專利名稱：一種基板制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種基板制備方法。
背景技術(shù)：
目前，在半導(dǎo)體加工，特別是液晶顯示裝置的TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶體管)陣列基板等基板的制備工藝中，都是在一些防護層的平滑表面沉積金屬層，然后對金屬層進行構(gòu)圖，如曝光顯影、濕法刻蝕等來形成所需要的圖形，濕法刻蝕具有穩(wěn)定性好，工藝簡單的優(yōu)點。
如圖1所示，金屬層2沉積于防護層I的平滑表面上，沉積均勻的金屬層2的底面在防護層I的平滑表面上密度均勻，在對金屬層2的濕法刻蝕過程中，首先對金屬層2中沒有光刻膠3保護的位置進行刻蝕，刻蝕之后還需要對有光刻膠3保護的金屬層2的位置進行適當時間的過刻，以保證將金屬層2中需要刻蝕的金屬全部刻蝕掉，得到如圖2所示的圖形。由于金屬層2沉積于防護層I的平滑表面上，導(dǎo)致進行過刻時，刻蝕液只能通過金屬的上表面以及周面進行刻蝕，刻蝕的速率較慢，影響了基板整體的產(chǎn)出效率。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種基板制備方法，該制備方法中對防護層上方的金屬層進行濕法刻蝕時會產(chǎn)生鉆刻現(xiàn)象，從而提高濕法刻蝕的刻蝕速率，提高基板整體的產(chǎn)出效率。
為達到上述目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案
—種基板制備方法,包括
形成防護層，對防護層進行處理，使防護層的表面粗糙化；
在所述防護層的粗糙表面上生成金屬層；
對所述金屬層進行曝光顯影、以及濕法刻蝕進行構(gòu)圖。
優(yōu)選地，所述防護層由SiNx材料制作而成，所述對防護層進行處理具體包括
用O2 (氧)離子對防護層的表面進行低功率轟擊。
優(yōu)選地，所述用O2離子對基板表面進行低功率轟擊中，O2離子的轟擊功率為 5 20KW，轟擊時間10 20s。
優(yōu)選地，所述防護層由有機材料制作而成，所述對防護層進行處理包括
清洗防護層，并利用遠紫外線對空氣進行照射，使空氣中的O2離子變?yōu)镺3 (臭氧) 離子，O3離子與防護層表面的有機材料反應(yīng)。
優(yōu)選地，所述防護層為陣列基板的柵極絕緣層。
優(yōu)選地，所述防護層為陣列基板的鈍化層。
優(yōu)選地，所述防護層形成于陣列基板制備過程中使用的成膜參數(shù)測試基板上。
本發(fā)明提供的基板制備方法，包括
形成防護層，對防護層進行處理，得到相應(yīng)圖形的防護層，并使防護層的表面粗糙化；
在所述防護層的粗糙表面上生成金屬層；
對所述金屬層進行曝光顯影、以及濕法刻蝕進行構(gòu)圖。
在形成防護層時，對防護層進行處理，可以使防護層的表面比較粗糙，在對防護層的粗糙表面上形成的金屬層進行過刻時，刻蝕液可以通過防護層的粗糙表面上的坑洼處進行滲透，使刻蝕液可對金屬層的底面進行刻蝕，發(fā)生側(cè)面刻蝕，側(cè)面刻蝕的發(fā)生能夠提高刻蝕液對金屬層的刻蝕速率，進而提高基板整體的產(chǎn)出效率。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中金屬層曝光之后的結(jié)構(gòu)示意圖2為現(xiàn)有技術(shù)中刻蝕完成之后的結(jié)構(gòu)不意圖3為本發(fā)明實施例中對位于防護層粗糙表面上的金屬層側(cè)面刻蝕的原理圖4為本發(fā)明提供的基板制備方法的流程圖。
具體實施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
如圖4所示，本發(fā)明提供了一種基板制備方法，包括
步驟S401 :形成防護層01，對防護層01進行處理，使防護層的表面粗糙化；如圖3 所示防護層01的粗糙表 面011。
步驟S402 :在所述防護層01的粗糙表面011上生成金屬層02 ；
步驟S403 :對所述金屬層02進行曝光顯影、以及濕法刻蝕進行構(gòu)圖。
在形成防護層時，對防護層進行處理后，使防護層01的表面比較粗糙，如圖3中所示防護層01的粗糙表面011，在對防護層01的粗糙表面011上形成的金屬層02進行過刻時，刻蝕液可以通過防護層01的粗糙表面011上的坑洼處進行滲透，如圖3中所示位置a， 使刻蝕液可對金屬層02的底面進行刻蝕，發(fā)生側(cè)面刻蝕，側(cè)面刻蝕的發(fā)生能夠提高刻蝕液對金屬層02的刻蝕速率，進而提高基板整體的產(chǎn)出效率。
當然，上述防護層01的制備材料可以有多種選擇，且根據(jù)上述防護層01的材料不同，其處理方式也不同
方式一上述防護層01可以由SiNx材料制作而成，此時，步驟S401中描述的對防護層01進行處理具體包括
用O2離子對防護層01的表面進行低功率轟擊，從而使防護層的表面粗糙化，得到防護層01的粗糙表面011。
使用O2離子對防護層的表面進行低功率轟擊，可以在保證防護層01在不受到過度的損傷的情況下將其表面粗糙化，O2離子在防護層01的表面轟出的坑洼均勻，實現(xiàn)粗糙表面011的粗糙程度達到要求，滿足在對金屬層02的過刻過程中加快刻蝕速率的目的。
優(yōu)選地，上述技術(shù)方案中使用O2離子對防護層01的表面進行低功率轟擊時，O2離子的轟擊功率為5 20KW，轟擊時間l(T20s。限于轟擊設(shè)備的最低啟動標準，本技術(shù)方案中O2離子的轟擊功率不能低于5KW，而同時，為保證防護層01在O2離子轟擊時不受到過度損傷，O2離子的轟擊功率不能高于20KW，O2離子的轟擊功率可以為5KW、7KW、10KW、15KW.20KW 等，當然轟擊時間可以為10s、12s、15s、17s、20s等，02離子的轟擊功率和轟擊時間的選擇可以多樣化，只要能夠在保證防護膜01在不受過度損傷的情況下得到滿足粗糙程度的粗糙表面011即可，這里不再一一列舉。
方式二 上述防護層01還可以由有機材料制作而成，此時，步驟S401中描述的對防護層01進行處理具體包括
在對防護層01進行清洗，并使用遠紫外光線對空氣進行照射，使空氣中的O2離子變?yōu)镺3離子，O3離子與防護層01表面的有機物產(chǎn)生反應(yīng)，進而制造出粗糙的表面。
具體的，上述技術(shù)方案中基板制備方法可以應(yīng)用在多種基板上
優(yōu)選方案一，上述防護層01可以為陣列基板的柵極絕緣層。
優(yōu)選方案二，上述防護層01還可以為陣列基板的鈍化層。
因此，根據(jù)優(yōu)選方案一和優(yōu)選方案二可知，上述基板制備方法可以應(yīng)用到陣列基板的制備方法中。當然，還可以應(yīng)用到觸控膜制備、彩膜基板制備等工藝中，這里不再贅述。
優(yōu)選方案三，上述防護層01還可以形成于陣列基板制備過程中使用的成膜參數(shù)測試基板上。成膜參數(shù)測試基板用來確認陣列基板制備過程中各層金屬層的成膜參數(shù)，一般來說，一張成膜參數(shù)測試基板在所用過程中會經(jīng)過反復(fù)的沉積金屬層、刻蝕，以實現(xiàn)對其最大的利用率。但是，經(jīng)過多次沉積刻蝕后，成膜參數(shù)測試基板表面的金屬殘留物會很難刻蝕干凈，而利用上述基板制備方法中的方案，在可以在基板中的底層防護層增加粗糙結(jié)構(gòu)， 從而可以在對其進行刻蝕時產(chǎn)生側(cè)面刻蝕，加快刻蝕的速度，以保證對使得玻璃基板利用率的進一步提聞。
顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明實施例進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種基板制備方法，其特征在于，包括形成防護層，對所述防護層進行處理，使所述防護層的表面粗糙化；在所述防護層的粗糙表面上生成金屬層；對所述金屬層進行曝光顯影、以及濕法刻蝕來完成構(gòu)圖工藝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板制備方法，其特征在于，所述防護層由SiNx材料制作而成，所述對防護層進行處理具體包括用O2離子對防護層的表面進行低功率轟擊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板制備方法，其特征在于，所述用O2離子對基板表面進行低功率轟擊時，O2離子的轟擊功率為5 20KW，轟擊時間為l(T20s。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板制備方法，其特征在于，所述防護層由有機材料制作而成，所述對防護層進行處理包括清洗防護層，并利用遠紫外線對空氣進行照射，使空氣中的O2離子變?yōu)镺3離子，O3離子與防護層表面的有機材料反應(yīng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求Γ4任一項所述的基板制備方法，其特征在于，所述防護層為陣列基板的柵極絕緣層。
6.根據(jù)權(quán)利要求Γ4任一項所述的基板制備方法，其特征在于，所述防護層為陣列基板的鈍化層。
7.根據(jù)權(quán)利要求Γ4任一項所述的基板制備方法，其特征在于，所述防護層形成于陣列基板制備過程中使用的成膜參數(shù)測試基板上。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種基板制備方法，包括形成防護層，對防護層進行處理，得到相應(yīng)圖形的防護層，并使防護層的表面粗糙化；在所述防護層的粗糙表面上生成金屬層；對所述金屬層進行曝光顯影、以及濕法刻蝕進行構(gòu)圖。在形成防護層時，對防護層進行處理，可以使防護層的表面比較粗糙，在對防護層的粗糙表面上形成的金屬層進行過刻時，刻蝕液可以通過防護層的粗糙表面上的坑洼處進行滲透，使刻蝕液可對金屬層的底面進行刻蝕，發(fā)生側(cè)面刻蝕，側(cè)面刻蝕的發(fā)生能夠提高刻蝕液對金屬層的刻蝕速率，進而提高基板整體的產(chǎn)出效率。
文檔編號H01L21/02GK103000495SQ201210533950
公開日2013年3月27日 申請日期2012年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月11日
發(fā)明者郭建 申請人:北京京東方光電科技有限公司