專(zhuān)利名稱：微透鏡結(jié)構(gòu)及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微透鏡結(jié)構(gòu)，尤其涉及在微透鏡組件上具有多層折射膜的微透鏡結(jié)構(gòu)以及形成多層折射膜的方法。
背景技術(shù)：
在圖像感測(cè)組件中，微透鏡結(jié)構(gòu)通常設(shè)置在圖像感測(cè)芯片上，傳統(tǒng)的微透鏡結(jié)構(gòu)具有微透鏡組件，并且在微透鏡組件上只形成單層且僅具有一種折射率的氧化硅層。傳統(tǒng)的制造方法經(jīng)由在微透鏡組件上涂布液態(tài)氧化物材料，然后對(duì)液態(tài)氧化物材料進(jìn)行硬烘烤工藝，借此在微透鏡組件上形成氧化硅層。然而，經(jīng)由此傳統(tǒng)的制造方法所形成的氧化硅層的階梯覆蓋率較差，約小于60%，因此經(jīng)由傳統(tǒng)的方法所形成的氧化硅層容易從微透鏡組件上脫層。另一種傳統(tǒng)的制造方法經(jīng)由等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積(plasma enhancedchemical vapor deposition ;PECVD)工藝在微透鏡組件上形成氧化娃層，其使用的工藝溫度高于20(TC,射頻(radio frequency ；RF)功率高于300瓦(watt),并且需在富含氧氣(O2)的環(huán)境下進(jìn)行，氧氣(O2)的流量為2000立方公分每分鐘(standard cubic centimeter perminute ;sccm)，此傳統(tǒng)的PECVD工藝所使用的氣體源為硅烷(silane ；SiH4)和N2O,或者氣體源為四乙氧基娃燒(tetraethyl orthosilicate ;TE0S)和02。然而,在傳統(tǒng)的PECVD工藝中所使用的高工藝溫度、高射頻功率以及富含氧氣的環(huán)境會(huì)對(duì)微透鏡組件底下的有機(jī)材料層造成損傷。此外，使用氣體源為SiH4和N2O的傳統(tǒng)PECVD工藝所形成的氧化硅層的階梯覆蓋率較差，約小于70%;而使用氣體源為T(mén)EOS和O2的傳統(tǒng)PECVD工藝所形成的氧化硅層的階梯覆蓋率不佳，約小于80%。因此，此傳統(tǒng)的制造方法所形成的氧化硅層也容易從微透鏡組件上脫層。另外，在傳統(tǒng)的微透鏡結(jié)構(gòu)中，微透鏡組件上的氧化硅層只具有一種折射率，因此無(wú)法大幅地提升圖像感測(cè)組件的靈敏度。此外，無(wú)法對(duì)單層結(jié)構(gòu)的氧化硅層的應(yīng)力進(jìn)行調(diào)整，因此無(wú)法得到最佳的應(yīng)力效能，進(jìn)而使得傳統(tǒng)的微透鏡結(jié)構(gòu)無(wú)法具有較大的工藝容許度(process window)。因此，業(yè)界急需可以克服上述問(wèn)題的微透鏡結(jié)構(gòu)以及微透鏡結(jié)構(gòu)的形成方法。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，提供微透鏡結(jié)構(gòu)。此微透鏡結(jié)構(gòu)包括:微透鏡組件，具有第一折射率；第一薄膜設(shè)置在微透鏡組件上，第一薄膜具有小于第一折射率的第二折射率；以及第二薄膜設(shè)置在第一薄膜上，第二薄膜具有小于第二折射率且大于空氣折射率的第三折射率。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，提供微透鏡結(jié)構(gòu)的形成方法。此微透鏡結(jié)構(gòu)的形成方法包括:形成微透鏡組件，其具有第一折射率；在微透鏡組件上沉積第一薄膜，其中第一薄膜具有小于第一折射率的第二折射率；以及在第一薄膜上沉積第二薄膜，其中第二薄膜具有小于第二折射率且大于空氣折射率的第三折射率。本發(fā)明在微透鏡組件上的多層結(jié)構(gòu)的薄膜可以增加圖像傳感器的光通量，進(jìn)而提升圖像傳感器的靈敏度。另外，每一層薄膜的應(yīng)力可以通過(guò)不同厚度加以調(diào)整，還可以通過(guò)使用不同材料、不同沉積方法或不同工藝條件的沉積工藝加以調(diào)整多層結(jié)構(gòu)薄膜的每一層薄膜的應(yīng)力。因此，可以得到最佳總效能的多層結(jié)構(gòu)的薄膜，從而得到較大的工藝容許度。為了讓本發(fā)明的上述目的、特征、及優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1顯示依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，微透鏡結(jié)構(gòu)設(shè)置在圖像傳感器上的局部剖面示意圖；圖2顯示依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，圖1的微透鏡結(jié)構(gòu)的一部分M的放大剖面示意圖；圖3顯示依據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，微透鏡結(jié)構(gòu)的一部分的放大剖面示意圖。其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下:10 圖像傳感器；12 接合墊；14 彩色濾光片；16 間隙物；18 微透鏡結(jié)構(gòu)；20 微透鏡組件；22 第一薄膜；24 第二薄膜；26 第三薄膜；28 第三薄膜上的多層薄膜；28’ 最外層的薄膜；M 微透鏡結(jié)構(gòu)的一部分；NI 第一折射率；N2 第二折射率；N3 第三折射率；N4 第四折射率；N5 第三薄膜上的薄膜的折射率；Nn 最外層薄膜的折射率；N* 空氣的折射率。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的一實(shí)施例提供微透鏡結(jié)構(gòu)，其可設(shè)置在圖像傳感器上，以增加圖像傳感器的光通量，使得圖像傳感器的靈敏度，亦即信號(hào)對(duì)噪聲比可以提升至少3% -6%。參閱圖1，其顯示依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，微透鏡結(jié)構(gòu)18設(shè)置在圖像傳感器10上的局部剖面示意圖。此外，如圖1所示，在圖像傳感器10與微透鏡結(jié)構(gòu)18之間還具有彩色濾光片14以及間隙物(spacer) 16，其中微透鏡結(jié)構(gòu)18設(shè)置在間隙物16上，圖像傳感器10還具有暴露出來(lái)的接合墊12，通過(guò)接合墊12與外部電路(未示出)進(jìn)行電性連接。參閱圖2，其顯示依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，圖1的微透鏡結(jié)構(gòu)18的一部分M的放大剖面示意圖。微透鏡結(jié)構(gòu)18包含微透鏡組件20，微透鏡組件20具有第一折射率NI，在一實(shí)施例中，第一折射率NI約為1.55。微透鏡組件20是由多個(gè)微透鏡單元組成，并且這些微透鏡單元以數(shù)組方式排列。在一實(shí)施例中，微透鏡組件20的厚度tl約為0.35μπι至L O μ m0微透鏡結(jié)構(gòu)18還包含設(shè)置在微透鏡組件20上的第一薄膜22，以及設(shè)置在第一薄膜22上的第二薄膜24。第一薄膜22具有小于第一折射率NI的第二折射率N2，第二薄膜24具有小于第二折射率N2且大于空氣折射率N*的第三折射率N3，亦即NI (約1.55) > N2> N3 > N*( = 1.0)。在一實(shí)施例中，微透鏡組件20的第一折射率NI約為1.55 ;第一薄膜22的第二折射率N2約為1.45 ;第二薄膜24的第三折射率N3約為1.40 ;并且空氣的折射率為1.0。第一薄膜22可以是SiO2薄膜，第二薄膜24可以是鉆石多孔膜(diamond porousfilm)、非有機(jī)膜或者由其它材料所形成的薄膜，其折射率介于N2與鄰接第二薄膜24的另一薄膜的折射率之間。在一實(shí)施例中，第一薄膜22的厚度t2至少約為500人，且第二薄膜24的厚度t3也至少約為500人，第一薄膜22和第二薄膜24的總厚度約為0.1 μ m至0.2 μ m。在一實(shí)施例中，第一薄膜22可以是SiO2薄膜，其經(jīng)由等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積工藝進(jìn)行兩次而形成，通過(guò)在微透鏡組件20上形成初始膜(initial film)(未示出)，并且在初始膜上形成主體膜(bulk film)(未示出)而形成第一薄膜22。初始膜的厚度約為50人至100人,主體膜的厚度大于初始膜的厚度。在一實(shí)施例中，沉積初始膜的步驟所使用的氣體源為四乙氧基硅烷和02，其工藝溫度低于200°C，例如約180°C，射頻功率不會(huì)大于250瓦，并且O2的流量約為250-1000立方公分每分鐘。由上述工藝條件所形成的初始膜具有拉伸(正)應(yīng)力(tensile (positive) stress),且為凹面狀態(tài)(concave state)。另夕卜，沉積主體膜的步驟所使用的氣體源為四乙氧基硅烷和O2，其工藝溫度低于200°C，例如約180°C，射頻功率則大于250瓦，并且O2的流量約為250-2000立方公分每分鐘。由上述工藝條件所形成的主體膜具有壓縮(負(fù))應(yīng)力(compressive (negative) stress),且為凸面狀態(tài)(convex state)。因此,初始膜的應(yīng)力會(huì)被主體膜的應(yīng)力平衡,使得第一薄膜22的應(yīng)力可以達(dá)到最佳化。接著，后續(xù)形成的第二薄膜24的應(yīng)力則會(huì)平衡第一薄膜22的應(yīng)力，第二薄膜24可通過(guò)任何適合的薄膜沉積或涂布工藝形成。在另一實(shí)施例中，第一薄膜22可以是SiO2薄膜，其經(jīng)由低溫化學(xué)氣相沉積(lowtemperature CVD ；LTCVD)工藝進(jìn)行一次而形成,形成此SiO2薄膜的步驟所使用的氣體源為雙(二乙基酰胺)硅烷(bis (diethylamido) silane)和O3，其工藝溫度約為70°C至180。。，當(dāng)工藝溫度為180°C時(shí)，其生產(chǎn)速率是工藝溫度為70°C時(shí)的生產(chǎn)速率的5倍。在本發(fā)明的低溫化學(xué)氣相沉積工藝中所使用的氣體源雙(二乙基酰胺)硅烷和O3屬于新的材料，使用此新材料的低溫化學(xué)氣相沉積工藝可以取代高溫、高射頻功率以及富含氧環(huán)境的傳統(tǒng)等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積工藝，借此可以避免對(duì)微透鏡組件20下方的有機(jī)材料層造成損傷，例如可避免對(duì)間隙物16造成損傷。此外，在本發(fā)明的低溫化學(xué)氣相沉積工藝中所使用的雙(二乙基酰胺)硅烷相較于等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積工藝中使用的四乙氧基硅烷具有更佳的移動(dòng)性，因此，使用氣體源為雙(二乙基酰胺)硅烷和O3的低溫化學(xué)氣相沉積工藝可以在微透鏡組件20上形成更為堅(jiān)固耐用的SiO2薄膜。此外，使用氣體源為雙(二乙基酰胺)硅烷和O3的低溫化學(xué)氣相沉積工藝還適用于在任兩個(gè)相鄰的微透鏡單元之間的間隙小于0.1 μ m的微透鏡組件20。由上述低溫化學(xué)氣相沉積工藝條件所形成的第一薄膜22具有壓縮(負(fù))應(yīng)力，且為凸面狀態(tài)。為了平衡第一薄膜22的應(yīng)力，后續(xù)形成的第二薄膜24需具有拉伸(正)應(yīng)力，且為凹面狀態(tài)，通過(guò)第二薄膜24的應(yīng)力可以平衡第一薄膜22的應(yīng)力，第二薄膜24可通過(guò)任何適合的薄膜沉積或涂布工藝形成。在一實(shí)施例中，第一薄膜22可以是SiO2薄膜，其經(jīng)由在微透鏡組件20上形成初始膜(未示出)以及在初始膜上形成主體膜(未示出)而形成。初始膜的厚度約為50人至約100人,主體膜的厚度大于初始膜的厚度。在此實(shí)施例中，初始膜是由低溫化學(xué)氣相沉積工藝形成，而主體膜則由等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積工藝形成，形成初始膜的低溫化學(xué)氣相沉積工藝所使用的氣體源為雙(二乙基酰胺)硅烷和O3，且其工藝溫度約為70-1 800C ；形成主體膜的等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積工藝所使用的氣體源為四乙氧基硅烷和O2，其工藝溫度低于200°C，例如約180°c，射頻功率大于250瓦，并且O2的流量約為250-2000立方公分每分鐘。依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，當(dāng)?shù)谝槐∧?2或第一薄膜22的初始膜是由PECVD工藝形成時(shí)，其工藝溫度會(huì)低于200°C，射頻功率不會(huì)大于250瓦，并且O2的流量約為250-1000立方公分每分鐘；或者第一薄膜22或第一薄膜22的初始膜可通過(guò)氣體源為四乙氧基硅烷和O2，且工藝溫度約為70-180°C的LTCVD工藝形成。因此，位于微透鏡結(jié)構(gòu)18下方的間隙物16不會(huì)被第一薄膜22的沉積工藝損傷。此外，后續(xù)在第一薄膜22或第一薄膜22的初始膜上方所形成的其它層的沉積工藝也不會(huì)受到工藝溫度、射頻功率或O2流量的限制，因?yàn)槲挥谖⑼哥R結(jié)構(gòu)18下方的間隙物16會(huì)被第一薄膜22或第一薄膜22的初始膜隔絕并受到其保護(hù)。此外，上述所討論的第一薄膜22或第一薄膜22的初始膜的工藝具有絕佳的階梯覆蓋能力，其可以充分地填充微透鏡結(jié)構(gòu)18的任兩個(gè)相鄰的微透鏡單元之間的間隙。因此，在沉積第一薄膜22之后，微透鏡結(jié)構(gòu)18的任兩個(gè)相鄰的微透鏡單元之間的間隙的填充系數(shù)(fill-factor)會(huì)大于99%，并且微透鏡結(jié)構(gòu)18的表面積也會(huì)大于微透鏡組件20的表面積，進(jìn)而可以增加圖像傳感器10的光通量。雖然圖2的微透鏡結(jié)構(gòu)18僅在微透鏡組件20上示出第一薄膜22和第二薄膜24，但是在第二薄膜24上還可以沉積更多的薄膜以作為微透鏡結(jié)構(gòu)18。在一實(shí)施例中，如圖3所示，微透鏡結(jié)構(gòu)還包含沉積在第二薄膜24上的第三薄膜26，第三薄膜26具有第四折射率N4，其小于第三折射率N3且大于空氣的折射率N*，亦即NI (約1.55) > N2 > N3 > N4 >N* ( = 1.0)。例如，第二薄膜24的第三折射率N3約為1.40，且第三薄膜26的第四折射率N4約為1.30。形成第三薄膜26的材料可以是透明且具有約1.3的折射率N4，或者具有小于1.40的其它折射率的任何適合的材料。在另一實(shí)施例中，如圖3所示，微透鏡結(jié)構(gòu)還包含沉積在第三薄膜26上的多層薄膜28，在第三薄膜26上的這些薄膜28的每一層所具有的折射率為N5或小于第四折射率N4的其它折射率Nn，且這些折射率大于空氣的折射率N*，亦即NI (約1.55) > N2 > N3 > N4> N5 >....> Nn > N* ( = 1.0)。例如，第三薄膜26的第四折射率N4約為1.30，第三薄膜26上的這些薄膜28的折射率N5……以及Nn則小于1.30且大于1.0，第三薄膜26上的這些薄膜28的折射率N5……以及Nn是由小于第四折射率N4的折射率N5梯度地遞減至大于空氣折射率N*的折射率Nn。在微透鏡組件20上的這些薄膜28的最外層薄膜28’具有最小的折射率Nn，且折射率Nn大于空氣的折射率N*。第一薄膜22、第二薄膜24、第三薄膜26以及在第三薄膜26上的這些薄膜28的總厚度約為0.1 μ m至0.2 μ m。依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在微透鏡組件20上沉積的多層結(jié)構(gòu)的薄膜可由第一薄膜22和第二薄膜24組成，或者還包含額外的第三薄膜26以及在第三薄膜26上的這些額外的薄膜28，此多層結(jié)構(gòu)的薄膜所具有的折射率從小于微透鏡組件20折射率NI的折射率N2梯度地遞減至大于空氣折射率N*的折射率Nn。因此，在微透鏡組件20上的多層結(jié)構(gòu)的薄膜可以增加圖像傳感器10的光通量，進(jìn)而提升圖像傳感器10的靈敏度。另外，在微透鏡組件20上的多層結(jié)構(gòu)的薄膜的每一層薄膜的應(yīng)力可以通過(guò)不同厚度加以調(diào)整，并且還可以通過(guò)使用不同材料、不同沉積方法或不同工藝條件的沉積工藝加以調(diào)整多層結(jié)構(gòu)薄膜的每一層薄膜的應(yīng)力。因此，經(jīng)由多層薄膜的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)結(jié)合多層薄膜的應(yīng)力效能，可以在微透鏡組件20上得到最佳總效能的多層結(jié)構(gòu)的薄膜，使得微透鏡結(jié)構(gòu)18得到較大的工藝容許度。在本發(fā)明的實(shí)施例中，于微透鏡組件20上沉積第一薄膜22的前，圖像傳感器10的接合墊12會(huì)被平坦化層(未示出)覆蓋，借此保護(hù)接合墊12。于多層結(jié)構(gòu)薄膜的沉積工藝完成之后，在微透鏡組件20上方的多層結(jié)構(gòu)薄膜上形成圖案化保護(hù)層(未示出)，然后利用蝕刻工藝移除未被圖案化保護(hù)層覆蓋并且設(shè)置在接合墊12上方的平坦化層以及其它層，使得接合墊12暴露出來(lái)，同時(shí)將多層結(jié)構(gòu)薄膜圖案化。之后，將圖案化保護(hù)層移除，以完成微透鏡結(jié)構(gòu)18的制作。 雖然本發(fā)明已揭示較佳實(shí)施例如上，然其并非用以限定本發(fā)明，在此技術(shù)領(lǐng)域中本領(lǐng)域普通技術(shù)人員當(dāng)可了解，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做些許更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種微透鏡結(jié)構(gòu)，包括: 一微透鏡組件，具有一第一折射率； 一第一薄膜，設(shè)置在該微透鏡組件上，具有一第二折射率小于該第一折射率；以及 一第二薄膜，設(shè)置在該第一薄膜上，具有一第三折射率小于該第二折射率，其中該第三折射率大于空氣的折射率。
2.如權(quán)利要求1所述的微透鏡結(jié)構(gòu)，其中該微透鏡組件的厚度為0.35μηι至Ι.Ομηι,該第一薄膜的厚度為至少500人，該第二薄膜的厚度為至少500人,且該第一薄膜和該第二薄膜的總厚度為0.1 μ m至0.2 μ m。
3.如權(quán)利要求1所述的微透 鏡結(jié)構(gòu)，其中該微透鏡組件的該第一折射率為1.55，該第一薄膜的該第二折射率為1.45，且該第二薄膜的該第三折射率為1.40。
4.如權(quán)利要求1所述的微透鏡結(jié)構(gòu)，其中該第一薄膜包括一初始膜以及一主體膜，該初始膜的厚度為50人至100人，該主體膜的厚度大于該初始膜的厚度，且該初始膜的應(yīng)力被該主體膜的應(yīng)力平衡。
5.如權(quán)利要求1所述的微透鏡結(jié)構(gòu)，其中該第一薄膜包括SiO2，且該第一薄膜的應(yīng)力被該第二薄膜的應(yīng)力平衡。
6.如權(quán)利要求1所述的微透鏡結(jié)構(gòu)，還包括一第三薄膜設(shè)置在該第二薄膜上，其中該第三薄膜具有一第四折射率小于該第三折射率，且大于空氣的折射率。
7.如權(quán)利要求6所述的微透鏡結(jié)構(gòu)，其中該第一薄膜、該第二薄膜以及該第三薄膜的總厚度為0.1 μ m至0.2 μ m，且該第二薄膜的應(yīng)力被該第三薄膜的應(yīng)力平衡。
8.如權(quán)利要求6所述的微透鏡結(jié)構(gòu)，還包括多層薄膜設(shè)置在該第三薄膜上，其中在該第三薄膜上的所述多個(gè)薄膜的每一層具有一折射率小于該第四折射率，且大于空氣的折射率，并且在該第三薄膜上的所述多個(gè)薄膜的所述多個(gè)折射率從該第四折射率遞減至空氣的折射率。
9.如權(quán)利要求8所述的微透鏡結(jié)構(gòu)，其中該第一薄膜、該第二薄膜、該第三薄膜以及在該第三薄膜上的所述多個(gè)薄膜的總厚度為0.1 μ m至0.2 μ m。
10.一種微透鏡結(jié)構(gòu)的形成方法，包括: 形成一微透鏡組件，具有一第一折射率； 在該微透鏡組件上沉積一第一薄膜，其中該第一薄膜具有一第二折射率小于該第一折射率；以及 在該第一薄膜上沉積一第二薄膜，其中該第二薄膜具有一第三折射率小于該第二折射率，且大于空氣的折射率。
11.如權(quán)利要求10所述的微透鏡結(jié)構(gòu)的形成方法，其中沉積該第一薄膜的步驟包括進(jìn)行一等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積工藝兩次，以形成一 SiO2薄膜。
12.如權(quán)利要求11所述的微透鏡結(jié)構(gòu)的形成方法，其中形成該SiO2薄膜的步驟包括沉積一初始膜以及沉積一主體膜，且該初始膜的厚度小于該主體膜的厚度。
13.如權(quán)利要求12所述的微透鏡結(jié)構(gòu)的形成方法，其中沉積該初始膜的步驟使用的氣體源為四乙氧基硅烷和O2，其工藝溫度低于200°C，射頻功率低于250瓦，且O2流量為250至1000標(biāo)準(zhǔn)立方公分每分鐘。
14.如權(quán)利要求12所述的微透鏡結(jié)構(gòu)的形成方法，其中沉積該主體膜的步驟使用的氣體源為四乙氧基硅烷和O2，其工藝溫度低于200°C，射頻功率大于250瓦，且O2流量為250至2000標(biāo)準(zhǔn)立方公分每分鐘。
15.如權(quán)利要求10所述的微透鏡結(jié)構(gòu)的形成方法，其中沉積該第一薄膜的步驟包括進(jìn)行一低溫化學(xué)氣相沉積工藝一次，以形成一 SiO2薄膜。
16.如權(quán)利要求15所述的微透鏡結(jié)構(gòu)的形成方法，其中形成該SiO2薄膜的步驟使用的氣體源為雙(二乙基酰胺)硅烷和03，且其工藝溫度為70-180°C。
17.如權(quán)利要求10所述的微透鏡結(jié)構(gòu)的形成方法，其中沉積該第一薄膜的步驟包括沉積一初始膜以及沉積一主體膜，該初始膜和該主體膜的材料為SiO2,且該初始膜的厚度小于該主體膜的厚度。
18.如權(quán)利要求17所述的微透鏡結(jié)構(gòu)的形成方法，其中該初始膜經(jīng)由一低溫化學(xué)氣相沉積工藝形成，且該主體膜經(jīng)由一等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積工藝形成。
19.如權(quán)利要求18所述的微透鏡結(jié)構(gòu)的形成方法，其中該低溫化學(xué)氣相沉積工藝使用的氣體源為雙(二乙基酰胺)硅烷和03，且其工藝溫度為70-180°C。
20.如權(quán)利要求10所述的微透鏡結(jié)構(gòu)的形成方法，還包括在該第二薄膜上沉積一第三薄膜，其中該第三薄膜具有一第四折射率小于該第三折射率，且大于空氣的折射率。
21.如權(quán)利要求20所述的微透鏡結(jié)構(gòu)的形成方法，還包括在該第三薄膜上沉積多層薄膜，其中在該第三薄膜上的所述多個(gè)薄膜的每一層具有一折射率小于該第四折射率，且大于空氣的折射率，并且在該第三薄膜上的所述多個(gè)薄膜的所述多個(gè)折射率從該第四折射率遞減至空氣的折射率。
全文摘要
本發(fā)明提供微透鏡結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述微透鏡結(jié)構(gòu)包含具有第一折射率的微透鏡組件，第一薄膜設(shè)置在微透鏡組件上，第一薄膜具有小于第一折射率的第二折射率，以及第二薄膜設(shè)置在第一薄膜上，第二薄膜具有小于第二折射率且大于空氣折射率的第三折射率。此外，本發(fā)明還提供微透鏡結(jié)構(gòu)的形成方法。本發(fā)明在微透鏡組件上的多層結(jié)構(gòu)的薄膜可以增加圖像傳感器的光通量，進(jìn)而提升圖像傳感器的靈敏度。另外，每一層薄膜的應(yīng)力可以通過(guò)不同厚度加以調(diào)整，還可以通過(guò)使用不同材料、不同沉積方法或不同工藝條件的沉積工藝加以調(diào)整多層結(jié)構(gòu)薄膜的每一層薄膜的應(yīng)力。因此，可以得到最佳總效能的多層結(jié)構(gòu)的薄膜，從而得到較大的工藝容許度。
文檔編號(hào)H01L27/146GK103185906SQ20121010574
公開(kāi)日2013年7月3日 申請(qǐng)日期2012年4月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月29日
發(fā)明者翁福田, 蕭玉焜 申請(qǐng)人:采鈺科技股份有限公司