等平面場(chǎng)氧化隔離結(jié)構(gòu)及其形成方法
【專利摘要】一種等平面場(chǎng)氧化隔離結(jié)構(gòu)及其形成方法。所述方法包括：提供襯底；在襯底上形成氧化硅層；在氧化硅層上形成第一氮化硅層；進(jìn)行圖案化，在預(yù)定區(qū)域形成開(kāi)口，露出所述襯底；在所述開(kāi)口中去除所述襯底的部分，以形成凹槽；在所述凹槽的內(nèi)壁形成氮化硅側(cè)墻；在所述凹槽內(nèi)生長(zhǎng)場(chǎng)氧化層；使所述場(chǎng)氧化層的表面與所述凹槽外所述襯底的表面平齊；以及去除所述凹槽外的所述第一氮化硅層和所述氧化硅層。根據(jù)本發(fā)明的方法可獲得等平面場(chǎng)氧化隔離結(jié)構(gòu)；同時(shí)，在凹槽的內(nèi)壁形成有氮化硅側(cè)壁，可以防止橫向的過(guò)氧化，保持有源區(qū)域面積不變。
【專利說(shuō)明】等平面場(chǎng)氧化隔離結(jié)構(gòu)及其形成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及超深亞微米半導(dǎo)體器件【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及等平面場(chǎng)氧化隔離結(jié)構(gòu)及其形成方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)今，在一個(gè)半導(dǎo)體集成電路中集成有成千上萬(wàn)個(gè)半導(dǎo)體器件，為了避免器件之間的相互影響，通常需要在器件之間形成隔離。
[0003]傳統(tǒng)的隔離方式是局部場(chǎng)氧化隔離(L0C0S)。在傳統(tǒng)的LOCOS形成方法中，首先在娃襯底表面生長(zhǎng)一層氮化娃層，通過(guò)光刻與腐蝕去除場(chǎng)區(qū)的氮化娃層，形成開(kāi)口，露出娃襯底，然后在裸露的硅襯底上形成場(chǎng)氧化層，再去除硅襯底表面的氮化硅層，從而在硅片表面形成有源區(qū)(器件區(qū)域)和場(chǎng)區(qū)(隔離區(qū)域)。然而，采用該方法形成的場(chǎng)氧化層有50%以上的厚度高出硅襯底表面，也即場(chǎng)氧化層和器件區(qū)硅襯底表面有巨大落差，這不利于化學(xué)機(jī)械研磨等先進(jìn)制程的采用。以高k柵介質(zhì)-金屬柵半導(dǎo)體器件后柵制備工藝為例，為了方便金屬柵的填充，一般要求假柵高度不能太高，而場(chǎng)氧化層和器件區(qū)硅襯底表面的巨大落差大大減小了平坦化過(guò)程中化學(xué)機(jī)械研磨工藝的工藝窗口 ；同時(shí)，由于過(guò)刻蝕量的增大，化學(xué)機(jī)械研磨工藝的波動(dòng)很容易將假柵結(jié)構(gòu)刻蝕干凈，造成器件的損傷。因此，獲得等平面的場(chǎng)氧化隔離結(jié)構(gòu)尤為重要。
[0004]為了獲得等平面的隔離結(jié)構(gòu)，淺溝槽隔離(STI)工藝開(kāi)始被采用。但是淺溝槽隔離工藝對(duì)設(shè)備要求較高，從而增加了工藝成本。因此，開(kāi)發(fā)一種行之有效且成本低廉的等平面隔離結(jié)構(gòu)及其形成方法尤為重要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]在下文中給出關(guān)于本公開(kāi)的簡(jiǎn)要概述，以便提供關(guān)于本公開(kāi)的某些方面的基本理解。應(yīng)當(dāng)理解，這個(gè)概述并不是關(guān)于本公開(kāi)的窮舉性概述。它并不是意圖確定本公開(kāi)的關(guān)鍵或重要部分，也不是意圖限定本公開(kāi)的范圍。其目的僅僅是以簡(jiǎn)化的形式給出某些概念，以此作為稍后論述的更詳細(xì)描述的前序。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種形成等平面場(chǎng)氧化隔離的方法，該方法包括:提供襯底；在所述襯底上形成氧化硅層；在所述氧化硅層上形成第一氮化硅層；對(duì)所述第一氮化硅層和所述氧化硅層進(jìn)行圖案化，在預(yù)定區(qū)域形成開(kāi)口，露出所述襯底；在所述開(kāi)口中去除所述襯底的部分，以在所述襯底的表面形成凹槽；在所述襯底上形成第二氮化硅層，蝕刻所述第二氮化硅層，以在所述凹槽的內(nèi)壁形成氮化硅側(cè)墻；在所述凹槽內(nèi)生長(zhǎng)場(chǎng)氧化層；使所述場(chǎng)氧化層的表面與所述凹槽外所述襯底的表面平齊；以及去除所述凹槽外的所述第一氮化娃層和所述氧化娃層。
[0007]優(yōu)選地，在所述開(kāi)口中去除所述襯底的部分以在所述襯底的表面形成凹槽的步驟，包括:采用干法刻蝕工藝或濕法腐蝕工藝中的一種或兩種的組合，在所述開(kāi)口去除所述襯底的部分以形成所述凹槽。[0008]優(yōu)選地，在所述開(kāi)口去除所述襯底的部分形成凹槽的步驟，包括:采用熱氧化工藝在所述開(kāi)口的襯底上形成熱氧化層，所述熱氧化層使所述襯底表面的第一部分被氧化；以及蝕刻所述熱氧化層以及所述襯底的所述第一部分，以形成所述凹槽。
[0009]優(yōu)選地，所述濕法腐蝕工藝包括:采用體積百分比含量為1%至15%的四甲基氫氧化銨水溶液在50°C至80°C的工藝溫度下腐蝕去除所述襯底的部分，以形成所述凹槽。
[0010]優(yōu)選地，所述凹槽的深度約是所述場(chǎng)氧化層厚度的二分之一至五分之三。
[0011]優(yōu)選地，所述第二氮化硅層的厚度為4 O OA至8 O OA1=
[0012]優(yōu)選地，在所述襯底上形成第二氮化硅層的步驟包括:在所述襯底上形成所述第二氮化硅層之前在所述襯底上生長(zhǎng)第二氧化硅層，所述第二氧化硅層用于消除所述第二氮化硅層和所述襯底表面之間的應(yīng)力。
[0013]優(yōu)選地，所述氮化硅側(cè)墻形成于所述凹槽內(nèi)壁的上部。
[0014]優(yōu)選地，所述凹槽兩端的內(nèi)壁上形成有鳥(niǎo)嘴型側(cè)壁，所述氮化硅側(cè)墻形成于所述鳥(niǎo)嘴型側(cè)壁上。
[0015]優(yōu)選地，蝕刻所述第二氮化硅層以在所述凹槽的內(nèi)壁形成氮化硅側(cè)墻的步驟還包括:在蝕刻所述第二氮化硅層后，在磷酸中腐蝕修正所述氮化硅側(cè)墻的厚度，以減小或消除在所述場(chǎng)氧化層形成時(shí)出現(xiàn)的鳥(niǎo)嘴與凹坑。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供一種通過(guò)使用上述方法形成的等平面場(chǎng)氧化隔離結(jié)構(gòu)。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的在一個(gè)方面，提供一種等平面場(chǎng)氧化隔離結(jié)構(gòu)，包括襯底和形成于所述襯底中的場(chǎng)氧化隔離，其中所述場(chǎng)氧化隔離的上表面與所述襯底的上表面齊平。
[0018]本發(fā)明的場(chǎng)氧化隔離制造方法基于傳統(tǒng)的局部場(chǎng)氧化隔離工藝，其不同之處是本發(fā)明先在襯底表面形成凹槽，再在凹槽內(nèi)形成場(chǎng)氧化層，通過(guò)優(yōu)化凹槽深度與場(chǎng)氧化層的厚度可以獲得與有源區(qū)襯底表面平齊的場(chǎng)氧化層；另外，根據(jù)本發(fā)明提供的方法，在凹槽的側(cè)壁有氮化硅側(cè)墻的保護(hù)，所以可以有效防止場(chǎng)氧化層的橫向氧化，保持有源區(qū)面積不變。與淺溝槽隔離工藝相比，本發(fā)明提供的場(chǎng)氧化隔離結(jié)構(gòu)形成方法簡(jiǎn)單，成本低廉。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0019]通過(guò)以下參照附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的描述，本發(fā)明的上述以及其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將更為清楚。在各附圖中，相同或類似的附圖標(biāo)記表示相同或者類似的結(jié)構(gòu)或步驟。
[0020]圖1示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例提供的形成等平面場(chǎng)氧化隔離的方法的流程圖；
[0021]圖2至9示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例形成等平面場(chǎng)氧化隔離的流程中各步驟對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)截面圖；以及
[0022]圖10示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例形成的等平面場(chǎng)氧化隔離結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0023]附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0024]1000，硅襯底;1002，氧化層;1004，氮化硅層;1006，場(chǎng)區(qū);1008，有源區(qū);1010，熱氧化層;1012，凹槽;1014，氮化硅層;1016，氮化硅側(cè)墻;1018，場(chǎng)氧化層。
【具體實(shí)施方式】
[0025]以下，通過(guò)附圖中示出的具體實(shí)施例來(lái)描述本發(fā)明。但是應(yīng)該理解，這些描述只是示例性的，而并非要限制本發(fā)明的范圍。此外，在以下說(shuō)明中，省略了對(duì)公知結(jié)構(gòu)和技術(shù)的描述，以避免不必要地混淆本發(fā)明的概念。
[0026]在附圖中示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的層結(jié)構(gòu)示意圖。這些圖并非是按比例繪制的，其中為了清楚的目的，放大了某些細(xì)節(jié)，并且可能省略了某些細(xì)節(jié)。圖中所示出的各種區(qū)域、層的形狀以及它們之間的相對(duì)大小、位置關(guān)系僅是示例性的，實(shí)際中可能由于制造公差或技術(shù)限制而有所偏差，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)實(shí)際所需可以另外設(shè)計(jì)具有不同形狀、大小、相對(duì)位置的區(qū)域/層。
[0027]應(yīng)當(dāng)注意，在以下描述中，提及第一特征在第二特征之“上”或“上方”既可以包括第一特征和第二特征直接接觸的情況，也可以包括有其他特征存在于第一特征與第二特征之間的情況，即第一特征和第二特征可能不是直接接觸。
[0028]圖1示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例提供的形成等平面場(chǎng)氧化隔離的方法的流程圖。該方法包括:
[0029]步驟SOl:提供襯底；
[0030]步驟S02:在所述襯底上形成氧化硅層；
[0031]步驟S03:在所述氧化硅層上形成第一氮化硅層；
[0032]步驟S04:對(duì)所述第一氮化硅層和所述氧化硅層進(jìn)行圖案化，在預(yù)定區(qū)域形成開(kāi)口，露出所述襯底；
[0033]步驟S05:在所述開(kāi)口中去除所述襯底的部分，以在所述襯底的表面形成凹槽；
[0034]步驟S06:在所述襯底上形成第二氮化硅層，蝕刻所述第二氮化硅層，以在所述凹槽的內(nèi)壁形成氮化硅側(cè)墻；
[0035]步驟S07:在所述凹槽內(nèi)生長(zhǎng)場(chǎng)氧化層；
[0036]步驟S08:使所述場(chǎng)氧化層的表面與所述凹槽外所述襯底的表面平齊；以及
[0037]步驟S09:去除所述凹槽外的所述第一氮化硅層和所述氧化硅層。
[0038]基于圖1所示的形成等平面場(chǎng)氧化隔離的方法，以下結(jié)合具體實(shí)施例來(lái)詳細(xì)描述本公開(kāi)的形成等平面場(chǎng)氧化隔離的方法的具體工藝流程。
[0039]圖2?9詳細(xì)示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例形成等平面場(chǎng)氧化隔離流程中各步驟的截面圖。在這些附圖中，使用的襯底是硅襯底。
[0040]首先，如圖2所示，提供硅襯底1000，在硅襯底1000表面形成氧化層1002，在氧化層1002上形成氮化硅層1004，然后圖形化該氧化層1002和氮化硅層1004，從而在硅襯底1000上形成場(chǎng)區(qū)1006和有源區(qū)1008。根據(jù)一個(gè)示例型實(shí)施例，可以通過(guò)掩膜光刻所述氧化層1002和氮化硅層1004而在所述硅襯底1000上蝕刻出所述場(chǎng)區(qū)1006。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以使用其他圖形化技術(shù)，本發(fā)明在此方面不受限制。如圖2所示，該場(chǎng)區(qū)1006可以為一個(gè)開(kāi)口。
[0041]接著，如圖3所示，可以在包括場(chǎng)區(qū)1006的硅襯底1000上例如利用氧化工藝生長(zhǎng)熱氧化層1010。所述氧化工藝會(huì)對(duì)硅襯底1000上表面進(jìn)行一定深度的氧化。優(yōu)選地，在該實(shí)施例中，采用濕法氧化工藝生長(zhǎng)熱氧化層1010，所述濕氧氧化工藝是在1000°C溫度下氫氣與氧氣的混合氣體中氧化2 2 O OA深度的硅襯底1000，形成4 8 O OA厚度的熱氧化層，其中氫氣與氧氣的體積百分比含量分別是50%。同時(shí)，在該濕氧氧化工藝中，在所述熱氧化層1010的兩端可以形成鳥(niǎo)嘴(bird break)ο[0042]然后，如圖4所示，可以將所述熱氧化層1010去除，這樣在場(chǎng)區(qū)1006的硅襯底表面形成具有一定深度的凹槽1012。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述凹槽1012的深度為2200A。可以利用例如濕法腐蝕的方式去除該熱氧化層1010。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，可以采用例如體積百分比含量為10%至15%的氫氟酸(HF)水溶液在室溫下腐蝕去除所述熱氧化層1010，以形成所述凹槽1012。還可以采取其他方式去除所述熱氧化層，本發(fā)明在此方面不受限制。
[0043]優(yōu)選地，在該實(shí)施例中，該凹槽1012的深度是預(yù)期要形成的場(chǎng)氧化層厚度的二分之一至五分之三。此外，如上面所陳述的，硅襯底1000上表面因?yàn)闊嵫趸瘜?010的生長(zhǎng)而有一部分被氧化，該凹槽1012的形狀則與所述硅襯底1000表面被氧化的部分形狀一致。在一個(gè)示例型實(shí)例中，所述凹槽1012的兩端會(huì)留下鳥(niǎo)嘴形狀的側(cè)壁，如圖3-4所示，但本發(fā)明在此方面并不受限。
[0044]可替換地，可以無(wú)需形成所述熱氧化層1010而是使用其他方式在所述硅襯底1000上形成所述凹槽1012。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，可以采用例如體積百分比含量為1%至15%的四甲基氫氧化銨(TMAH)水溶液在50至60°C工藝溫度下腐蝕去除22OOA深度的硅襯底1000，形成具有2200A深度的凹槽1012。此外，還可以采用干法刻蝕工藝如濺射與離子束刻蝕、等離子刻蝕(Plasma Etching)、高壓等離子刻蝕、高密度等離子體(HDP)刻蝕和反應(yīng)離子刻蝕(RIE)等，或者上述工藝的任意組合，在所述場(chǎng)區(qū)1006中去除部分硅襯底，從而形成所述凹槽1012。
[0045]接著，如圖5所示，在整個(gè)硅襯底1000的表面，包括在所述第二氮化硅層表面、所述凹槽1012側(cè)壁及底部，利用例如爐管或其他方式生長(zhǎng)氮化硅層1014。優(yōu)選地，該氮化硅層1014的厚度為400A至800A。在一個(gè)實(shí)例中，還可以在形成所述氮化硅層1014之前生長(zhǎng)一層薄的氧化層(未圖示)，優(yōu)選地，該薄氧化層的厚度為100 A至150A該薄氧化層可以用來(lái)消除氮化硅層1014和硅襯底1000表面之間的應(yīng)力。
[0046]然后，如圖6所示，對(duì)氮化硅層1014進(jìn)行刻蝕。如圖所示，硅襯底1000表面平坦處的氮化硅層1014被完全刻蝕，而形成于凹槽1012內(nèi)壁拐角處的氮化硅層1014則由于側(cè)墻原理不能被完全刻除，所以在凹槽1012內(nèi)壁邊緣有一定厚度的氮化硅層1014被保留下來(lái)，形成氮化硅側(cè)墻1016。在一個(gè)實(shí)施例中，所述氮化硅側(cè)墻1016形成于所述鳥(niǎo)嘴型側(cè)壁上。在另一個(gè)實(shí)施例中，所述氮化硅側(cè)墻1016可以形成于所述凹槽內(nèi)壁的上部。
[0047]接著，如圖7所示，可以使用濕法腐蝕或者其他方式對(duì)氮化硅側(cè)墻1016進(jìn)行處理以減薄氮化硅側(cè)墻1016的厚度。這是因?yàn)檩^厚的氮化硅側(cè)墻1016可能會(huì)妨礙后續(xù)工藝中氧化層在該凹槽內(nèi)壁上的形成，從而在形成場(chǎng)氧化層時(shí)在場(chǎng)氧化層邊沿形成凹坑，其可能導(dǎo)致邊沿電場(chǎng)集中，器件電學(xué)特性下降。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，可以采用磷酸作為腐蝕溶液，在約165°C的溫度下對(duì)側(cè)墻1016進(jìn)行減薄，腐蝕時(shí)間依據(jù)去除氮化硅側(cè)墻1016的厚度而定，優(yōu)選地，氮化硅側(cè)墻1016的剩余厚度為150 A至200A。
[0048]然后，如圖8所示，在凹槽1012內(nèi)形成(例如生長(zhǎng))場(chǎng)氧化層1018，并且使該場(chǎng)氧化層1018的上表面與有源區(qū)1008中硅襯底1000的上表面平齊。
[0049]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，通過(guò)采用濕法氧化工藝生長(zhǎng)熱氧化層1010，所述濕氧氧化工藝是在1000°C溫度下氫氣與氧氣的混合氣體中氧化1800A深度的硅襯底1000，形成4000A厚度的熱氧化層.來(lái)形成與有源區(qū)中硅襯底上表面齊平的場(chǎng)氧化層1018，其中氫氣與氧氣的體積百分比含量分別是50%。[0050]接著，如圖9所示，去除所述硅襯底1000表面的氮化硅層1004、氧化層1002以及氮化硅側(cè)墻1016，形成等平面場(chǎng)氧隔離結(jié)構(gòu)。
[0051]圖10示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例形成的等平面場(chǎng)氧化隔離結(jié)構(gòu)的截面圖。該等平面場(chǎng)氧化隔離結(jié)構(gòu)包括襯底和形成于所述襯底中的場(chǎng)氧化隔離1018。從附圖可見(jiàn)，所述場(chǎng)氧化隔離1018的上表面與所述襯底有源區(qū)1008的上表面齊平。
[0052]在本發(fā)明提供的這種形成等平面場(chǎng)氧化隔離的方法中，先去除硅襯底上表面的部分形成凹槽，然后采用氮化硅側(cè)墻保護(hù)硅襯底凹槽側(cè)壁，最后通過(guò)場(chǎng)氧化層形成等平面場(chǎng)氧化隔離。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的場(chǎng)氧化隔離形成方法通過(guò)優(yōu)化凹槽深度與場(chǎng)氧化層的厚度可以獲得與有源區(qū)硅襯底表面平齊的場(chǎng)氧化層；此外，由于凹槽側(cè)壁有氮化硅側(cè)墻的保護(hù)，可以有效防止場(chǎng)氧化層的橫向氧化，保持有源區(qū)面積不變。
[0053]在以上的描述中，對(duì)于各層的構(gòu)圖、刻蝕等技術(shù)細(xì)節(jié)并沒(méi)有做出詳細(xì)的說(shuō)明。但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以通過(guò)現(xiàn)有技術(shù)中的各種手段，來(lái)形成所需形狀的層、區(qū)域等。另外，為了形成同一結(jié)構(gòu)，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以設(shè)計(jì)出與以上描述的方法并不完全相同的方法。
[0054]以上參照本發(fā)明的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明予以了說(shuō)明。但是，這些實(shí)施例僅僅是為了說(shuō)明的目的，而并非為了限制本發(fā)明的范圍。本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等價(jià)物限定。不脫離本發(fā)明的范圍，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以做出多種替換和修改，這些替換和修改都應(yīng)落在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種形成等平面場(chǎng)氧化隔離的方法，其特征在于，包括: 提供襯底； 在所述襯底上形成氧化硅層； 在所述氧化娃層上形成第一氮化娃層； 對(duì)所述第一氮化硅層和所述氧化硅層進(jìn)行圖案化，在預(yù)定區(qū)域形成開(kāi)口，露出所述襯底； 在所述開(kāi)口中去除所述襯底的部分，以在所述襯底的表面形成凹槽； 在所述襯底上形成第二氮化硅層，蝕刻所述第二氮化硅層，以在所述凹槽的內(nèi)壁形成氮化硅側(cè)墻； 在所述凹槽內(nèi)生長(zhǎng)場(chǎng)氧化層； 使所述場(chǎng)氧化層的表面與所述凹槽外所述襯底的表面平齊；以及 去除所述凹槽外的所述第一氮化硅層和所述氧化硅層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述開(kāi)口中去除所述襯底的部分以在所述襯底的表面形成凹槽的步驟，包括: 采用干法刻蝕工藝或濕法腐蝕工藝中的一種或兩種的組合，在所述開(kāi)口去除所述襯底的部分以形成所述凹槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述開(kāi)口去除所述襯底的部分形成凹槽的步驟，包括: 采用熱氧化工藝在所述開(kāi)口的襯底上形成熱氧化層，所述熱氧化層使所述襯底表面的第一部分被氧化；以及 蝕刻所述熱氧化層以及所述襯底的所述第一部分，以形成所述凹槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述濕法腐蝕工藝包括: 采用體積百分比含量為1%至15%的四甲基氫氧化銨水溶液在50°C至80°C的工藝溫度下腐蝕去除所述襯底的部分，以形成所述凹槽。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一所述的方法，其中，所述凹槽的深度是所述場(chǎng)氧化層厚度的二分之一至五分之三。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二氮化硅層的厚度為400A至800A，包括端點(diǎn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述襯底上形成第二氮化硅層的步驟，包括: 在所述襯底上形成所述第二氮化硅層之前在所述襯底上生長(zhǎng)第二氧化硅層，所述第二氧化硅層用于消除所述第二氮化硅層和所述襯底表面之間的應(yīng)力。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述氮化硅側(cè)墻形成于所述凹槽內(nèi)壁的上部。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述凹槽兩端的內(nèi)壁上形成有鳥(niǎo)嘴型側(cè)壁，所述氮化硅側(cè)墻形成于所述鳥(niǎo)嘴型側(cè)壁上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，蝕刻所述第二氮化硅層以在所述凹槽的內(nèi)壁形成氮化娃側(cè)墻的步驟，還包括: 在蝕刻所述第二氮化硅層后，在磷酸中腐蝕修正所述氮化硅側(cè)墻的厚度，以減小或消除在所述場(chǎng)氧化層形成時(shí)出現(xiàn)的鳥(niǎo)嘴與凹坑。
11.一種通過(guò)根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法形成的等平面場(chǎng)氧化隔離結(jié)構(gòu)。
12.—種等平面場(chǎng)氧化隔離結(jié)構(gòu)，包括襯底和形成于所述襯底中的場(chǎng)氧化隔離，其特征在于，所述場(chǎng)氧化隔離的上表面與所 述襯底的上表面齊平。
【文檔編號(hào)】H01L21/762GK103855072SQ201210521736
【公開(kāi)日】2014年6月11日 申請(qǐng)日期:2012年12月6日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月6日
【發(fā)明者】許高博, 徐秋霞 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院微電子研究所