專利名稱：上部電極板以及基板處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種上部電極板以及基板處理裝置，特別是涉及一種隔著處理空間與基板載置臺相向地配置的上部電極板。
背景技術(shù)：
對作為基板的晶圓實施蝕刻處理的基板處理裝置具備收容晶圓且能夠減壓的腔室、配置在該腔室內(nèi)以載置晶圓的基板載置臺以及隔著處理空間與該基板載置臺相向地配置的上部電極板(CEL)。在減壓的腔室內(nèi)產(chǎn)生等離子體，該等離子體對晶圓進行蝕刻。上部電極板經(jīng)由作為熱擴散板而發(fā)揮功能的冷卻板而被電極支承體(UEL)支承。在對晶圓實施等離子體處理、例如蝕刻處理的情況下，晶圓的各部位的蝕刻率(E/R)分別受到各部位的溫度的影響，因此在蝕刻處理中需要使基板載置臺、上部電極板等腔室內(nèi)部件的表面溫度保持均勻。然而，存在以下問題由于腔室內(nèi)保持真空，因此腔室內(nèi)部 件相互之間難以傳遞熱量，在各部件的溫度穩(wěn)定之前需要時間。另外，當(dāng)對晶圓實施蝕刻處理時，被配置在用于載置晶圓的基板載置臺上部的上部電極板從等離子體接收熱量而使其溫度發(fā)生變化。上部電極板的溫度會影響處理空間內(nèi)的等離子體中的自由基的分布，因此在對同一批內(nèi)的多個晶圓進行處理期間，如果上部電極板的溫度發(fā)生變化，則難以對同一批內(nèi)的多個晶圓實施均勻的蝕刻處理。因此，在用于支承上部電極板的電極支承體上設(shè)置制冷流路來作為溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)，該制冷流路例如使以冷卻水為主的制冷劑流通，該制冷流路經(jīng)由作為熱擴散板而發(fā)揮功能的冷卻板來冷卻上部電極板，由此對直接受到來自等離子體的熱量的影響的上部電極板的溫度進行調(diào)整。另外，上部電極板與冷卻板的抵接面、冷卻板與電極支承體的抵接面的密合度并不高，另外由于真空環(huán)境導(dǎo)致這些部件相互間的熱傳遞效率低。因而，在上部電極板的溫度控制中產(chǎn)生時間上的偏差，難以從開始產(chǎn)生等離子體起就將上部電極板的溫度調(diào)整為期望的溫度，這成為導(dǎo)致每個晶圓的蝕刻率等的處理屬性不穩(wěn)定的原因。對此，近年來，本申請人開發(fā)了一種改善等離子體處理裝置的構(gòu)成部件間的熱傳遞效率的溫度調(diào)整技術(shù)(例如參照專利文獻I)。在該技術(shù)中，在等離子體處理裝置中的各構(gòu)成部件之間、例如聚焦環(huán)和基座之間配置傳熱薄片來改善熱傳遞效率。專利文獻I :日本特開2002-16126號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題然而，存在以下問題關(guān)于上述現(xiàn)有技術(shù)中的傳熱薄片，其應(yīng)用技術(shù)未必確立，特別是適用于直接接收等離子體的熱量而被加熱的上部電極板的技術(shù)還沒有充分確立。本發(fā)明的目的在于提供一種能夠從開始產(chǎn)生等離子體起就使上部電極板的溫度穩(wěn)定，能夠?qū)Χ鄠€晶圓實施均勻的蝕刻處理的上部電極板以及基板處理裝置。用于解決問題的方案
為了解決上述問題，第一方面所記載的上部電極板是一種上部電極板，具有溫度調(diào)整機構(gòu)的電極支承體懸吊支承該上部電極板，該上部電極板的特征在于，該上部電極板經(jīng)由冷卻板抵接于上述電極支承體，在與該冷卻板相抵接的抵接面上形成傳熱薄片。第二方面所記載的上部電極板的特征在于，在第一方面所記載的上部電極板中，在上述上部電極板中設(shè)置多個氣孔，以避開上述氣孔的附近的規(guī)定區(qū)域的方式形成上述傳熱薄片。第三方面所記載的上部電極板的特征在于，在第二方面所記載的上部電極板中，以避開將上述氣孔的中心作為中心且半徑為I. 5mm至2. 5mm的圓形區(qū)域的方式來形成上述傳熱薄片。第四方面所記載的上部電極板的特征在于，在第一方面至第三方面中的任一項所記載的上部電極板中，上述傳熱薄片的膜厚為lOOym以下。
第五方面所記載的上部電極板的特征在于，在第四方面所記載的上部電極板中，上述傳熱薄片的膜厚為30 ii m至80 ii m。第六方面所記載的上部電極板的特征在于，在第四方面或者第五方面所記載的上部電極板中，上述上部電極板隔著處理空間與基板載置臺相向地配置，在與上述基板載置臺的中心部相向的位置處和與上述基板載置臺的周邊部相向的位置處，上述傳熱薄片的膜厚不同。第七方面所記載的上部電極板的特征在于，在第一方面至第六方面中的任一項所記載的上部電極板中，對上述冷卻板的與上述傳熱薄片相抵接的抵接面涂布脫模劑。第八方面所記載的上部電極板的特征在于，在第一方面至第七方面中的任一項所記載的上部電極板中，在上述電極支承體與上述冷卻板的抵接面上存在上述傳熱薄片。第九方面所記載的上部電極板的特征在于，在第一方面至第八方面中的任一項所記載的上部電極板中，上述傳熱薄片的熱導(dǎo)率是0. 5ff/m k 2. Off/m k。為了解決上述問題，第十方面所記載一種基板處理裝置，具有上部電極板和隔著處理空間與該上部電極板相向地配置的基板載置臺，對載置在該基板載置臺上的基板實施規(guī)定的處理，該基板處理裝置的特征在于，上述上部電極板是第一方面至第九方面中的任一項所記載的上部電極板。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，上部電極板經(jīng)由冷卻板與電極支承體相抵接，在上部電極板的與冷卻板相抵接的抵接面上形成傳熱薄片，因此良好地顯現(xiàn)出如下功能能夠提高上部電極板與冷卻板之間的熱傳遞效率，并且利用電極支承體對上部電極板進行溫度調(diào)整，由此，能夠使上部電極板的溫度加快穩(wěn)定，從開始產(chǎn)生等離子體起就使上部電極板的溫度穩(wěn)定，能夠?qū)Χ鄠€晶圓實施均勻的蝕刻處理。


圖I是示意性地表示具備本發(fā)明的實施方式所涉及的上部電極板的等離子體處理裝置的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖2是表示圖I的等離子體處理裝置中的上部電極板的與冷卻板相抵接的抵接面的圖。
圖3是圖2的上部電極板的局部放大俯視圖。圖4是圖2的上部電極板的側(cè)視圖。圖5是表示上部電極板與冷卻板的抵接部的局部放大剖視圖。附圖標(biāo)記說明W:晶圓；S :處理空間；10 :等離子體處理裝置；11 :腔室；12 :基座；30 :簇射頭；31 :上部電極板；32 :冷卻板；33 :電極支承體；34 :氣孔；38 :傳熱薄片；40 :螺栓用的孔；41 :開口部
具體實施例方式下面，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行詳細(xì)地說明。
圖I是示意性地表示具備本實施方式所涉及的上部電極板的等離子體處理裝置的結(jié)構(gòu)的剖視圖。該等離子體處理裝置對作為基板的半導(dǎo)體器件用的晶圓(以下簡稱為“晶圓”)實施等離子體蝕刻處理。在圖I中，作為基板處理裝置的等離子體處理裝置10具有收容例如直徑為300mm的晶圓W的腔室11，在該腔室11內(nèi)配置有用于載置半導(dǎo)體器件用的晶圓W的圓柱狀的基座
12。在等離子體處理裝置10中，利用腔室11的內(nèi)部側(cè)壁和基座12的側(cè)面形成側(cè)部排氣通路13。在該側(cè)部排氣通路13的中段配置有排氣板14。排氣板14是具有多個通孔的板狀構(gòu)件，作為將腔室11內(nèi)部分隔成上部和下部的分隔板而發(fā)揮功能。在由排氣板14分隔出的腔室11內(nèi)部的上部(以下稱為“處理室”)15中如后述那樣產(chǎn)生等離子體。另外，用于排出腔室11內(nèi)的氣體的排氣管17與腔室11內(nèi)部的下部(以下稱為“排氣室(歧管)”)16相連接。排氣板14捕捉或反射在處理室15中產(chǎn)生的等離子體，防止該等離子體向歧管16泄漏。TMP (Turbo Molecular Pump :潤輪分子泵)和 DP (Dry Pump :干泵)(均未圖示)與排氣管17相連接，這些泵將腔室11內(nèi)抽成真空而使腔室11的內(nèi)部減壓。具體地說，DP使腔室11內(nèi)從大氣壓狀態(tài)減壓至內(nèi)部真空狀態(tài)(例如1.3X10Pa(0. ITorr)以下)，TMP與DP相配合使腔室11內(nèi)減壓至壓力低于內(nèi)部真空狀態(tài)的高真空狀態(tài)(例如
I.3X KT3Pa(I. OX I(T5Torr)以下)。此外，腔室11內(nèi)的壓力由APC閥(未圖示)控制。第一高頻電源18經(jīng)由第一匹配器19與腔室11內(nèi)的基座12相連接，且第二高頻電源20經(jīng)由第二匹配器21與該基座12相連接，第一高頻電源18將比較低的頻率、例如2MHz的離子引入用高頻電力施加到基座12，第二高頻電源20將比較高的頻率、例如60MHz的等離子體產(chǎn)生用高頻電力施加到基座12，。由此，基座12作為電極發(fā)揮功能。另外，第一匹配器19和第二匹配器21降低來自基座12的高頻電力的反射，使高頻電力向基座12的施加效率達到最大?；?2的上部配置有在內(nèi)部具有靜電電極板22的由陶瓷構(gòu)成的靜電吸盤23。直流電源24與靜電電極板22相連接，當(dāng)對靜電電極板22施加正的直流電壓時，晶圓W在靜電吸盤側(cè)的面(以下稱為“背面”)產(chǎn)生負(fù)電位，在靜電電極板22與晶圓W的背面之間產(chǎn)生電場，利用由該電場引發(fā)的庫侖力或約翰遜 拉別克力將晶圓W吸附保持于靜電吸盤23。另外，在基座12上以將吸附保持于靜電吸盤23的晶圓W包圍起來的方式載置有聚焦環(huán)25。聚焦環(huán)25由硅(Si)、碳化硅素(SiC)等構(gòu)成。S卩，聚焦環(huán)25由半導(dǎo)體構(gòu)成，因此使等離子體的分布區(qū)域不局限于晶圓W上而是擴大至該聚焦環(huán)25上，從而將晶圓W的周緣部上的等離子體的密度維持在與該晶圓W的中央部上的等離子體的密度相同程度。由此，確保對整面的晶圓W實施的等離子體蝕刻處理的均勻性。在基座12的內(nèi)部例如設(shè)置有沿圓周方向延伸的環(huán)狀的制冷劑室26。從冷卻單元經(jīng)由制冷劑用配管(省略圖示)對該制冷劑室26循環(huán)供給低溫的制冷劑、例如冷卻水、羥色胺(注冊商標(biāo))。被該低溫的制冷劑冷卻后的基座12對晶圓W和聚焦環(huán)25進行冷卻。靜電吸盤23具有朝向靜電吸附著的晶圓W開口的 多個傳熱氣體供給孔(省略圖示)。這些多個傳熱氣體供給孔經(jīng)由傳熱氣體供給線與傳熱氣體供給部(都省略圖示)相連接，該傳熱氣體供給部將作為傳熱氣體的He(氦)氣經(jīng)由傳熱氣體供給孔提供至吸附面和晶圓W的里背面的間隙。被提供至吸附面和晶圓W的背面的間隙的氦氣將晶圓W的熱量高效地傳遞給基座12。在處理腔室11的上部，隔著處理空間S與基座12相向地配置有簇射頭(showerhead)30o簇射頭30具有上部電極板31 ;電極支承體33,其以可拆卸上部電極板31的方式懸吊支承該上部電極板31 ;以及冷卻板32，其配置成被夾持在該電極支承體33與上部電極板31之間。冷卻板32和上部電極板31由圓板狀構(gòu)件構(gòu)成，該圓板狀構(gòu)件具有沿厚度方向貫通的多個氣孔34，例如由硅、SiC(碳化硅素)、石英等構(gòu)成。另外，在電極支承體33的內(nèi)部設(shè)置有溫度調(diào)整用的制冷流路(省略圖示)和緩沖室35，處理氣體導(dǎo)入管(省略圖示)與緩沖室35相連接。另外，直流電源37與簇射頭30的上部電極板31相連接，對上部電極板31施加負(fù)的直流電壓。此時，上部電極板31放出二次電子來防止處理室15內(nèi)部的電子密度的下降。另外，在上部電極板31與冷卻板32的抵接面和冷卻板32與電極支承體33的抵接面上存在后述的傳熱薄片38。傳熱薄片38對在上部電極板31與冷卻板32的抵接面和冷卻板32與電極支承體33的抵接面上產(chǎn)生的細(xì)小的縫隙進行填充，改善各抵接面的熱傳遞效率，經(jīng)由冷卻板32將上部電極板31的熱量高效地傳遞給電極支承體33。在等離子體處理裝置10中，從處理氣體導(dǎo)入管提供至緩沖室35的處理氣體經(jīng)由氣孔34被導(dǎo)入到處理室15內(nèi)部的處理空間S，所導(dǎo)入的該處理氣體被等離子體生成用高頻電力激勵后生成等離子體，從第二高頻電源20經(jīng)由基座12對處理室15內(nèi)部施加該等離子體生成用高頻電力。利用第一高頻電源18對基座12施加的離子引入用高頻電力將該等離子體中的離子引入到晶圓W，該等離子體中的離子對該晶圓W實施等離子體蝕刻處理。等離子體處理裝置10所具備的控制部(省略圖示)的CPU根據(jù)與等離子體蝕刻處理相對應(yīng)的程序來對上述等離子體處理裝置10的各構(gòu)成部件的動作進行控制。圖2是表示圖I的等離子體處理裝置中的上部電極板的與冷卻板相抵接的抵接面的圖，圖3是圖2的上部電極板的局部放大俯視圖，圖4是圖2的上部電極板的側(cè)視圖。在圖2中，上部電極板31呈圓形板狀體，其直徑例如與用于載置晶圓W的基座12的直徑大致相同。另外，其厚度例如為5mm 20mm。上部電極板31的與冷卻板32相抵接的抵接面上涂布、形成傳熱薄片38。傳熱薄片38例如通過如下方式形成，即、作為聚有機硅氧烷，使用XE14-B8530 (A)(Momentive Performance Materials 制造)和 XE14-B8530 (B) (Momentive PerformanceMaterials制造)，對以重量比I : I混合兩者而得到的液體(下面將該液體稱為(混合液A))進行調(diào)制，接著以使混合液A :氧化鋁填料=60 40(體積比)的方式對混合液A添加作為氧化鋁填料的DAM5 (電化學(xué)工業(yè)制造，平均粒徑為5 ii m)，并且，以使RD-I的重量相對于混合液A和氧化鋁填料的重量總和為0. 04重量％的方式添加作為交聯(lián)聚有機硅氧烷系固化劑的RD-I (Dow Corning Toray silicone制造)，將得到的液體(以下將該液體稱為“混合液B”)經(jīng)由用于形成與后述的氣孔34相對應(yīng)的開口部41的規(guī)定的掩模材料、并且以期望的膜厚例如絲網(wǎng)印刷到上部電極板31的與冷卻板32相抵接的抵接面31a上，之后，例如以150°C加熱30小時后進行固化。此外，使用僅使混合液B固化而得到的試驗片來以激光閃光法來測量傳熱薄片38的熱導(dǎo)率，其測量結(jié)果是I. 2ff/m k。在圖3和圖4中，在上部電極板31中設(shè)置有多個氣孔34，在上部電極板31的與冷卻板32相抵接的抵接面31a上形成的傳熱薄片38中也設(shè)置有與氣孔34相對應(yīng)的開口部41。被設(shè)置在上部電極板31中的氣孔34例如是￠0. 5mm的通孔，被設(shè)置在傳熱薄片38中的開口部41例如是C>3mm ①5mm的圓形的孔。以使氣孔34位于開口部41的中心部的方式形成傳熱薄片38。因而，傳熱薄片38的開口部41與氣孔34形成為同心狀，氣孔34的附近的規(guī)定區(qū)域、即以氣孔34的中心為中心、例如半徑I. 5mm至2. 5mm的圓形區(qū)域是不 存在傳熱薄片38的區(qū)域。圖5是表示上部電極板31與冷卻板32的抵接部的局部放大剖視圖。在圖5中，在上部電極板31和冷卻板32上例如以相等間隔且互相連通的方式分別設(shè)置氣孔34。在上部電極板31的與冷卻板32相抵接的抵接面上形成傳熱薄片38，在與該傳熱薄片38的氣孔34相應(yīng)的位置處形成開口部41。即，配置為傳熱薄片38的開口部41與上部電極板31的氣孔34互相連通，且氣孔34與開口部41的大致中央處相連接。由此，從氣孔34進入的等離子體的到達傳熱薄片38的到達路徑成為曲折狀。因而，即使等離子體從氣孔34進入也難以到達傳熱薄片38，能夠防止傳熱薄片38暴露于等離子體，從而避免傳熱薄片38的損壞以及產(chǎn)生微粒等問題。在上部電極板31中設(shè)置有用于將該上部電極板31抵接、固定到冷卻板32上的螺栓用的孔40 (參照圖2、圖3)，以避開螺栓用的孔40的方式形成傳熱薄片38。此外，不用擔(dān)心等離子體進入螺栓用的孔40，因此對應(yīng)于螺栓用的孔40的傳熱薄片38的開口部成為與螺栓用的孔40大致相同的尺寸。這種結(jié)構(gòu)的上部電極板31經(jīng)由冷卻板32被電極支承體33懸吊支承，并被固定在腔室內(nèi)的規(guī)定位置(參照圖V。根據(jù)本實施方式，在上部電極板31的與冷卻板32相抵接的抵接面31a上形成了傳熱薄片38，因此能夠?qū)υ谏喜侩姌O板31與冷卻板32的抵接面上產(chǎn)生的細(xì)小的縫隙進行填充，并且能夠改善上部電極板31與冷卻板32之間的熱傳遞效率，從而能夠?qū)⑸喜侩姌O板31的熱量經(jīng)由冷卻板32高效地傳遞至電極支承體33。因而，能夠利用電極支承體33高效地冷卻上部電極板31而使其溫度穩(wěn)定，例如使對同一批中的第一片晶圓進行處理時和對第五片晶圓進行處理時的上部電極板31的溫度穩(wěn)定。另外，由此使上部電極板31所面對的處理空間S內(nèi)的自由基的活性穩(wěn)定，每個晶圓的蝕刻率的平均值也穩(wěn)定。另外，例如即使腔室內(nèi)溫度達到200°C或者200°C以上，也能夠?qū)⑸喜侩姌O板31的溫度維持為100°C左右，由此，能夠?qū)崿F(xiàn)抑制上部電極板31的熱膨脹、能夠不考慮構(gòu)件之間的空隙來進行設(shè)計。另外，還能夠抑制由等離子體進入腔室內(nèi)部件的間隙而導(dǎo)致的異常放電、或者產(chǎn)生微粒等問題。
并且，根據(jù)本實施方式，通過在上部電極板31的與冷卻板32相抵接的抵接面31a上形成傳熱薄片38，能夠改善上部電極板31與冷卻板32之間的熱傳遞效率，上部電極板31能夠經(jīng)由冷卻板32擴散熱量，從而能夠?qū)崿F(xiàn)上部電極板31的熱量分布的均勻化。根據(jù)本實施方式，傳熱薄片38的有機材料例如是在成分中包含硅的耐熱性的粘合劑、橡膠，因此即使傳熱薄片38發(fā)生撓性地變形而導(dǎo)致上部電極板31的與冷卻板32相抵接的抵接面多少發(fā)生彎曲，也能夠可靠地貼合。另外，傳熱薄片38的傳熱材料是氧化物、氮化物或者碳化物的陶瓷填料，在上述耐熱性的粘合劑、橡膠中例如含有25% 60%體積的填料，因此傳熱薄片能夠遍及整個區(qū)域大致均勻地傳遞熱量，其結(jié)果是，能夠大致均勻地對整個上部電極板31進行溫度調(diào)整。 傳熱薄片38的熱導(dǎo)率例如是0. 5ff/m k 2. Off/m k。如果熱導(dǎo)率在該范圍內(nèi)，則如上所述，能夠遍及傳熱薄片38整個區(qū)域大致均勻地傳遞熱量，能夠大致均勻地對整個上部電極板31進行溫度調(diào)整。在本實施方式中，關(guān)于構(gòu)成傳熱薄片38的、成分中包含硅的耐熱性的粘合劑、橡膠，只要含有硅就不作特別地限制，優(yōu)選列舉出為主鏈骨架由硅氧烷單元構(gòu)成的的聚有機硅氧烷、且具有交聯(lián)結(jié)構(gòu)的物質(zhì)。聚有機硅氧烷中，優(yōu)選熱固化的聚有機硅氧烷，除了主要材料聚有機硅氧烷之外，還優(yōu)選使用固化劑(交聯(lián)性聚有機硅氧烷)。聚有機硅氧烷的重復(fù)單元結(jié)構(gòu)可以列舉出二甲基硅氧烷單元、苯基甲基硅氧烷單元、二苯基硅氧烷單元等。另夕卜，也可以使用具有乙烯基、環(huán)氧基等官能團的改性聚有機硅氧烷。在本實施方式中，作為傳熱薄片38中的填料的傳熱材料是氧化物、氮化物或者碳化物的陶瓷填料，具體例示時，可以列舉出作為氧化物的氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、二氧化硅等，作為氮化物的氮化鋁、氮化硼、氮化硅等，作為碳化物的碳化硅等。該陶瓷填料優(yōu)選具有球形結(jié)構(gòu)，優(yōu)選以使傳熱特性最大的方式對形狀存在各向異性的填料進行定向。作為特別優(yōu)選的陶瓷填料，可列舉出氧化鋁、氧化鋅、氮化鋁、氮化硼、氮化硅、碳化硅等。在本實施方式中，傳熱薄片38的膜厚為100 V- m以下,優(yōu)選為30 ii m 80 ii m。在上部電極板31與冷卻板32的抵接面上殘留有由成型加工導(dǎo)致的某種程度的彎曲或者表面粗糙。因而，如果傳熱薄片38過薄，則該傳熱薄片38不能確保對上部電極板31與冷卻板32的抵接面的縫隙進行填充來實現(xiàn)熱的整體性。另一方面，如果傳熱薄片38的膜厚變厚，則上部電極板31與傳熱薄片38的合成熱容量變大，擔(dān)心等離子體蝕刻處理中的上部電極板31的升溫方式恐怕不適于該等離子體蝕刻處理。如果傳熱薄片38的膜厚在30iim SOiim范圍內(nèi)，則能夠?qū)鳠岜∑?8可靠地貼合于上部電極板31，從而使上部電極板31熱穩(wěn)定。在本實施方式中，在上部電極板31的與冷卻板相抵接的抵接面31a上形成的傳熱薄片38能夠使與基板載置臺的中心部相向的位置處的膜厚不同于與周邊部相向的位置處的膜厚，該基板載置臺隔著處理空間與上部電極板31相向地配置。S卩，與基座12的中心部相向的上部電極板31的中心部與等離子體密度高的處理空間S相向，因此易于變?yōu)楦邷?。因而，使上部電極板31的中心部的傳熱薄片38的膜厚比除此之外的其它部分的膜厚薄而將熱阻抑制得較低，并且調(diào)整熱傳遞效率，由此，還能夠?qū)崿F(xiàn)上部電極板31的表面內(nèi)溫度的均勻化以及蝕刻率的均勻化。此外，在本實施方式中，在上部電極板31的中心部分也可以不形成傳熱薄片38。
在本實施方式中，優(yōu)選在電極支承體33與冷卻板32的抵接面上也存在傳熱薄片38。由此，電極支承體33與冷卻板32之間的熱傳遞效率提高，利用電極支承體33使隔著冷卻板32的上部電極板31的冷卻效果提高，上部電極板31的溫度更為穩(wěn)定。另外，能夠改善腔室內(nèi)的熱分布，還能夠?qū)崿F(xiàn)節(jié)能。在本實施方式中，優(yōu)選在冷卻板32的與上部電極板31相抵接的抵接面、更為詳細(xì)地說是在冷卻板32的與傳熱薄片38相抵接的抵接面上涂布脫模劑。這是由于，上部電極板31是耗材，在使用規(guī)定時間后要更換為新品，但冷卻板32能夠繼續(xù)使用，將去掉達到壽命的上部電極板31后，冷卻板32的表面要保持潔凈。作為脫模劑，適合使用例如將氟涂層、導(dǎo)熱性良好的粉末、例如碳、氮化硼等作為主要成分的脫模劑。以上，利用實施方式對本發(fā)明進行了詳細(xì)地說明，但本發(fā)明并不限定于這些實施方式。另外，在上述實施方式中，被實施等離子體蝕刻處理的基板并不限于半導(dǎo)體器件 用的晶圓，也可以是包括LCD (Liquid Crystal Display,液晶顯示器)等的FPD (Flat PanelDisplay :平板顯示器)等所用的各種基板、光掩模、CD基板、印刷電路板等。
權(quán)利要求
1.一種上部電極板，具有溫度調(diào)整機構(gòu)的電極支承體懸吊支承該上部電極板，該上部電極板的特征在于， 該上部電極板經(jīng)由冷卻板抵接于上述電極支承體，在與該冷卻板相抵接的抵接面上形成傳熱薄片。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的上部電極板，其特征在于， 在上述上部電極板中設(shè)置多個氣孔，以避開上述氣孔的附近的規(guī)定區(qū)域的方式形成上述傳熱薄片。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的上部電極板，其特征在于， 以避開將上述氣孔的中心作為中心且半徑為I. 5mm至2. 5mm的圓形區(qū)域的方式來形成上述傳熱薄片。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3中的任一項所述的上部電極板，其特征在于， 上述傳熱薄片的膜厚為IOOiim以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的上部電極板，其特征在于， 上述傳熱薄片的膜厚為30 ii m至80 ii m。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的上部電極板，其特征在于， 上述上部電極板隔著處理空間與基板載置臺相向地配置，在與上述基板載置臺的中心部相向的位置處和與上述基板載置臺的周邊部相向的位置處，上述傳熱薄片的膜厚不同。
7.根據(jù)權(quán)利要求I至6中的任一項所述的上部電極板，其特征在于， 對上述冷卻板的與上述傳熱薄片相抵接的抵接面涂布脫模劑。
8.根據(jù)權(quán)利要求I至7中的任一項所述的上部電極板，其特征在于， 在上述電極支承體與上述冷卻板的抵接面上存在上述傳熱薄片。
9.根據(jù)權(quán)利要求I至8中的任一項所述的上部電極板，其特征在于， 上述傳熱薄片的熱導(dǎo)率是0. 5ff/m k 2. Off/m k。
10.一種基板處理裝置，具有上部電極板和隔著處理空間與該上部電極板相向地配置的基板載置臺，對載置在該基板載置臺上的基板實施規(guī)定的處理，該基板處理裝置的特征在于， 上述上部電極板是權(quán)利要求I至9中的任一項所述的上部電極板。
全文摘要
一種上部電極板以及基板處理裝置，提供一種能夠從開始產(chǎn)生等離子體起就使上部電極板的溫度穩(wěn)定，能夠?qū)Χ鄠€晶圓實施均勻的蝕刻處理的上部電極板。在等離子體處理裝置(10)中，隔著處理空間(S)與基板載置臺(12)相向地配置的上部電極板(31)經(jīng)由冷卻板(32)與電極支承體(33)相抵接并被該電極支承體(33)支承，在與冷卻板(32)相抵接的抵接面上形成傳熱薄片(38)。傳熱薄片(38)的熱導(dǎo)率處于0.5～2.0W/m·k的范圍，該傳熱薄片(38)的材料是在成分中包含硅的耐熱性的粘合劑、橡膠，以及在粘合劑、橡膠中含有25％～60％體積的氧化物、氮化物或者碳化物的陶瓷填料，該傳熱薄片(38)的膜厚例如是30μm～80μm，以避開上部電極板(31)的各氣孔(34)的附近的規(guī)定區(qū)域的方式涂布并形成該傳熱薄片(38)。
文檔編號H01L21/67GK102738041SQ20121010142
公開日2012年10月17日 申請日期2012年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月31日
發(fā)明者小林義之 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社