專利名稱：高可靠性的集成封裝led芯片的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及LED芯片封裝領域。
背景技術：
封裝技術目前主要往高發(fā)光效率、高可靠性、高散熱能力與薄型化四個方向發(fā)展，其中在封裝技術在高可靠性的方向上，如附圖I所示，目前的LED多芯片集成封裝通常是在各個LED芯片間直接串聯(lián)，一旦有一顆芯片失效則整個芯片組完全失效，造成集成封裝的可靠性低，風險高。發(fā)明內容本實用新型目的是通過合理布局的電路設計，使產品整體可靠性提高。根據一個方面，本實用新型提供了一種高可靠性的集成封裝LED芯片，它包括基板以及多個形成于基板上的凹杯，凹杯的底面為基板的金屬層，其特征在于每個凹杯的底面上分別并聯(lián)設置有至少兩個LED芯片，相鄰的凹杯之間的金屬層上設置有正面呈電性導通而背部呈電性絕緣的聯(lián)接芯片，相鄰的凹杯內的LED芯片通過聯(lián)接芯片實現(xiàn)互聯(lián)，其中位于端部的凹杯內的LED芯片打線連接于基板上的電極。作為進一步的改進，聯(lián)接芯片為Si芯片。作為進一步的改進，凹杯的底面通過鍍銀實現(xiàn)高反射。根據一個方面，本實用新型提供了一種高可靠性的集成封裝LED芯片，它包括基板以及多個形成于基板上的凹杯，凹杯的底面為基板的金屬層，其特征在于每個凹杯的底面上分別設置有一對聯(lián)接芯片以及并聯(lián)于一對聯(lián)接芯片之間的至少兩個LED芯片，聯(lián)接芯片的正面呈電性導通而背部呈電性絕緣，相鄰的凹杯內的LED芯片通過聯(lián)接芯片實現(xiàn)互聯(lián)，其中位于端部的凹杯內的聯(lián)接芯片打線連接于基板上的電極。作為進一步的改進，聯(lián)接芯片為Si芯片。作為進一步的改進，凹杯的底面通過鍍銀實現(xiàn)高反射。由于采用上述技術方案，本實用新型通過對芯片組重新設計，避免單一芯片失效造成的整體失效問題，使集成封裝模組的可靠性大幅提升，避免了金屬基板的電路設計，通過芯片間電路聯(lián)接實現(xiàn)整個電學回路。

附圖I為現(xiàn)有技術中的集成封裝LED芯片的結構示意圖；附圖2為根據本實用新型的高可靠性的集成封裝LED芯片的結構示意圖；其中1、凹杯；2、LED芯片；3、聯(lián)接芯片；4、基板。
具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型的較佳實施例進行詳細闡述，以使本實用新型的優(yōu)點和特征能更易于被本領域技術人員理解，從而對本實用新型的保護范圍做出更為清楚明確的界定。參見附圖2所示，本實施例中的高可靠性的集成封裝LED芯片包括基板4以及多個形成于基板4上的相互連通的凹杯1，凹杯I的底面為基板4的金屬層，凹杯I的底面通過鍍銀實現(xiàn)高反射，每個凹杯I的底面上分別并聯(lián)設置有兩個LED芯片2，相鄰的凹杯I之間的金屬層上設置有聯(lián)接芯片3，聯(lián)接芯片3為Si芯片，其正面呈電性導通而背部呈電性絕緣以避免與金屬基板的短路。 在本實施例中，相鄰的凹杯I內的LED芯片2通過聯(lián)接芯片3實現(xiàn)互聯(lián)，其中位于端部的凹杯I內的LED芯片2通過位于其杯內的聯(lián)接芯片3打線連接于基板4上的電極(正極與負極)。這里需要指出的是，位于端部的凹杯I內的LED芯片2同樣也可以直接打線連接于基板4上的電極(正極與負極)，以實現(xiàn)相類似的效果。最后可以通過在凹杯內灌膠實現(xiàn)面光源。本方案將每個凹杯內的芯片由串聯(lián)改為并聯(lián)，然后在每組并聯(lián)芯片間加入一顆聯(lián)接芯片，聯(lián)接芯片可以是Si芯片，要求為絕緣芯片，在正面有金屬電極。通過這種設計，避免了金屬基板的電路設計，通過芯片間電路聯(lián)接實現(xiàn)整個電學回路，其具有如下有益效果
I、無需金屬基板電路設計，基板簡化并通過鍍銀實現(xiàn)高反射；2、并聯(lián)LED芯片避免了單顆芯片失效造成整個系統(tǒng)失效；3、芯片直接固晶于金屬基板，實現(xiàn)了最佳的散熱效果。作為本實用新型一個可選擇的實施例，基板4上形成有多個相互分離設置的凹杯1，凹杯I的底面為基板4的金屬層，每個凹杯I的底面上分別設置有一對聯(lián)接芯片3以及并聯(lián)于一對聯(lián)接芯片3之間的至少兩個LED芯片2，聯(lián)接芯片3的正面呈電性導通而背部呈電性絕緣，相鄰的凹杯I內的LED芯片2通過聯(lián)接芯片3實現(xiàn)互聯(lián)，其中位于端部的凹杯I內的聯(lián)接芯片3打線連接于基板4上的電極(正極與負極)。聯(lián)接芯片3優(yōu)選為Si芯片，凹杯I的底面可以通過鍍銀層實現(xiàn)高反射。以上實施方式只為說明本實用新型的技術構思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術的人了解本實用新型的內容并加以實施，并不能以此限制本實用新型的保護范圍，凡根據本實用新型精神實質所做的等效變化或修飾，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍內。
權利要求1.一種高可靠性的集成封裝LED芯片，它包括基板(4)以及多個形成于所述的基板(4)上的凹杯(1)，所述的凹杯(I)的底面為所述的基板(4)的金屬層，其特征在于每個所述的凹杯(I)的底面上分別并聯(lián)設置有至少兩個LED芯片(2)，相鄰的凹杯(I)之間的金屬層上設置有正面呈電性導通而背部呈電性絕緣的聯(lián)接芯片(3)，相鄰的凹杯(I)內的LED芯片(2 )通過所述的聯(lián)接芯片(3 )實現(xiàn)互聯(lián)，其中位于端部的凹杯(I)內的LED芯片(2 )打線連接于所述的基板(4)上的電極。
2.根據權利要求I所述的高可靠性的集成封裝LED芯片，其特征在于所述的聯(lián)接芯片(3)為Si芯片。
3.根據權利要求I所述的高可靠性的集成封裝LED芯片，其特征在于所述的凹杯(I)的底面鍍有銀層。
4.一種高可靠性的集成封裝LED芯片，它包括基板(4)以及多個形成于所述的基板(4)上的凹杯(1)，所述的凹杯(I)的底面為所述的基板(4)的金屬層，其特征在于每個所述的凹杯(I)的底面上分別設置有一對聯(lián)接芯片(3)以及并聯(lián)于所述的一對聯(lián)接芯片(3)之間的至少兩個LED芯片(2)，所述的聯(lián)接芯片(3)的正面呈電性導通而背部呈電性絕緣，相鄰的凹杯(I)內的LED芯片(2)通過所述的聯(lián)接芯片(3)實現(xiàn)互聯(lián)，其中位于端部的凹杯(I)內的聯(lián)接芯片(3)打線連接于所述的基板(4)上的電極。
5.根據權利要求4所述的高可靠性的集成封裝LED芯片，其特征在于所述的聯(lián)接芯片(3)為Si芯片。
6.根據權利要求4所述的高可靠性的集成封裝LED芯片，其特征在于所述的凹杯(I)的底面鍍有銀層。
專利摘要本實用新型涉及一種高可靠性的集成封裝LED芯片，它包括基板以及多個形成于基板上的凹杯，凹杯的底面為基板的金屬層，其特征在于每個凹杯的底面上分別并聯(lián)設置有至少兩個LED芯片，相鄰的凹杯之間的金屬層上設置有正面呈電性導通而背部呈電性絕緣的聯(lián)接芯片，相鄰的凹杯內的LED芯片通過聯(lián)接芯片實現(xiàn)互聯(lián)，其中位于端部的凹杯內的LED芯片打線連接于基板上的電極。由于采用上述技術方案，本實用新型通過對芯片組重新設計，避免單一芯片失效造成的整體失效問題，使集成封裝模組的可靠性大幅提升，避免了金屬基板的電路設計，通過芯片間電路聯(lián)接實現(xiàn)整個電學回路。
文檔編號H01L33/62GK202662598SQ201220086178
公開日2013年1月9日 申請日期2012年3月9日 優(yōu)先權日2012年3月9日
發(fā)明者華斌 申請人:蘇州玄照光電有限公司