專利名稱：一種oled器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件領(lǐng)域，尤其涉及一種具有透明復(fù)合陰極的OLED器件。
背景技術(shù)：
有機(jī)電致發(fā)光器件(英文全稱為Organic Light-Emitting Diode,簡(jiǎn)稱為OLED)按照出光方式分為底發(fā)射器件(英文全稱為Bottom OrganicLight-emitting Device,簡(jiǎn)稱為BEOLED)和頂發(fā)射器件(英文全稱為TOPOrganic Light-emitting Device,簡(jiǎn)稱為TE0LED)。BEOLED所用的陽極是透明的，一般通過濺射的方式將的透明的銦錫氧化物IT0(或銦鋅氧化物IZO等)生長(zhǎng)在透明基板上作為陽極，器件內(nèi)部發(fā)出的光相繼經(jīng)過透明陽極、透明基板射出。采用這種方式制作的顯示屏由于驅(qū)動(dòng)電路和顯示區(qū)域要同時(shí)制作在透明基板上，導(dǎo)致顯示區(qū)域面積相對(duì)減小，顯示屏的開口率降低。與普通的底發(fā)射器件相 t匕，頂發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件(TEOLED)由于其本身的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，光可以從頂部電極射出，在有源驅(qū)動(dòng)OLED中，像素驅(qū)動(dòng)電路、總線等可以制作在顯示區(qū)域的下方，從而避免了驅(qū)動(dòng)電路與顯示區(qū)域互相競(jìng)爭(zhēng)的問題，使得器件的開口率大大提高，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)顯示屏的高分辨率。頂發(fā)射器件還可以制作在硅基襯底上，從而可制成硅上有機(jī)微顯示器。頂發(fā)射器件的主要難點(diǎn)是需要選擇合適的陰極材料，既要具有較低的功函數(shù)，以保證有效的電荷注入，又要獲得較好的透光率，且有較低的電阻。美國(guó)專利US2003227250A1中公開了一種用于顯示器的透明電極采用了 Ag合金薄膜，但其沒有考慮OLED器件所要求的較低陰極功函數(shù)的特性。中國(guó)專利CN102593373A公開了一種OLED復(fù)合透明陰極結(jié)構(gòu)，所述復(fù)合透明陰極結(jié)構(gòu)包括透明陰極層以及輔助透明陰極層，輔助透明陰極層設(shè)置在透明陰極層上方；所述透明陰極層采用Mg/Ag合金材料，Mg的質(zhì)量百分比為30%-0. 1%，Ag的質(zhì)量百分比為70%-99. 9%，輔助陰極層采用Ag材料制成。該陰極結(jié)構(gòu)中，選用Mg/Ag合金材料作為透明陰極，但由于比例不適當(dāng)，反而在一定程度上增加了功函數(shù)，影響了電子向有機(jī)層的有效注入。中國(guó)專利CN101034735A公開了一種Mg/Ag合金材料作為透明陰極，并限定其厚度為170/\-200入焉和Ag的比例為25:1-10:1，該文獻(xiàn)公開的技術(shù)方案雖然在一定程度上降低了功函數(shù)，提高了器件的光通量，但由于Mg的比例過高，影響了光的出射，進(jìn)而影響了OLED器件的發(fā)光效率，也沒有考慮器件由于光學(xué)特性而導(dǎo)致在不同視角觀察引起的色度變化。

發(fā)明內(nèi)容
為此，本發(fā)明所要解決的是現(xiàn)有的OLED器件中透明陰極結(jié)構(gòu)功函數(shù)高、透光率差的技術(shù)問題，提供一種具有較低功函數(shù)、較高透光率的OLED復(fù)合陰極的OLED器件。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下一種OLED器件，包括基板以及依次設(shè)置在所述基板上的陽極、有機(jī)層和陰極，所述陰極為透明復(fù)合陰極，包括由低功函數(shù)金屬與Ag構(gòu)成的合金層、Ag層，以及設(shè)置在所述Ag層上的增透層；所述合金層的厚度為3-llnm，所述Ag層的厚度為15_30nm，所述增透層的厚度為30-100nm ;所述合金層中，所述低功函數(shù)金屬的功函數(shù)小于3. 7eV，所述低功函數(shù)金屬含量與Ag含量的摩爾比是2:1-8:1。所述合金層的厚度為3-7nm,所述Ag層厚度為15_25nm,所述增透層的厚度為50_100nm。所述合金層的厚度為7-llrnn，所述Ag層厚度為20-30mn，所述增透層的厚度為30_60nmo所述低功函數(shù)金屬選自Mg、L1、K中的一種。
所述增透層的折射率在450nm-650nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)大于或者等于1. 7。構(gòu)成所述增透層的材料選自茚並芴衍生物、三胺衍生物或螺芴衍生物。構(gòu)成所述增透層的材料選自下述結(jié)構(gòu)式所示的化合物中的一種或多種
權(quán)利要求
1.一種OLED器件，包括基板(I)以及依次設(shè)置在所述基板(I)上的陽極(3)、有機(jī)層和陰極(9)，其特征在于所述陰極(9)為透明復(fù)合陰極，包括由低功函數(shù)金屬與Ag構(gòu)成的合金層、Ag層，以及設(shè)置在所述Ag層上的增透層；所述合金層的厚度為3-llnm，所述Ag層的厚度為15_30nm，所述增透層的厚度為30_100nm ;所述合金層中，所述低功函數(shù)金屬的功函數(shù)小于3. 7eV,所述低功函數(shù)金屬含量與Ag含量的摩爾比是2:1-8:1。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述OLED器件，其特征在于所述合金層的厚度為3-7nm，所述Ag層厚度為15_25nm，所述增透層的厚度為50_100nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述OLED器件，其特征在于所述合金層的厚度為7-llnm，所述Ag層厚度為20-30nm，所述增透層的厚度為30_60nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述OLED器件，其特征在于所述低功函數(shù)金屬選自Mg、L1、K中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述OLED器件，其特征在于所述增透層的折射率在450nm_650nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)大于或者等于1. 7。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的OLED器件，其特征在于構(gòu)成所述增透層的材料選自茚並芴衍生物、三胺衍生物或螺芴衍生物。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的OLED器件，其特征在于構(gòu)成所述增透層的材料選自下述結(jié)構(gòu)式所示的化合物中的一種或多種
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一所述的OLED器件，其特征在于，所述有機(jī)層為發(fā)光層(6)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一所述的OLED器件，其特征在于，所述有機(jī)層包括發(fā)光層(6)和功 泛層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的OLED器件，其特征在于，所述功能層包括空穴注入層、電子阻擋層、空穴傳輸層、電子傳輸層、空穴阻擋層、電子注入層中的一種或幾種的組合。
11.根據(jù)權(quán)利要求8-10任一所述的OLED器件，其特征在于，所述基板(I)與所述陽極(3)之間還設(shè)置有反射層(2)。
全文摘要
一種OLED器件，包括基板，依次設(shè)置在基板上的陽極、有機(jī)層和陰極，所述陰極為透明復(fù)合陰極，包括低功函數(shù)金屬與Ag的合金層、Ag層，以及設(shè)置在Ag層上的增透層；所述低功函數(shù)金屬的功函數(shù)小于3.7eV的，所述合金層中低功函數(shù)金屬與Ag的摩爾比是2:1-8:1，所述合金層的厚度為3-11nm，所述Ag層的厚度為15-30nm，所述增透層的厚度為30-100nm。Mg、Li、K等與Ag共同蒸鍍時(shí)會(huì)包覆在Ag原子周圍，以適度的比例蒸鍍可以有效降低陰極的功函數(shù)，且不會(huì)大量吸收可見光；增透層不但增加透射光的強(qiáng)度，且能隙較大，不會(huì)影響器件色純度；所述合金層的厚度與所述Ag層的厚度較低，具有較高的透光率。
文檔編號(hào)H01L51/52GK103022377SQ20121051730
公開日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2012年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月6日
發(fā)明者邱勇, 劉嵩, 何麟 申請(qǐng)人:昆山維信諾顯示技術(shù)有限公司, 清華大學(xué), 北京維信諾科技有限公司