專利名稱：激光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
激光二極管
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種激光模組，屬于激光發(fā)射裝置技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
激光二極管一般是應(yīng)用于測繪學(xué)中的測繪儀器，激光二極管本質(zhì)而言是一個半導(dǎo)體二極管，二極管最重要的特性的單方向?qū)щ娦?，在電路中，電流只能從二極管的正極流入，負(fù)極流出。激光發(fā)散度小，準(zhǔn)直度高常用語水平尺、定位、測距儀、光線傳輸、攝像機(jī)或者激光筆等產(chǎn)品中?，F(xiàn)有的激光二極管中的芯片(簡稱CHIP)，在發(fā)光時候的功率沒有監(jiān)控裝置進(jìn)行監(jiān)控，且無法進(jìn)行功率控制，當(dāng)對它的體積要求很小的時候也只能做簡單的電流控制的方式來驅(qū)動，當(dāng)有峰值電壓產(chǎn)生時，受到電壓的影響，芯片上的功率就高，當(dāng)電源電壓降低的時候它的功率也隨之降低，會產(chǎn)生很不穩(wěn)定的發(fā)光效果，影響使用的穩(wěn)定性。而且在使用一會·后隨著芯片發(fā)熱產(chǎn)生的溫度會影響其出光效率，也就是其實(shí)際使用時的發(fā)光效率達(dá)不到額定功率的要求。

發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型針對以上的問題提出了一種能夠?qū)Τ龉鈴?qiáng)度進(jìn)行穩(wěn)定控制的激光二極管，對激光二極管發(fā)光效率進(jìn)行監(jiān)控和調(diào)節(jié)使其保持在一個恒定的功率。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是一種激光二極管，包括發(fā)光芯片，其特征在于，在激光二極管的內(nèi)部加入了一個能感應(yīng)發(fā)光芯片所發(fā)出的光線強(qiáng)弱并通過輸出信號到外部控制電路來調(diào)節(jié)發(fā)光芯片的硅光電池，所述發(fā)光芯片后面有鍍膜，而所述硅光電池設(shè)置在能發(fā)光的鍍膜位置。所述調(diào)控電路中的硅光電池ro對著發(fā)光芯片LD，硅光電池ro接收到的光照強(qiáng)度越大，其產(chǎn)生的電流越強(qiáng)，消耗的功率越大，發(fā)光芯片LD上電流變小，發(fā)光強(qiáng)度降低，實(shí)現(xiàn)了對發(fā)光芯片的反饋式調(diào)節(jié)。本實(shí)用新型的有益效果通過調(diào)控電路，對發(fā)光芯片的發(fā)光情況進(jìn)行監(jiān)控和調(diào)節(jié)，一旦出現(xiàn)波動，能感應(yīng)光線強(qiáng)弱的硅光電池配合三極管對發(fā)光芯片發(fā)光強(qiáng)度進(jìn)行負(fù)反饋式調(diào)控，讓其工作時保持在一個穩(wěn)定的狀態(tài)。

圖I是本實(shí)用新型一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。其中1、發(fā)光芯片；2、娃光電池；3、引腳。
具體實(shí)施方式結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的技術(shù)要點(diǎn)做進(jìn)一步闡釋。 一種激光二極管，包括發(fā)光芯片，其特征在于，在激光二極管的內(nèi)部加入了一個能感應(yīng)發(fā)光芯片所發(fā)出的光線強(qiáng)弱并通過輸出信號到外部控制電路來調(diào)節(jié)發(fā)光芯片的硅光電池，所述發(fā)光芯片后面有鍍膜，而所述硅光電池設(shè)置在能發(fā)光的鍍膜位置。所述發(fā)光芯片I后面有鍍膜，而所述硅光電池2設(shè)置在能發(fā)光的鍍膜位置，利用引腳3將硅光電池與調(diào)控電路電連接在一起。所述調(diào)控電路中的硅光電池ro對著發(fā)光芯片LD，硅光電池ro接收到的光照強(qiáng)度越大，其產(chǎn)生的電流越強(qiáng)，消耗的功率越大，而通過硅光電池傳遞到外部電路上的信號，負(fù)反饋式調(diào)節(jié)了發(fā)光芯片的驅(qū)動部分，導(dǎo)致發(fā)光芯片LD上電流變小，發(fā)光強(qiáng) 度降低，實(shí)現(xiàn)了對發(fā)光芯片的反饋式調(diào)節(jié)。本技術(shù)方案是在發(fā)光芯片的后面放置一個娃光電池(簡稱F1D),利用鍍膜使芯片后面發(fā)出的合適強(qiáng)度的光，然后這個光照射在硅光電池后，硅光電池感光就會產(chǎn)生出一個微弱的隨著光強(qiáng)度產(chǎn)生相應(yīng)變化的電壓和電流，引入運(yùn)算放大器后并與驅(qū)動芯片的電流建立起反比例關(guān)系就可以實(shí)現(xiàn)對出光強(qiáng)度穩(wěn)定的恒定功率控制。當(dāng)發(fā)光芯片上的電壓電流過大，發(fā)光芯片發(fā)出較高的功率，發(fā)光變強(qiáng)，此時受到光線照射的硅光電池中的電流電壓也相應(yīng)變強(qiáng)，以一種負(fù)反饋地方式來調(diào)節(jié)驅(qū)動芯片的電流電壓，于是驅(qū)動芯片的電流電壓變小，對發(fā)光芯片的影響就是功率變小、發(fā)光強(qiáng)度減弱。本實(shí)用新型的有益效果通過調(diào)控電路，對發(fā)光芯片的發(fā)光情況進(jìn)行監(jiān)控和調(diào)節(jié)，一旦出現(xiàn)波動，能感應(yīng)光線強(qiáng)弱的硅光電池配合三極管對發(fā)光芯片發(fā)光強(qiáng)度進(jìn)行負(fù)反饋式調(diào)控，讓其工作時保持在一個穩(wěn)定的狀態(tài)。
權(quán)利要求1.一種激光二極管，包括發(fā)光芯片，其特征在于，在激光二極管的內(nèi)部加入了一個能感應(yīng)發(fā)光芯片所發(fā)出的光線強(qiáng)弱并通過輸出信號到外部控制電路來調(diào)節(jié)發(fā)光芯片的硅光電池，所述發(fā)光芯片后面有鍍膜，而所述硅光電池設(shè)置在能發(fā)光的鍍膜位置。
專利摘要一種激光二極管，包括發(fā)光芯片，其特征在于，在激光二極管的內(nèi)部加入了一個能感應(yīng)發(fā)光芯片所發(fā)出的光線強(qiáng)弱并通過輸出信號到外部控制電路來調(diào)節(jié)發(fā)光芯片的硅光電池，所述發(fā)光芯片后面有鍍膜，而所述硅光電池設(shè)置在能發(fā)光的鍍膜位置。通過調(diào)控電路，對發(fā)光芯片的發(fā)光情況進(jìn)行監(jiān)控和調(diào)節(jié)，一旦出現(xiàn)波動，能感應(yīng)光線強(qiáng)弱的硅光電池配合三極管對發(fā)光芯片發(fā)光強(qiáng)度進(jìn)行負(fù)反饋式調(diào)控，讓其工作時保持在一個穩(wěn)定的狀態(tài)。
文檔編號H01S5/026GK202712683SQ20122032894
公開日2013年1月30日 申請日期2012年7月9日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月9日
發(fā)明者霍立彬 申請人:深圳市力寶興業(yè)電子有限公司