專利名稱：一種薄膜基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及射頻通信領(lǐng)域和基板制作領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜基板。
背景技術(shù)：
近年來，由于射頻電子技術(shù)的不斷發(fā)展，特別是射頻電子標(biāo)簽的廣泛應(yīng)用，正逐漸改變著人們的生活方式。常見的射頻電子標(biāo)簽分為從電源供應(yīng)方面區(qū)分有源和無源兩大類；從載波頻率方面區(qū)分有125KHz (130KHz)的低頻頻段、13. 56MHz的高頻頻段、433MHz， 915MHz的超高頻頻段、2. 4GHz, 5. 8GHz的微波頻段；電子標(biāo)簽的應(yīng)用無處不在，因此產(chǎn)生了各種形狀，適合不同應(yīng)用要求的產(chǎn)品，使人們的生活更便利更高效。為了讓射頻電子標(biāo)簽?zāi)軌蚋鼜V泛地應(yīng)用到日常生活中，一方面從成本上要降低到符合實(shí)際應(yīng)用的需求，在某些場(chǎng)合，使體積縮小到某些特殊應(yīng)用的場(chǎng)合，便于安裝和使用。 這就要求產(chǎn)品越做越小，越做越薄。超高頻頻段，特別是大量應(yīng)用的860-960MHZ頻段的射頻器件，電路的天線末端諧振電路大都為偶極子雙工收發(fā)天線，其天線的長(zhǎng)度為工作點(diǎn)頻率的波長(zhǎng)的一半，如果要減小產(chǎn)品尺寸，勢(shì)必要從縮小射頻天線的尺寸或采用不同的極化方式兩方面想辦法。從縮小射頻天線角度考慮，減小射頻天線的尺寸后，天線的電感量將減小，天線的長(zhǎng)度無法匹配到諧振頻率的需求，在相同芯片輸入電容匹配的情況下，需要加入外部匹配電容器，才能達(dá)到 860-960MHz的諧振頻率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種微型化超高頻射頻天線用薄膜基板，使射頻器件實(shí)現(xiàn)微型化的封裝。本發(fā)明的技術(shù)適合在800MHZ-5. 8GHz的射頻射頻器件產(chǎn)品中。一種薄膜基板，由電介質(zhì)基板、天線圖案構(gòu)成
所述的電介質(zhì)基板為方形薄板結(jié)構(gòu)；
所述的天線圖案，設(shè)置在電介質(zhì)基板的正反表面，由信號(hào)輸入焊盤、接地金屬面、曲折型饋入線、曲折型巴倫線、螺旋型微帶輻射單元和導(dǎo)通孔組成，輻射單元的長(zhǎng)度小于天線工作頻率處的波長(zhǎng)的四分之一。進(jìn)一步的，所述電介質(zhì)基板的絕緣介質(zhì)為環(huán)氧樹脂(FR4或BT)、陶瓷(LTCC)或鐵弗龍(PTFE )材料，其厚度為5(T200um之間，絕緣介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)在4 10之間，玻璃轉(zhuǎn)化溫度在17(Γ300攝氏度之間。再進(jìn)一步，所述的薄膜基板為方形薄板結(jié)構(gòu)，其單元長(zhǎng)度和寬度在lmm-20mm之間；天線的厚度在O. 05mm-l. Omm之間。再進(jìn)一步，所述天線圖案從輸入焊盤處具有輸入阻抗和電感；
所述的輸入阻抗和所述的芯片的阻抗共扼匹配；
所述的電感和所述的芯片的內(nèi)部容性部件滿足所述工作頻率處的諧振條件。
再進(jìn)一步，所述天線圖案的螺旋型微帶輻射單元加強(qiáng)了所述電感的量，使天線的長(zhǎng)度遠(yuǎn)小于天線工作頻率處的波長(zhǎng)的四分之一。再進(jìn)一步，所述天線圖案的正反面重疊的圖案形成平板電容器，和螺旋型微帶輻射單元并聯(lián)連接，進(jìn)一步縮小天線的長(zhǎng)度。再進(jìn)一步，所述天線圖案的表面覆蓋了保護(hù)層，增強(qiáng)了天線的環(huán)境適應(yīng)能力。再進(jìn)一步，所述天線圖案組成的射頻電路，其工作頻率為800MHZ-5. 8GHz。本發(fā)明的薄膜基板，經(jīng)過安裝芯片并連接信號(hào)端口，經(jīng)過塑封后，形成堅(jiān)固的保護(hù)體，再通過水刀切割工藝將封裝體和基板切割成獨(dú)立的射頻器件個(gè)體，即完成了微型射頻器件的封裝。產(chǎn)品經(jīng)過測(cè)試，打標(biāo)，包裝后就可以應(yīng)用到實(shí)際項(xiàng)目中。根據(jù)上述方案形成的本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)通過該技術(shù)實(shí)現(xiàn)的微型射頻器件具有獨(dú)立的無線射頻通信功能；通過該技術(shù)實(shí)現(xiàn)的微型射頻器件具有非常小的體積，適合在小型物體和狹窄空間內(nèi)使用。通過該技術(shù)實(shí)現(xiàn)的微型射頻器件的可靠性高，適合在溫度變化大、高濕度環(huán)境以及具有化學(xué)品腐蝕的環(huán)境中。通過該技術(shù)實(shí)現(xiàn)的微型射頻器件具有很強(qiáng)的抗機(jī)械沖擊能力，適合在容易受到外力沖擊的情況下使用。通過該技術(shù)實(shí)現(xiàn)的微型射頻器件，有效滿足本領(lǐng)域的需求，具有極好的實(shí)用性、創(chuàng)造性和新穎性。
圖I為本發(fā)明的單個(gè)薄膜基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明的單個(gè)薄膜基板的天線面圖形示意圖。圖3為本發(fā)明的單個(gè)薄膜基板的天線面圖形阻焊層示意圖。圖4為本發(fā)明的單個(gè)薄膜基板的接地面圖形示意圖。圖5為本發(fā)明的單個(gè)薄膜基板的接地面圖形阻焊層示意圖。圖6為本發(fā)明的薄膜基板的多單元分布示意圖。圖7為本發(fā)明的薄膜基板的多區(qū)塊分布示意圖。圖8為本發(fā)明的薄膜基板的多區(qū)塊零件面碎銅分布示意圖。圖9為本發(fā)明的薄膜基板的多區(qū)塊零件反面碎銅分布示意圖。圖10為本發(fā)明的薄膜基板的天線的等效傳輸線模型。圖11為本發(fā)明的薄膜基板的單極子天線典型結(jié)構(gòu)示意圖。圖12為本發(fā)明的薄膜基板的單極子折彎L型變形天線結(jié)構(gòu)示意圖。圖13為本發(fā)明的薄膜基板的單極子折彎倒F型變形天線結(jié)構(gòu)示意圖。圖14為本發(fā)明的薄膜基板的單極子折彎倒F型變形天線帶多折巴倫線的結(jié)構(gòu)示意圖。圖15為本發(fā)明的薄膜基板的單極子折彎倒F型變形天線帶多折巴倫線和螺旋型微帶輻射單元的結(jié)構(gòu)示意圖。圖16為本發(fā)明的薄膜基板的單極子折彎倒F型變形天線帶多折巴倫線、螺旋型微帶輻射單元和平板電容器的結(jié)構(gòu)示意圖。圖17為本發(fā)明的薄膜基板的天線的輸入阻抗和天線長(zhǎng)度的關(guān)系圖。
圖18為本發(fā)明的薄膜基板的天線的引入電感及無電感的輸入阻抗和天線長(zhǎng)度的關(guān)系圖。圖19為本發(fā)明的薄膜基板的天線的引入電容、電感及無電感的輸入阻抗和天線長(zhǎng)度的關(guān)系圖。
具體實(shí)施例方式為了使本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體圖示，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。本發(fā)明一種薄膜基板的生產(chǎn)工藝，將縮小化單極子天線的微型化設(shè)計(jì)思路移植到微型射頻天線上，實(shí)現(xiàn)超高頻射頻器件的體積微型化，獲得了微型化、高可靠性的超高頻射頻器件產(chǎn)品，進(jìn)而提供的解決技術(shù)方案，實(shí)施具體如下
參見圖1，本發(fā)明提供的一種薄膜基板，其電介質(zhì)基板11為薄型的絕緣介質(zhì)，為環(huán)氧樹脂(FR4或BT)、陶瓷(LTCC)或鐵弗龍(PTFE)材料，其厚度為5(T200um之間，絕緣介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)在4 10之間，玻璃轉(zhuǎn)化溫度在17(Γ300攝氏度之間，具有優(yōu)良的熱機(jī)械穩(wěn)定性。 在電介質(zhì)基板的正反面，設(shè)置了雙面印制電路，在電介質(zhì)基板的上表面，通過精密曝光及蝕刻工藝，形成上部天線圖形132和天線焊盤1323及1324，再涂布了一層阻焊油墨層1331， 來保護(hù)表面的圖形不受外界影響。天線焊盤1323及1324的表面采用鍍鎳再鍍軟金工藝， 以適應(yīng)超聲波引線焊接或者表面貼裝工藝焊接的要求。在電介質(zhì)基板11的下表面形成接地面天線圖形122，其為大片金屬面的結(jié)構(gòu)，接地面天線圖形通過金屬化孔1321連接正面的接地輸入焊盤以及巴倫線的尾端連線，金屬化孔的內(nèi)壁設(shè)置了導(dǎo)電金屬層1323，再涂布了一層阻焊油墨層1231，來保護(hù)表面的圖形不受外界影響。參見圖2薄膜基板的天線圖形結(jié)構(gòu)，在電介質(zhì)基板11的上表面，設(shè)置了金屬化通孔1321和1322、饋線1325、巴倫線1326、螺旋型輻射單元1327、信號(hào)輸入焊盤1323和接地信號(hào)焊盤1324。饋線和巴倫線的折彎的數(shù)量及長(zhǎng)度隨芯片的輸入阻抗及天線的尺寸進(jìn)行調(diào)節(jié)，以獲得相匹配的阻抗；螺旋型輻射單元的尺寸及圈數(shù)受諧振頻率的限制，頻率越高， 尺寸越小。參見圖3為薄膜基板的天線阻焊層圖形結(jié)構(gòu)，阻焊層1331將信號(hào)輸入焊盤1323 和接地信號(hào)焊盤1324以及芯片安裝區(qū)域1332暴露出來，有效保護(hù)了天線圖形的穩(wěn)定性，也適合芯片的安裝和引線的焊接。參見圖4薄膜基板的接地面的圖形結(jié)構(gòu)，在電介質(zhì)基板11的下表面，設(shè)置了金屬化通孔1221和1222、接地面1223和電鍍線1224及1225。參見圖5為薄膜基板的接地面的阻焊層圖形結(jié)構(gòu)，阻焊層1231將固定焊盤1232和1233暴露出來，用于焊接固定用，既有效保護(hù)了接地面圖形的穩(wěn)定性，又適合的產(chǎn)品在使用時(shí)的安裝。參見圖6，為了提高生產(chǎn)效率，將多個(gè)薄膜基板按規(guī)則的圖形排列，形成方形區(qū)域 150。在方形區(qū)域的邊緣設(shè)置了多個(gè)橫向細(xì)長(zhǎng)條形的切割定位線151和縱向細(xì)長(zhǎng)條形的切割定位線152，可以在生產(chǎn)工藝中精確定位。在兩個(gè)相鄰的基板單元域中間，設(shè)置了多條橫向切割槽153和多條縱向切割槽154，以保證切割過程中的間隙。參見圖7，為了進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率，將多個(gè)方形區(qū)域100，101，102和103設(shè)置在一條長(zhǎng)條形的大基板上。在大基板的邊緣設(shè)置了多個(gè)圓形和橢圓形的定位孔106，可以在生產(chǎn)工藝中精確定位。在兩個(gè)相鄰的方形區(qū)域中間，設(shè)置了多條槽孔108，以釋放基板的應(yīng)力，防止損壞到方形區(qū)域內(nèi)的部件和封裝體。參見圖8的零件安裝面，在大塊基板的方形區(qū)域130、入料區(qū)域131和槽孔108之外，設(shè)置了斜向的碎銅區(qū)域132，單個(gè)碎銅134的形狀為斜向45度角放置的正方形，正方形的邊長(zhǎng)為O. Γ0. 5mm之間，碎銅之間的間隔135和136，尺寸為O. 05、. 3mm之間，以平衡金屬層的平均分布，有效改善基板的熱變形。參見圖9的零件反面，在大基板的方形區(qū)域140和槽孔108之外，設(shè)置了斜向的碎銅區(qū)域142，單個(gè)碎銅144的形狀為斜向45度角放置的正方形，正方形的邊長(zhǎng)為O. Γθ. 5mm 之間，碎銅之間的間隔145和146，尺寸為O. 05、. 3mm之間，以平衡金屬層的平均分布，有效改善基板的熱變形。單極子天線可以有效減小射頻天線的尺寸，其天線長(zhǎng)度僅為工作頻點(diǎn)波長(zhǎng)的四分之一。參見圖11，是直線型單極子天線典型結(jié)構(gòu)示意圖，在電介質(zhì)基板4的表面設(shè)置了大面積的接地面金屬層21，射頻信號(hào)一端連接信號(hào)饋入端1，另一端連接信號(hào)接地端2，經(jīng)過天線的饋線送達(dá)天線輻射端12，當(dāng)天線達(dá)到諧振條件時(shí)，就將射頻信號(hào)按諧振頻率發(fā)射出去； 同樣的，當(dāng)天線輻射端12處位于符合天線諧振條件的區(qū)域時(shí)，天線輻射端會(huì)將射頻信號(hào)采集近來，通過饋線傳輸?shù)金伻朦c(diǎn)1，完成信號(hào)接收的過程。為了實(shí)現(xiàn)在平板上的單極子天線結(jié)構(gòu)，參見圖12的單極子折彎L型變形天線結(jié)構(gòu)示意圖，電介質(zhì)基板4、信號(hào)饋入點(diǎn)I、信號(hào)饋入接地點(diǎn)2、接地面21和饋線14的結(jié)構(gòu)都沒有變化，惟獨(dú)天線輻射區(qū)域12的直線優(yōu)化成了折彎結(jié)構(gòu)，形成單極子折彎L型變形天線結(jié)構(gòu)， 使其可以附著在電介質(zhì)基板的表面設(shè)置圖形。輻射區(qū)域的正反面均沒有接地面金屬圖形相干涉，防止接地面金屬影響天線的福射性能。為了進(jìn)一步提高天線的性能，需要使天線的輸入阻抗和芯片的輸入阻抗獲得共扼匹配，即天線的輸入阻抗和的芯片的輸入阻抗實(shí)部相等，虛部為等值的正負(fù)阻抗。參見圖 13，本專利技術(shù)保持了 L型單極子天線的結(jié)構(gòu)的電介質(zhì)基板4、信號(hào)饋入點(diǎn)I、信號(hào)饋入接地點(diǎn)2、接地面21、饋線14和L折彎型天線輻射區(qū)域12的結(jié)構(gòu)都沒有變化，從L型輻射單元 12和饋線14的連接點(diǎn)處引出巴倫線11，并通過金屬化孔3連接到電介質(zhì)基板的反面接地面金屬，形成了倒F形單極子結(jié)構(gòu)的射頻天線。增加的巴倫線的長(zhǎng)度用于調(diào)整射頻天線的輸入阻抗的值，使天線的輸入阻抗能夠和芯片的輸入阻抗獲得有效匹配。在有限的空間內(nèi)，要通過巴倫線來獲得阻抗匹配，一定會(huì)占用一些基板空間。 射頻器件芯片的輸入阻抗實(shí)部一般在5 35歐姆之間，虛部在10(Γ300歐姆之間，要使天線和芯片的輸入阻抗獲得匹配，則天線的輸入阻抗實(shí)部對(duì)應(yīng)為5 35歐姆之間，虛部為-10(Γ-300歐姆之間，切實(shí)部阻抗的值越大，則巴倫線的阻抗值也要求越大，即在相等的情況下，線長(zhǎng)越長(zhǎng)。為了減小空間的占用，利用多折彎巴倫線結(jié)構(gòu)，在較小的空間內(nèi)獲得較大的阻抗匹配范圍。參見圖14，本專利技術(shù)保持了 F型單極子天線的結(jié)構(gòu)的電介質(zhì)基板4、 信號(hào)饋入點(diǎn)I、信號(hào)饋入接地點(diǎn)2、接地面21、饋線14、金屬化導(dǎo)通孔3和L折彎型天線輻射區(qū)域12的結(jié)構(gòu)都沒有變化，從L型輻射單元12和饋線14的連接點(diǎn)處引出巴倫線11演化成了具有多處折彎的巴倫線，并通過金屬化孔3連接到電介質(zhì)基板的反面接地面金屬。增加的具有多處折彎結(jié)構(gòu)的巴倫線占用更少的基板空間，獲得更多的阻抗調(diào)節(jié)范圍，用于調(diào)整射頻天線的輸入阻抗的值，使天線的輸入阻抗能夠和芯片的輸入阻抗獲得有效匹配。在微型化天線的設(shè)計(jì)中，如何有效利用基板的空間是最大的難題。巴倫線的折彎型結(jié)構(gòu)解決了阻抗匹配的問題，但是輻射單元的長(zhǎng)度決定了天線的工作頻率。當(dāng)天線被要求工作在915MHz的頻率諧振時(shí)，不考慮外部的分布電容和分布電感的情況下，直線型輻射單元的長(zhǎng)度近似為82mm，單這已經(jīng)占用到不少的空間，顯然的，在微型射頻器件的設(shè)計(jì)中無法采用直線型、純L型或者純F型單極子射頻天線結(jié)構(gòu)。為了使輻射單元的尺寸減小，本發(fā)明將輻射單元的圖形演化成螺旋型微帶輻射單元，不但減小了長(zhǎng)度，更使天線的電感量得到提高，使輻射單元的尺寸進(jìn)一步下降。參見圖15，本專利技術(shù)保持了 F型單極子天線的結(jié)構(gòu)的電介質(zhì)基板4、信號(hào)饋入點(diǎn)I、信號(hào)饋入接地點(diǎn)2、接地面21、饋線14和折彎型巴倫線 11、金屬化導(dǎo)通孔3的結(jié)構(gòu)都沒有變化，將L型輻射單元12演化成了螺旋狀輻射單元15。 螺旋型輻射單元占用更少的基板空間，且引入的螺旋型分布電感進(jìn)一步減小了輻射單元的空間占用，使天線達(dá)到需要的諧振頻率。在一些特別小的天線設(shè)計(jì)中，增加匹配電容器是容易實(shí)現(xiàn)的一種途徑。本發(fā)明通過薄形電介質(zhì)基板的高介電常數(shù)和雙面平板結(jié)構(gòu)，在電介質(zhì)基板的正反面設(shè)置了投影重疊的平板電容器，利用其分布電容實(shí)現(xiàn)輻射單元的微型化。參見圖16，本專利技術(shù)保持了 F型單極子天線的結(jié)構(gòu)的電介質(zhì)基板4、信號(hào)饋入點(diǎn)I、信號(hào)饋入接地點(diǎn)2、接地面21、饋線14、折彎型巴倫線11、金屬化導(dǎo)通孔3、L型輻射單元12和螺旋狀輻射單元15的結(jié)構(gòu)都沒有變化，在輻射單元的某個(gè)節(jié)點(diǎn)設(shè)置了平板電容器極板13和反面的接地面形成平板電容器。且引入的平板電容器的分布電容進(jìn)一步減小了輻射單元的空間占用，使天線達(dá)到需要的諧振頻率。參見圖10的天線等效傳輸線模型圖，3為巴倫線長(zhǎng)度，4為輻射單元長(zhǎng)度，I為天線阻抗實(shí)部，2為天線阻抗虛部，5為引入的輻射單元電感，6為短路線。當(dāng)沒有引入電感5 的時(shí)候，巴倫線的長(zhǎng)度和輻射單元長(zhǎng)度的總和等于諧振頻率的四分之一波長(zhǎng)時(shí)，天線的輸入阻抗虛部I和實(shí)部2等于芯片的輸入阻抗的實(shí)部和虛部，天線在工作頻率處獲得諧振。 參見圖17，O-Li坐標(biāo)表示巴倫線的長(zhǎng)度和輻射單元長(zhǎng)度的總和，O-Xi坐標(biāo)表示阻抗的相對(duì)值，Xi=O時(shí)，獲得阻抗匹配。從圖中獲得，阻抗匹配線I對(duì)應(yīng)天線長(zhǎng)度等于四分之一波長(zhǎng)Rl 的分布線，阻抗匹配線2對(duì)應(yīng)天線長(zhǎng)度等于四分之三波長(zhǎng)R3的分布線，均獲得匹配的阻抗， 因此，此單極子天線可設(shè)計(jì)成雙頻點(diǎn)諧振天線。經(jīng)過R2的點(diǎn)為波長(zhǎng)的二分之一。參見圖18，0_Li坐標(biāo)表示巴倫線的長(zhǎng)度和輻射單元長(zhǎng)度的總和，O-Xi坐標(biāo)表示阻抗的相對(duì)值，Xi=O時(shí)，獲得阻抗匹配。從圖中獲得，阻抗匹配線I對(duì)應(yīng)天線長(zhǎng)度等于四分之一波長(zhǎng)Rl的分布線，阻抗匹配線2對(duì)應(yīng)天線長(zhǎng)度等于四分之三波長(zhǎng)R3的分布線，均獲得匹配的阻抗，因此，此單極子天線可設(shè)計(jì)成雙頻點(diǎn)諧振天線。經(jīng)過R2的點(diǎn)為波長(zhǎng)的二分之一。當(dāng)引入分布電感的時(shí)候，阻抗匹配線I將偏移到3的位置，天線的長(zhǎng)度由Rl縮短為R4 ； 同理，阻抗匹配線2將偏移到4的位置，天線的長(zhǎng)度由R3縮短為R5。參見圖19，0_Li坐標(biāo)表示巴倫線的長(zhǎng)度和輻射單元長(zhǎng)度的總和，O-Xi坐標(biāo)表示阻抗的相對(duì)值，Xi=O時(shí)，獲得阻抗匹配。從圖中獲得，阻抗匹配線I對(duì)應(yīng)天線長(zhǎng)度等于四分之一波長(zhǎng)Rl的分布線，阻抗匹配線2對(duì)應(yīng)天線長(zhǎng)度等于四分之三波長(zhǎng)R3的分布線，均獲得匹配的阻抗，因此，此單極子天線可設(shè)計(jì)成雙頻點(diǎn)諧振天線。經(jīng)過R2的點(diǎn)為波長(zhǎng)的二分之一。當(dāng)引入分布電感的時(shí)候，阻抗匹配線I將偏移到3的位置，天線的長(zhǎng)度由Rl縮短為R4 ； 同理，阻抗匹配線2將偏移到4的位置，天線的長(zhǎng)度由R3縮短為R5。當(dāng)引入分布電容的情況下，阻抗匹配線從3的位置移動(dòng)到5的位置，天線長(zhǎng)度從R4縮短為R6 ；同理，阻抗匹配線從4的位置移動(dòng)到6的位置，天線長(zhǎng)度從R5縮短為R7。以上描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)，本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述說明書的限制，上述說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜基板，其特征在于，所述的薄膜基板由電介質(zhì)基板、天線圖案構(gòu)成所述的電介質(zhì)基板為方形薄板結(jié)構(gòu)；所述的天線圖案，設(shè)置在電介質(zhì)基板的正反表面，由信號(hào)輸入焊盤、接地金屬面、曲折型饋入線、曲折型巴倫線、螺旋型微帶輻射單元和導(dǎo)通孔組成，輻射單元的長(zhǎng)度小于天線工作頻率處的波長(zhǎng)的四分之一。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種薄膜基板，其特征在于，所述電介質(zhì)基板的絕緣介質(zhì)為環(huán)氧樹脂(FR4或BT)、陶瓷(LTCC)或鐵弗龍(PTFE)材料，其厚度為5(T200um之間，絕緣介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)在4 10之間，玻璃轉(zhuǎn)化溫度在17(Γ300攝氏度之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種薄膜基板，其特征在于，所述的薄膜基板為方形薄板結(jié)構(gòu)，其單元長(zhǎng)度和寬度在lmm-20mm之間；天線的厚度在O. 05mm-l. Omm之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種薄膜基板，其特征在于，所述天線圖案從輸入焊盤處具有輸入阻抗和電感；所述的輸入阻抗和所述的芯片的阻抗共扼匹配；所述的電感和所述的芯片的內(nèi)部容性部件滿足所述工作頻率處的諧振條件。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種薄膜基板，其特征在于，所述天線圖案的螺旋型微帶輻射單元加強(qiáng)了所述電感的量，使天線的長(zhǎng)度遠(yuǎn)小于天線工作頻率處的波長(zhǎng)的四分之一。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種薄膜基板，其特征在于，所述天線圖案的正反面重疊的圖案形成平板電容器，和螺旋型微帶輻射單元并聯(lián)連接，進(jìn)一步縮小天線的長(zhǎng)度。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種薄膜基板，其特征在于，所述天線圖案的表面覆蓋了保護(hù)層，增強(qiáng)了天線的環(huán)境適應(yīng)能力。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種薄膜基板，其特征在于，所述天線圖案組成的射頻電路，其工作頻率為800MHz-5. 8GHz。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種薄膜基板，由電介質(zhì)基板、天線圖案、芯片和封裝體構(gòu)成電介質(zhì)基板為方形薄板結(jié)構(gòu)；天線圖案，設(shè)置在電介質(zhì)基板的正反表面，由信號(hào)輸入焊盤、接地金屬面、曲折型饋入線、曲折型巴倫線、螺旋型微帶輻射單元和導(dǎo)通孔組成，輻射單元的長(zhǎng)度小于天線工作頻率處的波長(zhǎng)的四分之一，可應(yīng)用于微型化的射頻電路應(yīng)用。
文檔編號(hào)H01Q13/08GK102610911SQ201210106530
公開日2012年7月25日 申請(qǐng)日期2012年4月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月12日
發(fā)明者陸紅梅 申請(qǐng)人:上海禎顯電子科技有限公司