本發(fā)明涉及光電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種發(fā)光二極管的晶元測試方法和晶元測試系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管(英文：lightemittingdiode，簡稱：led)作為光電子產(chǎn)業(yè)中極具影響力的新產(chǎn)品，具有體積小、使用壽命長、顏色豐富多彩、能耗低等特點，廣泛應(yīng)用于照明、顯示屏、信號燈、背光源、玩具等領(lǐng)域。

led的核心結(jié)構(gòu)是led芯片，led芯片的制作主要包括外延片的生長、芯片制造和晶元的分割，在完成晶元的分割后，就可以得到單個的led芯片。

led芯片在制作完成后需要進行多種光電參數(shù)的測試，只有在測試合格后才能符合市場的需要。隨著近幾年市場對led的需求量急劇增加，對led的生產(chǎn)效率提出了更高要求。在對led芯片進行測試的過程中，如果逐一對晶元上的每一個led芯片進行所有光電參數(shù)的測試，就會大大降低測試的效率，從而降低生產(chǎn)效率，而如果減少測試的光電參數(shù)數(shù)量或是led芯片的數(shù)量，則無法確保未測試的光電參數(shù)滿足預(yù)設(shè)標準，且也無法確保未進行測試的led芯片合格，從而降低了led的品質(zhì)。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有l(wèi)ed的晶元測試無法兼顧效率和品質(zhì)的問題，本發(fā)明實施例提供了一種發(fā)光二極管的晶元測試方法和晶元測試系統(tǒng)。所述技術(shù)方案如下：

一方面，本發(fā)明實施例提供了一種發(fā)光二極管的晶元測試方法，其特征在于，所述晶元測試方法包括：

對同一片所述待測試晶元上的所述led芯片進行抽樣測試，得到抽樣測試結(jié)果，所述抽樣測試結(jié)果包括多種光電參數(shù)的測試結(jié)果；

將所述抽樣測試結(jié)果分別與對應(yīng)的多種光電參數(shù)的預(yù)設(shè)標準進行比較，以得到未達標光電參數(shù)；

對同一片所述待測試晶元上的每個所述led芯片進行所述未達標光電參數(shù)的逐一測試，根據(jù)所述未達標光電參數(shù)的測試結(jié)果確定每個led芯片是否合格。

優(yōu)選地，所述多種光電參數(shù)包括抗靜電電壓、開啟電壓、工作電壓、電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差、漏電流、反向擊穿電壓、亮度、主值波長、峰值波長、半波長、cie色度x坐標和cie色度y坐標中的多種。

優(yōu)選地，所述抽樣測試結(jié)果為所述多種光電參數(shù)中的任一種的良率或所述多種光電參數(shù)中的任一種的平均值。

進一步地，所述抽樣測試的樣本均勻分布于所述待測試晶元上。

優(yōu)選地，所述抽樣測試的樣本總數(shù)不小于同一片所述待測試晶元上的所述led芯片的總數(shù)的1％，且不大于同一片所述待測試晶元上的所述led芯片的總數(shù)的10％。

另一方面，本發(fā)明實施例提供了一種發(fā)光二極管的晶元測試系統(tǒng)，所述晶元測試系統(tǒng)包括：

第一測試單元，用于對同一片所述待測試晶元上的所述led芯片進行抽樣測試，得到抽樣測試結(jié)果，所述抽樣測試結(jié)果包括多種光電參數(shù)的測試結(jié)果；

處理單元，用于將所述抽樣測試結(jié)果分別與對應(yīng)的多種光電參數(shù)的預(yù)設(shè)標準進行比較，以得到未達標光電參數(shù)；

第二測試單元，用于對同一片所述待測試晶元上的每個所述led芯片進行所述未達標光電參數(shù)的逐一測試，根據(jù)所述未達標光電參數(shù)的測試結(jié)果確定每個led芯片是否合格。

優(yōu)選地，所述多種光電參數(shù)包括抗靜電電壓、開啟電壓、工作電壓、電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差、漏電流、反向擊穿電壓、亮度、主值波長、峰值波長、半波長、cie色度x坐標和cie色度y坐標中的多種。

優(yōu)選地，所述抽樣測試結(jié)果為所述多種光電參數(shù)中的任一種的良率或所述多種光電參數(shù)中的任一種的平均值。

進一步地，作為樣本的所述led芯片均勻分布于所述待測試晶元上。

優(yōu)選地，所述抽樣測試的樣本總數(shù)不小于同一片所述待測試晶元上的所述led芯片的總數(shù)的1％，且不大于10％。

本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：通過對同一片待測試晶元上的led芯片進行抽樣測試，并將抽樣測試結(jié)果分別與對應(yīng)的多種光電參數(shù)的預(yù)設(shè)標準進行比較，從而得到未達標光電參數(shù)，在后續(xù)對所有的led芯片進行逐一測試時，則只逐一測試未達標光電參數(shù)，由于在進行逐一測試的過程中，有部分光電參數(shù)不再進行測試，從而可以減少測試的項目，提高測試的效率，同時由于已經(jīng)進行了抽樣測試，因此可以確保在逐一測試中未進行測試的光電參數(shù)也滿足工藝的要求。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實施例提供的一種發(fā)光二極管的晶元測試方法的流程圖；

圖2是本發(fā)明實施例提供的另一種發(fā)光二極管的晶元測試方法的流程圖；

圖3是本發(fā)明實施例提供的一種發(fā)光二極管的正向電壓變化示意圖；

圖4是本發(fā)明實施例提供的一種發(fā)光二極管的晶元測試系統(tǒng)的示意圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施方式作進一步地詳細描述。

圖1是本發(fā)明實施例提供的一種發(fā)光二極管的晶元測試方法的流程圖，如圖1所示，該測試方法包括：

s11：進行抽樣測試。

具體地，對同一片待測試晶元上的led芯片進行抽樣測試，得到抽樣測試結(jié)果，其中，抽樣測試結(jié)果包括多種光電參數(shù)的測試結(jié)果。

s12：獲取未達標光電參數(shù)。

具體地，將抽樣測試結(jié)果分別與對應(yīng)的多種光電參數(shù)的預(yù)設(shè)標準進行比較，以得到未達標光電參數(shù)。

s13：進行逐一測試。

具體地，對同一片待測試晶元上的每個led芯片進行未達標光電參數(shù)的逐一測試，根據(jù)未達標光電參數(shù)的測試結(jié)果確定每個led芯片是否合格。

若抽樣測試中有多種光電參數(shù)未達標，則在進行逐一測試時，需要將未達標的每一種光電參數(shù)都進行測試。

通過對同一片待測試晶元上的led芯片進行抽樣測試，并將抽樣測試結(jié)果分別與對應(yīng)的多種光電參數(shù)的預(yù)設(shè)標準進行比較，從而得到未達標光電參數(shù)，在后續(xù)對所有的led芯片進行逐一測試時，則只逐一測試未達標光電參數(shù)，由于在進行逐一測試的過程中，有部分光電參數(shù)不再進行測試，從而可以減少測試的項目，提高測試的效率，同時由于已經(jīng)進行了抽樣測試，因此可以確保在逐一測試中未進行測試的光電參數(shù)也滿足工藝的要求。

圖2是本發(fā)明實施例提供的另一種發(fā)光二極管的晶元測試方法的流程圖，如圖2所示，該測試方法包括：

s21：選取抽樣測試的樣本。

具體地，從待測試晶元上的所有l(wèi)ed芯片中選取一定數(shù)量的led芯片作為抽樣測試的樣本。

優(yōu)選地，抽樣測試的樣本總數(shù)不小于同一片待測試晶元上的led芯片的總數(shù)的1％，且不大于同一片待測試晶元上的led芯片的總數(shù)的10％。若樣本總數(shù)太小，則會導(dǎo)致抽樣測試的誤差過大，降低測試的準確性，若樣本總數(shù)太大，雖然可以提高測試的準確性，但是會延長測試的時間，導(dǎo)致測試的效率降低。

抽樣測試的樣本均勻分布于待測試晶元，避免大量的樣本集中于某一區(qū)域，以降低制作過程中，led芯片的位置分布對光電參數(shù)的影響。

s22：對樣本進行逐一測試。

具體地，對同一片待測試晶元上的led芯片進行抽樣測試，以得到抽樣測試結(jié)果，其中抽樣測試結(jié)果包括多種光電參數(shù)的測試結(jié)果。

優(yōu)選地，多種光電參數(shù)可以包括抗靜電電壓、開啟電壓、工作電壓、電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差、漏電流、反向擊穿電壓、亮度、主值波長、峰值波長、半波長、cie(法文：commissioninternationaledel'eclairage，中文：國際照明委員會)色度x坐標和cie色度y坐標中的多種。這些均為led測試過程中所常進行測試的光電參數(shù)，通過對這些光電參數(shù)進行測試以確保生產(chǎn)出的led的品質(zhì)滿足工藝要求。

圖3是本發(fā)明實施例提供的一種發(fā)光二極管的正向電壓變化示意圖，如圖3所示，圖中的橫坐標t表示測試時間，縱坐標v表示電壓值，vfp表示電壓暫態(tài)峰值，是發(fā)光二極管的正向電壓的瞬時最高值，vf表示電壓穩(wěn)定值，是發(fā)光二極管的正向電壓穩(wěn)定后的數(shù)值，電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差即為vfp與vf之差，通常電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差用vfd表示，電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差vfd可以用來檢測led的閘流體效應(yīng)。

可選地，抽樣測試結(jié)果可以為多種光電參數(shù)中的任一種的良率或多種光電參數(shù)中的任一種的平均值。例如，可以選取電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的良率作為電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差這一光電參數(shù)的抽樣測試結(jié)果，一般電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差小于0.1伏可以認為合格，以樣本中，電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差小于0.1伏的樣本數(shù)占樣本總數(shù)的百分比作為電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的良率。當然也可以選取電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的平均值作為抽樣測試結(jié)果。

進一步地，預(yù)設(shè)標準為同一光電參數(shù)的良率的閥值或同一光電參數(shù)的平均值的閥值。例如，當選取電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的良率作為電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差這一光電參數(shù)的抽樣測試結(jié)果時，電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的預(yù)設(shè)標準的閥值可以是99％，若樣本的電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的良率低于閥值99％，則表明電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差這個光電參數(shù)未達標，反之達標。當然若選取電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的平均值作為電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差這一光電參數(shù)的抽樣測試結(jié)果時，則可以將電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的預(yù)設(shè)標準的閥值設(shè)為0.05伏，若樣本的電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的平均值大于該閥值0.05伏，則表明電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差這個光電參數(shù)未達標，反之達標。

需要說明的是，不同的晶元之間，抽樣測試結(jié)果可能會不同，也可能會相同，因此對多個不同的晶元進行測試時，應(yīng)對不同的晶元分別進行抽樣測試。

s23：獲取未達標光電參數(shù)。

具體地，將抽樣測試結(jié)果分別與對應(yīng)的多種光電參數(shù)的預(yù)設(shè)標準進行比較，以得到未達標光電參數(shù)。通過將樣本的抽樣測試結(jié)果與對應(yīng)的預(yù)設(shè)標準進行比較，當某一光電參數(shù)的抽樣測試結(jié)果不滿足該光電參數(shù)的預(yù)設(shè)標準時，則認為該光電參數(shù)未達標，若滿足則認為該光電參數(shù)達標。

容易理解的是，若抽樣測試的結(jié)果顯示所有的光電參數(shù)均未達標，則在后續(xù)測試中，需要對所有的光電參數(shù)進行測試。

s24：對待測試晶元所分割的所有l(wèi)ed芯片進行逐一測試。

具體地，對同一片待測試晶元上的每個led芯片進行未達標光電參數(shù)的逐一測試，根據(jù)未達標光電參數(shù)的測試結(jié)果確定每個led芯片是否合格。若樣本中的某一光電參數(shù)達標，則在后續(xù)的逐一測試中可以不再進行該光電參數(shù)的測試，從而可以減少測試的次數(shù)，提高測試效率。在對某個led芯片進行所有未達標光電參數(shù)的逐一測試后，若所有測試結(jié)果都滿足預(yù)設(shè)標準，則認為該led芯片合格，若存在至少一項不合格，則認為該led芯片不合格。例如在抽樣測試中，電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的測試結(jié)果達標，從而在步驟s24中，無需對led芯片進行電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的測試。

容易想到的是，樣本由于在抽樣測試的過程中已經(jīng)進行過測試，因此在對所有l(wèi)ed芯片進行逐一測試時可以不再對樣本進行測試，從而進一步提高測試的效率。

圖4是本發(fā)明實施例提供的一種發(fā)光二極管的晶元測試系統(tǒng)的示意圖，該系統(tǒng)用于執(zhí)行圖1或圖2所示的發(fā)光二極管的晶元測試方法，如圖4所示，晶元測試系統(tǒng)包括第一測試單元31、處理單元32和第二測試單元34，其中，第一測試單元31用于對同一片待測試晶元上的led芯片進行抽樣測試，得到抽樣測試結(jié)果，其中，抽樣測試結(jié)果包括多種光電參數(shù)的測試結(jié)果，處理單元32用于將抽樣測試結(jié)果分別與對應(yīng)的多種光電參數(shù)的預(yù)設(shè)標準進行比較，以得到未達標光電參數(shù)，第二測試單元34用于對同一片待測試晶元上的每個led芯片進行未達標光電參數(shù)的逐一測試，根據(jù)未達標光電參數(shù)的測試結(jié)果確定每個led芯片是否合格。

該系統(tǒng)還可以包括存儲單元33，存儲單元33用于存儲多種光電參數(shù)的抽樣測試結(jié)果和多種光電參數(shù)的預(yù)設(shè)標準。

通過對同一片待測試晶元上的led芯片進行抽樣測試，并將抽樣測試結(jié)果分別與對應(yīng)的多種光電參數(shù)的預(yù)設(shè)標準進行比較，從而得到未達標光電參數(shù)，在后續(xù)對所有的led芯片進行逐一測試時，則只逐一測試未達標光電參數(shù)，由于在進行逐一測試的過程中，有部分光電參數(shù)不再進行測試，從而可以減少測試的項目，提高測試的效率，同時由于已經(jīng)進行了抽樣測試，因此可以確保在逐一測試中未進行測試的光電參數(shù)也滿足工藝的要求。

實現(xiàn)時，第一測試單元31和第二測試單元34可以為同一設(shè)備，也可以為不同的設(shè)備，第一測試單元31和第二測試單元34可以采用現(xiàn)有的發(fā)光二極管測試設(shè)備。

處理單元32和存儲單元33可以是發(fā)光二極管制造管理系統(tǒng)，發(fā)光二極管制造管理系統(tǒng)中可以存儲有包括多種光電參數(shù)的預(yù)設(shè)標準的標準文件，第一測試單元31在完成測試后將測試結(jié)果上傳至發(fā)光二極管制造管理系統(tǒng)，發(fā)光二極管制造管理系統(tǒng)將測試結(jié)果和標準文件對比，生成記錄有未達標光電參數(shù)的記錄文件，在第二測試單元34進行測試時，發(fā)光二極管制造管理系統(tǒng)可以將記錄文件下發(fā)至第二測試單元34，由第二測試單元34根據(jù)記錄文件進行未達標光電參數(shù)的測試。此外，記錄文件還可以記錄有測試條件、測試模式，以指導(dǎo)第二測試單元34進行調(diào)試，有利于提高測試的效率和準確性。

具體地，當?shù)谝粶y試單元31和第二測試單元34為不同的設(shè)備時，第一測試單元31和第二測試單元34可以同時與發(fā)光二極管制造管理系統(tǒng)通訊連接，第一測試單元31可以用于對同一片待測試晶元上的led芯片進行抽樣測試，并將抽樣測試結(jié)果上傳至發(fā)光二極管制造管理系統(tǒng)，發(fā)光二極管制造管理系統(tǒng)根據(jù)預(yù)先存儲的標準文件和接收到的抽樣測試結(jié)果進行對比，其中，標準文件記錄有多種光電參數(shù)的預(yù)設(shè)標準，從而得到未達標光電參數(shù)的種類，并生成記錄有未達標光電參數(shù)的種類的記錄文件，發(fā)光二極管制造管理系統(tǒng)可以將該記錄文件下傳至第二測試單元34，第二測試單元34根據(jù)記錄文件中所記錄的未達標光電參數(shù)的種類對同一片待測試晶元上的每個led芯片進行逐一測試，測試的項目包括所有未達標光電參數(shù)。

優(yōu)選地，抽樣測試的樣本總數(shù)不小于同一片待測試晶元上的led芯片的總數(shù)的1％，且不大于10％。在選擇樣本時，若樣本總數(shù)太小，則會導(dǎo)致抽樣測試的誤差過大，降低測試的準確性，若樣本總數(shù)太大，雖然可以提高測試的準確性，但是會延長測試的時間，導(dǎo)致測試的效率降低。

容易想到的是，作為樣本的led芯片在晶元上應(yīng)該均勻分布，避免大量的樣本集中于某一區(qū)域，以降低制作過程中，led芯片的位置分布對光電參數(shù)的影響。

優(yōu)選地，多種光電參數(shù)可以包括抗靜電電壓、開啟電壓、工作電壓、電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差、漏電流、反向擊穿電壓、亮度、主值波長、峰值波長、半波長、cie色度x坐標和cie色度y坐標中的多種。這些均為led測試過程中所常進行測試的光電參數(shù)，通過對這些光電參數(shù)進行測試以確保生產(chǎn)出的led的品質(zhì)滿足工藝要求。

可選地，抽樣測試結(jié)果可以為同一光電參數(shù)的良率或同一光電參數(shù)的平均值。例如，可以選取電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的良率作為電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差這一光電參數(shù)的抽樣測試結(jié)果，電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差可以用來檢測led的閘流體效應(yīng)，一般電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差小于0.1伏可以認為合格，以樣本中，電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差小于0.1伏的樣本數(shù)占樣本總數(shù)的百分比作為電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的良率。當然也可以選取電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的平均值作為抽樣測試結(jié)果。

進一步地，預(yù)設(shè)標準為同一光電參數(shù)的良率的閥值或同一光電參數(shù)的平均值的閥值。例如，當選取電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的良率作為電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差這一光電參數(shù)的抽樣測試結(jié)果時，電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的預(yù)設(shè)標準的閥值可以是99％，若樣本的電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的良率低于閥值99％，則表明電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差這個光電參數(shù)未達標，反之達標。當然若選取電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的平均值作為電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差這一光電參數(shù)的抽樣測試結(jié)果時，則可以將電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的預(yù)設(shè)標準的閥值設(shè)為0.05伏，若樣本的電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的平均值大于該閥值0.05伏，則表明電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差這個光電參數(shù)未達標，反之達標。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。