專利名稱：陣列基板、制作方法及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、制作方法及顯示裝置。
背景技術(shù)：
隨著光電顯示技術(shù)的日益成熟，用戶對(duì)顯示裝置的品質(zhì)提出了越來(lái)越高的要求。液晶顯示裝置因其壽命長(zhǎng)、光效高、低輻射、低功耗的特點(diǎn)，逐漸取代了傳統(tǒng)射線管顯示裝置而成為了近年來(lái)顯示裝置產(chǎn)品主流的研究方向。其中在顯示裝置內(nèi)部,顯示面板上的所需信號(hào)是由驅(qū)動(dòng)IC(Integrated circuit,集成電路)芯片提供，信號(hào)經(jīng)由分布在顯示面板內(nèi)部的連接線傳輸?shù)礁飨袼貐^(qū)域線。但發(fā)明人在研發(fā)過(guò)程中發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下缺陷驅(qū)動(dòng)IC在將信號(hào)通過(guò)連接線傳輸給
像素區(qū)域時(shí)，由于各像素區(qū)域分布位置的不同，驅(qū)動(dòng)IC到像素區(qū)域的距離也各不相同，因此連接驅(qū)動(dòng)IC及像素區(qū)域的連接線長(zhǎng)短各不相同。因此不同連接線之間的電阻值有著很大差異，IC近端像素和IC遠(yuǎn)端像素的信號(hào)衰減情況也不一致，最終使得顯示面板的顯示效果并不理想。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種陣列基板、制作方法及顯示裝置，能夠減小各條連接線之間電阻值的差異，進(jìn)而提高顯示面板的顯示效果。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括驅(qū)動(dòng)集成電路1C、像素區(qū)域以及連接所述驅(qū)動(dòng)IC與所述像素區(qū)域的數(shù)條長(zhǎng)度不等的連接線，所述連接線包括金屬線和電阻線，其中，所述電阻線與所述金屬線串聯(lián)連接，或者，所述電阻線與所述金屬線的一部分并聯(lián)連接。進(jìn)一步的，各條所述連接線的電阻總值之間偏差小于或者等于O. 1%。 進(jìn)一步的，各條所述連接線的電阻總值相同。進(jìn)一步的，所述金屬線與所述電阻線位于不同層，且所述金屬線與所述電阻線之間具有絕緣層，所述金屬線與所述電阻線通過(guò)過(guò)孔相連接。進(jìn)一步的，所述金屬線與所述電阻線位于相鄰的兩層或同層，所述金屬線與所述電阻線通過(guò)界面物理接觸的方式相連接。優(yōu)選的，所述電阻線的材料為所述像素區(qū)域的像素電極材料。另一方面，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。再一方面，本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制作方法，包括通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括連接線的圖像，所述連接線的圖形包括金屬線的圖形和電阻線的圖形，其中，所述電阻線與所述金屬線串聯(lián)連接，或者，所述電阻線與所述金屬線的一部分并聯(lián)連接。
進(jìn)一步的，所述連接線為連接掃描驅(qū)動(dòng)集成電路IC與像素區(qū)域的掃描線時(shí)，所述方法包括形成金屬線的圖形；形成電阻線的圖形，所述金屬線與所述電阻線通過(guò)界面物理接觸的方式相連接；形成第一絕緣層；形成數(shù)據(jù)線的圖形。進(jìn)一步的，所述連接線為連接掃描驅(qū)動(dòng)集成電路IC與像素區(qū)域的掃描線時(shí)，所述方法包括 形成金屬線的圖形；形成第三絕緣層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成過(guò)孔圖形；形成電阻線的圖形，使得所述金屬線與所述電阻線通過(guò)所述過(guò)孔相連接；形成第一絕緣層；形成數(shù)據(jù)線的圖形。進(jìn)一步的，所述連接線為連接數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)集成電路IC與像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線時(shí)，所述方法包括形成掃描線的圖形；形成第二絕緣層；形成金屬線的圖形；形成電阻線的圖形，所述金屬線與所述電阻線通過(guò)界面物理接觸的方式相連接。進(jìn)一步的，所述連接線為連接數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)集成電路IC與像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線時(shí)，所述方法包括形成掃描線的圖形；形成第二絕緣層；形成金屬線的圖形；形成第四絕緣層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成過(guò)孔圖形；形成電阻線的圖形，使得所述金屬線與所述電阻線通過(guò)所述過(guò)孔相連接。本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板、制作方法及顯示裝置，連接驅(qū)動(dòng)IC與像素區(qū)域的連接線包括金屬線和電阻線，電阻線與金屬線串聯(lián)連接，或者，電阻線與金屬線的一部分并聯(lián)連接，能夠改變各條連接線上的電阻值，使得各條連接線之間的電阻值差異變小，進(jìn)而提高顯示面板的顯示效果。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實(shí)施例中連接線的連接示意圖之一；圖2為本發(fā)明實(shí)施例中連接線的連接示意圖之二 ；圖3為本發(fā)明實(shí)施例中陣列基板制作方法的流程示意圖之一；
圖4為本發(fā)明實(shí)施例中陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)圖之一；圖5為本發(fā)明實(shí)施例中陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)圖之二 ；圖6為本發(fā)明實(shí)施例中陣列基板制作方法的流程示意圖之二 ；圖7為本發(fā)明實(shí)施例中陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)圖之三；圖8為本發(fā)明實(shí)施例中陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)圖之四；圖9為本發(fā)明實(shí)施例中陣列基板制作方法的流程示意圖之三；圖10為本發(fā)明實(shí)施例中陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)圖之五；圖11為本發(fā)明實(shí)施例中陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)圖之六；圖12為本發(fā)明實(shí)施例中陣列基板制作方法的流程示意圖之四；圖13為本發(fā)明實(shí)施例中陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)圖之七；圖14為本發(fā)明實(shí)施例中陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)圖之八。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明實(shí)施例的一種陣列基板、制作方法及顯示裝置，能夠減小各條連接線之間電阻值的差異，提高顯示面板的顯示效果。以下描述中，為了說(shuō)明而不是為了限定，提出了諸如特定系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、接口、技術(shù)之類的具體細(xì)節(jié)，以便透切理解本發(fā)明。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)清楚，在沒(méi)有這些具體細(xì)節(jié)的其它實(shí)施例中也可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。在其它情況中，省略對(duì)眾所周知的裝置、電路以及方法的詳細(xì)說(shuō)明，以免不必要的細(xì)節(jié)妨礙本發(fā)明的描述。下面結(jié)合下述附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例做詳細(xì)描述。本實(shí)施例的一種陣列基板，如圖1或圖2所示，驅(qū)動(dòng)IClOl、像素區(qū)域102以及連接驅(qū)動(dòng)IClOl與像素區(qū)域102的數(shù)條長(zhǎng)度不等的連接線，連接線包括金屬線2和電阻線I。其中，如圖1所示，電阻線I與金屬線2串聯(lián)連接，或者，如圖2所示，電阻線I與金屬線2的一部分并聯(lián)連接。本實(shí)施例中的連接線包括金屬線2和電阻線1，因此連接線圖形的設(shè)計(jì)包括多種可能。例如，如圖1所示，金屬線2的圖形使用了方形的鋸齒波浪形狀而電阻線I的圖形為一段直線形狀；如圖2所示，金屬線2的圖形為方形的鋸齒波浪形狀而電阻線I的圖形為一段折線形狀。當(dāng)然，此處所述的金屬線以及電阻線的圖形也可為其它布線中常見(jiàn)的形狀，例如，直線、曲線、波浪線、折線或者不規(guī)律的線型。另外，需要說(shuō)明的是，如圖1或圖2所示，僅列舉了電阻線I與金屬線2兩種可能的連接方式，而且電阻線I與金屬線2在陣列基板中所處的層間位置由陣列基板的制作工藝所決定，即電阻線I與金屬線2可能位于相鄰的兩層或者同層結(jié)構(gòu)上，電阻線I與金屬線2也可能位于不同層結(jié)構(gòu)上。作為本發(fā)明的一種具體實(shí)施方式
，如圖1所示的連接驅(qū)動(dòng)IClOl與像素區(qū)域102的連接線U、L2、L3，每條連接線均包括金屬線2和電阻線1，電阻線I與金屬線2串聯(lián)連接。設(shè)連接線的電阻總值為R，金屬線的電阻值為R’，電阻線的電阻值為R”。根據(jù)串聯(lián)電路的電阻值計(jì)算公式計(jì)算得到R = R，+R”。連接線U、L2、L3的電阻值分別為R1 = R/ +R,;R2=R2’ +R2”;R3 = R/ +R/’。因此，通過(guò)調(diào)整各條連接線中電阻線以及金屬線的電阻值，便可達(dá)到調(diào)整各條連接線電阻總值的目的。作為本發(fā)明的另一種具體實(shí)施方式
，如圖2所示連接驅(qū)動(dòng)IClOl與像素區(qū)域102的連接線U、L2, L3，每條連接線均包括金屬線2和電阻線1，電阻線I與金屬線2的一部分并聯(lián)連接。設(shè)連接線的電阻總值為R，金屬線的電阻值為R’，電阻線的電阻值為R”。根據(jù)并聯(lián)電路的電阻值計(jì)算公式1/R = 1/R’ +1/R”，近似計(jì)算出連接線L1、L2、L3電阻值分別為I/R1 ^ 1/R/ +1/R, ;1/R2 1/R2，+1/R2” ；1/R3 ^ 1/R/ +1/R/，。同樣的，通過(guò)調(diào)整各條連接線中電阻線以及金屬線的電阻值，便可達(dá)到調(diào)整各條連接線電阻總值的目的。需要說(shuō)明的是，根據(jù)電阻的計(jì)算公式R= PL/S，其中，P為材料的電阻率，S為截面積，L為長(zhǎng)度。對(duì)于連接線而言，在使用材料確定截面積確定的情況下，連接線電阻值主要受連接線長(zhǎng)度的影響。對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的連接線而言，各像素區(qū)域分布位置不同，必然導(dǎo)致各連接線長(zhǎng)短各不相同，甚至最長(zhǎng)連接線的電阻值可為最短連接線電阻值的3 5倍。而本實(shí)施方式的連接線包括金屬線和電阻線，電阻線與金屬線串聯(lián)連接，或者，電阻線與金屬線的一部分并聯(lián)連接，通過(guò)改變電阻線以及金屬線的電阻值，便可改變連接線的電阻總值，使得各條連接線之間的電阻值差異變小，并進(jìn)一步使得各條連接線上的信號(hào)衰減情況更為接近從而提高顯示面板的顯示效果。優(yōu)選的，各條連接線的電阻總值之間偏差小于或者等于O. 1%。舉例來(lái)說(shuō)，假設(shè)參考連接線的電阻值為1000 Ω，當(dāng)偏差為O.1 %時(shí)，偏差電阻值僅為I Ω。此時(shí)，各條連接線之間電阻值的偏差是很小的，在進(jìn)行信號(hào)傳輸時(shí)，各條連接線上的信號(hào)衰減情況也會(huì)因此變得非常接近。作為本發(fā)明的最優(yōu)選實(shí)施例，各條連接線的電阻總值是相同的。使用相同電阻總值的連接線進(jìn)行信號(hào)傳輸時(shí)，各條連接線上的信號(hào)衰減情況會(huì)變得一致，此時(shí)會(huì)使得顯示面板的顯示效果大大提高。本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板，連接驅(qū)動(dòng)IC與像素區(qū)域的連接線包括金屬線和電阻線，電阻線與金屬線串聯(lián)連接，或者，電阻線與金屬線的一部分并聯(lián)連接，能夠使得各條連接線之間的電阻值差異變小，進(jìn)而提高顯示面板的顯示效果。作為本發(fā)明的一種實(shí)施方式，當(dāng)金屬線與電阻線位于不同層上，且金屬線與電阻線之間具有絕緣層。此時(shí)，需在絕緣層上設(shè)置過(guò)孔，使得金屬線與電阻線通過(guò)過(guò)孔相連接。作為本發(fā)明的一種實(shí)施方式，當(dāng)金屬線與電阻線位于相鄰的兩層或同層時(shí)，金屬線與電阻線可通過(guò)界面物理接觸(即直接接觸)的方式相連接。本發(fā)明實(shí)施例具體可以先形成金屬線膜層，在金屬線膜層上直接形成電阻線膜層，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括覆蓋有電阻線的金屬線。本發(fā)明實(shí)施例也可以先形成電阻線膜層，在電阻線膜層上直接形成金屬線膜層，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括覆蓋有金屬線的電阻線。作為本發(fā)明的一種實(shí)施方式，當(dāng)金屬線與電阻線位于同層時(shí)，金屬線與電阻線可通過(guò)界面物理接觸(即直接接觸)的方式相連接。本發(fā)明實(shí)施例具體可以先形成金屬線膜層，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括斷開(kāi)的金屬線圖形，所述斷開(kāi)的距離為需要串聯(lián)的電阻線的長(zhǎng)度。然后在金屬線圖形上直接形成電阻線膜層，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成所述電阻線，使得所述電阻線與所述金屬線同層直接相連接。作為本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例，電阻線的材料可以為像素區(qū)域的像素電極材料。根據(jù)電阻值的計(jì)算公式R= PL/S，其中，P為物質(zhì)的電阻率，S為截面積，L為長(zhǎng)度。當(dāng)截面積一定的情況下，若要得到特定的電阻值，電阻率越大所需的長(zhǎng)度越短。電阻線若為電阻率較大的像素電極材料，可使電阻線的長(zhǎng)度縮短從而節(jié)省布線空間。而且，像素電極材料為液晶顯示裝置制作工藝中的所用材料，在制作過(guò)程中，可將電阻線的制作步驟與其它透明電極的制作步驟合并，進(jìn)一步節(jié)省制作工序，故而本實(shí)施例為一種較優(yōu)的選擇。此外，本發(fā)明實(shí)施例的一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。其中，陣列基板的結(jié)構(gòu)以及工作原理同上述實(shí)施例，在此不再贅述。另外，顯示裝置其他部分的結(jié)構(gòu)可以參考現(xiàn)有技術(shù)，對(duì)此本文不再詳細(xì)描還。本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置，所述顯示裝置可以為液晶面板、電子紙、OLED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置，連接驅(qū)動(dòng)IC與像素區(qū)域的連接線包括金屬線和電阻線，電阻線與金屬線可以串聯(lián)連接，或者，電阻線與金屬線的一部分可以并聯(lián)連接，能夠使得各條連接線之間的電阻總值的差異變小， 進(jìn)而提高顯示面板的顯示效果。此外，本發(fā)明實(shí)施例的一種陣列基板的制作方法，該制作方法包括通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括連接線的圖像，連接線的圖形包括金屬線的圖形和電阻線的圖形，其中，電阻線圖形與金屬線圖形串聯(lián)連接，或者，電阻線與金屬線的一部分并聯(lián)連接。需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明中所提及的構(gòu)圖工藝指的是包括涂膠、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等步驟的光刻工藝。作為本發(fā)明的一種具體實(shí)施方式
，當(dāng)連接線為連接掃描驅(qū)動(dòng)集成電路IC與像素區(qū)域的掃描線時(shí)，如圖3所示，所述方法包括步驟S1、形成金屬線的圖形。具體的，如圖4和圖5所示，首先在基板3上以蒸鍍或沉積一層第一金屬層。然后，通過(guò)第一次構(gòu)圖工藝經(jīng)掩膜、曝光、刻蝕和光刻膠去除等工藝步驟形成金屬線2的圖形。步驟S2、形成電阻線的圖形，金屬線與電阻線通過(guò)界面物理接觸的方式相連接。具體的，如圖4和圖5所示，首先在完成步驟SI的基板3上形成第一 ITO層，具體可以采用蒸鍍或沉積第一 ITO層。然后，通過(guò)第二次構(gòu)圖工藝具體可以經(jīng)掩膜、曝光、刻蝕和光刻膠去除等構(gòu)圖工藝步驟形成電阻線I的圖形。步驟S3、形成第一絕緣層。具體的，如圖4和圖5所示，在完成步驟S2的基板上具體可以以蒸鍍或沉積形成
第一絕緣層6。步驟S4、形成數(shù)據(jù)線的圖形。具體的，如圖4和圖5所示，首先在完成步驟S3的基板上具體可以以蒸鍍或沉積一層第二金屬層。然后，通過(guò)第三次構(gòu)圖工藝具體可以經(jīng)掩膜、曝光、刻蝕和光刻膠去除等構(gòu)圖工藝步驟形成數(shù)據(jù)線5的圖形。進(jìn)一步的，在完成步驟S4后，還包括步驟S5、形成保護(hù)層10。具體的，如圖4和圖5所示，在完成步驟S4的基板上具體可以以蒸鍍或沉積形成保護(hù)層10，保護(hù)層10用于起到保護(hù)其他層間結(jié)構(gòu)的作用。需要說(shuō)明的是，在本實(shí)施方式的制作方法中，步驟SI形成的金屬線與步驟S2形成的電阻線在連接時(shí)存在兩種可能的情況，如圖4所示，此時(shí)，電阻線I與金屬線2是串聯(lián)連接；如圖5所示，此時(shí)，電阻線I與金屬線2的一部分并聯(lián)連接。本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的制作方法，能夠使得各條連接線之間的電阻總值差異變小，進(jìn)而提高顯示面板的顯示效果。作為本發(fā)明的另一種具體實(shí)施方式
，當(dāng)連接線為連接掃描驅(qū)動(dòng)集成電路IC與像素區(qū)域的掃描線時(shí)，如圖6所示，所述方法包括步驟S1、形成金屬線的圖形。具體的，如圖7和圖8所示，首先在基板3上具體可以以蒸鍍或沉積形成一層第一金屬層。然后，通過(guò)第一次構(gòu)圖工藝具體可以經(jīng)掩膜、曝光、刻蝕和光刻膠去除等構(gòu)圖工藝步驟形成金屬線2的圖形。步驟S2、形成第三絕緣層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成過(guò)孔圖形。具體的，如圖7和圖8所示，首先在完成步驟SI的基板3上具體可以以蒸鍍或沉積形成第三絕緣層8。然后，通過(guò)第二次構(gòu)圖工藝具體可以經(jīng)掩膜、曝光、刻蝕和光刻膠去除
等構(gòu)圖工藝步驟形成過(guò)孔圖形。步驟S3、形成電阻線的圖形，使得金屬線與電阻線通過(guò)過(guò)孔相連接。具體的，如圖7和圖8所示，首先在完成步驟S2的基板3上具體可以以蒸鍍或沉積第一 ITO層。然后，通過(guò)第三次構(gòu)圖工藝經(jīng)具體可以掩膜、曝光、刻蝕和光刻膠去除等構(gòu)圖工藝步驟形成電阻線I的圖形，電阻線I與金屬線2通過(guò)步驟S2形成的過(guò)孔相連接。步驟S4、形成第一絕緣層。具體的，如圖7和圖8所示，在完成步驟S3的基板上具體可以以蒸鍍或沉積形成
第一絕緣層6。步驟S5、形成數(shù)據(jù)線的圖形。具體的，如圖7和圖8所示，首先在完成步驟S4的基板上具體可以以蒸鍍或沉積形成一層第二金屬層。然后，通過(guò)第四次構(gòu)圖工藝經(jīng)掩膜、曝光、刻蝕和光刻膠去除等工藝步驟形成數(shù)據(jù)線5的圖形。進(jìn)一步的，在完成步驟S5后，還包括步驟S6、形成保護(hù)層10。具體的，如圖7和圖8所示，在完成步驟S5的基板上具體可以以蒸鍍或沉積形成保護(hù)層10，保護(hù)層10用于起到保護(hù)其他層間結(jié)構(gòu)的作用。需要說(shuō)明的是，在本實(shí)施方式的制作方法中，步驟SI形成的金屬線與步驟S2形成的電阻線在連接時(shí)存在兩種可能的情況，如圖7所示，此時(shí)，電阻線I與金屬線2是串聯(lián)連接；如圖8所示，此時(shí)，電阻線I與金屬線2的一部分并聯(lián)連接。本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的制作方法，能夠使得各條連接線之間的電阻總值的差異變小，進(jìn)而提高顯示面板的顯示效果。作為本發(fā)明的另一種具體實(shí)施方式
，當(dāng)連接線為連接數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)集成電路IC與像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線時(shí)，如圖9所示，所述方法包括步驟S1、形成掃描線的圖形。具體的，如圖10和圖11所示，首先在基板3上具體可以以蒸鍍或沉積一層第一金屬層。然后，通過(guò)第一次構(gòu)圖工藝經(jīng)具體可以掩膜、曝光、刻蝕和光刻膠去除等構(gòu)圖工藝步驟形成掃描線4的圖形。步驟S2、形成第二絕緣層。具體的，如圖10和圖11所示，在完成步驟SI的基板3上具體可以以蒸鍍或沉積形成第二絕緣層7。步驟S3、形成金屬線的圖形。具體的，如圖10和圖11所示，在完成步驟S2的基板3上具體可以以蒸鍍或沉積一層第二金屬層。然后，通過(guò)第二次構(gòu)圖工藝具體可以經(jīng)掩膜、曝光、刻蝕和光刻膠去除等構(gòu)圖工藝步驟形成金屬線2的圖形。步驟S4、形成電阻線的圖形，金屬線與電阻線通過(guò)界面物理接觸的方式相連接。具體的，如圖10和圖11所示，在完成步驟S3的基板3上具體可以以蒸鍍或沉積第一 ITO層。然后，通過(guò)第三次構(gòu)圖工藝具體可以經(jīng) 掩膜、曝光、刻蝕和光刻膠去除等構(gòu)圖工藝步驟形成電阻線I的圖形。進(jìn)一步的，在完成步驟S4后，還包括步驟S5、形成保護(hù)層。具體的，如圖10和圖11所示，在完成步驟S4的基板上具體可以以蒸鍍或沉積形成保護(hù)層10，保護(hù)層10用于起到保護(hù)其他層間結(jié)構(gòu)的作用。需要說(shuō)明的是，在本實(shí)施方式的制作方法中，步驟SI形成的金屬線與步驟S2形成的電阻線在連接時(shí)存在兩種可能的情況，如圖10所示，此時(shí)，電阻線I與金屬線2是串聯(lián)連接；如圖11所示，此時(shí)，電阻線I與金屬線2的一部分并聯(lián)連接。本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的制作方法，能夠使得各條連接線之間的電阻總值的差異變小，進(jìn)而提高顯示面板的顯示效果。作為本發(fā)明的另一種具體實(shí)施方式
，當(dāng)連接線為連接數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)集成電路IC與像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線時(shí)，如圖12所示，所述方法包括步驟S1、形成掃描線的圖形。具體的，如圖13和圖14所示，首先在基板3上具體可以以蒸鍍或沉積一層第一金屬層。然后，通過(guò)第一次構(gòu)圖工藝具體可以經(jīng)掩膜、曝光、刻蝕和光刻膠去除等構(gòu)圖工藝步驟形成掃描線4的圖形。步驟S2、形成第二絕緣層。具體的，如圖13和圖14所示，在完成步驟S I的基板3上具體可以以蒸鍍或沉積形成第二絕緣層7。步驟S3、形成金屬線的圖形。具體的，如圖13和圖14所示，在完成步驟S2的基板3上具體可以以蒸鍍或沉積一層第二金屬層。然后，通過(guò)第二次構(gòu)圖工藝具體可以經(jīng)掩膜、曝光、刻蝕和光刻膠去除等構(gòu)圖工藝步驟形成金屬線2的圖形。步驟S4、形成第四絕緣層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成過(guò)孔圖形。具體的，如圖13和圖14所示，在完成步驟S3的基板3上具體可以以蒸鍍或沉積形成第四絕緣層9。然后，通過(guò)第三次構(gòu)圖工藝具體可以經(jīng)掩膜、曝光、刻蝕和光刻膠去除等構(gòu)圖工藝步驟形成過(guò)孔圖形。步驟S5、形成電阻線的圖形，使得金屬線與電阻線通過(guò)過(guò)孔相連接。具體的，如圖13和圖14所示，在完成步驟S4的基板3上具體可以以蒸鍍或沉積第一 ITO層。然后，通過(guò)第四次構(gòu)圖工藝具體可以經(jīng)掩膜、曝光、刻蝕和光刻膠去除等構(gòu)圖工藝步驟形成電阻線I的圖形，電阻線I與金屬線2通過(guò)步驟S4形成的過(guò)孔相連接。
進(jìn)一步的，在完成步驟S5后，還包括步驟S6、形成保護(hù)層。具體的，如圖13和圖14所示，在完成步驟S5的基板上具體可以以蒸鍍或沉積形成保護(hù)層10，保護(hù)層10用于起到保護(hù)其他層間結(jié)構(gòu)的作用。需要說(shuō)明的是，在本實(shí)施方式的制作方法中，步驟SI形成的金屬線與步驟S2形成的電阻線在連接時(shí)存在兩種可能的情況，如圖13所示，此時(shí)，電阻線I與金屬線2是串聯(lián)連接；如圖14所示，此時(shí)，電阻線I與金屬線2的一部分并聯(lián)連接。本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的制作方法，能夠使得各條連接線之間的電阻總值的差異變小，進(jìn)而提高顯示面板的顯示效果。需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，各步驟的具體實(shí)現(xiàn)方式，尤其是其中關(guān)于形成層間結(jié)構(gòu)以及層間結(jié)構(gòu)形狀的描述，僅僅為示例性說(shuō)明，并非對(duì)技術(shù)方案的限制，本領(lǐng)域的
技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)定和選擇。作為優(yōu)選的制作過(guò)程，舉例來(lái)說(shuō)，可在形成陣列基板其他透明電極層間結(jié)構(gòu)的同時(shí)完成電阻線的制作，從而節(jié)省陣列基板的制作步驟；同樣道理，金屬線的制作過(guò)程也可與其他金屬層間結(jié)構(gòu)的制作過(guò)程合并，從而減少陣列基板的制作步驟。另外，各結(jié)構(gòu)器件的圖形可隨著顯示器設(shè)計(jì)的變化而變化，在此不做限定。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括驅(qū)動(dòng)集成電路1C、像素區(qū)域以及連接所述驅(qū)動(dòng)集成電路IC與所述像素區(qū)域的數(shù)條長(zhǎng)度不等的連接線，其特征在于，所述連接線包括金屬線和電阻線，其中，所述電阻線與所述金屬線串聯(lián)連接，或者，所述電阻線與所述金屬線的一部分并聯(lián)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，各條所述連接線的電阻總值之間偏差小于或者等于O.1 %。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，各條所述連接線的電阻總值相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬線與所述電阻線位于不同層，且所述金屬線與所述電阻線之間具有絕緣層，所述金屬線與所述電阻線通過(guò)過(guò)孔相連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬線與所述電阻線位于相鄰的兩層或同層，所述金屬線與所述電阻線通過(guò)界面物理接觸的方式相連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述電阻線的材料為所述像素區(qū)域的像素電極材料。
7.—種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的陣列基板。
8.—種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括連接線的圖像， 所述連接線的圖形包括金屬線的圖形和電阻線的圖形，其中，所述電阻線與所述金屬線串聯(lián)連接，或者，所述電阻線與所述金屬線的一部分并聯(lián)連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述連接線為連接掃描驅(qū)動(dòng)集成電路IC與像素區(qū)域的掃描線時(shí)，所述方法包括形成金屬線的圖形；形成電阻線的圖形，所述金屬線與所述電阻線通過(guò)界面物理接觸的方式相連接；形成第一絕緣層；形成數(shù)據(jù)線的圖形。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述連接線為連接掃描驅(qū)動(dòng)集成電路IC與像素區(qū)域的掃描線時(shí)，所述方法包括形成金屬線的圖形；形成第三絕緣層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成過(guò)孔圖形；形成電阻線的圖形，使得所述金屬線與所述電阻線通過(guò)所述過(guò)孔相連接；形成第一絕緣層；形成數(shù)據(jù)線的圖形。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述連接線為連接數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)集成電路IC與像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線時(shí)，所述方法包括形成掃描線的圖形；形成第二絕緣層；形成金屬線的圖形；形成電阻線的圖形，所述金屬線與所述電阻線通過(guò)界面物理接觸的方式相連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述連接線為連接數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)集成電路IC與像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線時(shí)，所述方法包括 形成掃描線的圖形； 形成第二絕緣層； 形成金屬線的圖形； 形成第四絕緣層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成過(guò)孔圖形； 形成電阻線的圖形，使得所述金屬線與所述電阻線通過(guò)所述過(guò)孔相連接。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種陣列基板、制作方法及顯示裝置，涉及液晶顯示領(lǐng)域，連接驅(qū)動(dòng)IC與像素區(qū)域的連接線包括金屬線和電阻線，電阻線與金屬線串聯(lián)連接，或者，電阻線與金屬線的一部分并聯(lián)連接，能夠減小各條連接線之間電阻值的差異，進(jìn)而提高顯示面板的顯示效果。本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板，包括驅(qū)動(dòng)集成電路IC、像素區(qū)域以及連接驅(qū)動(dòng)IC與像素區(qū)域的數(shù)條長(zhǎng)度不等的連接線，連接線包括金屬線和電阻線，其中，電阻線與金屬線串聯(lián)連接，或者，電阻線與金屬線的一部分并聯(lián)連接。
文檔編號(hào)H01L27/02GK103022033SQ20121053406
公開(kāi)日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2012年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月11日
發(fā)明者馬禹 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司