專利名稱：發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實(shí)施方案涉及一種發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)是發(fā)光器件的代表，并且指的是使用化合物半導(dǎo)體的特性將電信號轉(zhuǎn)化成光例如紅外光或可見光的器件。這種LED用于家用電器、遙控器、電子顯示器、顯示器以及各種其它自動化機(jī)器中，并且LED的應(yīng)用范圍在逐漸地拓寬。通常，將小型LED制造成表面安裝器件以直接安裝在印刷電路板(PCB)上，因此用作顯示器件的LED燈正開發(fā)為表面安裝器件。表面安裝器件可以替代常規(guī)的簡單燈，并且可以用于各種彩色開關(guān)顯示器以及字符顯示器和圖像顯示器中。由于LED的應(yīng)用范圍廣泛，所以家用電燈、求救信號燈等要求高的亮度。因此，需要增加LED的亮度。

發(fā)明內(nèi)容
實(shí)施方案提供了一種包括電極的發(fā)光器件，所述電極具有與半導(dǎo)體層的優(yōu)異的接合性能并且具有高的光反射率。在一個(gè)實(shí)施方案中，發(fā)光器件包括:包括第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層、以及在第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間的有源層的發(fā)光結(jié)構(gòu)；電連接至第一半導(dǎo)體層的第一電極；以及設(shè)置在第二半導(dǎo)體層上的第二電極，其中第二電極包括:設(shè)置在第二半導(dǎo)體層上的反射電極層，以及設(shè)置在反射電極層的外側(cè)表面的至少一部分區(qū)域中同時(shí)與第二半導(dǎo)體層接觸的接合電極層。


結(jié)合附圖通過以下詳述，將更清楚地理解實(shí)施方案的細(xì)節(jié)，其中:圖1是示出根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施方案的發(fā)光器件的俯視圖；圖2是圖1所示的發(fā)光器件的沿線A-A的截面圖；圖3是示出圖2的區(qū)域“a”的放大圖；圖4是示出圖2的區(qū)域“b”的放大圖；圖5是示出根據(jù)另一實(shí)施方案的發(fā)光器件的電極的截面圖；圖6是示出根據(jù)又一實(shí)施方案的發(fā)光器件的電極的截面圖；圖7是示出根據(jù)又一實(shí)施方案的發(fā)光器件的電極的截面圖；圖8是示出根據(jù)又一實(shí)施方案的發(fā)光器件的電極的截面圖9是示出根據(jù)又一實(shí)施方案的發(fā)光器件的電極的截面圖；圖10是示出根據(jù)又一實(shí)施方案的發(fā)光器件的電極的截面圖；圖11是示出根據(jù)又一實(shí)施方案的發(fā)光器件的電極的截面圖；圖12是示出根據(jù)又一實(shí)施方案的發(fā)光器件的電極的截面圖；圖13是示出根據(jù)又一實(shí)施方案的發(fā)光器件的俯視圖；圖14是示出根據(jù)又一實(shí)施方案的發(fā)光器件的俯視圖；圖15是示出根據(jù)又一實(shí)施方案的發(fā)光器件的截面圖；圖16是示出根據(jù)又一實(shí)施方案的發(fā)光器件的截面圖；圖17至圖19是示出制造根據(jù)示出的實(shí)施方案的發(fā)光器件的電極的方法的連續(xù)工藝的截面圖；圖20是示出根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施方案的包括發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝件的立體圖；圖21是示出包括根據(jù)示出的示例性實(shí)施方案的發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝件的截面圖；圖22是示出根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施方案的包括發(fā)光器件的照明裝置的立體圖；圖23是圖22所示的照明裝置的沿線C-CT的截面圖；圖24是示出根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施方案的包括發(fā)光器件的液晶顯示裝置的分解立體圖；以及圖25是示出根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施方案的包括發(fā)光器件的液晶顯示裝置的分解立體圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將詳細(xì)地參考其示例示出在附圖中的實(shí)施方案。然而，本公開可以以多種不同的形式實(shí)施，而不應(yīng)理解為限于本文中提出的實(shí)施方案。而是提供這些實(shí)施方案，使得本公開可以是全面的和完整的，并且使得本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠充分理解本公開的范圍。本公開僅由權(quán)利要求的范疇來限定。在可能的情況下，在整個(gè)附圖中利用相同的附圖標(biāo)記表示相同或相似的部分。與空間相關(guān)的措辭例如“下”、“下方”、“下部”、“上”或“上部”在本文中可以用于描述例如圖中示出的一個(gè)元件與另一個(gè)元件的關(guān)系?？梢岳斫?，除了在圖中描述的方位之夕卜，與空間相關(guān)的措辭還意在包括器件的其它方位。例如，如果將一幅圖中的器件翻轉(zhuǎn)，那么描述為在其它元件“下”或“下方”的元件將被定向?yàn)樵谄渌吧稀?。因此，示例性措辭“下”或“下方”可以包括上和下兩個(gè)方位。因?yàn)榭梢匝刂硪环较蚨ㄏ蚱骷钥梢愿鶕?jù)器件的方位來理解與空間相關(guān)的措辭。本公開中使用的術(shù)語僅出于描述具體實(shí)施方案的目的而并不意在限制本公開。如在本公開和所附權(quán)利要求中所使用的，除非上下文清楚地指出，否則單數(shù)形式“一個(gè)”、“一種”以及“該/所述”也意在包括復(fù)數(shù)形式。還可以理解，當(dāng)在本說明書中使用時(shí)，術(shù)語“包括”和/或“包含”明確說明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件，但不排除存在或增加一個(gè)或更多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或它們的組合。除非另有定義，否則本文中所使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有本領(lǐng)域技術(shù)人員一般理解的含義。還可以理解，如在一般使用的詞典中定義的那些術(shù)語之類的術(shù)語應(yīng)該理解為其含義與相關(guān)領(lǐng)域和本公開的上下文中的含義一致，并且，除非在本文中清楚地定義，否則不應(yīng)以理想化或過度形式化的意義來理解。在圖中，為了方便描述和清楚，放大、省略或示意性地示出各個(gè)層的厚度或尺寸。此外，各個(gè)組成元件的尺寸和面積并不完全反映其真實(shí)尺寸。用于描述根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)的角度和方向基于附圖所示的角度和方向。除非說明書中沒有對描述發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)中的角位置關(guān)系的參考點(diǎn)進(jìn)行限定，否則可以參考相關(guān)附圖。圖1是示出根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施方案的發(fā)光器件的俯視圖。圖2是圖1所示的發(fā)光器件的沿線A-A的截面圖。圖3是示出圖2的區(qū)域“a”的放大圖。圖4是示出圖2的區(qū)域“b”的放大圖。參考圖1至圖4，根據(jù)示出的實(shí)施方案的用附圖標(biāo)記100表示的發(fā)光器件可以主要包括支撐構(gòu)件110、發(fā)光結(jié)構(gòu)以及電極。發(fā)光結(jié)構(gòu)可以包括第一半導(dǎo)體層120、第二半導(dǎo)體層140以及在第一半導(dǎo)體層120與第二半導(dǎo)體層140之間的有源層130。支撐構(gòu)件110可以由具有透光性的材料例如藍(lán)寶石(Al2O3)、GaN、ZnO以及AlO中的任一種材料制成，但是本公開不限于此。此外，支撐構(gòu)件110可以由導(dǎo)熱率大于藍(lán)寶石(Al2O3)支撐構(gòu)件的導(dǎo)熱率的碳化硅(SiC)制成。但是，優(yōu)選地，支撐構(gòu)件110的折射率小于第一半導(dǎo)體層120的折射率，以提高光提取效率。同時(shí)，支撐構(gòu)件110的下表面處可以形成有表面不規(guī)則圖案以提高光提取效率。表面不規(guī)則圖案可以形成在與形成有發(fā)光結(jié)構(gòu)的表面相反的表面處，并且使用蝕刻方法來形成。例如，可以使用干蝕刻方法或濕蝕刻方法，但是本公開不限于此。由于表面不規(guī)則圖案，因此可以防止光的全反射，從而實(shí)現(xiàn)光提取效率的提高。同時(shí)，支撐構(gòu)件110上可以設(shè)置有緩沖層(未示出)，以減小支撐構(gòu)件110與第一半導(dǎo)體層120之間的晶格失配同時(shí)使得半導(dǎo)體層能夠容易生長。緩沖層(未示出)可以在較低溫度模式下形成，并且可以由能夠減小半導(dǎo)體層與支撐構(gòu)件之間的晶格常數(shù)的差的材料制成。例如，緩沖層可以由選自GaN、InN、AlN、AlInN、InGaN、AlGaN以及InAlGaN中的材料制成，但是本公開不限于此。在緩沖層(未示出)上可以形成包括第一半導(dǎo)體層120、有源層130以及第二半導(dǎo)體層140的發(fā)光結(jié)構(gòu)。第一半導(dǎo)體層120可以設(shè)置在緩沖層(未示出)上。第一半導(dǎo)體層120可以實(shí)現(xiàn)為η型半導(dǎo)體層，并且可以給有源層130提供電子。第一半導(dǎo)體層120可以由例如具有式InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1,0≤y≤1,且0≤x+y≤1)的半導(dǎo)體材料制成。例如，第一半導(dǎo)體120可以由選自GaN、AlN、AlGaN、InGaN, InN, InAlGaN,AlInN等中的半導(dǎo)體材料制成，并且可以摻雜有n型摻雜劑，例如S1、Ge、Sn等。第一半導(dǎo)體層120可以還包括設(shè)置在第一半導(dǎo)體層120下的未摻雜的半導(dǎo)體層(未示出)，但是本公開不限于此。未摻雜的半導(dǎo)體層指的是形成以增強(qiáng)第一半導(dǎo)體層120的結(jié)晶性的層，并且未摻雜的半導(dǎo)體層未摻雜有η型摻雜劑。相應(yīng)地,除了導(dǎo)電率小于第一半導(dǎo)體120的導(dǎo)電率之外，未摻雜的半導(dǎo)體層可以與第一半導(dǎo)體層120等同。有源層130可以形成在第一半導(dǎo)體層120上。有源層130可以具有使用II1-V族化合物半導(dǎo)體材料形成的單量子阱結(jié)構(gòu)、多量子阱結(jié)構(gòu)(MQW)、量子線結(jié)構(gòu)、量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)等。在有源層130具有量子阱結(jié)構(gòu)時(shí)，有源層130例如可以具有單量子阱結(jié)構(gòu)或多量子阱結(jié)構(gòu)，有源層130包括具有式InxAlyGa1-x-yN (O≤X≤1，0≤y≤1，且O≤x+y≤1)的阱層和具有式InaAlbGa1-a-bN(O≤a≤1，0≤b≤1，且O≤a+b≤1)的勢壘層。阱層可以由能帶隙小于勢壘層的能帶隙的材料制成。在有源層130上和/或下可以形成導(dǎo)電覆層(未示出)。導(dǎo)電覆層(未示出)可以由AlGaN基半導(dǎo)體制成，并且其能帶隙大于有源層130的能帶隙。第二半導(dǎo)體層140可以實(shí)現(xiàn)為P型半導(dǎo)體層，以給有源層130中注入空穴。第二半導(dǎo)體層140可以由具有式InxAlyGa1-x-yN(O≤ x ≤ 1,0 ≤ y ≤1,且0≤x+y≤ 1)的半導(dǎo)體材料制成。例如，第二半導(dǎo)體層140可以由選自GaN、AIN、AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN,AlInN等中的半導(dǎo)體材料制成，并且可以摻雜有P型摻雜劑，例如Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等。同時(shí)，在有源層130與第二半導(dǎo)體層140之間可以形成中間層(未示出)。中間層可以是電子阻擋層，以防止在施加大電流時(shí)從第一半導(dǎo)體層120注入到有源層130的電子流至第二半導(dǎo)體層140而未在有源層130中進(jìn)行電子復(fù)合。中間層的能帶隙相對大于有源層130的能帶隙，從而防止從第一半導(dǎo)體層120注入的電子注入到第二半導(dǎo)體層140中而未在有源層130中進(jìn)行電子復(fù)合。因此，可以增加電子與空穴之間在有源層130中進(jìn)行復(fù)合的幾率并且防止電流的泄露。此處，中間層的能帶隙可以大于包括在有源層130中的勢壘層的能帶隙，并且可以形成為包含鋁(Al)半導(dǎo)體層，例如P型AlGaN。但是，中間層不限于上述結(jié)構(gòu)。上述第一半導(dǎo)體層120、有源層130以及第二半導(dǎo)體層140可以例如使用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、分子束外延(MBE)、氫化物氣相外延(HVPE)或者濺射來形成，但是本公開不限于此。此外，第一半導(dǎo)體層120和第二半導(dǎo)體層140中的各個(gè)層中的導(dǎo)電摻雜劑可以具有均一或不均一的摻雜濃度。即，多個(gè)半導(dǎo)體層可以形成為具有各種摻雜濃度分布，但是本公開不限于此。此外，第一半導(dǎo)體層120可以實(shí)現(xiàn)為P型半導(dǎo)體層，第二半導(dǎo)體層140可以實(shí)現(xiàn)為n型半導(dǎo)體層，并且在第二半導(dǎo)體層140上還可以形成有包括n型或p型半導(dǎo)體層的第三半導(dǎo)體層(未示出)。因此，發(fā)光器件100可以具有n-p結(jié)結(jié)構(gòu)、p-n結(jié)結(jié)構(gòu)、n-p-n結(jié)結(jié)構(gòu)以及p-n-p結(jié)結(jié)構(gòu)中的至少一種。電極用于將發(fā)光器件100連接至電源。電極可以包括電連接至第一半導(dǎo)體層120的第一電極170和設(shè)置在第二半導(dǎo)體層140上的第二電極180。在第二電極180與第二半導(dǎo)體層140之間可以形成有透光電極層150。透光電極層150 可以由 IT0、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、AGZO (Al-Ga ZnO)、IGZO (In-Ga ZnO)、IrOx, RuOx, RuOx/1 TO, Ni/IrOx/Au 以及 Ni/IrOx/Au/ITO中的至少一種制成。透光電極層150可以形成在第二半導(dǎo)體層140的外側(cè)的整個(gè)一個(gè)表面上，從而防止電流擁擠現(xiàn)象。第一電極170可以形成在第一半導(dǎo)體層120上?？紤]到發(fā)光器件100的尺寸等，第一電極170的形成位置不受限制，并且，可以形成有多個(gè)第一電極170。此外，如圖2所示，移除第二半導(dǎo)體層140和有源層130的部分區(qū)域，以暴露出第一半導(dǎo)體層120的一部分，并且可以在第二半導(dǎo)體層120的暴露出的上表面上形成第一電極170。但是，本公開不限于上述結(jié)構(gòu)。例如，移除支撐構(gòu)件110，并且，第一電極170還可以形成在第一半導(dǎo)體層120的暴露出的表面上。移除第一半導(dǎo)體層120的上表面的方法不受限制，例如，可以使用濕蝕刻方法、干蝕刻方法等。第二電極180可以設(shè)置在第二半導(dǎo)體層140上。再次參考圖1至圖3，第二電極180可以包括設(shè)置在第二半導(dǎo)體層140上的反射電極層182和設(shè)置在反射電極層182的外側(cè)表面的至少部分區(qū)域中同時(shí)與第二半導(dǎo)體層140接觸的接合電極層188。反射電極層182可以連接至第二半導(dǎo)體層140。當(dāng)俯視時(shí)，反射電極層182可以具有各種形狀，如圓形形狀、三角形形狀、正方形形狀等。盡管在圖1中反射電極層182示出為具有圓形形狀，但是本公開不限于此。此外，反射電極層182在截面圖中可以具有梯級形式或傾斜形式。但是，反射電極層182不限于上述結(jié)構(gòu)，隨后將給出對反射電極層182的描述。反射電極層182可以包括顯示出反射性的金屬材料。例如，反射電極層182可以包括選自鋁(Al)、銠(Rh)、錫(Sn)、銀(Ag)、銀基合金以及銀基氧化物中的任一種。此外，反射電極層182可以具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)，但是本公開不限于此。接合電極層188可以在其下表面處連接至第二半導(dǎo)體層140，并且可以設(shè)置在反射電極層182的外側(cè)表面的部分區(qū)域或全部區(qū)域處。即，接合電極層188可以形成為包封反射電極層182的外側(cè)表面的一部分或全部，并且接合電極層188的下表面可以形成為與第二半導(dǎo)體層140接觸。接合電極層188不限于其形狀，例如可以具有各種形狀。隨后將給出對接合電極層188的描述。接合電極層188可以具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)，并且可以包含與第二半導(dǎo)體層140具有優(yōu)異接合力的材料。例如，接合電極層188可以包含鉻(Cr)和鈦(Ti)中的任一種，但是本公開不限于此。接合電極層188可以具有多層結(jié)構(gòu)，并且，接合電極層188上按下述順序?qū)盈B至少例如鉻(Cr)層、鋁(Al)層、鎳(Ni)層以及金(Au)層。Cr層可以設(shè)置為與第二半導(dǎo)體層140的上表面接觸。此外，這些層可以按照上述順序重復(fù)地層疊。盡管接合電極層188不限制其厚度，但是Cr層可以具有15Λ到25Λ的厚度，Al層可以具有2800Λ到3200Λ的厚度，Ni層可以具有400Λ到600Λ的厚度，Au層可以具有7500Λ到8500Λ的厚度。由于在層疊Al之后進(jìn)行熱處理工藝，并且在熱處理工藝之后層疊Cr (常規(guī)電極)，所以可以提高電極的反射率，從而提高發(fā)光器件的光提取效率。因?yàn)锳l的功函數(shù)是4.28，并且Cr的功函數(shù)是4.5，所以可以實(shí)現(xiàn)電特性的增強(qiáng)。如此，在設(shè)置反射電極層182并且反射電極層182的外側(cè)表面處設(shè)置接合電極層188時(shí)，可以防止由于第二半導(dǎo)體層140與反射電極層182之間的接合力弱而引起的反射電極層182的剝離。同時(shí)，因?yàn)榉瓷潆姌O層182反射從有源層130發(fā)出的光，所以可以借助于第二電極180來防止光吸收。下面，將參考表I來再次給出上述描述。下表I給出關(guān)于常規(guī)電極與根據(jù)示出的實(shí)施方案的電極之間的反射率試驗(yàn)的結(jié)果。常規(guī)電極具有按下述順序?qū)盈B接合電極層、反射電極層以及抗氧化層的結(jié)構(gòu)。另一方面，示例I涉及根據(jù)示出的實(shí)施方案的電極結(jié)構(gòu)，以及反射電極層182與接合電極層188的寬度比為10:1的情況。示例2涉及根據(jù)示出的實(shí)施方案的電極結(jié)構(gòu)，以及反射電極層182與接合電極層188的寬度比為10: 4的情況。根據(jù)此結(jié)果可知，通過根據(jù)示出的實(shí)施方案的發(fā)光器件100的電極結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)約5%或更大的反射率的提高同時(shí)維持電極與半導(dǎo)體層之間的接合力。[表I]
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件，包括: 包括第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層以及在所述第一半導(dǎo)體層與所述第二半導(dǎo)體層之間的有源層的發(fā)光結(jié)構(gòu)； 電連接至所述第一半導(dǎo)體層的第一電極；以及 設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體層上的第二電極， 其中所述第二電極包括: 設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體層上的反射電極層；以及 設(shè)置在所述反射電極層的外側(cè)表面的至少部分區(qū)域中同時(shí)與所述第二半導(dǎo)體層接觸的接合電極層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，還包括: 設(shè)置在所述反射電極層上的保護(hù)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，還包括: 設(shè)置在所述反射電極層或所述接合電極層上的抗氧化電極層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述反射電極層包括銀(Ag)、銀合金以及鋁(Al)中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述第一電極包括: 設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層上的反射電極層；以及` 設(shè)置在所述反射電極層的外側(cè)表面的至少部分區(qū)域中同時(shí)與所述第一半導(dǎo)體層接觸的接合電極層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述發(fā)光器件，其中所述反射電極層包括: 形成為具有與所述接合電極層的高度相等的高度的第一反射電極層；以及 設(shè)置在所述第一反射電極層上同時(shí)設(shè)置為直至所述接合電極層的上表面的第二反射電極層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其中所述第二反射電極層從所述接合電極層的所述上表面延伸直至所述接合電極層的側(cè)表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述反射電極層具有200nm到500nm的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述反射電極層具有隨著向上的距離的減小而減小的寬度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中 所述反射電極層包括其中按下述順序?qū)盈B至少鋁(Al)層、鎳(Ni)層以及金(Au)層的結(jié)構(gòu)；并且 所述Al層設(shè)置為與所述第二半導(dǎo)體層的上表面接觸。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光器件，其中所述反射電極層還包括設(shè)置在所述Au層上的鉻(Cr)層、鋁(Al)層、鎳(Ni)層以及金(Au)層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，其中 所述Al層具有2800Λ到3200Λ的厚度； 所述Ni層具有400Λ到600Λ的厚度；以及所述Au層具有7500Λ到8500Λ的厚度。
13.根據(jù)權(quán)利要求1i所述的發(fā)光器件，其中所述鉻層具有15Λ到25Λ的厚度。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述接合電極層具有隨著向上的距離的減小而減小的寬度。
15.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述反射電極層包括: 形成為具有與所述接合電極層的高度相等的高度的第一反射電極層；以及 設(shè)置在所述第一反射電極層上同時(shí)具有小于所述第一反射電極層的寬度的寬度的第二反射電極層，并且 其中所述接合電極層設(shè)置為從所述第一反射電極層的側(cè)表面沿著所述第一反射電極層的上表面直至所述第二反射電極層的側(cè)表面的部分區(qū)域。
16.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述接合電極層具有300nm到500nm的厚度。
17.根據(jù)權(quán)利要求1至3、10至13中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述接合電極層具有I μ m至Ij 2 μ m的寬度。
18.根據(jù)權(quán)利 要求1至3、10至13中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述接合電極層的寬度為所述反射電極層的寬度的0.1倍到0.5倍。
19.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述接合電極層的厚度為所述反射電極層的厚度的0.2倍到1.0倍。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述接合電極層形成為具有大于所述反射電極層的高度的高度。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的發(fā)光器件，其中所述接合電極層從所述反射電極層的側(cè)表面延伸直至所述反射電極層的上表面。
22.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述接合電極層包括其中按下述順序?qū)盈B鉻(Cr)層、鋁(Al)層、鎳(Ni)層以及金(Au)層的結(jié)構(gòu)。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的發(fā)光器件，其中 所述鉻層具有15Λ到25Λ的厚度； 所述鋁層具有2800Λ^3200Α的厚度； 所述鎳層具有400Λ到600Λ的厚度；以及 所述金層具有7500Λ到8500Λ枘厚度。
24.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中所述保護(hù)層包括鎳(Ni)。
25.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其中所述抗氧化電極層包括金(Au)、銠(Rh)、鈀(Pd)、銅(Cu)、鎳(Ni)、釕(Ru)、銥(Ir)和鉬(Pt)中的至少一種。
26.根據(jù)權(quán)利要求1至3、10至13中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，還包括在所述第二電極與所述第二半導(dǎo)體層之間的透光電極層。
27.一種發(fā)光器件封裝件，包括發(fā)光器件， 其中所述發(fā)光器件包括: 包括第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層以及在所述第一半導(dǎo)體層與所述第二半導(dǎo)體層之間的有源層的發(fā)光結(jié)構(gòu)； 電連接至所述第一半導(dǎo)體層的第一電極；以及設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體層上的第二電極，并且 其中所述第二電極包括: 設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體層上的反射電極層；以及 設(shè)置在所述反射電極層的外側(cè)表面的至少部分區(qū)域中同時(shí)與所述第二半導(dǎo)體層接觸的接合電極層。
全文摘要
公開了一種發(fā)光器件。該發(fā)光器件包括電極，該電極包括設(shè)置在第二半導(dǎo)體層上的反射電極層和設(shè)置在反射電極層的外側(cè)表面的至少部分區(qū)域中同時(shí)與第二半導(dǎo)體層接觸的接合電極層。因此，可以增強(qiáng)電極與半導(dǎo)體層之間的接合的可靠性。
文檔編號H01L33/38GK103107260SQ20121008577
公開日2013年5月15日 申請日期2012年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月15日
發(fā)明者崔炳然, 朱炫承, 李容京, 洪奇錫, 盧志希 申請人:Lg伊諾特有限公司