快恢復(fù)芯片、低應(yīng)力環(huán)氧樹(shù)脂、焊料、銅引線、純錫鍍層，銅引線為一對(duì)，銅引線的內(nèi)端鐓粗成錐形，在銅引線內(nèi)端錐形之間設(shè)置外延型快恢復(fù)芯片，外延型快恢復(fù)芯片與兩側(cè)的銅引線內(nèi)端焊接固定；外延型快恢復(fù)芯片采用低應(yīng)力環(huán)氧樹(shù)脂進(jìn)行封裝，露出低應(yīng)力環(huán)氧樹(shù)脂的銅芯線外鍍純錫鍍層。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于由于采用外延晶片可以很好地實(shí)現(xiàn)基區(qū)緩沖層結(jié)構(gòu)。故外延片大幅度降低了反向電壓)，這樣可以克服摻鉑工藝正向電壓降和反向時(shí)間折衷不佳的弊端，改善反向恢復(fù)特性，軟度因子從0.3改善至1.0，同時(shí)發(fā)揮摻鉑高溫反向漏電流的突出優(yōu)勢(shì)。
文檔編號(hào)H01L23/488GK202871802SQ20122058123
公開(kāi)日2013年4月10日 申請(qǐng)日期2012年11月7日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月7日
發(fā)明者趙宇 申請(qǐng)人:如皋市大昌電子有限公司