專利名稱：一種lvds線纜的屏蔽方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種LVDS線纜的屏蔽方法，屬于線纜信號(hào)屏蔽技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
LVDS (Low Voltage Differential Signaling 低壓差分信號(hào))線纜一種是廣泛應(yīng)用于宇航產(chǎn)品的線纜，LVDS信號(hào)是一種低壓擺幅的差分信號(hào)技術(shù)，具有更高的比特率，更低的功耗和更穩(wěn)定的可靠性而被廣泛使用。然而受傳統(tǒng)工藝限制，線纜的屏蔽層在距接插件5mm-20mm處截止，該縫隙僅進(jìn)行絕緣處理，成為線纜輻射發(fā)射的主要途徑。使用該線纜的單機(jī)在進(jìn)行輻射發(fā)射類測(cè)試時(shí)，經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)超出限值要求的現(xiàn)象。此現(xiàn)象廣泛出現(xiàn)于各類使用LVDS線纜的航天產(chǎn)品中，亟需改進(jìn)屏蔽設(shè)計(jì)方法，適應(yīng)型號(hào)應(yīng)用需求
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的技術(shù)解決問(wèn)題是提出了一種LVDS線纜的屏蔽方法，在不破壞LVDS線纜原有優(yōu)良特性的情況下，對(duì)其電磁兼容性能進(jìn)行優(yōu)化，提高其電磁屏蔽度。本發(fā)明的技術(shù)解決方案是一種LVDS線纜的屏蔽方法，所述LVDS線纜包括接插件和線纜兩部分，線纜由內(nèi)到外依次為線芯、屏蔽層、絕緣層，步驟如下(I)將線纜一端的屏蔽層和絕緣層剝開，露出線芯，將線芯與對(duì)應(yīng)的接插件插針作相連加工，去除剝開的屏蔽層和絕緣層；(2)對(duì)步驟(I)中得到的線纜靠近接插件的部分，將絕緣層再次剝開，露出屏蔽層；(3)使用屏蔽材料作二次加強(qiáng)屏蔽層處理。所述作二次加強(qiáng)屏蔽層處理是指使用屏蔽材料將從露出的屏蔽層到接插件內(nèi)腔體底部之間的部分再次包裹，形成二次加強(qiáng)屏蔽層。所述二次加強(qiáng)屏蔽層與所述露出的屏蔽層之間為360°搭接。二次加強(qiáng)屏蔽層與所述露出的屏蔽層之間進(jìn)行搭接的搭接電阻小于ΙΟι Ω。所述露出線芯的長(zhǎng)度為25-40mm。步驟⑵中所述將絕緣層再次剝開的長(zhǎng)度為8 10mm。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比的有益效果是(I)本發(fā)明方法大大減少LVDS線纜對(duì)外輻射發(fā)射的量值，優(yōu)化了線纜本身的電磁屏蔽性能，從而可以使得使用該線纜的射頻單機(jī)輻射指標(biāo)增強(qiáng)，確保宇航型號(hào)任務(wù)的完成；(2)使用本發(fā)明方法制作的LVDS電纜，同時(shí)還能減小外界電磁干擾對(duì)LVDS線纜本身的串?dāng)_，從而提高設(shè)備的抗擾度；


圖I為L(zhǎng)VDS線纜上傳輸?shù)臅r(shí)鐘信號(hào)為周期性矩形脈沖；
圖2為依照傳統(tǒng)工藝制作的LVDS線圖3為將LVDS線纜的絕緣層剝開IOmm示意4為二次加強(qiáng)屏蔽處理示意5為本發(fā)明流程圖
具體實(shí)施例方式一般航天器有多個(gè)射頻設(shè)備使用LVDS線纜，并在線纜中傳遞信號(hào)，時(shí)鐘信號(hào)是最常見的一種，其信號(hào)形式如圖I所示，tr :上升時(shí)間；tf :下降時(shí)間；τ :脈沖寬度；Τ :周期；Α:幅度。該類信號(hào)含有豐富的高頻分量，容易向空間輻射電磁波。由于線纜屏蔽層與接插件之間屏蔽不連續(xù)，存在約5mm-20mm的縫隙；同時(shí)，線纜以及接插件中未使用的線芯也為設(shè)備內(nèi)部信號(hào)向外輻射提供途徑導(dǎo)致時(shí)鐘以及其諧波信號(hào)外漏，使得用LVDS線纜的射頻 單機(jī)普遍存在輻射發(fā)射測(cè)試項(xiàng)超差，超差頻點(diǎn)集中在時(shí)鐘及其諧波頻點(diǎn)處。在分系統(tǒng)級(jí)的自兼容測(cè)試中，發(fā)現(xiàn)了與單機(jī)測(cè)試結(jié)果一致的現(xiàn)象，分系統(tǒng)的雜散指標(biāo)不滿足要求，航天器無(wú)法達(dá)到自兼容，直接影響航天器的飛行任務(wù)本發(fā)明著重從二次加強(qiáng)屏蔽、空置線芯雙端接地兩方面實(shí)現(xiàn)LVDS線纜的電磁兼容性能的優(yōu)化。本發(fā)明提供了一種LVDS線纜的屏蔽方法，如圖5所示，步驟如下第一步依照傳統(tǒng)工藝，進(jìn)行LVDS線纜的加工制作，LVDS線纜由接插件和線纜兩部分加工而成，其中線纜由內(nèi)到外依次為線芯、屏蔽層、絕緣層。首先將線纜的一端的屏蔽層和絕緣層剝開，露出約25-40_的線芯長(zhǎng)度。依照LVDS線纜制作要求，將線芯與對(duì)應(yīng)的接插件插針作相連加工，去除剝開的屏蔽層和絕緣層，得到依照傳統(tǒng)工藝加工而成的LVDS線纜，線纜與接插件間有5-20_的縫隙，如圖2所示，圖中I為插接件，2為線芯，3為線纜。第二步對(duì)步驟(I)中得到的線纜靠近接插件的部分，將絕緣層再次剝開，露出屏蔽層，剝開長(zhǎng)度為8 10mm，如圖3所示，圖中，圖中I為插接件，2為線芯，3為線纜，4為屏蔽層，5為絕緣層。第三步使用屏蔽材料作二次加強(qiáng)屏蔽層處理。作二次加強(qiáng)屏蔽層處理是指使用屏蔽材料將從露出的屏蔽層到接插件內(nèi)腔體底部之間的部分再次包裹，形成二次加強(qiáng)屏蔽層。這樣也就是將暴露在線纜屏蔽層與接插件之間的線芯用屏蔽材料包裹了起來(lái)，同時(shí)，要求二次加強(qiáng)屏蔽層與線纜的露出的屏蔽層終端做到360°搭接。為確保二次加強(qiáng)屏蔽層與接插件內(nèi)腔體表面搭接完全，要求搭接電阻小于ΙΟπιΩ。處理后如圖4所示，圖中I為插接件，3為線纜，4為屏蔽層，5為絕緣層，6為二次加強(qiáng)屏蔽層，7為內(nèi)部腔體。第四步在線纜使用過(guò)程中，將線纜中所有空置線芯通過(guò)接插件與所連接設(shè)備的“地”相連，實(shí)現(xiàn)雙端接地，進(jìn)一步消除了電磁泄漏的途徑。
權(quán)利要求
1.一種LVDS線纜的屏蔽方法，所述LVDS線纜包括接插件和線纜兩部分，線纜由內(nèi)到外依次為線芯、屏蔽層、絕緣層，其特征在于步驟如下 (1)將線纜一端的屏蔽層和絕緣層剝開，露出線芯，將線芯與對(duì)應(yīng)的接插件插針作相連加工，去除剝開的屏蔽層和絕緣層； (2)對(duì)步驟(I)中得到的線纜靠近接插件的部分，將絕緣層再次剝開，露出屏蔽層； (3)使用屏蔽材料作二次加強(qiáng)屏蔽層處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種LVDS線纜的屏蔽方法，其特征在于所述作二次加強(qiáng)屏蔽層處理是指使用屏蔽材料將從露出的屏蔽層到接插件內(nèi)腔體底部之間的部分再次包裹，形成二次加強(qiáng)屏蔽層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種LVDS線纜的屏蔽方法，其特征在于所述二次加強(qiáng)屏蔽層與所述露出的屏蔽層之間為360°搭接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種LVDS線纜的屏蔽方法，其特征在于二次加強(qiáng)屏蔽層與所述露出的屏蔽層之間進(jìn)行搭接的搭接電阻小于ΙΟπιΩ。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種LVDS線纜的屏蔽方法，其特征在于所述露出線芯的長(zhǎng)度為 25_40mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種LVDS線纜的屏蔽方法，其特征在于步驟(2)中所述將絕緣層再次剝開的長(zhǎng)度為8 10mm。
全文摘要
一種LVDS線纜的屏蔽方法，步驟如下(1)將線纜一端的屏蔽層和絕緣層剝開，露出線芯，將線芯與對(duì)應(yīng)的接插件插針作相連加工，去除剝開的屏蔽層和絕緣層；LVDS線纜包括接插件和線纜兩部分，線纜由內(nèi)到外依次為線芯、屏蔽層、絕緣層；(2)對(duì)步驟(1)中得到的線纜靠近接插件的部分，將絕緣層再次剝開，露出屏蔽層；(3)使用屏蔽材料作二次加強(qiáng)屏蔽層處理。本發(fā)明方法大大減少LVDS線纜對(duì)外輻射發(fā)射的量值，優(yōu)化了線纜本身的電磁屏蔽性能，從而可以使得使用該線纜的射頻單機(jī)輻射指標(biāo)增強(qiáng)，確保宇航型號(hào)任務(wù)的完成。
文檔編號(hào)H01B13/00GK102969081SQ201210437568
公開日2013年3月13日 申請(qǐng)日期2012年11月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月6日
發(fā)明者李冉, 徐軍, 倪子楠, 盛北飛, 陳海波, 張亞潔, 李紅林, 劉曉 申請(qǐng)人:北京空間飛行器總體設(shè)計(jì)部