專利名稱：半導體裝置及半導體裝置的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體裝置及半導體裝置的制造方法。此外，在本說明書中，半導體裝置是指能夠通過利用半導體特性而起作用的所有裝置，電光裝置、半導體電路以及電子設備都是半導體裝置。
背景技術：
利用在具有絕緣表面的襯底上形成的半導體薄膜來構成晶體管(也稱為薄膜晶體管(TFT))的技術受到注目。該晶體管廣泛地應用于如集成電路(IC)或圖像顯示裝置(顯示裝置)那樣的電子設備。作為可以應用于晶體管的半導體薄膜，硅類半導體材料被廣泛地周知，而作為其他材料氧化物半導體受到注目。例如，已經公開了使用由包含銦(In)、鎵(Ga)及鋅(Zn)的非晶氧化物(IGZO類非晶氧化物)構成的半導體層的晶體管(參照專利文獻I)。[專利文獻I]日本特開2011-181801號公報。

發(fā)明內容
另外，為了實現商品化，在具有使用氧化物半導體的晶體管的半導體裝置中，達成
高可靠性是重要事項。

然而，半導體裝置由具有復雜的構造的多個薄膜構成，并且利用多種材料、方法及エ序制造。因此，存在著產生以采用的制造エ序為起因的所得到的半導體裝置的形狀不良或電特性變差的擔憂。鑒于這樣的問題，以提供具有使用氧化物半導體的晶體管的可靠性高的半導體裝置作為課題之一。另外，以成品率良好地制造可靠性高的半導體裝置來達成高生產率作為課題之
o在具有底柵構造的反交錯(inverted staggered)型晶體管的半導體裝置中，該晶體管在含有銦的氧化物半導體膜上設置有作為溝道保護膜起作用的絕緣層，防止因在形成源電極層及漏電極層的蝕刻エ序中產生的殘留物飛散而引起的絕緣層表面及其附近的污染。在形成源電極層及漏電極層的蝕刻エ序中使用含有氯的氣體。然而，當含有銦的氧化物半導體膜暴露于含有氯的氣體時，含有氯的氣體與含有銦的氧化物半導體膜會進行反應而產生殘留物。另外，由于該殘留物飛散，從而不僅在氧化物半導體膜上而在其他部位也會存在該殘留物。尤其是在源電極層與漏電極層之間的絕緣層表面及其附近存在的殘留物是導致泄漏電流等晶體管的電特性變差的主要因素。殘留物例如包括含有銦及氯的化合物。另外，有時氧化物半導體膜所含有的其他金屬元素(例如，鎵或鋅)、用于含有氯的氣體的其他元素(例如硼)等包括在殘留物中。在本說明書所公開的發(fā)明的結構的ー個方式中，在形成源電極層及漏電極層之后，進行去除絕緣層表面及其附近的在源電極層與漏電極層之間存在的殘留物的エ序。去除エ序能夠通過利用溶液的洗滌處理或使用稀有氣體的等離子體處理進行。例如，能夠適用利用稀氫氟酸溶液的洗滌處理或使用氬的等離子體處理等。在本說明書所公開的發(fā)明的結構的另ー個方式中，為了防止含有氯的氣體與含有銦的氧化物半導體膜的反應，在進行含有氯的氣體的蝕刻エ序吋，構成為由絕緣層或導電膜覆蓋含有銦的氧化物半導體膜來不便含有銦的氧化物半導體膜暴露于含有氯的氣體。由于能夠防止絕緣層表面及其附近被殘留物污染，所以能夠將具有底柵構造的反交錯型晶體管的半導體裝置的絕緣層表面的氯濃度設為IXlO1Vcm3以下(優(yōu)選為5 X IO18/cm3以下)，并且將銦濃度設為2X1019/cm3以下(優(yōu)選為5X1018/cm3以下)。另外，能夠將氧化物半導體膜中的氯濃度設為IXlO1Vcm3以下(優(yōu)選為5X IO1Vcm3以下)。因此，能夠提供包含使用氧化物半導體膜的具有穩(wěn)定電特性的晶體管的可靠性高的半導體裝置。另外，能夠成品率良好地制造可靠性高的半導體裝置，達成高生產率。本說明書所公開的發(fā)明的結構的ー個方式是ー種半導體裝置，包括絕緣表面上的柵電極層；柵電極層上的柵極絕緣膜；柵極絕緣膜上的含有銦的氧化物半導體膜；位于氧化物半導體膜上并與氧化物半導體膜接觸的絕緣層，該絕緣層與柵電極層重疊；以及與氧化物半導體膜及絕緣層接觸的源電極層及漏電極層，并且絕緣層表面的氯濃度為I X IO1Vcm3以下并且銦濃度為2 X IO1Vcm3以下。本說明書所公開的發(fā)明的結構的ー個方式是ー種半導體裝置，包括絕緣表面上的柵電極層；柵電極層上的柵極絕緣膜；柵極絕緣膜上的含有銦的氧化物半導體膜；位于氧化物半導體膜上并與氧化物半導體膜接觸的絕緣層，該絕緣層與柵電極層重疊；以及與氧化物半導體膜及絕緣層接觸的源電極層及漏電極層，并且氧化物半導體膜中的氯濃度為I X IO1Vcm3以下，絕緣層表面的氯濃度為IXlO1Vcm3以下并且銦濃度為2X1019/cm3以下。
本說明書所公開的發(fā)明的結構的ー個方式是ー種半導體裝置的制造方法，在絕緣表面上形成柵電極層；在柵電極層上形成柵極絕緣膜；在柵極絕緣膜上形成含有銦的氧化物半導體膜；形成位于氧化物半導體膜上并與氧化物半導體膜接觸的絕緣層，該絕緣層與柵電極層重疊；形成與氧化物半導體膜及絕緣層接觸的導電膜；利用含有氯的氣體對導電膜進行蝕刻來形成源電極層及漏電極層；以及對氧化物半導體膜及絕緣層進行殘留物除去ェ序。本說明書所公開的發(fā)明的結構的ー個方式是ー種半導體裝置的制造方法，在絕緣表面上形成柵電極層；在柵電極層上形成柵極絕緣膜；在柵極絕緣膜上形成含有銦的氧化物半導體膜；形成與氧化物半導體膜接觸且覆蓋氧化物半導體膜的絕緣層；在絕緣層形成到達氧化物半導體膜的開ロ ；在絕緣層上覆蓋開ロ的內壁來形成導電膜；以及利用含有氯的氣體對導電膜進行蝕刻來在開ロ中形成源電極層及漏電極層。另外，也可以對氧化物半導體膜進行使氫或水分釋放的加熱處理(脫水化或脫氫化處理)。此外，當作為氧化物半導體膜使用結晶氧化物半導體膜時，也可以進行用于晶化的加熱處理。此外，也可以進行對氧化物半導體膜氧的供應。尤其是，由于脫水化或脫氫化處理，有作為構成氧化物半導體的主成分材料的氧會同時脫離而減少的擔憂。在氧化物半導體膜中，氧脫離的部位中存在氧缺損，并且以該氧缺損為起因而會產生導致晶體管的電特性變動的施主能級。由此，優(yōu)選對進行了脫水化或脫氫化處理的氧化物半導體膜供應氧。通過對氧化物半導體膜供應氧，能夠填補膜中的氧缺損。例如，通過設置為將氧化物半導體膜與成為氧的供應源的包含較多(過剩的)氧的氧化物絕緣膜接觸，能夠從該氧化物絕緣膜向氧化物半導體膜供應氧。在上述結構中，也可以通過在作為脫水化或脫氫化處理進行了加熱處理的氧化物半導體膜與氧化物絕緣膜至少部分接觸的狀態(tài)下進行加熱處理來進行向氧化物半導體膜的氧的供應。另外，也可以對進行了脫水化或脫氫化處理的氧化物半導體膜引入氧(至少包含氧自由基、氧原子和氧離子中的任何ー個)來將氧供應至膜中。作為氧的引入方法，能夠使用離子注入法、離子摻雜法、等離子體浸沒離子注入法、等離子體處理等。再者，優(yōu)選設置于晶體管的氧化物半導體膜可以是包含與氧化物半導體處于結晶狀態(tài)時的化學計量組成相比氧含量過剩的區(qū)域的膜。在此情況下，氧含量為超過氧化物半導體的化學計量組成的程度?；蛘撸鹾繛槌^單晶時的氧含量的程度。有時在氧化物半導體的晶格之間存在氧。通過從氧化物半導體去除氫或水分，以盡量不包含雜質的方式高純度化，并且供應氧來填補氧缺損，從而能夠為I型(本征)的氧化物半導體或無限趨近于I型(本征)的氧化物半導體。由此，能夠使氧化物半導體的費米能級(Ef)達到與本征費米能級(Ei)相同水平。因此，通過將該氧化物半導體膜用于晶體管，能夠降低起因于氧缺損的晶體管的閾值電壓Vth的偏差、閾值電壓的偏移AVth。本發(fā)明的ー個方式涉及ー種半導體裝置，具有晶體管或結構中包含晶體管的電路。例如，涉及ー種半導體裝置，具有溝道形成區(qū)由氧化物半導體形成的晶體管或結構中包含該晶體管的電路。例如，涉及LSI ；CPU ;搭載于電源電路的功率器件；包括存儲器、晶閘管、轉換器、圖像傳感器等的半導體集成電路；以液晶顯示面板為代表的電光裝置；將具有發(fā)光元件的發(fā)光顯示裝置作為部件進行搭載的電子設備。提供ー種具有使用氧化物半導體的晶體管的可靠性高的半導體裝置。另外，成品率良好地制造可靠性高的半導體裝置，達成高生產率。


圖1A和圖1B是說明半導體裝置的ー個方式的平面圖及截面圖。圖2A至圖2D是說明半導體裝置的制造方法的ー個方式的截面圖。圖3A和圖3B是說明半導體裝置的ー個方式的平面圖及截面圖。圖4A至圖4D是說明半導體裝置的制造方法的ー個方式的截面圖。圖5A至圖5C是說明半導體裝置的ー個方式的平面圖。圖6A和圖6B是說明半導體裝置的ー個方式的平面圖及截面圖。圖7A和圖7B是示出半導體裝置的ー個方式的截面圖。圖8A和圖8B是示出半導體裝置的ー個方式的等效電路圖及截面圖。圖9A至圖9C是示出電子設備的圖。圖1OA至圖1OC是示出電子設備的圖。圖11是示出SIMS測定結果的圖。
具體實施例方式
下面，使用附圖詳細地說明本說明書所公開的發(fā)明的實施方式。但是，所屬技術領域的普通技術人員能容易地理解這ー情況，就是本說明書所公開的發(fā)明的不限于以下說明，其方式及詳細內容能變換為各種各樣的形式。另外，本說明書所公開的發(fā)明不應解釋為限于以下所示的實施方式的記載內容。另外，為了方便起見而使用了作為第一、第二而附加的序數詞，其并不表示エ序順序或疊層順序。此外，在本說明書中，不作為用于確定發(fā)明的事項而表示固有名稱。(實施方式I)
在本實施方式中，使用圖1及圖2對半導體裝置及半導體裝置的制造方法的ー個方式進行說明。在本實施方式中，作為半導體裝置的一個例子示出具有氧化物半導體膜的晶體管。晶體管可以是形成一個溝道形成區(qū)的單柵構造，又可以是形成兩個溝道形成區(qū)的雙柵(double-gate)構造，還可以是形成三個溝道形成區(qū)的三柵(triple-gate)構造。此外，還可以是具有在溝道形成區(qū)的上下隔著柵極絕緣膜配置的兩個柵電極層的兩柵(dual-gate)型。圖1A和圖1B所示的晶體管440是稱為溝道保護型(也稱為溝道停止(channelstop)型)的底柵構造之一的也稱為反交錯型晶體管的晶體管的ー個例子。圖1A是平面圖，沿著圖1A中的點劃線Xl-Yl切斷的截面相當于圖1B。如作為溝道長度方向的截面圖的圖1B所示，包含晶體管440的半導體裝置在設置有絕緣膜436的具有絕緣表面的襯底400上具有柵電極層401、柵極絕緣膜402、含有銦的氧化物半導體膜403、絕緣層413、源電極層405a以及漏電極層405b。與氧化物半導體膜403接觸的絕緣層413設置在與柵電極層401重疊的氧化物半導體膜403的溝道形成區(qū)上，并作為溝道保護膜起作用。通過調節(jié)位于溝道形成區(qū)上并與溝道形成區(qū)重疊的絕緣層413的截面形狀，具體而言，端部的截面形狀(錐角、膜厚等)，能夠緩和在漏電極層405b的端部附近有產生的擔憂的電場集中，并且能夠抑制晶體管440的開關特性的變差。具體而言，使位于溝道形成區(qū)上并與溝道形成區(qū)重疊的絕緣層413的截面形狀為梯形或三角形，并使截面形狀的下端部的錐角為60°以下，優(yōu)選為45°以下，更優(yōu)選設為30°以下。通過設為這樣的角度范圍，在較高的柵電壓施加到柵電極層401的情況下，能夠緩和在漏電極層405b的端部附近有產生的擔憂的電場集中。在本實施方式中，絕緣層413的相對中央范圍D位于外側的端部為錐狀。另外，將位于溝道形成區(qū)上并與溝道形成區(qū)重疊的絕緣層413的厚度設為0. 3pm以下，優(yōu)選設為5nm以上0.1ym以下。通過設為這樣的厚度范圍，能夠降低電場強度的峰值，或者將電場集中分散而電場集中的部位變?yōu)槎鄠€，其結果是能夠緩和在漏電極層405b的端部附近有產生的擔憂的電場集中。作為用于氧化物半導體膜403的氧化物半導體，至少包含銦(In)。尤其是優(yōu)選包含In及鋅(Zn)。此外，作為用來降低使用該氧化物的晶體管的電特性偏差的穩(wěn)定劑，除了上述元素以外優(yōu)選還具有鎵(Ga)。此外，作為穩(wěn)定劑優(yōu)選具有錫(Sn)。另外，作為穩(wěn)定劑優(yōu)選具有鉿(Hf)。此外，作為穩(wěn)定劑優(yōu)選具有鋁(Al)。另外，作為穩(wěn)定劑優(yōu)選具有鋯(Zr)。此外，作為其他穩(wěn)定劑，也可以具有作為鑭系元素的鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、欽(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)、镥(Lu)中的任ー種或多種。例如，作為氧化物半導體能夠使用氧化銦；氧化錫；氧化鋅；作為ニ元金屬氧化物的In-Zn類氧化物、In-Mg類氧化物、In-Ga類氧化物；作為三元金屬氧化物的In-Ga-Zn類氧化物(也稱為IGZO)、In-Al-Zn類氧化物、In-Sn-Zn類氧化物、In-Hf-Zn類氧化物、In-La-Zn類氧化物、In-Ce-Zn類氧化物、In-Pr-Zn類氧化物、In-Nd-Zn類氧化物、In-Sm-Zn類氧化物、In-Eu-Zn類氧化物、In-Gd-Zn類氧化物、In-Tb-Zn類氧化物、In-Dy-Zn類氧化物、In-Ho-Zn類氧化物、In-Er-Zn類氧化物、In-Tm-Zn類氧化物、In-Yb-Zn類氧化物、In-Lu-Zn類氧化物；作為四元金屬氧化物的In-Sn-Ga-Zn類氧化物、In-Hf-Ga-Zn類氧化物、In-Al-Ga-Zn 類氧化物、In-Sn-Al-Zn 類氧化物、In-Sn-Hf-Zn 類氧化物、In-Hf-Al-Zn類氧化物。此外，在此，例如，In-Ga-Zn類氧化物意味著具有以In、Ga、Zn為主成分的氧化物，對In、Ga、Zn的比率沒有限制。另外，也可以加入In、Ga、Zn以外的金屬元素。另外，作為氧化物半導體，也可以使用表示為InMO3 (ZnO)m (m>0且m不是整數)的材料。此外，M表不選自Ga、Fe、Mn和Co中的一種金屬兀素或多種金屬兀素。此外,作為氧化物半導體，也可以使用表示為In2SnO5 (ZnO)n (n>0且n是整數)的材料。例如，能夠使用原子數比為 In:Ga:Zn=l:1:1 (=1/3:1/3:1/3)、In:Ga:Zn=2:2:1(=2/5:2/5:1/5 )或 In: Ga: Zn=3:1:2(=1/2:1/6:1/3 )的 In-Ga-Zn 類氧化物或與其類似的組成的氧化物?；蛘?，可以使用原子數比為In: Sn: Zn=1: 1:1(=1/3:1/3: l/3)、In:Sn:Zn=2:1:3(=1/3:1/6:1/2)或 In:Sn:Zn=2:1:5 (=1/4:1/8:5/8)的 In-Sn-Zn 類氧化物或與其類似的組成的氧化物。但是，含有銦的氧化物半導體不限于此，可以根據所需要的半導體特性(遷移率、閾值、偏差等)而使用適當的組成。另外，優(yōu)選設為適當的載流子濃度、雜質濃度、缺陷密度、金屬元素及氧的原子數比、原子間距離、密度等，以得到所需要的半導體特性。例如，用In-Sn-Zn類氧化物比較容易得到高遷移率。但是，使用In-Ga-Zn類氧化物也能夠通過降低塊內缺陷密度而提高遷移率。此外,例如In、Ga、Zn的原子數比為In:Ga:Zn=a:b:c (a+b+c=l)的氧化物的組成與原子數比為In:Ga:Zn=A:B:C (A+B+C=l)的氧化物的組成類似是指，a、b、c滿足(a_A) 2+(b-B)2+ (c-C) 2彡r2。作為r例如可以為0.05。其他氧化物也是同樣的。氧化物半導體膜403取為單晶、多晶(也稱為polycrystal。)或非晶等狀態(tài)。氧化物半導體膜優(yōu)選為CAAC-OS (C Axis Aligned Crystalline OxideSemiconductor, C軸取向結晶氧化物半導體)膜。CAAC-OS膜不是完全的單晶，也不是完全的非晶。CAAC-OS膜是在非晶相中具有結晶部的結晶-非晶混合相構造的氧化物半導體膜。另外，一般該結晶部為容納于ー個邊長小于IOOnm的立方體內的大小。另外，在使用透射型電子顯微鏡(TEM, TransmissionElectron Microscope)觀察的圖像中，包含于CAAC-0S膜中的非晶部與結晶部的邊界不明確。另外，在CAAC-OS膜中利用TEM不能確認晶界(也稱為grain boundary)。因此，CAAC-0S膜能抑制起因于晶界的電子遷移率的降低。包含于CAAC-OS膜中的結晶部的c軸在平行于CAAC-OS膜的被形成面的法線向量或表面的法線向量的方向上一致，且在從垂直于ab面的方向看時具有三角形或六邊形的原子排列，在從垂直于c軸的方向看時，金屬原子排列為層狀或者金屬原子和氧原子排列為層狀。另外，在不同結晶部之間，a軸及b軸的方向也可以彼此不同。在本說明書中，在只記載“垂直”時，也包括85°以上且95°以下的范圍。另外，當只記載“平行”時，也包括-5°以上且5°以下的范圍。另外，在CAAC-OS膜中，結晶部的分布也可以不相同。例如，在CAAC-OS膜的形成過程中，當從氧化物半導體膜的表面ー側進行結晶生長時，有時相當于被形成面附近而在表面附近結晶部所占的比例更高。另外，通過向CAAC-OS膜添加雜質，有時在該雜質添加區(qū)中結晶部發(fā)生非晶化。由于包含于CAAC-OS膜的結晶部的c軸在平行于CAAC-OS膜的被形成面的法線向量或表面的法線向量的方向上一致，所以有時根據CAAC-OS膜的形狀(被形成面的截面形狀或表面的截面形狀)而朝向互相不同的方向。另外，結晶部的c軸方向是平行于形成CAAC-OS膜時的被形成面的法線向量或表面的法線向量的方向。結晶部是通過成膜或通過在成膜之后進行加熱處理等晶化處理而形成的。使用CAAC-OS膜的晶體管能夠降低由可見光或紫外光的照射引起的電特性變動。因此，該晶體管的可■性尚。 另外，也可以用氮取代構成氧化物半導體膜的氧的一部分。另外，在如CAAC-OS那樣的具有結晶部的氧化物半導體中，能夠進一歩降低塊內缺陷，如果提高表面的平坦性，則能夠得到非晶狀態(tài)的氧化物半導體以上的遷移率。為了提高表面的平坦性，優(yōu)選在平坦的表面上形成氧化物半導體，具體地，可以在平均面粗糙度(Ra)為Inm以下，優(yōu)選為0. 3nm以下，更優(yōu)選為0.1nm以下的表面上形成氧化物半導體。Ra是將JIS B0601:2001 (IS04287:1997)中定義的算術平均粗糙度擴大為三維以使其能夠應用于曲面，能夠以“將從基準面到指定面的偏差的絕對值平均而得的值”表示，以如下算式定義。[數學式I]
權利要求
1.一種半導體裝置，包括柵電極層；所述柵電極層上的柵極絕緣膜；所述柵極絕緣膜上的氧化物半導體膜，所述氧化物半導體膜含有銦；提供在所述氧化物半導體膜上并與所述氧化物半導體膜接觸的絕緣層，所述絕緣層與所述柵電極層重疊；位于所述氧化物半導體膜及所述絕緣層上并與所述氧化物半導體膜及所述絕緣層接觸的源電極層；以及位于所述氧化物半導體膜及所述絕緣層上并與所述氧化物半導體膜及所述絕緣層接觸的漏電極層，其中，所述絕緣層的表面處的氯濃度為小于或等于lX1019/cm3，以及其中，所述絕緣層的所述表面處的銦濃度為小于或等于2X1019/cm3。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述氧化物半導體膜中的氯濃度為小于或等于 IX IO1Vcm3O
3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中所述氧化物半導體膜中的所述氯濃度為小于或等于5X1018/cm3。
4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述絕緣層的所述表面處的所述氯濃度為小于或等于5X 1018/cm3，以及其中所述絕緣層的所述表面處的所述銦濃度為小于或等于5X 1018/cm3。
5.一種半導體裝置的制造方法，包括以下步驟在絕緣表面上形成柵電極層；在所述柵電極層上形成柵極絕緣膜；在所述柵極絕緣膜上形成氧化物半導體膜，所述氧化物半導體膜含有銦；形成位于所述氧化物半導體膜上并與所述氧化物半導體膜接觸的絕緣層，所述絕緣層與所述柵電極層重疊；形成位于所述氧化物半導體膜及所述絕緣層上并與所述氧化物半導體膜及所述絕緣層接觸的導電膜；用含有氯的氣體蝕刻所述導電膜來形成源電極層及漏電極層；以及去除所述氧化物半導體膜及所述絕緣層上的殘留物，其中，由所述氣體與所述氧化物半導體膜之間的反應而形成所述殘留物。
6.根據權利要求5所述的方法，其中在所述去除工序之前所述殘留物的一部分分散并附著于所述絕緣層。
7.根據權利要求5所述的方法，其中作為所述去除工序進行使用稀氫氟酸溶液的洗滌工序。
8.根據權利要求5所述的方法，其中作為所述去除工序進行使用稀有氣體的等離子體處理。
9.根據權利要求5所述的方法，其中所述殘留物中的每個包含含有銦及氯的化合物。
10.根據權利要求5所述的方法，其中所述殘留物的一部分分散并附著于所述絕緣層的表面。
11.一種半導體裝置的制造方法，包括以下步驟在絕緣表面上形成柵電極層；在所述柵電極層上形成柵極絕緣膜；在所述柵極絕緣膜上形成氧化物半導體膜，所述氧化物半導體膜含有銦；形成位于所述氧化物半導體膜上并與所述氧化物半導體膜接觸的絕緣層，所述絕緣層與所述柵電極層重疊；形成位于所述氧化物半導體膜及所述絕緣層上并與所述氧化物半導體膜及所述絕緣層接觸的導電膜；用含有氯的氣體蝕刻所述導電膜來形成源電極層及漏電極層；以及去除位于所述絕緣層表面上及所述絕緣層的附近的殘留物，其中，由所述氣體與所述氧化物半導體膜之間的反應形成所述殘留物。
12.根據權利要求11所述的方法，其中在所述去除工序之前所述殘留物的一部分分散并附著于所述絕緣層。
13.根據權利要求11所述的方法，其中作為所述去除工序進行使用稀氫氟酸溶液的洗滌工序。
14.根據權利要求11所述的方法，其中作為所述去除工序進行使用稀有氣體的等離子體處理。
15.根據權利要求11所述的方法，其中所述殘留物的每個包含含有銦及氯的化合物。
16.根據權利要求11所述的方法，其中所述殘留物的一部分分散并附著于所述絕緣層的所述表面及所述絕緣層的附近。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可靠性高的半導體裝置。通過成品率良好地制造半導體裝置來達成高生產率。在半導體裝置中，依次層疊有柵電極層、柵極絕緣膜、含有銦的氧化物半導體膜、以及設置在氧化物半導體膜上并與氧化物半導體膜接觸的絕緣層，該絕緣膜與柵電極層重疊，并且還具有設置有與氧化物半導體膜及絕緣層接觸的源電極層及漏電極層的晶體管，其中，將絕緣層表面的氯濃度設為1×1019/cm3以下，并且將銦濃度設為2×1019/cm3以下。
文檔編號H01L29/786GK103035735SQ20121036714
公開日2013年4月10日 申請日期2012年9月28日 優(yōu)先權日2011年9月29日
發(fā)明者山崎舜平 申請人:株式會社半導體能源研究所